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On sait que la commande ou réglage en contins de semi-conducteurs, par exemple de transistors, de résistances dépendant d'un champ magnétique, de générateurs de Hall, ou d'éléments analogues, n'est possible qu'aussi longtemps que la caractéristique de résistance de l'appareil ou élément utilisateur ne coupe pas l'hyperbole de puissance du semi- conducteur c'est-à-dire qu'aussi longtemps que la perte de puissance ad- missible du semi-conducteur n'est dépassée en aucun point de la zone de réglage.
Comme il est cependant indispensable, dans .
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beaucoup de cas, de comm der des puismns @@us éleuves qu'il ne serait admissible en regard de l'échauffement/du semi-conducteur, on a déjà proposé de traverser au cours du réglage, aussi vite que possible la zone intermédiaire, c'est-à-dire la zone dans laquelle la caractéristique de résistance de l'élément utilisateur se situe au-dessus de l'hyperbole de puissance du semi-conducteur, de manière que ce semi-conducteur soit de façon prédominante à 1'état bloqué ou à l'état de libre passage.
Le réglage de la puissance de l'élément utilisateur est par conséquent fonction du rap- port existant entre la durée de passage et la durée de blo- cage, c'est-à-dire fonction de la fréquence de travail (ou rapport d'impulsion) des semi-conducteurs.
La présente invention a pour objet un dis- positif du genre précité servant au réglage de la puissance d'éléments utilisateurs au moyen de résistances réglables semi-conductrices, grâce au réglage de la fréquence de travail¯ des semi-conducteurs. 'L'invention est caractérisée par le fait que les semi-conducteurs de réglage sont disposés suivant un montage instable à basculement, comportant des temps de basculement réglables, montage dans lequel les électrodes de commande- sont reliées chacune par l'intermédiaire d'un élément accumulateur (condensateur) à l'électrode du circuit de l'au.. tre semi-conducteur et par le fait que la charge de l'élément accumulateur se fait par l'intermédiaire d'une résistance.
Un dispositif du genre précité déjà propo- sé et comportant un montage à basculement instable est représenté, à titre d'exemple, sur la figure 1 du dessin annexé. Deux transistors 1 et 2 sont reliés par l'intermédiaire de résistances 3 et 4 au pôle positif d'une source de tension 5 (tension de "collecteur" ou d'alimentation) dont l'autre pôle est relié à la terre. Dans le cas présent, on suppose qu'il s'agit de transistors du type n-p-n. Au cours
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de la présente description, il en est de même en principe pour tous les transistors p-n-p, sous réserve du changement de signe des potentiels. On désigne par zéro dans les expli- cations qui vont suivre, le potentiel du pôle relié à la ter- re.
Les électrodes de réglage (dans le cas présent les bases des transistors 1 et 2) sont reliées à leur tour au moyen de résistances 6 et 7 également à la source de tension 5, et en outre au moyen de condensateurs 8 et 9 à l'électrode du cir- cuit de l'autre transistor, c'est-à-dire dans ce cas au col- lecteur.
Sur les figures 2a et 2b on a représenté le .diagramme de fonctionnement d'un montage du genre précité. Dans ce cas, la figure 2a montre la caractéristique de la ten- sion Ua au point a de la figure 1 et la figure 2b celle de la tension Ub au point b de la figure 1. Aussi longtemps que le transistor 1 est ouvert, le point a correspond à une tension ne dépassant que légèrement la valeur zéro. Comme le transistor 2 est bloquée le condensateur Çse trouve chargé approximativement au niveau complet de la tension 5. Si on ouvre maintenant le transistor 2, le potentiel s'abaisse au point d de la figure 1 jusqu'à zéro et porte en même temps le potentiel du point a jusqu'à une valeur se rapprochant du niveau négatif de la tension 5.
Cela provoque la fermeture du transistor 1. Après la fermenture, le potentiel du point a est relevé par la s@@rce de tension 5 et 1' intermédiaire de la résistance 6 depuis sa valeur négative maximum en passant par zéro jusqu'à sa valeur positive maximum, mais à l'instant où la tension au point a dépasse tant soit peu la valeur zéro, le transistor 1 s'ouvre. Cela provoque l'abaissement du po.. tentiel du point c à zéro et celui du potentiel du point b à la valeur négative maximum de la tension 5, de sorte que le transistor 2 se trouve à l'état bloqué.
Cette ouverture et ce bloquage alternants se répètent constamment, par exemple de
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( l j \ 1 . -..; - \...- 4> ' 1 '-... \ , .., :..ll" l, ut.' .!i 1> : l..'o±1 jllf.,t*J'c..:;JLL. !,Lir:J1.1. '....1 :¯.¯... r:...f,; t'.'.,LS,'.il:C: :J et ..: cc.::.; é iLô ;i<ni 1 1; Lliat::¯:ft ;11': <: . ; . I ¯. ... ,:.2:i.(;
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des transistors 1 et , éléi:i13rll,G dont un i';;iH.: î"1>iJ,L-1' î' puissance, il est évident que ces tlcâ.l,l#.u lei;1,; : -,l'úil!, 1,i-:,:ï¯ chs ou coupes en fonction de 1u 1rt:'-lu:.n(;8 de levait du transistor 1 ou x espective.,te:zt G.
Cctt; fréquence tx-.vrzil peut être codifiée au moyen d'un 01'b,-,nè de COlliI:r:..nÜe C0f.'.ltm de Lcr2 qya cette IJ10dific'J.tion de l.dite a'1.':r¯1E,'.1C:E paisse
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opérer le réglage de la valeur moyenne du courut traversant
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les utilisateurs 3 et/ou 4 et régler par consfqtl8nt :u puissance de ces d6rniflT's. Lorsque les utilisateurs et 4 sont
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interdépendants, par exemple lorsque l'élément utilisateur
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est constitué par les enr0t.'Ü.e:nl:!nts dt Conwlétnde de pré;.ü5.éti-. sation d'i.1ll arzplificateur i1*gnéticiue p1.cé dans le circuit de corn::r.:nüe des résistances sL:zii-con.üctrices, une modification en sens contraire de 1û fréquence de travail des zeI1li-cond:.1ctcars est avantageuse ..
Lorsque utilise un seul anipiificat .W .etiq.., prine2pa.::zent un amplificateur l1lagnetique à autosaturation, cela n'aura de r,"sOn ,'tre pratique que si les énr-0u1.e-nents de cO:J1..'2anù.e Je ].1 amplif'ica te ur- magnétique branch ians les circuits de travail magnétisent en sens opposd cet anrplificateur. Pour cette raison Vn amène à l'aniplifiCa tsar magnétique :La différence de deux de tensions rectangu-
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L'aires contraires..
