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L'invention concerne un. transistor à effet de champ (field- affect-transistor), constitue par un corps semi-conducteur,, compor- tant une zone superficielle d'un type de conduction qui, a une cer- taine distance sous la surface, passe en une zone du type de con- duction opposé, alors que sur la première zone mentionnée sont appliquées, l'une à côté de 1' autre, une électrode 'd'entrée ohmique .il; une électrode de sortie ohmique, séparées par une rainure, qui rétrécit le trajet de courant de l'électrode d'entrée vers l'élec- trode de sortie dans la première zone, au-dessus du passage vers la seconde zone, tandis que la seconde zone avec l'électrode y appliquée, forme l'électrode de "gate" ou vanne du système.
L'invention concerne en outre'des procédés de fabrica- .
..ion de tels dispositifs semi-conducteurs.
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Comme on le sait, le fonctionnement d'un transistor à effet de champ est basé sur le fait que lors de Inapplication d'u- ne tension de blocage à la vanne, il se forme, au passade entre la vanne et le trajet de courante une couche désertée (c'est-à- dire une couche ne comportant pratiquement pas de porteurs de charge), qui, suivant la grandeur de la tension d'arrêt appliquée, pénètre plus ou moins profondémentdans le trajet de courant de l'électrode d' entrée, vers l'électrode de sortie et peut, de ce fait., influencer fortement la conduction le long de ce trajet.
Une extension de la couche désertée du côté du trajet de courant du passage p-n est oDtenue en choisissant jour.la zone de trajet de courant du corps semi-conducteur une résistivité grande;, par rap- port à celle de l'autre côté de la barrière p-n dans la zone de vanne du corps semi-conductuer. 11 est en outre connu., que, de cet- te manière, un transistor à effet de champ permet d'obtenir une amplification d'énergie.
Avant de passer à la description de l'invention, on don- nera d'abord l'état de. la technique en @e qui concerne le transis- tor à effet de champ, et on l'expliquera à l'aide des fig. 1 à 3, qui représentent, en coupe longitudinale, trois forces de réali- sation connues.
La Demande de Brevet austra@ienne n 9642/52, rendue @u- blique en 1952, décrit déjà le principe du trensistor 2. effet de champ et explique le fonctionnement de ce transistor entre autres à l'aide de la forme de réalisation représentée sur la fig. 1. Le dispositif représenté sur la fig.1 est constitué par un corps monocristallin 1 dans lequel;, par une variation du dosage di- bain pendant le tirage du cirst@l,on réalise une zone semi-conductrice 2 du type n et une zone semi-conductrice 3 du type p, séparées par une barrière p-n 4.
Sur la zone 2, du type n, sont appliquées .L'électrode d'entrée oblique 5 et l'électrode de sortie ohmique 6, alors que la zone 3, du type p, forme, ensemble avec l'électrode 7 y appliquée, la vanne du système. Entre l'électrode d'entrée 5 et 1'électrode de sortie 6 on a fraisé, dans le corps semi-conducteur,
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une rainure 8, qui rétrécit le trajet de courant entre ces deux é- lectrodes dans la zone 2 du type n au-delà de la barrière p-n 4.
Bien que la constitution d'un tel transistor à effet de champ, dans lequel l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie sont disposées l'une à côté de l'autre et sont séparées par une rainure qui pénè- tre, à partir de la surface, dans le corps semi-conducteur dans la direction de l'électrode vanne soit utilisable en soi, la mise en oeuvre de ce procédé de fabrication, tel que décrit dans ladite Demande de Brevet, ne comporte pas les dispositions qui permettent, à ,l'aide d'une telle structure, de répondre aux conditions sévères qui sont imposées dans la pratique à un transistor à effet de champ, en ce qui concerne la reproductibilité, la stabilité, le bruit, la caractéristique de fréquence ainsi que le prix de revient.
