BE549264A - - Google Patents

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BE549264A
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description


  L'invention concerne un système d'électrodes comportant un corps semi-conducteur en silicium, avec au moins une électrode appliquée par fusion, en particulier un transistor ou une diode à cristal.

  
Il est connu que l'on peut réaliser, par application par

  
 <EMI ID=1.1> 

  
en particulier sur ceux constitués par du germanium ou du silicium, des électrodes dont les propriétés électriques peuvent être modi-

  
 <EMI ID=2.1> 

  
liage.

  
Il est également connu que ces propriétés sont fortement

  
 <EMI ID=3.1>   <EMI ID=4.1> 

  
(1953) No. 12 (Dec.) page 1728.

  
On a également proposé de choisir le métal ou 1' alliage

  
 <EMI ID=5.1> 

  
conviennent pas ou guère, pour d'autres raisons.

  
L'invention permet de rendre possible l'application par fusion d'électrodes sur du silicium, tout en supprimant en Trente partie les tensions mécaniques par une adaptation mutuelle des coefficients de dilatation. 

  
Elle est basée sur l'idée que la différence der coeffi-

  
 <EMI ID=6.1> 

  
particulier, lorsqu'on compare ces différences avec la différence

  
 <EMI ID=7.1> 

  
taux utilisés jusqu'à présent d'autre part. Toutefois, les points de fusion du germanium et de nombreux alliages de germanium et (le

  
 <EMI ID=8.1>  

  
 <EMI ID=9.1> 

  
être si grande que le coefficient de dilation de l'électrode appli-

  
 <EMI ID=10.1> 

  
 <EMI ID=11.1> 

  
des métaux d'électrodes usuels sont beaucoup plus grands, comme le

  
 <EMI ID=12.1> 

  

 <EMI ID=13.1> 


  
 <EMI ID=14.1>   <EMI ID=15.1>

Claims (1)

  1. <EMI ID=16.1> <EMI ID=17.1>
    1300[deg.]C ; <EMI ID=18.1>
BE549264D 1955-07-06 BE549264A (fr)

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