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Sur la figure :, on a rep'---ssante un ±lode de r.::ali5:::: tion d' un tei m3ntare de cOlmnande d' t.1 n ar1plif'ica teur f.C.&i;11';tiquc. Sur cette i'1 f7r'e "s désigne un ainpiii'ibr'ate-ir- à .:ontaJe bascul::mt instat: -:#respontli:tllt, par e';"-..dp.L1;.t la fijire 3. ---pmdt, e....j..
La "" qU< i Q " '3 de b scu2 fzcr c, pc at, pur e en1ple, SE: Iilont.,r à lOOü Pa r s:e r.nde . On <icic.at; quel Pon
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utilise à nouveau comme résistances se@i-conductrices deux transistors 1 et 2 et que l'on utilise pour la commande une continue tension/u st provenant d'un collecteur 301. Cette tension . peut être réglée au moyen d'un potentiomètre 304 et elle est amenée à l'entrée de commande de l'amplivibrateur A formé par les bornes 305. Deux autres bornes 306 indiquent la ma- nière dont sont alimentés les circuits de travail des transis- tors 1 et 2.
Les circuits de travail aboutissent chacun à deux sorties représentées par les borne'. 307 ou 308, Deux enroulements de commande 309 sont race.- @@@s aux bornes 307 et deux enroulements de commande 310 d'un amplificateur magné- tique aux bornés 308.
Cet amplificateur magnétique est orga- nisé d'après le montage en doublet, c'est-à-dire que les enrou- lements de travail. 311.'constituent chacun en série avec une valve 312 un branchement en parallèle, branchement qui est intercalé dans le circuit allant depuis un réseau de courant alternatif d'une fréquence d'environ 50 périodes par seconde, à un élément utilisateur 313, Comme l'indiquent les flèches
J1 et j2' les deux bobines de self de l'amplificateur magnéto que son± magnétisées en sens contraire par les enroulements
309 et 310, de sorte que la différence des intégrales de ten- sion, temps des deux tensions rectangulaires U1 et U2 con- traires, raccordées aux bornes 307 ou 308, actionne le réglage de l'amplificateur magné tique .
Sur la figure 19 on a représenté schématique- ment la caractéristique de commande de l'amplificateur magné- tique conforme à la figure 18. La tension U est portée sur le dessin en fonction de la magnétisation de commande ou du circuit de commande Is La magnétisation de commande @ repré- sente la différence entre les deux magnétisations 01 et gr 1 produites en fonction des intégrales temps/tension des tensions de commande UI1 et U2 On peut dire également que le circuit de commande Is représente la différence des circuits j1 et J2
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On voit :L.11'lédiatE:rn!Jt que si les ci::i::
t<. s5.=n;à rectangulaires U et U2 sont contraires, tensions dont la dur'=e d'impulsion. est égaie à 1'intervalle d'impulsion (1'r-iq>ence de travail ou rapport d'impulsion:: 1), la magnétisation de commande dif- férentielle de l'amplificateur magnétique prend la va@eur zé-
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ro, Dans ce cas, on se trouve en prése .c. d'un point de fonctionnement I. Si maintenant on modifie 1 . 'nsian continue de commande Ust de l'amp1ivibrater A pour aL 1!ldir le rapport d' :Impulsion de la tension U1. et abaisser en même emps le rapport d'impulsion de la tension 1 , on obtient une différence Ùi - Ùg ou respectivement Il - 1:2 de signé négatif et dans le cas inverse une différence de Sig1J positif.
Au point de fonctionnement II et pour une différence négative,am,plica.teur magnétique est entièrement bloqué. Au point de fonctionnement III et pour une différence positive, il est au contraire en- tièrement ouvert. Pour le réglai continu de l'ensemble de la caractéristique de l'amplificateur magnétique, il suffit par
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conséquent que le réglage de 1'artsyivibratear organisé Câpres un montage à basculement, à double stabilité, soit mo- difié par le déplacement du potentiomètre 304 depuis une va-
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leur minimum usqu' à une valeur :aû3: i,murn..
Dans les amplificateurs magnétiques connus, 11. est en général nécessaire, pOl1!' contrôler 'J.'ensEJmb.1e de la région de la caractéristique, de prévoir une prémagnétisation indépendante constante, prémagnétisation qui déplace le point de fonctionnement à partir de l' position I jusque dans la positon II ou III. Un circ@@t de commande opposé supplémen-
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ts qui doitcouvrir toute '..a zone entre II et III permet alors de contrôler égale, nt 1' ensembie de la caractéristique de c.ttande.
L'avantage :tics.ïer du dispositif conforme à la présente invention: .;sidc as contraire dans se fait qu'un rag1gc pr a7ab2e const.... l'amp.l:Ii'icateur ,ar.<tique et Zes moyens nécessaires na.Jr le raliser deviennent superflus,
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Contrairement à ce que l' on vient d'exposer, il peut néanmoins être indiqué d'équiper l'amplificateur magné- tique d'une magnétisation auxiliaire pour le réglage du point de fonctionnement.
Cette prémagnétisation est calculée de lanière que le point de fonctionnement de l'amplificateur magné- tique soit, lors d'un réglage identique, mais opposé, au moyen des deux tensions de sortie U et U2 du montage à basculement à double stabilité placé au moins approximativement au milieu des branches montantes des caractéristiques de l'amplificateur magnétique, ce point étant désigné par IV sur la figure 19,
On peut donc monter complémentairement un enroulement spécial de .prémagnétisation sur l'amplificateur magnétique. Comme courant de prémagnétisation, il suffit d'un courant Jv rela- tivement faible. Une prémagnétisation de l'importance pré- citée permet d'utiliser d'une manière uniforme les résistances semi-conductrices du montage à basculement instable.
Ceci per- met de contrôler pour une puissance-type identique des réels'-' tances semi-conductrices, une puissance de commande plus éten- due de l'amplificateur magnétique.
On peut aussi mettre en oeuvre la présente invention pour des amplificateurs magnétiques commandant un circuit (sans autosaturation). De même ke montage de l'amplificateur magnétique peut être d'un type quelconque. Lorsqu'on utilise des bobines de self) on peut, par exemple, utiliser un montage par "ponts.. Il est en outre indifférent qu'il s'agisse du réglage d'un élément utilisateur à courant continu ou à courant alternatif.