Aussi a-t-on imaginé d'autres formes de réalisation qui sont représentées en coupe longitudinale sur les fig. 2 et 3. La section du transistor à effet de champ représenté sur la fig. 2, perpendiculaire au plan du dessin, est rectangulaire. Sur deux fa- ces opposées du corps sont appliquées l'électrode d'entrée 5 et l'électrode de sortie 6, qui forment des liaisons ohmiques avec la zone 2, du type n, du corps. Sur l'autre paire de faces opposées, sont disposées les vannes, constituées par les zones 3, du type p, et les électrodes y appliquées.
Pour éviter les effets de résistan- ce négative aux vannes résultant de l'injection de trous, à partir de l'électrode de sortie 6, dans les vannes, une partie 9 de la zo- ne 2, de type n, se trouvant entre l'électrode de sortie 6 et la ligne en pointillés 10, est dotée d'une teneur spécialement élevée en donneurs, et comporte ainsi une grande conductibilité électro- nique et, partant, une faible teneur en trous.
Une pénétration se produisant, pour une tension d'arrêt déterminée aux vannes, de la couche désertée dans la zone 2, du type n, est indiquée par la lignq en pointillés 10 : les deux parties qui forment la zone désertée sont cunéiformes, car la tension d'arrêt à la barrière de l'élec- trode vanne augmente dans le sens de l'électrode de sortie sous @e la chute de tension, le long du trajet de courant de
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l'endroit d'alimentation 5 vers l'électrode de sortie 6. La fig. 3 représente encore une autre forme de réalisation connue d'un tran- sistor à effet de champ, dont le corps semi-conducteur a, perpendi- culairement au plan du dessin, une section circulaire.
L'électrode d'entrée 5 et l'électrode de sortie 6 sont également appliquées ici sur deux faces opposées,à savoir sur les deux faces terminales du corps cylindrique. La zone 3, du type p, et l'électrode 7 y ap- pliquée, formant ensemble la vanne, entourent cependant sous forme d'une bague, la zone 2 du type n. L'extension de la couche désertée pour une tension d'arrêt déterminée à la vanne, indiquée par 10, est donc,dans ce cas, égalementune figure de révolution. Les deux dernières formes de réalisation mentionnées présentent un sérieux inconvénient : suivant ces formes de réalisation, il est pratique- gent très 'difficile de réaliser des transistors à effet de champ, à fréquence de coupure supérieure à 10 MHz.
La fréquence de coupure est en effet inversement proportionnelle.au produit de la capacité de la vanne et de la résistance entre l'électrode d'entrée etl'élec- trode de sortie, d moins pour autant que celle-ci se trouve entre tes vannes, Tant cette capacité que cette résistance sont propor- tionnelles à la longueur du trajet de courant de l'électrode d'en- Grée vers l'électrode de sortie, pour autant que celles-ci se trou- vent entre les vannes, et de ce fait, la fréquence de coupure est nversement proportionnelle au carré de cette longueur.
Or., dans es formes de réalisation dans lesquelles les vannes se trouvent @oujours entre 1-*électrode d'entrée et l'électrode de' sortie, il @st évidemment impossible de réduire, d'une manière arbitraire, cet, e longueur, qui est en effet approximativement égale à la longueur les vannes, dans la direction du trajet de courant, de sorte qu'il @i@te une limite supérieure pratique de la fréquence de coupure.
L'invention fournit entre autres des dispositions plus acllement réalisables, pour obtenir un transistor à effet de h mp, ne présentant pas ou guère les inconvénients des dispositifs @onnus précités, et qui, à plusieurs points de vue, entre autres n @e qui concerne la reproductibilité, le bruit, la fréquence de
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coupure et la stabilité, présentent des propriétés particulière- ment intéressantes. L'invention recourt, à cet effet, à une forme d'exécution, qui, en principe, ressemble à la forme de réalisation représentée sur la fig. l, mais fournit en outre des dispositions faciles à mettre en oeuvre, assurant à une telle forme d'exécution, une réalisation particulièrement appropriée pour la pratique.
