BE622986A - - Google Patents
Info
- Publication number
- BE622986A BE622986A BE622986DA BE622986A BE 622986 A BE622986 A BE 622986A BE 622986D A BE622986D A BE 622986DA BE 622986 A BE622986 A BE 622986A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- deposit
- temperature
- arsenic
- desc
- page number
- Prior art date
Links
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001459693 Dipterocarpus zeylanicus Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100065098 Rattus norvegicus Egr4 gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 244000245420 ail Species 0.000 description 1
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 244000144992 flock Species 0.000 description 1
- 235000004611 garlic Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B30/00—Obtaining antimony, arsenic or bismuth
- C22B30/04—Obtaining arsenic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
EMI1.1
PtOO'd' M pr'p'ft'Ób 4tjri M .fl'.fi.ttu. , 1 fÓÎiSJ!j4 4
EMI1.2
procédé bivet fellemtftd 261*922 tient de$ dl4ffiegts et des bbmpob4s êd awsnant Its 'bjttea à rôduirs, par exemple soua l6 e gazsuae, dans une flamme invoreôô* Le* pbudrea rirr extrêmement ailïàîea ainsi obtehuôâ sent teie & pattllfec fins qu'elles .
abaorbént le pantenfeitbs d ïa èàâiâilobé En outfè tilèb bdiiu tiennent à peu près toute* <t impuretés pt*ésent ë dans là utiêt-é de pài H dit connu bli outre <A'6Ki ât exera- Pl* de irac t1 Cfiëtàux gai$ï*a sublimant larset* -Mi et *à 1 adeït&nt sur dés surfaces <t!MMifféea* Un vient pedodeoment de d4couVï*ii* un peôd4dî pat le* quoi on parVie à obtenir dernart l'arsenic gt'ûssi'* renient oriatallisé ôt très pur, convenant pour ios applica- tions dans le domaine doâ m,rar, rf réduisant les composé tt'it't,dl réductibles pue de lihydtbgéné dans des
<Desc/Clms Page number 2>
EMI2.1
flaEMt&a inversées* Le procédé se Caractérise en ce que le , # courant, gueux sortant de la fle rencontre une autA*4 ai dépôt qui se trouve'. une température oo#pri...ntr.
$$4 0 Dans-le l'roêd6 conforMe & l'invention le cûMX'an& ',...1 $eux, sur le trajet allant de la flamme jusqu'à l',nc1rÓ1' dé dépôt, doit être maintenu 4 une température environ 104d plui élevée que la température de condeneat1on de l'Aï'eeiO't Un l'occurrence on entend par température de condensation de 1 arsenic la température à laquelle la tension de vapeur sa- -turante est égale à la pression partielle de la vapeur d'ar- aenic dans le courant gazeux.
Dans un mélange gâteux dans le- quel par exemple la pression partielle de la vapeur d'arse-
EMI2.2
nie 6#416ve à 30 mb Cette tompérature est de 473*<!!it ta température citée peut être obtenue par ith tout. l'âge supplémentaire ou par isolation thermique. Mait il bit également possible de disposer la surface de ddp$t et pr'6< de la flamme qu'un chauffage supplémentaire du courant gaseux devient superflu.
EMI2.3
, #-. Comme matières premières conviennent de prd±4tléÀdio les halég4nurob Mais on peut aussi employé*' gvob .:a6'''bbna,.:r6su1.'t.at! d().oc:re d'arsenic (A"03) bU dès .Ott1, - es arsenicaux .organiques, par exemple de l'oxyde d)t 'I06a1' -r<OH3 fi Ai' 2 . du chlorure de caco'dyle ou de 1 bt4iÍrt..f" ..'nit,.tt:
.."'pX'Qdu1ti de substitution, La surface de--d-'p4t est avantageusement disposé a-iU -le courant gâteux de telle manière qu'il.. prôd4id* me blie une déviation du courant gazeux. Le maintien. constant de la température de la surface de dépôt peut être réalisa par une
EMI2.4
circulation dt gas. -de-liu1de.
ou en cédant la chaleur a dbâ métaux* - * @
Le procédé permet non seulement de préparer de l'ar- sonie de grande puretés mais aussi d'introduire les sub@t@n-
EMI2.5
ces de dotation usuelles vaquée dans Ilaraonio# 1..q1'
<Desc/Clms Page number 3>
EMI3.1
sont ajoutées au opmpqoê 494,4e 4 1p, **#4u#ij4on,, est par exemple possiblef, en eangoa.n du téftohprur-e d'eia dp. trichlorure d'arsenic, d'obtenir un aw &4e'eppt& njwi* 4e Vé* tain, comme cela est souhaité m vue de la dotation dans le cas de l'arsérçiure de gallium, En prévoyant de ItAe*er4g 9*;npngqrgt4l comme sur*
EMI3.2
face de dépôt réchauffée, il est possible de déposer le métal
EMI3.3
également sous la forwe ç mopocyistal E:
ce!nplQ L'appareil ppe iv 4tr.+ , 9Fq4 x grossiers 50 Compose du ,1(,",."tar 1. d bQJ, 8i de la surface de dépôt ? et} d4 991goqp do pqJ1à" 4 tpous Sien éléments, à l'exception du aat st const verre de quartz* .,' Le saturatew l est. a,l',6 gyçq environ 40P Qf1J ea tyichloruï'e dtaragn9, 4r Ig 9 t|?w3, |re 5 circule de 1 vapeur d'eau dane t'nV1Q9Pt gui, çutt 1 ballon du oa7 turateiuf 1 à envi ?$,OR Le condonjalî sort pAr 1i décharge 7* Par l'entrée 8 on 1 (;\'A'r A 'r)/'''I'f$ 1 swatJiOur un courant de chlore $wu* -eu w ggeant 4tpr 4 -44q Vea" ne de circulation de 15 A 90 lr'/h;
.). . 9 gggoux sort à la buselura du \)rdtf) ?p Il m$mo temps pe fait pas-* *or par le bout tubulaire lAtéira 9 de l'hydrogène 4 une viw tonse de circulation de 5P 70 1tr8/hIr. , 1 'eurpuleent de chauffage 10 chauffe g section de tu4ç entourait le brun leur à environ ÔOOC, ai 4gn due le opWA,14 o Qb*Qe ou dtoxygène s'entlamme aussitôt (;\r.1 la <sortie hora 4M brûleur 2 et brûle avec une flamme haute d'environ. 10 M.