Conformément à un développement supplémentaire de la présente invention, on peut réaliser la commande du rapport d'impulsion des semi-conducteurs en modifiant le ni.. veau de la tension de basculement ou en modifiant la pente de la branche montante de la tension de basculement. On peut,par exemple, régler le niveau de la tension de basculement en mo-
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difiiut 1.i t's:'ISlülî a..i(:;;.u au . .. 0'" LIt:±: contre-tension réglable. Si l'on relie, pur exemple, les po:L."1ts -vi:J ou b de la figure 1 au moyen de diodes à la prise réglable d'un -régulateur de tension qui fournit à la tension d'impulsion
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négative eonformésent aux figures 2a ou &b une contre-tension correspondante, la tension d'impulsion ne peut pas s'élever jusqu'à des valeurs négatives aussi importantes.
De ce fait, le condensateur 8 ou respectivement 9 sera chargé plus rapidement au delà 'de la tension zéro, la vitesse de tension de Ces condensateurs restant constante, ce qui a pour conséquence
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que la résistance semi-conductrice considérée entre plus rupidement en fonction. Si par eXe:!1p1.e, la tunsion du collecteur est de 50 V, la tension existant au point a tombera à environ -50 V lorsqu'on ouvre le transistor 2, Lais si à ce scient
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une tension contraire d'environ -,25 V existe au point gi l'im- pulsion de tension négative ne peut s'abaisser que jusqu'à la moitié, de manière que la charge du condensateur 8, à partir de la source de tension 5 et par l'intermédiaire de la résistance 6, se fasse aussi dans un temps moitié moindre.
Si donc les deux transistors 1 et 2 sont ouverts alternativement
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pendant 1. ms et bloqués pendant L fuS sans intervention d'une contre-tension, le transistor 1 ne restera feré que pendant 1/2 ms et s'onvrira tout de suite, tandis que d'autre part le transistor 2 ne sera ouvert que pendant 1/2 ms et restera
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à nouvea. bloqué pendant 1 ms. Suivant le niveau de 1a contre- tension existant au point a. (respectivement au point b). on Peut par conséquent régler la durée de branchement du transistor
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(rcspective:n.ent du transistor 1).
Comme on l'a déjà mentionné ci-desbus, il peut être avantageux, par exemple lorsque les enroulants de COrcti1ande ou de Prém&gndtisïtion d'un 8mplif;Lca teu:r relique sont branchés sur le circuit des serüi-condacte:.1rs, de provoquer une modification en .... c011traire du rapport d'i:lpa1.sions,
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c'est-à-dire qu'alors les tei,i s d"oUVL'I':tD.rEi dû l'un dE ;: sL;,;1conducteurs augmentent dans la même mesure quu -Les tE:.,p; d'ouverture de l'autre 1:J0mi-c(mducte:;r diminuent. Lo.v.,n' or, règle le rapport d'impulsions a moyen de contri-tenx#-?nx , 1 -,inc, telle coni-lande alternante des semi-conducteurs peut. Stre réaliséc conformément à un développement supplémentaire de l'invention, par le fait que l'on opère lu r'±Sl<G (.,,;3 contre-tensions à l'aide d'un troisième semi-conducteur réglable.
Sur la figure 3r on a représenté un J.c..::plr dû r r...y:¯utzon d'une cOl;:;mnc1c du genre précité.
Cornue sur la figure 1, le montage à basculement instable est représenté avec les merles chiffres de. réfe-
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rence. On réalise le réglage.des contre-tensions é. L1X points .5l. et b au moyen d'un transistor il qui est raccordé, 9 i>:r .l'intermédiaire de résistances 13 et bzz à une source &uxi1.iÓ:lro 14 de tension continue ayant la polarité inscrite au dessin.
On comte le degré d'ouverture du transistor 11 ::1,:.1 moyen d'une tension auxiliaire de commande 15 modifiable. L'émet- teur et le collecteur du transistor 11 sont raccordés dans
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chaque cas au moyen d'une diode 16 ou rcspectiv6;aent 17 aux points- a et.±.. Aussi longtemps qac IL! trETisî,9.tor 12 est fer¯ mé, le potentiel zéro de la source de tension 14 1 c#nmuniqu$t par l'intermédiaire de la diode 16, avec le point ±:. de manière que le potentiel de ce point ne puisse pas s'abaisser en des- sous de la valeur zéro 'et quede ce fait, ce transistor soit constamment ouvert.
Plus le transistor il est ouverte plus le potentiel du collecteur de ce transistor s'abaisse, c'est-
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à-dire que :L'or. peut abaisser d'autétut plus le pot81lti(,1. c.1u Point a et maintenir plus longtemps le transî±.t;:a 1.1a 1.' è Gd t ferm
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Lorsque le transistor il s'ouvre p1'oµpéjsi¯ vement, le pe.Jt:i,el négo. tif de .'ématteur se riippr0clw simultanément de '-la valeur donnée par 1.) abiiisacmcnt c18 tension
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SRI- les rsist::tT)c1;) 1J et 13i c>ert-1.-dàr.> qu lu 1-,otc,rit.e.1 sur 1'émetteur du transistor 11 se déé>11.ce 6epjii dec valeur négatives élevées jusque des valeurs négatives plus basses, De ce fait, la tension d'impulsion négative au point b se trouve limitée.
Pour réaliser un réglage complet des transis-
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tors 1 et 2, il est av:it<i¯ou:< de donner à la valeur absolue de la tension négative de la source de tension auxiliaire 14 une valeur double de celle de la valeur absolue de la tension positive 5. Si par exemple, la source de tension positive 5 fonctionne sous une tension de 450 V, la source de tension 14 aura une tension de -100 V. Lorsque les résistances 12 et 13 sont essentiellement d'une même valeur, la tension négative au
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collecteur du transistor Il seaccrolt depuis la valeur négative double de celle de la source de tension 5 , jusque une valeur
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égale, c'est-à-dire depuis la valeur de .00 V . -50 V.
D>a¯ près le montage représenté, un nouverl accroissement de la tension sur le collecteur du transistor Il est impossible. Lors-
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que 1. transistor .3. est entière.:ent ouvert, Il faudrait donc que la contre-tension amenée au point b soit si élevée que le potentiel. du point b ne puisse pas s'abaisser en dessous de zéro Pour réaliser ceci, on branche, entre la diode 17 et
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lutteur du transistor .1 une source de tension supplé en- taire 18 ayant la polarité inscrite sur le dessin, source dont le ivaau de tension est é gal à celui de la souce de tenison 5. De cette maniè re, on relè ve le potentiel né gatif au collec-
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teur du transistor il, avant .e point b. jusqu'au potentiel 2'rô.