Dans un transistor à effet de champ, constitué par un corps semi-conducteur, comportant une zone superficielle d'un type de éonduction déterminé, qui à une certaine distance sous cette surface passe en une zone de type de conduction opposé, alors que sur la première zone sont appliquées une électrode d'entrée ohmi- que et une électrode de sortie ohmique, l'une à côté de l'autre, mais séparées par une rainure qui rétrécit le trajet de courant de l'électrode d'entrée vers l'électrode de sortie dans la première zone au-dessus de la barrière vers la seconde zone, tandis que la seconde zone et l'électrode y appliquée constituent la vanne du système, conformément à l'invention, la première zone mentionnée consiste,
du moins pour la partie située à la surface et sur la- quelle sont appliquées l'électrode d'entrée et l'électrode de sorti en une couche diffusée dans cette surface, de même type de conduc- tion que ladite première zone, tandis que la rainure traverse, du moins localement, entre ces électrodes, la surface de la couche diffusée au-dessus de la vanne. De préférence, la première zone est entièrement constituée par une couche diffusée dans la surfa- ce. Par une couche diffusée dans la surface, il y'a lieu d'enten- d@e ici une couche qui est introduite dans le corps par diffusion d'une ou de plusieurs impuretés d'un type déterminé, à partir d'un fluide, en particulier d'un gaz, ou bien d'un liquide ou d'une substance solide, par l'intermédiaire de cette surface.
Elle doit @@e nettement distinguée d'une couche obtenue par alliage (un pr@cédé, qui, précédemment a été parfois' appelé aussi diffusion), d s lequel la couche du corps semi-conducteur est d'abord dissou- t dans un bain, appliqué sur la couche, et se dépose ensuite, pen- da@t le refroidissement ultérieur, à sa place originale avec ségré-
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gation d'impuretés qui existaient dans -ce bain.
Une particularité de la couche diffusée réside entre autres dans 'levait qu'une telle couche présente dans la.surface et immédiatement au-dessous de la surface, le long de laquelle cette impureté s'est diffusée dans le corps, une assez grande teneur en impuretés, c'est-à-dire qu'elle présente une surface à faible résistance ohmique, tandis qu'à mesu- re que l'on pénètre plus porfondément dans la couche cette teneur en impuretés et partant ..aussi la conductibilité locale diminuent fortement. Par contre dans le cas d'une couche appliquée par al- liage, en générale la teneur dans la couche -est très élevée, sur toute la profondeur de pénétration.
La présente invention tire parti,entre autres, de l'existence d'une surface à faible résis- tance ;ohmique dans une couche diffusée, cornue il sera expliqué par la suite. Lorsque le corps semi-conducteur est constitué par du germanium, la résistivité du corps semi-conducteur, dans la ',sur- face à faible résistance ohmique de la. couche diffusée est choisie, de préférence, inférieure à 0,5ohm/cm Lorsque le corps semi-conduc- teur est en siliciumla résistivité du corps semi-conducteur dans .la surface à basse résistance oblique de la couche diffusée est de préférence, choisie inférieure à 1 ohm/ cm.
Outre davantage par rapport aux dispositifs connus, re- présentés sur les fig. 2 et 3, dans lesquels la barrière de la van- ne se trouve toujours entre 1'Électrode d'entrée et l'électrode de sortie, de sorte que la plus courte distance obtenable entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie est limitée par la largeur indispensable de cette barrière de vanne, alors que dans le dispositif conforme à l'invention, cette limitation est beau- coup moins stricte, par suite du fait que l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie se trouvent toutes deux sur la zone superfi- cielle à basse résistance ohmique de la couche diffusée, le bruit est plus faible.
En effet, le bruit dépend de la diffusion des por- teurs de charge minoritaires et, cornue l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie se trouvent toutes deux sur une zone super-
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ficielle à faible résistivité, le nombre de porteurs de charge minoritaires disponibles et donc la diffusion des porteurs de' char- ge minoritaires sont faibles, de sorte que le bruit est réduit.
Entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie, on a prévu, dans la première zone mentionnée, une rainure, qui traverse,du moins localement, la surface de la couche diffusée au-dessus de la. vanne. C'est uniquement à l'endroit de la rainure, que cette sur- face à basse résistance ohmique est interrompue. Par la présence de cette surface à basse résistance ohmique, l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie sont, en quelque sorte, déplacées jusqu'à proximité de la rainure. 'Aussi, le transistor à effet de champ con- forme à l'invention offre-t-il l'avantage additionnel d'une faible résistance en série, et, par suite de la présence d'une zone à fai- ble résistance ohmique pour l'électrode de sortie., une haute stabi- lité.
