BE557168A - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3260624A (en) * 1961-05-10 1966-07-12 Siemens Ag Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR1248102A (fr) * 1959-10-30 1960-12-09 Materiel Telephonique Préparation des semi-conducteurs

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US3260624A (en) * 1961-05-10 1966-07-12 Siemens Ag Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device

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