Il E et parfaitement possible d'utiliser à la place des .i..".fércntes sources de tension une seule source seulet 'illé:tnd on réalise le montage conformément à la figure aat c4esta-dire quand les transistors 1. ut 3 sont raccordés à des potantielt différents 5a et 5b d'une source de tension, Dans ce ####cas,, on peut, par exer.l'pe relier 1.es poïntg 1 jusquJà V
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de la figure 3a aux bornes I à V du réducteur de tension re-
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présenté sur la figure 312. A titre r'exccy5,e de uontge, on a représenté simultémément sur la figure 3b Les potentiels des différentes prises 1 à V. Ce montre comporte 1.' [êV",nt&ge supplémentaire que tous les potentiels sont fixée d'une ma- nière indubitable.
Lors du réglage au moyen du transistor 11, il se produit cependant des difficultés du fait que la caractéristique des commandes du transistor ne présente pas la forme d'une ligne droite mais, particulièrement dans son parcours inférieur, un allure incurvée. Sur la figure 4, A représente la caractéristique du transistor 11 et plus particu- lièrement le rapport entre la tension au collecteur Uc et la tension à l'émetteur Ue en fonction de la tension de commande Ust On peut réaliser une allure linéaire de cette caracté-
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ristlqu6 A pour former, par exemple, une courbe indiquée par les pointillés B de la figure 4, en utilisant un montage analogue à celui représenté sur la figure 5.
Dans ce cas, la va- leur limite de la courbe A de la figure 4 se trouve supprimée par le fait que l'on branche en parallèle au transistor 11 un réducteur de tension comportant les résistances 11a et 111b, la résistance 11a ayant de préférence une valeur beaucoup plus
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grande que la résistance 11,g (.xa 49?K .r, J.lbf O,3K-<'...
Une autre possibilité pour transfoirncr en une ligne droite la caractéristique précitée est représentée sur la figure 6. Dans cecas, on branche en parallèle avec chacune des résistances 12 et 13 une source de tension auxiliai re 12a ou respectivement 13a, avec une diode 12b ou respecti-
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vexent 13b. On réalise ainsi une allure de la caracrérÎ--,t:ique telle quelle est représentée sur la figure 6a, cc.réctér:Lstiqu8 qui comporte deux coudes très nets X et YD ainsi qu'un passage sensiblement rectiligne interposé.
Par des moyens de branche- " tP S. r des ùio3>ens de branche- ment déjà connus, on peut obtenir que le point X vienne se pla-
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cer à l'emplacement U st o, de manière à pouvoir réaliser, à partir d'une tension de commande zéro, une commande purement linéaire.
Le montage représenté sur :La figure 3 per- met par conséquent de commander en sens opposé le potentiel des points a et b, de manière que les temps de branchement du transistor 1 se trouvent augmentés dans la même mesure que ceux du transistor 4 se trouvent diminués.
En conséquence, l'intensité moyenne du circdit traversant le transistor 1 augmente dans la même mesure que diminue celle du circuit tra- versant le transistor 2. tandis que la fréquence d'impulsion reste constante, Théoriquement, le courant doit traverser l'élément utilisateur 3 ou respectivement 4 exactement aussi longtemps que le transistor 1, ou respectivement le transistor
2 est ouvert, On a cependant déjà mentionné qu'après la ferme- ture, par exemple, du transistor 2, le potentiel au point d se trouve relevé jusqu'au potentiel de la source de tension
5. par conséquent, le condensateur 8 se charge et le courant de charge traverse encore le dispositif utilisateur 4.
En con- séquence, cet utilisateur n'est pas privé de courant au même moment que le transistor correspondant est mis hors circuit, mais le courant traversant ce dispositif s'abaisse progressivement en fonction du rapport entre la valeur de la résistance et celle du condensateur.
Sur la figure 7 on a représenté la circulation du courant en fonction du temps,par exemple à travers la ré- sistance 4. On voit clairement que le courant ne diminue pas aussi brusquement lors de la rupture, qu'il a augmenté lors du branchement, mais diminue progressivement seulement à l'intérisur de la zone F. Si l'on désigne par I la largeur totale de l'impulsion, on sait que I= Ó 1'C8'R6' équation dans laquelleÓ 1 représente une constante de proportionalité, C8 la
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la capacité du condensateur 8, et R6 la valeur de la récis- tance 6. De même longueur de :La zone F= .. C . R4' équa- tion dans laquelle R4 représente la valeur de la résistance 4.
Or, on constate, en tenant compte des explications concernant les figures 2a et 2b, que le réglage A n'est pas possible dans la zone 1 -F. Pour permettre un réglage étendu, il faut donc que le rapport I:F soit élevé. Il résulte des formules précitées que # R/R 64 c'est-à-die que le réglage devient F R 4 d'autant plus important que la résistance 6 est plus importan- te,
On sait que le rapport R6:R4 dépend du renfor- cernent de courant # des transistors 1. ou respectivement 2.
Si l'on utilise, par exemple, pour le transistor 1 un courant d'une intensité dix fois plus forte, la résistance 6 peut être dix fois plus forte que la résistance 3. On obtient ainsi un réglage A sur une étendue d'environ 20% On reconnaîtra sans difficulté que l'étendue du réglage sera d'autant plus grande que le facteur de renforcement de l'intensité du cou- rant sera plus grand. Pour des renforcements de l'intensité du courant extrêmement élevés, 2'étendue du réglage peut at- teindre plus de 90%.
Cependant, les types de transistors connus jusqu'ici ne comportent qu'une faible possibilité de charge pour un renforcement élevé du courant. Il en résulte pour le moment la nédessité de commander le circuit du courant de charge à l'aide d'un type de transistor qui ne présente qu'un facteur relativement faible de renforcement du courant.
Pour réaliser néanmoins un réglage aussi étendu que possible, on a représenté sur les figures 8 et 9 deux exemples de montage permettant d'obtenir un réglage étendu.
Sur la figure 8 on a représenté à nouveau le montage à basculement normal instable comportant les transistora 1 et 2, les résistances 3, 4,6 et 7, ainsi que les con-
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densateurs 8 et 9. Le réglage des transistors 1 et 2 con- tenues à la figure 3 n'est pas représenté sur cette figure pour ne pas compliquer le dessin.