Sous la surface à basse résistance ohmique de la zone diffu- sée, la résistivité augmente fortement et la rainure doit au moins se poursuivre jusque dans cette zone pour se trouver dans le rayon d'action de la zone désertée de la vanne. De préférence, la plus courte distance entre l'électrode d'entrée et 1-'électrode de sortie, mesurée le long de la surface du corps semi-conducteur, est choisie plus petite que le double de la, plus courte distance entre l'élec- trode d'entrée et la barrière d.e la vanne et/ou la plus courte distance entre 1.'électrode de sortie et la barrière de la vanne.
Il y a lieu de noter que, par électrode d'entrée et électrode de sortie, on entend, soit le corps de contact proprement dit sur le corps semi-conducteur ou bien, lorsqu'une zone à basse résistance oblique est prévue immédiatement avant le corps de contact en cau- se, l'électrode d'entrée virtuelle respectivement l'électrode de sortie virtuelle, qui se trouve à l'endroit où le. zone à basse résistance ohmique s'arrête dans la direction de l'autre électrode.
Suivant un autre aspect de l'invention, on a ménagé en- tre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie une ra. inure as- sez longue. De préférence, la longueur de la rainure dépasse 1,5
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fois la plus petite des deux plus grandes dimensions de l'élec- trode d'entrée et de l'électrode de sortie. C'est ainsi que, des- dites électrodes, l'une peut être appliquée pour ainsi dire centra- lement sur la première zone et être entièrement entourée par la rainure, tandis qu'en dehors de cette rainure, se trouve l'autre électrode. En vue en plan, l'une des électrodes, par exemple l'é- lectrode d'entrée est, de préférence, circulaire, tandis que l'au- tre électrode affecte la forme d'une bague et entoure concentrique- ment la première.
L'une des électrodes peut également être de forme ' lenticulaire et être entourée, du moins sur une grande partie, par l'autre électrode. Dans une autre forme de réalisation encore, 1, électrode d'entrée et l'électrode de sortie affectent toutes deux la forme d'un peigne, dont les dents sont enchevêtrées, mais sont séparées par la rainure déjà mentionnée. Par le ménagement d'une rainure assez longue, c'est-à-dire une rainure plus longue qu'une rainure droite, il peut en outre être avantageux que la transcon- ductance, généralement appelée g, augmente sans ou-il en résulte une augmentation de la capacité qui est proportionnelle à la sur- face de contact. Cet aspect de l'invention peut également être réalisé de manière très simple dans cette forme de réalisation.
La première zone mentionnée, dans laquelle se trouve le trajet de cou:- rant de l'électrode d'entrée vers l'électrode de sortie est, de préférence, du type de conduction n, étant demie qu'en général, la mobilité des électrons est plus grande que celle des trous.
Suivant un autre aspect de l'invention, ce transistor à effet de champ peut être réalisé de manière simple et reproducti- ble. C' est ainsi que, dans un corps de conduction n', on peut réa- liser par diffusion d'un donneur une couche superficielle diffu- sée. Sur l'une des faces du corps, on peut appliquer, par alliage, un accepteur, qui forme la vanne. Sur la. couche superficielle dif- fusée, située en regard, on applique, l'une à côté de l'autre, 1' électrode d'entrée ohmique et l'électrode de sortie ohmique. Entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie, on ménage, par exem-
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ple par mordançage, une rainure qui,entre ces électrodes, perce localement au moins la surface à basse résistance oblique de la couche diffusée.
En outre, en tirant parti de 1'effet que, par l'application de la surface à basse résistance ohmique de la cou- che diffusée, les électrodes d'entrée et de sortie sont rappro- chées, on peut facilement réduire à moins de 250 /u la plus courte distance entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie. De préférence cette distance est choisie inférieure à 125/u ou même inférieure à 50 /u.
