FR2477771A1
(fr )
1981-09-11
Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
FR2804245A1
(fr )
2001-07-27
Procede de formation d'une couche mince cristalline contenant du silicium
EP2002474B1
(de )
2016-09-21
Verfahren zum ablösen eines dünnfilms durch schmelzniederschläge
FR2794897A1
(fr )
2000-12-15
Plaquette a semi-conducteur et dispositif a semi-conducteur fabrique a partir d'une telle plaquette
FR2658839A1
(fr )
1991-08-30
Procede de croissance controlee de cristaux aciculaires et application a la realisation de microcathodes a pointes.
EP0760162A1
(de )
1997-03-05
Verfahren zur herstellung einer struktur mit niedrigen konzentrationsdefekten mit einer in einem halbleitersubstrat begrabenen oxydschicht
EP2143687B1
(de )
2016-12-07
Reinigungsverfahren eines substrats aus kristallinem silizium und herstellungsverfahren einer fotovoltaikzelle
EP0034982A1
(de )
1981-09-02
Verfahren zur Herstellung homogener Schichten aus Hg1-xCdxTe
EP1774579B1
(de )
2012-05-16
Herstellungsverfahren für eine mehrschichtige struktur mit trennschicht
EP1580805B1
(de )
2013-06-19
Verfahren zum Präparieren einer Siliziumoxidschicht durch Oxidation bei hohe Temperatur auf einem Substrat mit einer Silizium-Germanium Oberfläche
FR2468208A1
(fr )
1981-04-30
Dispositif semiconducteur avec une diode zener
FR2497402A1
(fr )
1982-07-02
Procede de fabrication de jonctions p-n par electromigration
EP1483793A2
(de )
2004-12-08
Leistungs-schottkydiode mit sicoi-substrat und diesbezügliches herstellungsverfahren
FR2463509A1
(fr )
1981-02-20
Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs obtenus par ce procede
FR3073076A1
(fr )
2019-05-03
Point memoire a materiau a changement de phase
EP1547136B1
(de )
2009-12-30
Verfahren zur herstellung einer drahtförmigen nanostruktur aus einer halbleitenden schicht
FR2484703A1
(fr )
1981-12-18
Procede pour realiser une jonction pn sur un semiconducteur compose du groupe ii-vi
FR2905706A1
(fr )
2008-03-14
Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi
FR3120738A1
(fr )
2022-09-16
Procede de modification d’un etat de contrainte d’au moins une couche semi-conductrice
FR2709842A1
(fr )
1995-03-17
Dispositif de commutation optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif.
EP0012324B1
(de )
1982-02-17
Verfahren zur Herstellung von Kontakten auf Halbleiterbereichen geringer Tiefe
FR2664096A1
(fr )
1992-01-03
Procede de metallisation pour dispositif a semi-conducteur utilisant du nitrure de titane amorphe.
EP0127488A2
(de )
1984-12-05
Verfahren zum Herstellen eines Leistungstransistors mit Spannungsbelastbarkeit beim Öffnen
EP0001375A1
(de )
1979-04-04
Anordnung von in einem Halbleiter integrierten mehrfarbigen Leuchtdioden und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2501914A1
(fr )
1982-09-17
Diode zener 4 a 8 volts fonctionnant en avalanche a faible niveau de courant et procede de fabrication