On utilise, par exemple, 'pour les transistors-1 et 2 des transistors du type N-P-N comportant un facteur de renforcement du courant # > 1, avec branchement à la terre de la base, c'est-à-dire un fac- teur de renforcement du courant pour un branchement à la ter- re de l'émetteur,, comme il est représenté sur cette figure, de # ¯ # Tandis que le on a branché dans le montage de la figure 3 la charge, par exemple les enroulements de pré- magnétisation d'un amplificateur magnétique, à la place des résistances .3 et 4, dans le circuit des transistors 1 et 2,
on branche dans le cas présent - car les transistors ayant des valeurs élevées de renforcement du courant ne supportent qu'une faible charge- la charge 23 et 24 dans de circuit des transistors supplémentaires 21 et 22, transistors qui sont dans le cas présent du type P-N-P et qui comportent un faible facteur de renforcement du courant avec branchement à la terre de l'émetteur, tout en présentant une puissance de charge élevée. La commande des transistors 21, 22 se fait en fonction de l'ouverture ou de la fermeture des transistors 1 et 2, de manière que les charges 23 et 24 se trouvent branchées en fonction des transistors 1 et 2, la demande rendue ainsi plus fa- vorable s'exerçat au profit du branchement de la charge.
On peut encore améliorer le réglage en intercalant pour les transistors 21 et 22 un dispositif de déconnexion, comme il est représenté sur'la figure 8a. Dans le montage conforme à la figure 8, les transistors 21 et 22 sont commandés jusqu'à un courant de base b = zéro,, Il est néanmoins avantageux de mettre la base sous une tension de po- larisation d'importance appropriée que l'on choisira supérieu- re à zéro pour des transistors du type p-n-p et réciproquerent inférieaur à zéro pour des transistors du type n-p-n.
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A cet affet, on raccorde les extraites des transistors 21 et 32 à la source de tension 5, et la base des transistors
21, 22 à une source de tension 51 d'un potentiel un peu plus ' élevé. Il convient d'utiliser, dans ce cas, des résistances de valeur élevée 56, 57 qui empochent que le c'ourant, allant aux transistors 1 et 2 en passant par les résistances 3 et 4, soit fourni par la source de tension 51 au lieu d'être fourni par la source de tension 5.
On peut également utiliser un dispositif de déconnexion modifié en conséquence dans l'exem- ple représenté sur la figure 9, xemple dans lequel on réali- se l'accroissement du facteur de renforcement du courant au moyen d'un amplificateur d'entrée.
Ce dispositif conforme à la figure 9 compor- te, par rapport au montage représenté sur la fig. 8, l'avanta- ge que l'on peut utiliser le même type de transistor pour les quatre transistors. Les références indiquées sont :Les mêmes que celles de la figure 8; dans ce cas cependant les résista.,,- cas 3 et 4 forment, comme sur la figure 3, les résistances de charge. La commande des transistors 1 et 2 se fait au moyen des transistors 31 et 32 comportant les résistances à collec- teur 33 et 34.
Si l'on utilise dans cet exemplede réalisation :Le même type pour les quatre bransistors, on obtient par exem- ple, pour un renforcement décuplé du caurant des transistors, un rapport R7/R4 = 100 au lieu de 10 comme dans le mode de réa- lisation conforme à la'figure 3. Si l'on tient compte du fait que les transistors 31 et 3 peuvent être commandés de manière que le facteur de renforcement du courant puisse augmenter par suite du courant du collecteur plus faible et que de ce fait le rapport R/R7 augmente, on voit clairement qu'on peut obteR4 nir à l'aide de ce montage une commande d'un rendement d'un pourcentage très élevé.
Cette commande est encore ameliorés quand les résistances de base 6 et 7 ne sont pas directement raccordées au potentiel de :La source de tension 5, mais dans
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chaque cas un potentiel plus bas pendant le temps de bloca- ge du transistor (c'est-à-dire pendant.le temps de décharge de la capacité accouplée 8 ou 9), de manière que le passage au potentiel zéro dure plus longtemps et atteigne un poten- tiel plus élevé pendant le temps d'ouverture, de sorte que l'on peut choisir une résistance élevée pour l'ouverture com- plète du transistor.
Cette modification du potentiel de réfé- rence des résistances 6 et 7 peut être obtenue simplement en raccordant celles-ci à une prise des résistances 3 et 4, comme le montre la figure 9a- A chaque prise précitée, le potentiel augmente et diminue suivant l'état d'ouverture des transistors 1 et 2 dans le montage conforme à la figure 9a exactement diaprés la cadence désirée et avec le signe correct, pour pro- duire l'effet voulu.
Une autre possibilité, pour l'amélioration de la commande,consiste à rendre plus rapide la charge du condensateur 8 ou 9, c'est-à-dire à abaisser la résistance 3 ou 4, Comme cette résistance constitue cependant la charge
Invariable,, on ne peut atteindre la diminution de la résistan- ce qu'au moyen d'une dérivation entrant en fonction quand le transistor correspondant 1 ou 2 est bloqué A cet Effet on pourrait, par exemple, brancher en parallèle à la résistance et/ou 4 une résistance supplémentaire semi-conductrice con- trôlable qui serait commandée de manière que le circuit soti fermé quand le transistor 1 ou 2 est ouvert et ouvert quand le transistor 1 ou 2 est fermé.
Dans l'exemple de réalisation représenté sur la figure 3, la commande est obtenue en écrétant les pointes né- gatives, comme on l'a déjà exposé au sujet des figures 2a et 2b. On atteint l'importance nécessaire de cet écrètement des pointes au moyen de tensions inverses que l'on intcreale à volonté dans le montage. Une autre possibilite pour ecrâter les pointes où la tension d'impulsion produit ell-mêne la ten-
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sion inverse est représentée par l'exemple de montage indique sur la figure 10, li s'agit à nouveau du montage à bascule- ment instable déjà connu comportant lestransistors 1 et 2, les résistances 3, 4, 6 et 7, ainsi que les condensateurs 8 et 9.
Dans ce cas, les pointas a et b sont relies, an moyen des diodes 76 et 77 et des condensateurs 78 et 79, au pôle de tension zéro de la source 5, Entre la diode 76 et lecon- densateur 78 est branché un côté d'une résistance 75 dont l'autre côté est à son tour branché sur la source de tension
5.