Dans un procédé conforme à 1'invention, on diffuse dans un corps semi-conducteur d'un type de conduction déterminé, une couche superficielle du type de conduction opposé, et sur une par- tie de cette couche, on applique une électrode d'entrée ohmique et une électrode de sortie ohmique entre lesquelles on ménage, par exemple par mordançage, une rainure qui, du moins localement, perce la surface de la couche diffusée entre ces électrodes. On peut également appliquer sur la couche diffusée dans la surface une électrode ohmique et ensuite, par l'enlèvement d'une partie de ces électrodes, subdiviser cette électrode ohmique en une électro- de d'entrée et une électrode de sortie séparées. En même temps, ou après on. ménage la rainure, par exemple, par mordançage.
De pré- férence, la rainure est'ménagée par voie électrolytique, autour d'une électrode oblique et lorsque l'une des électrodes ohmiques e est disposée centralement, de préférence autour de l'électrode centrale. Cela peut s'effectuer dans un bain de mordançage appro- priée en appliquant à ladite électrode une tension positive par rapport audit bain. Pendant le mordançage électrolytique, on peut tirer parti de l'effet que, lors de l'application d'une tension dans le sens de l'arrêt entre une électrode et la vanne, le mor- d3nçage se poursuit et est prolongé jusqu'à ce que la rainure at- teigne la couche désertée correspondant à la tension d'arrêt en cause.
Le trajet de courant dans le corps semi-conducteur se
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trouve dans ladite première zone entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie d'une part, et la. barrière p-n'de la vanne d'autre part. De préférence, la barrière p-n de la vanne est dispo- sée, par rapport à l'électrode d'entrée et l'électrode de'sortie d'une manière que, vue dans la direction perpendiculaire au tra- jet du courant de l'électrode d'entrée vers l'électrode de sortie, elle recouvre eu moins parteillement l'électrode d'entrée ou 1' électrode de sortie, voire les deux.
La description des figures 4 à 8 du dessin annexé, don- né à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, les particularités qui ressortent tant du texte que du dessin faisant, bien entendu, partie de.1' invention.
Les fig. 4 et 5 montrent en coupe deux formes deféalisa-
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tion d'un transistor à effet de ch21rLp, conforme à i'inve=ziion9
Les fig. 6 et 7 sont des vues en plan de deux autres formes de réalisation d'un transistor à effet de champ conforme à l'invention.
La fige 8 est une coupe d'une autre forme de réalisa- tion d'un transistor à effet de champ conforme à l'invention.
Sur la fige 4, une électrode d'entrée 5 et une électrode de sortie 6 forment des liaisons ohmiques avec la couche diffusée du type n. Les électrodes 5 et 6, âisposées l'une à côté de l'autre sont séparées par la rainure 8 çui pénètre dans la couche 2 sur une profondeur telle qu'elle se trouve dans le rayon d'action de la couche désertée, de la barrière p-n 4 de l'électrode vanne 7. Un exemple de l'extension de la couche désertée est représenté par la ligne en pointillés 10.
La plus courte distance entre l'électro- de d'entrée et l'électrode de sortie, environ 125 microns, est no- tablement inférieure à la largeur de la barrière p-n 4, mesurée dans la direction du trajet de courant de l'électrode d'entrée vers l'électrode de sortie', c'est-à-dire, sur la figure, de la gauche vers la droite.
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Pour la fabrication du transistor représenté sur la fig.
4, on part, par exemple, d'un corps monocristallin de type de con- duction p, dont les dimensions sont indiquées par la ligne en poin- tillés 11. La section du corps original, perpendiculaire au plan du dessin, est pratiquement rectangulaire. Une impureté donneuse est diffusée dans ce corps de conduction p, de sorte que le corps est entouré, de toutes parts, d'une zone de conduction n. On en- lève alors le côté inférieur du corps, par exemple par un mordan- çage chimique et on applique la vanne 7 sur la zone' 3 libérée, de conduction p.
L'électrode d'entrée 5 et l'électrode de sortie 6 sont ensuite appliquées sur une face du corps semi-conducteur dis- posée en regard de la vanne et ensuite on mordance le corps d'une manière telle que la couche superficielle, de conduction n, soit enlevée partout, sauf aux endroits se trouvant entre l'électrode d'entrée et l'électrode de sortie.