Dans la partie élargie 11 de la chAMbre de brûleur fait saillie à l'intérieur un pyl4ndxpe 4 la surface, avant 3 duquel le dépôt d'arsenic go ta1 go cylindre est constitué en verre 4e quart a et# par un mbo X3 qui lui est soudé, il est dep;4qAble dans le (guidage l, Dans le tube de support l Çe oÇud6 a1eme un tube
<Desc/Clms Page number 4>
EMI4.1
pa gp "99of ont fggqo qrrgqq de tp Un qeno non A4Qe 9p9!' 89 $4gem M ',m W s"'? 4p eq ne a# |ff4 4.1 i mbpo9 pf 4#ss ( nvirflp 49 Uiçn 4 M<4t9 if-s I* tqi{ 4p0ttrf 4 swfftfff 4ép fc pWfttyl,!!.* f, wviffi n 379 n ?W9t U 9 F 4w|i ace w 4é|?ôfe 4îniQ t9!<-9M etpWt * <!t<aaw 1, 4épft 6'<!e iWîiwentjt, pn 1 . oyUo4ro e p ean lep g 41AVogntqf qmt gç tA" Mbtfo ew.
. - e%4rg ee 4 P*r4tp 19P$9 49 4 bzz fcF|tfyï* ow4t> 9pi w 4e H( UAfirp 4 tt ger# 4e enhx1q 40A gorréo r 49 24 ;epe d wytn 914 4f ';x w en)!t<*pA<; eg 44ppge er4qtpe 94lq $ non nfmrntfi'f'rrr,nerft ]. do prUtn 4' jiwrç4 W pue fez <;.a egr 4!!.< MB !fC$W6 %é$U$ W$q .n'r' 1 P f*W* 4p 3, |XiRfi py <!y
<Desc/Clms Page number 5>
EMI5.1
' OM lotwtmoo CIO 'edpet 94t ne o eeaptww. fe qu'on pr4yoit eonimo otwr-Age e4o4ge4o dç 1 farueoo 0 jf -on 00 1414n eeout des ubqtgnçoo. 4* i 9 qnniieil au <mp9 foqrola à )U râduotiipn. ' '*.,'###
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEW30810A DE1169138B (de) | 1961-10-02 | 1961-10-02 | Verfahren zur Gewinnung von grobkristallinem hochreinem Arsen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE622986A true BE622986A (fr) |
Family
ID=7599602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE622986D BE622986A (fr) | 1961-10-02 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE622986A (fr) |
| CH (1) | CH424275A (fr) |
| DE (1) | DE1169138B (fr) |
| GB (1) | GB1017782A (fr) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111348680B (zh) * | 2018-12-21 | 2023-03-24 | 紫石能源有限公司 | 砷烷的制备方法 |
-
0
- BE BE622986D patent/BE622986A/fr unknown
-
1961
- 1961-10-02 DE DEW30810A patent/DE1169138B/de active Granted
-
1962
- 1962-09-28 CH CH1147762A patent/CH424275A/de unknown
- 1962-10-02 GB GB37348/62A patent/GB1017782A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1169138B (de) | 1964-04-30 |
| GB1017782A (en) | 1966-01-19 |
| CH424275A (de) | 1966-11-15 |
| DE1169138C2 (fr) | 1964-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BE622986A (fr) | ||
| JPH10306925A (ja) | 高効率直接接触高温水加熱器 | |
| Emeléus | CCXXIX.—The light emission from the phosphorescent flames of ether, acetaldehyde, propaldehyde, and hexane | |
| US1917692A (en) | Sulphur burner | |
| GB191011117A (en) | Improvements in Gas Burners applicable for Melting Furnaces and other purposes. | |
| US1649605A (en) | Air heater and method of operating same | |
| US1352481A (en) | Heater | |
| US1448126A (en) | Apparatus for purifying gases | |
| US669757A (en) | Vaporizer. | |
| US583940A (en) | Heating apparatus foe use with liquid eydeocarbons | |
| US560649A (en) | Albert ricks | |
| US125854A (en) | stein | |
| US1332377A (en) | Oil-filtering attachment for furnaces | |
| AT19868B (de) | Verdampfer für flüssige Brennstoffe. | |
| GB191212796A (en) | Improvements in Vapour Burning Lamps. | |
| NO164620B (no) | Fremgangsmaate til aa redusere flammetemperaturen i en brenner samt brenner for dette. | |
| US392175A (en) | Furnace gas-burner | |
| US1234302A (en) | Arc-lamp condenser. | |
| US647692A (en) | Incandescent vapor-burner. | |
| GB189713194A (en) | Improved Means for Heating, Drying and Ventilating. | |
| US363457A (en) | Heney b | |
| US1110867A (en) | Gas-furnace. | |
| US594345A (en) | dupee | |
| US1327117A (en) | Gas-generator | |
| GB332063A (en) | Improvements in gas burners |