@
Le mode de fonctionnement du dispositif de limitation de courant pour cet exemple est illustré par la figure 11 qui représente la caractéristique de la tension au point a. Comme le montre déjà la figure 2a, le potentiel du point a s'abaisse lors de l'ouverture du transistor 2 jusqu'à la valeur négative de la tension du collecteur 5 et remonte ensuite progressivement à mesure que le condensa- teur 8 se charge,jusqu'à ce que le transistor 1 se rouvre lors du dépassement du potentiel zéro. Cette impulsion de tension négative parvient cependant, par l'intermédiaire de la diode 76. au condensateur 78 et contribue à charger le condensateur 78, qui sera avantageusement plus fort et même de préférence beaucoup plus fort que le condensateur 8.
Néanmoins, une décharge du condensateur 78 à travers la résis- tance 6 ou la transistor 1. est impossible, car la diode 76 l'empêche. Par conséquent, le condensateur 78 ne peut se décharger qu'à travers la résistance 75. Cette résistance sera élevée de manière que le condensateur 78 ne soit pas en- core entièrement déchargé lors de l'impulsion négative sui- vante .
Les circonstances régnant à l'état stable et amorcé sont représentées sur la figure 11, laquelle montre (comme la figure 2a) la tension au point en fonction du
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temps. Sans conclo==;.,i;,i;ir 78, ii t;:r-=1.Jn TI -<;1=aiL cnforme à Li courbe pointi1.1éo. L'it-upulsion de t<:?;;-.i Jn t.itive ost cependant coptes par lu 1tOiid<:lii>àt<oLll 7iù, <ltJL:1 m courbe de toniiion est d.-si.. pr if,.
Ce co;; <:n.;aL>;=Lr ùi; charge, il est vrui, quelque pi;.i , ;i#o is j; i>:,.i>; j juult1':n niveau de 1 ' 5.ni g> : il i;1 ?n cie ;. t;<<Ti #: 5 oei #>à< g:-- L àv ;: , c:.'1' <t =, j, =.. ; i t<à uot plus form que celle du c0nden:J...tcn 8. con;,équ<.i;,;:,, ia tension au point Et ne peut n.n plus ...i.r j.q, a ;, 1<<-ea u max.nUhl., mais -au contraire ieui.;,;;;:ni j a;,qv' 3, im =ti#=>==g; c pointe néjitive du cJn±;nx=-t<#ar 78. 1),, c,, 1.>j¯¯, ia t,,,;=,ion au point coùi.>iGnec à cro4lt,,. .vee un. Jv..,xic;', Éi ;jrjit<, q le tt3,nps du bloq>ag=J ou c-,c burr. dj ì=.z,1;:aixiJr i =i tr.n;jije abrège. En Illodifiunt 1. résistance 75 on piit éé#gE;.=,,; nt rJodifier la vitesse de déch. dm ¯jnàiiija J¯r 7H, c' cst-à-di rie l'inc.Lil1éison de 1. courbe. par cons.q...t le tps de barrage du transistor 1.
On P.J"?"""Ji t >Îl'Jàil"1?1" 0 la i;iÎ;#:e n.ni.r. le t.nps de barré.:.e;., 0.:' trêlT18Íst)o:' ,1. 1.:;',18 ### l' CH! V8i.lt rba- '"" une C:)11ande en sens invure. c1.f;:S tr'<':'!1d3t:nc: 1 (it 2 il devint nécessaire De C::Jd;,c:n(1,r <oYl s.:n.<:; inv'.TS<1 l{;m ##-#¯ Si3tances élevas de déc. c C jpGj;:nsgfejy<s 7Q et, 70 On pcl:.1t Ccpcndunt rli..r d' :.ln\.;: ..1",ni&1''-' ,1..., c6tte C J>inand<a inversée e n 1-- t c rc i ¯ , , ;, C;}WoI8 ,= [ ., ,, sur 1.é>. figure 10. :mC' 0 t<2n.sion de c >i,Exi,nde 7 Ó.ai1S 1,. ¯, conservant pour la ' 75 le niveau rég16 et approprié
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sans le codifier.
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On peut GgalE.:IT(,;nt obt#1ir une. aifie..t du niva'Otll de 1.a tension de .,.,, non GE:.Jl';..t;ut (;11 écrttEint 1.8S pointes de nér.:-i5tivc ¯. ,îio y<z=l C-;"l1r.:.f, tf'!1.gion inver2c ""-'>' <'liS au en ll!'Jdl:fi<.ll1t l... nà,v;,.;- ;; ,, tt;;nSion 5 # C.".". t 1., , : =. i:, ,o je,ie <;, ' ' 'Ù "' à±À tctlÉlà.WÎI li , comme on l'4 d0jà c;:pll'1:J3. leon , .-. . , " <.
J"}..!.O" i'a3 .i mentation des transistors et 2 à Partir de sources de tensions,
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s:;.7slâ'¯;.: (:;-<;.l C:,,"-:l.-: -- i-¯'-::,";:-.:r.t;-1,-. .".--" ....-- 7:1". 1.) dont 1s il.V.-r..éi;7 est 11.0l!.:l.1 --tJJ-c. les L;Ol1t)">Jd"J'-'"''''''-t..t,, v et 1) su C;1.iàgoront ;. ,":'f-f{'),1','\¯1"1'" à de:. .} f'"p'1.U. il#, lJ01.!I UJ.J. t?:Lf'i3:'ûTli. les pointas de tension :i:.;t'L=..Vi: seront .pur t,:JT7la;.'tlf=â:'ü différentes ',.3.'a.-.'Cxl ï2 osvre le transistor correspondant.
Si le p:Jt{.n- ' fiel de la source <1'..; i',"":, ,,;1 CF' ìd $3-G par exemple inférieur à celui de la source de ,-',lB:J..01.1 ';;<,12, le condeasuteur 9 se J...' gV:l1fJ 1.01'\3.1' Je t= ','a-'¯,......-..-. 6:'r..... ±.i f6R;r= ii Ji1{ t.: :.LI'.iii plus basse '"1;1:' s;.('â,.<'. quo prend 1(- condensateur 8 loi# "4-1C 1.e 'in'Fa?i.' t.or ,2 est ';"'>"le'" c<31i* ';,L-'.?¯-#.::.''m.m; que loT-e de l'ouverture du transistor Jô lL? 1i:;p"JILSiOL Ce tension R>ive du aondensatcur 9 sera inférieure à :t'imptÜ.sio:n de tension négative du cond?b ±S '1 ± Gl' 8 ; lorsqu'on ouvre la transistor 2.