Ensuite, on réalise par mordan- çage une rainure 8, dans la surface du corps comprise entre les électrodes 5 et 6, et cela d'une manière telle que le fond de la rainure ne se rapproche pas trop près de la barrière p-n 4. Le tra, jet de courant de l'électrode 5 vers l'électrode 6 est incurvé, sous la rainure 8, vers la barrière de vanne 4, de sorte que ce tra jet peut facilement être interrompu par la couche désertée sans qu' il y ait de danger que la. couche désertée atteigne l'électrode d' entrée ou l'électrode de sortie avant que cette interruption ne se produise. Lors du mordançage, la surface à basse résistance ohmi- ' que de la couche diffusée est entièrement enlevée entre les con- tacts 5 et 6.
Voici la description de quelques stades de ce procédé.
On part d'un corps se*1-conducteur de conduction p, cons- titué par du germanium, contenant, comme accepteur, de l'indium, en une quantité telle que la résistivité soit d'environ 1 ohm/cm..
La diffusion s'effectue en faisant passer un mélange de vapeur de trichlorure d'antimoine et d'hydrogène gazeux, sur le corps de type p tout en chauffant celui-ci dans un four, pendant environ une heure et demie, à environ 770 C. La. vitesse de passage
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de l'hydrogène gazeux est d'environ 42 litres par heure ; vapeur 'de trichlorure d'antimonie s'obtient en chauffant, dans une encein, te fermée qui communique avec le four, une certa.ine quantité de trichlorure d?antimoine à une température d'environ 50 C.
La vanne 7 sur la zone 3 de conduction p s'obtient en appliquant par alliage sur cette zone une certaine quantité d'in- dium à la température d'environ 450 C. Après que ce contact est appliqué, on réalise l'électrode d'entrée 5 et l'électrode de sorti 6, en précipitant, par voie électrolytique, du nickel à l'endroit approprié. Les conditions de cette précipitation ne sont pas cri- tiques.
Le mordançage d'une partie déterminée du corps semi-con- ducteur 1 peut être obtenu en recouvrant les parties restantes d' une couche protectrice, de manière à exposer uniquement la partie en cause au mordançage ou bien en plongeant uniquement la partie en cause du corps' semi-conducteur dans le moyen de mordançage, par exemple de l'eau oxygénée à 20%; le mordançage s'effectue à en- viron 70 C.
- Au.lieu d'enlever par mordançage le cote inférieur du corps original avant d'appliquer la vanne 7, 'la vanne 7 peut être réalisée par alliage à travers la barrière p-n, située du coté inférieur,' jusque dans la zone de type p. Il est évident que la barrière p-n doit être percée, par exemple par mordançage, afin d'isoler les contacts 3 et 6 du contact 7.
L'application de la barrière p-n par diffusion.présente un avantage :'on obtient une barrière p-n plane, 'de sorte que le. transistor est plus facilement reproductible et qu'il'satisfait mieux aux conditions imposées en ce qui concerne le réglage du trajet de courant.
, 'Il y a lieu de noter qu'il est possible de réaliser plu- sieurs variantes en ce qui concerne le procédé de fabrication et le dimensionnement exact du transistor à effet de champ sans sor-
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tz l ¯ . ésente invention. cet ainsi., par exemple, que
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la surface supérieure ou une partie de celle-ci peut être recouver- te d'une couche d'électrode et que, par la suite, on peut subdiviser par une rainure, en deux électrodes séparées 5 et 6, en enlevant la. matière de l'électrode sur un trajet assez étroit.
Dans la forme de réalisation représentée sur la fig. 5, les électrodes 5 et 6 recouvrent pratiquement toute la.surface- supérieure du corps semi-conducteur. Le mordancage est alors réa- lisé d'une manière telle qu'il ne subsiste qu'une petite partie de la barrière p-n 4, et la zone 3, de conduction p. Pour le reste, le procédé est identique à celui décrit à l'aide de la fig. 4.
