BE551377A - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/60—Securing means for detachable heating or cooling arrangements, e.g. clamps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Led Devices (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
L'invention concerne un système d'électrodes semi-con- ducteur constitué par un cristal serai-conducteur, une ou plusieurs électrodes fixées à ce cristal et au moins un conducteur d'alimen- tation de courant qui, d'une part, est relié à une telle électro- de et, d'autre part, à un contact de connexion. Ce contact de con- nexion est destiné à. être fixé à un conducteur extérieur; en géné- ral, ce contact fera partie d'une gainé entourant le système d'é- lectrodes.
On a constaté que de tels systèmes d'électrodes, en par- ticulier de diodes à cristal, peuvent facilement être endommagés par une surcharge électrique, par exemple lors de la-mise en cir- cuit, par @@ite du fait que la résistance du cristal lui-même est particulièrement petite, du moins beaucoup. plus petite que celle
<Desc/Clms Page number 2>
EMI2.1
de red#egs*ëWs" aS'' s.e1;;.eÍfi'url et autres redresseurs à couches de mê- me p"Tii$s¯sWc¯èV linentiony ce danger de surcharge est for- tement dü-" p.;fiY le' fait ''atl moins un conducteur d'alimentation de â'dû.1j;f'"àri 'V1:.'rÍ& ffé's'i'-$trol4'e> qui est' au'mbths du même ordre de gan d!eW cp.g: 1 15it 8:r-:kS'tI:JJ....
Par une résistance du même ordre de gféSd0mf IS y f 1:féf1J d 'entend 1 Résistance qui est au. moim égâî# dfë1 M' :féS":tS"E?,.d1!1i S'... P0.ttJ? de nombreuses- âp13'l!i):iûfiXg-", $1 a" <9 1.1± :régoi$tm1c'e du conducteur' àMf; a &e 9 Gl.r 1 C s -é':ce dti er-1tâ:l :11. T a lieu d'entendre ici la féSlsiâai#- 2É@fffipoê stàt!gü$mêntl dans le sens direct, Jus<îu*à l' autre #î@e?'ë 'oir j'ttsÇlùJà - oelle des autres électrodes dont la ré- M.s g Jâ plti petites 0, ., 1f:Î@g1':f:jt:t û du dessin annexé, donne à-titre d'exe:::1-
EMI2.2
plë n=:3iMtâf,. fèïâ bien comprendre o17lrlent invention peut ê%re alg.) x. p,..ti..ait qui ressortent tant du texte que 'du a'êg1n &BÈBfB&f biên-érïtëndu, partie de 1'inventi4z.
.. .'g'.é i3.iqi:e du dessin est une coupe schématique dûû'e â.o. a cristal revêtue d'une gaine. Le système est consti- pe' p'âr s:Cè.1 de germanium 1, du type n, affectant la f'- me .' pâqete d'un épaisseur de 0,5 mm et d'une surface che 3 i: j :m.m trâ és.st.vi't -est de 15 Glml..!!1 Cette plaquette est ftxtêç % 1:M.li'è 4l*ùâfe p-ètite quantité d'étain 2, contenant 10% a" âI.fu.:ttret I* Htteë ié':qt1ette de molybdène dorée 3:.1 qui est fixée "sûr i, mtâ 4,' -00 àa .ga d..'s.ystème,. Cette .enveloppe comporte en .. f ....:1' :dt1 Si.
blpSi ê 1ttiâ iemsfeirf7.e ...7é f01 têt 4 et qm; de plus, est entou- ré te. .' P. -Se 'ce it&. 1Ft. disque d"'B.l1UJ1lniU!ll 7 améliora 4% fNtHib ;fé te paÏ'!t±tre 81!tèT-:i!èt1"ft\e -au tsajwt 5 -est montée isolé -!lJj 'tNâ Î te6 9fe 1T'e t3 .tan. >ff45a*s*t de 'connexion tabulaire % : ., ' '# flM-îïê sft"a1l. die gum. est appliquée par ;fus:ton.
'e é e étLE) i8 - il &nmtro.m.. Entre cette -éJ."(ctrO!'! #%$ M l-lfèf ijiêg en..s'e d1TÓve ,un à'Ona.m::t1J!r a"a1rl.1nBn...
<Desc/Clms Page number 3>
tation de courant 11 qui est constitué, par exemple, par un allia- ,ge de 20% de chrome et de 20 % de nickel. Ce conducteur est fixé hermétiquement dans le contact de connexion 8 à l'aide dE? soudure 12.
Dans le présent cas, la résistance du cristal, mesurée dans, le sens direct, entre la plaquette de molybdène 3 et l'élec@ trode 10 est de 0,15 ohm. Pour la résistance du fil 11, on choi- sit la même va.leur.
Claims (1)
- R E S U M E.1.- Système d'électrodes semi-conducteur constitué par un cristal semi-conducteur, une ou plusieurs électrodes fixées à ce corps et au moins un conducteur d'aliment@tion en courant qui est relié d'une part, à .une telle 'électrode et d'autre part à un con- tact de connexion-, caractérisé en ce qu'au moins un conducteur d' alimentation de courant a une résistance qui est au noins du même ordre de grandeur que,celle.du cristal, ce système d'électrodes semi-conducteur pouvant présenter en outre la particularité que la résistance du conducteur d'alimentation de courant est égale à celle, du' cristal:
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE551377A true BE551377A (fr) |
Family
ID=176935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE551377D BE551377A (fr) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE551377A (fr) |
-
0
- BE BE551377D patent/BE551377A/fr unknown
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