De cette manière; le temps da décilSl'&0; c'est-à-dire le teiii#>1à que uet 1s potentiel négatif rI<.# s :v'lT3.ïeis ,c! ou 15 pour reriion--uer à zéro, sera plus COL!'1 pour le pomt b que le temps ¯ n é c j sz. ±< pour le point âc II en résulte que le transistor 2 sera bloque ou férue moins loTigtemps que 1. transistor 1 2''#' ' réaliser maintenant une commande en push-psil 1..-'cablG :11 est -nécessaire de commander en sens inverse les c ¯ s ¯'is 0. "2 ;c:ii:aG'i3 5 et 5±. Une possibilité Sin:p1.8 de coBBnde miLâS.w=vi3W "a à utiliser des diviseurs de tension comportant des résistances réglables,, par exemple des résistances en fonction a'UD clamp magné tiqae os des transistors; cornue cela sat représente sur la figure 13. <Sur cette vors om"lB C-8..La UBt :rp:r'68cn(,2 Si?#= ia IJ.gure 3.
Gur cette figure, on a conservé les úlii#6S ahiffres de référence que ceux du montage à baseuleuerri, nommi. La tension 5 est amenée dans deux diviseurs de tension comportant des résistances 9, 92 oti 93, -"", .è''''\oo'p;;;C'('V0ii1!;;11'G On admet que les résistances 9.a et 94 sont retables et f ornées dans le cas présent par des transistors. Lù:n::q';i 1.' 011 modifie le réglage du transistor 9S à. w-1de de la s::cs.I3 ' ;'¯':, de COJ1l!11andc, 16, en feront p,.:,!' t#(;;\lap.le davantage le ;-4.-,¯s - : le poten'tie1. al1ghlonte au point ±1. En m-
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me temps, on doit cependant diminuer le potentiel au point n, c'est-à-dire que le transistor 94 doit s'ouvrir davanta- ge.
Comme la tension de commande du transistor 94 dépend cependant du niveau du potentiel au point m,on obtient que le transistor 94 s'ouvre davantage quand le potentiel au point m augmente, et se ferme davantage quand le potentiel baisse, c'est-à-dire que l'accroissement du potentiels abaisse le potentiel n- et vice-versa.
Si dans la présente description on a utili- sé jusque présent une commande du rapport d'impulsions obte- nue par la variation du niveau de la tension de basculement, un développement supplémentaire de la présente invention per- met aussi de commander le rapport d'impulsions par la varia- tion de la hausse de tension de basculement, c'est-à-dire au moyen du réglage de la vitesse de décharge des condensateurs
8 et 9. Un exemple de montage de ce- genre est représenté sur la figure 14. Dans ce cas également, le montage normal à basculement comporte les transistors 1 et 2, les résistances d'alimentation 3 et 4, les résistances de base 6 et 7 et les condensateurs 8 et 9.
On peut réaliser la commande de la vitesse de décharge en utilisant des résistances de base 6 et 7 variables constituées par exemple par des résistances dépendant d'un champ magnétique et à commande, ou (comme il est représenté sur la figure 14) des transistors fiables.
On opère le réglage au.moyen d'un ouverture plus ou moine prononcée des transistors 6 et 7, donc en réglant les bases A et B de ces transistors.
Suivant un développement supplémentaire de l'invention, on peut opérer le réglage du rapport d'impulsions des semi-conducters en fonction d'une grandeur électrique temporisée à volonté- On peut ainsi utiliser l'invention, par exemple Pour le renforcement d'oscillations de fréquence audibles, comme cela est représente sur les figures 15 à 17 pour différents exemples.
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'La figure 15 correspond dans son ensemble à la figure 3. Dans cet exemple da réalisation, on désigne les transistors commandant la puissance du dispositif d'uti- lisation par 1 et 2, les résistances d'amenée de courant par
3 et 4 la tension d'alimentation par 5 et les résistances des bases par 6 et 7.
On opère le réglage du rapport d'in- pulsion des transistors 1 et 2 également au moyen d'un transis- tor 11; qui est raccordé par l'intermediaire des résistances
12 et 13 à une source auxiliaire dd courant continu 14, source dont le potentiel est également d'une grandeur au maxi- mum double de celle de la source de tension 5, mais de signe contraire. L'émetteur et le collecteur du transistor 11 sont reliés chacun au moyen dune diode 16 (ou respectivement 17) aux bases des transistors à et 2. On opère le réglage du transistor 11 au moyen d'une tension de commande 15, qui ouvre suivant son importance plus ou moins le transistor 11.
Plus le transistor il est ouvert, plus élevé sera. le potentiel au collecteur de ce transistor de manière que le transistor 2 reste formé d'autant plus longtemps, tandis que le transistor 1 reste plus longtemps ouvert. ?1 fonction du niveau de la source de tension 15, les temps d'ouverture et de fermeture des transistors 1 et 2 et par conséquent la durée des impul- sions de courant traversant les résistances 3 et 4 sont commandés de manière que, lorsque la durée des impulsions dans la résistance -,, augmentc, la durée des impulsions dans la résis- tance 3 décroît ou vice-versa.
Si l'on utilise maintenant pour la source de tension 15 une source temporisée d'une manière quelconque la durée des impulsions de courant dans les résistances 3 et 4 varie en conséquence, d'après les explications précitées, en fonction de la temporisation de la tension de commande 15.
On réali... ainsi une modulation du temps d' impulsion déjà
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connue. Un dispositif du genre précité peut être utilisé, par exemple,pour l'amplification de fréquences audibles.
Dans ce cas, on peut brancher en série, par rapport à ces résistances, dans le circuit collecteur des transistors l et 2 un enroulement 20 d'un haut parleur. Ce haut-parleur est alors excité par des impulsions dont le rapport d'impul- sions varie en fonction de la fréquence de la t&nsion 15, c'est-à-dire de la fréquenc e de modulation.
Dans le dispositif précité, le transistor
11 se trouve ouvert davantage, à partir de la tension de com- mande zéro,à mesure que la tension de commande positive aug- mente. Mais comme ce transistor est déjà entièrement fermé à la position zéro, une fermeture supplémentaire ne peut pas se produire quand la tension de commande négative s'accroît, de sorte que l'on ne peut pas régler les temps de basculement des transistors 1 et pendant la demande négative quand on utilise une tension alternative cornue tension de commande
15.