Les fige 6 et 7 représentent des contacts de forme autre que rectangulaire. Dans la forme de réalisation représentée sur la fig. 6, on a prévu.., au lieu d'une rainure droite, une rainure assez longue 8, en donnant à l'électrode d'entrée 5, vue en plan, la forme d'une lentille. L'électrode d'entrée 5 est en grande par- tie entourée par l'électrode, de sor ti e 6. Il est assez simple de fixer les conducteurs d'entrée aux endroits 12 et 14, d'autant plus que le conducteur de l'électrode d'entrée est appliqué sur la partie la plus large de l'électrode en forme de lentille.
Dans la forme de 'réalisation représentée sur la fig. 7, l'électrode d'entrée 5 et l'électrode de sortie 6 sont également séparées par une longue rainure 8. Les électrodes affectent la for- !:le de peignesdont les dents s'enchevêtrent de la manière indiquée sur la figure. Dans ces formes de réalisation, la rainure 8 peut être obtenue, par exemple, par un mordancage chimique ou électro- lytique.
La fig. 8 représente une forme de réalisation particuliè- re d'un transistor à effet de champ conforme à l'invention. Dans le corps semi-conducteur 1 est diffusée une couche superficielle 2 de conduction n. La vanne est constituée par la zone 3 de conduction ) et par l'électrode 7 y appliquée. Les électrodes obliques 5 et 6 ont appliquées sur la zone de conduction n. Dans la vue en plan, le contact 5 est circulaire et le contact annulaire 6 entoure.con-
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centriquement le contact 5.
Le contact 6 est constitué par exemple par du nickel précipité par voie électrolitique et le contact 5 est par exemple obtenu en appliquant une certaine quantité de soudure d'étain et d'antimoine (en poids 99% d'étain et 1% d'antimoine) sur l'extrémité d'un fil de cuivre étamé 12 et en soudant celui-ci, à environ 290 C, à la zone 2 de type n. La rainure 2 est obtenue par mordançage électrolytique et on utilise l'effet de la couche déser- tée de la barrière de vanne 10. A cet effet, le corps semi-conduc- teur est entièrement recouvert d'une couche protectrice, sauf la surface comprise entre les deux électrodes 5 et 6 et, dans cet état il est plongé dans un bain de mordançage constitué par une solution aqueuse à 10% d'hydroxyde de potassium. L'électrode 5 est reliée à la terre, et à la vanne 5 on entretient une tension de-10 V.
Une contre-électrode, prévue dans le bain de mordançage est portée à une tension de -0,1 V. Le mordançage s'effectue à la température ambiante normale et se produit d'une manière sélective dans l'en- tourage de l'électrode 2 et se poursuit jusqu'à ce que la rainure atteigne la zone désertée 10: On peut ainsi réaliser d'une manière très simple un transistor à effet de champ conforme à l'invention, à tension de coupure désirée.
La couche 2 de type n étant appliquée par diffusion, elle présente une surface à faible résistivité. Cette surface à faible résistivité s'étend également après le mordançage encore à partir du contact 6, jusqu'au cercle 13, de sorte que l'électrode de sortie est, pour ainsi dire, déplacée vers le cercle 13 et de ce fait, se trouve près de l'électrode d'entrée 5, malgré le fait que la dis- tance proprement dite entre les électrodes 5 et 6, est assez gran- de. Cet avantage particulier, qui est attribuable au fait que la couche de type n est une couche diffusée, facilite la fabrication d'un transistor à effet de champ conforme à l'invention.
La configuration représentée,sur la fig. 8 offre encore l'avantage supplémentaire que, peur des dimensions équivalentes, elle fournit le rapport maximum de la longueur de' la rainure à
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la surface d'électrode et de plus, qu'elle facilite encore le mor- dançage par voie électrolytique de la rainure.
Il va de soi que, au lieu de germanium, on peut égale- mentutiliser d'autres conducteurs et composés semi-conducteurs, par exemple le silicium déjà mentionné. De nombreuses autres varian- tes sont possibles. Le trajet de courant de l'électrode d'entrée vers l'électrode de sortie peut également se trouver dans une zone de conduction p. Cependant, ce trajet de courant est prévu, de pré- férence, dans une zone de type n, étant donné qu'en général, les électrons sont plus mobiles que.les trous.