De ce fait, on n'obtient, dans les resistances 3 et 4, une modulation des impulsions de courant que pour la demi- onde positive de la tension alternative 15, et par conséquent dans l'enroulement 20 du haut-parleur la fréquence de modu- lation superposée prend une forme analogue à celle que l'on obtiendrait si l'on utilisait un redresseur à sens unique.
Pour réaliser une modulation au moyen de la demi-onde posi- tive et négative de la -tension attentive 15, on peut par exemple raccorder le transistor ll au moyen d'une tension con- tinue correspondante à un point de fonctionnement situé approximativement au milieu de la caractéristique de ce transistor, de sorte que le transistor il se trouve à moitié ouvert .Pour une tension de commande zéro. Dans ce cas, on peut ouvrir davantage le transistor queand les tensions de commande positives augmentent et le fermer davantage quand les tensions de commande négative augmentent. On réalise ainsi un réglage
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aussi bien dans le sens positif que dans le sens négatif.
Dans le circuit d'alimentation des transistors 1 et 2, c'est- à-dire dans les résistances 3 et 4, on obtient alors des im- pulsions de courant modulées sous une tension qui se compose d'une partie de tension continue-déterminée par la tension continue du transistor 11- et d'une fréquence de modulation superposée provenant de la tension alternative 15.
Pour compenser la composante de tension con- tinue, l'enroulement du haut-parleur peut être branché sur les potentiels de sortie des deux transistors au lieu d'être bran- ché dans le circuit d'alimentation, comme cela est indiqué. sur'la figure 15 pour l'enroulement 20a de haut-parleur.
On obtient ainsi dans l'enroulement du haut-parleur la fré- quence de modulation pure sans composante de tension conti- nue.
Une autre possibilité pour compenser la composante de tension continue est représentée sur les figures
16 et 17. Dans le mode de réalisation conforme à la figure
16, on réalise une source de tension 21 pour produire la ten- sion de polarisation. Dans le cirduit du transistor 2 est disposé l'enroulement primaire 22a, d'un transformateur 22
L'enroulement secondaire alimentant le haut-parleur 23 de ce transformateur, enroulement qui peut constituer le cas échéant en même temps l'enroulement d'excitation de ce haut-parleur est désigné par 22b.
Le transformateur comporte un enroulement de compensation supplémentaire 22c traversé par un courant de compensation réglable au moyen de la résistance 24, courant que l'on peut régler proportionnellement au courant de polarisation fourni par la source de tension 21 et qui provoque une magnétisation réagissant sur le transformateur et de ce fait la compensation de la tension continue partielle.
En outre, on peur réaliser grâce à la préssnce de ce transfor-
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mnteur, te ,i i: ié i>o b = .. = :. n:: <, ; ui# ; ., ,¯ - ¯ , i ..:# '3 haut-parleur.
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Une autre possibilité pour c&..!.&n:.;Qr la composante de tension continue consiste l,- ut.5.li;,f..r, c;>:ai"ari,OEment à la figure 17, deux dispositifs de co:,:m'.<T!c;.ú tr"('tv,j llant en push-pull. Dans ce cas, on relie inèil1cti'n';:;(m, da la manière représentée, l'enroulent # excitation ào àa hautparleur 23 à chacun des circuits du CO.rr'<-#t d'ai*=ienti<tion¯ Dans le cas précité, les deux transistors M con:n,:..nüc 1.15 et llb sont raccordés de telle manière que l'un soit fermé pendant la demi-onde négative et Vautre pendant la demi-cnde positive de la fréquence de modulation.
De ce fait, les temps de basculement, par exemple des transistors la et 2a, sont commandés par la demi-onde positive de la fréquence'de modulation, tandis que les temps de basculant des transis-
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tors lb et 2b sont commandés par la demi-onde njg*t;,vg= COillme 1.'enroulement d'excitation ;30 du liant-parleur 23 est relié indllctivement par l'intermédiaire des enroulements primaires ZÉI et 22a respactiverlent, avec chacun dos circuits, le haut-parleur est placé sous 1'influence des deux demi-ondes de la fréquence de modulation.
Enfin, on dispose encore d'une autre possi-
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bilité pour cormenser la composante de a-our,:ir.1t, continu, possibilité qui existe à ali.enter l:enroulement. d'excité-tion du haut-parleur à l'aida d'un transformateur de:iwpUI84-ons quî transformé les impulsions de courant con2àr;u en l..llpulsions de courant alternatif.
Un tel transfozyna-1-eur d'impulsions peut être formé, par exemple, par un transfozniaceur dont 1.' enroulement primaire Comporte une prise médiane et dans lequel un spos t::L...: de commande approprié raccorde alternativeÚi Ï1t l.e: à 1.'une ou à loutre moitié de .l'enroulement. s-.... # genre de montage que l'on utilise, On peut ausi se servir à la place du procédé de modulatio en duréc des impulsions
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décrit ci-dessus,d'un p océdé de modulation on position des impulsions. On peut aussi utiliser d'une part 'Les impulsions modulées de l'un des deux transistors 1 et 2 'pour la commande du dispositif utilisateur, comme d'ailleurs les impulsions des deux transistors en commun.
Dans chaque cas, la valeur moyenne de la tension d'impulsion ou du cou- rant l'impulsion oscillera en fonction de la fréquence de modulation,
Il est avantageux de choisir la fréquence de la succession des impulsions (c'est-à-dire, par exemple, le temps s'écoulant entre l'instant de branchement du transis- tor 1jusqu-au prochain branchement de ce même transistor 1) des transistors 1 et 2 dans une gamme de fréquence supérieu- re à celle de l'oreille humainepar exemple supérieure à
25 kilocycles par seconde. Dans ce cas; le haut-parleur ne communique que la fréquence de modulation, c'est-à-dire la fréquence audible de commande du transistor ll.
Pour d'au- tres fréquences de modulation, il sera avantageux de choisir la fréquence de la succession des impulsions des transistors
1 et 2 de manière qu'elle soit supérieure à la composante maximum résultant de un.- analyse d'après Fourier de la valeur amplifier,
Bien entendu la présente invention ne se limita aucunement aux exemples que l'on vient de décrire.
On peut, le cas échéant, utiliser à volonté des dispositifs mentionnés à l'occasion de l'un ou de l'autre des exemples de montage ou avec les modifications qui s'imposent pour réaliser d'autres exemples de montage, En particulier les montages conformes à l'invention s'appliquent à tout type de semi-conducteur, auquel cas il faut utiliser l'inversion des signes de potentiel pour des transistors de type p-n-p par' rapport aux signes utilisés pour les transistors n-p-n.