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DISPOSITIF DE PRODUCTION DE LUMIERE par ELECTRO- @ LUMINESCENCE.
La présente invention a pour objet un mode et un dispositif de production de lumière par éleotro- luminescence.
Plue particulièrement, la présente invention fournit le moyen de produire de la lumière à la fois dans la région visible et dans les régions invisibles du spectre. C'est-à-dire que, d'après cette invention, ' une luminescence peut être produite dans la région des ultra-violets (au dessous de 4 000 environ) et dans ' la région des infra-rouges (au dessus de 7 000 environ) aussi bien que dans la région visible du spectre lumineux (c'est-à-dire pour des longueurs d'en- do comprises entre 4 000 et 7 000 environ)*
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Plus particulièrement, encore,
la présente invontion a pour objet la production d'une luminescence par excitation électrique du phosphuro de bore cristal- lise dans le système cubique,
L'électroluminescence consiste en l'excita.-, tion d'une luminescence par l'application d'une diffé- ronoe do potentiel électrique à un solide cristallin capable do luminescence (élément phosphorescent) ou par injection de porteurs do charge, c'est-à-dire do lacunes au d'électrons, dans la solide capable de luminescence on créant dans ce solide le passage d'un courant par l'intermédiaire du contact électriquement conducteur d'une jonction p-n.
Le phénomène de l'électroluminescence a été observé dans do nombreux composas parmi lesquels le carbure do silicium, les sulfures et les séléniures de zinc et de cadmium et les cristaux mixtes do ces corps, les nitrures do bore, phosphuro do gallium ot les cristaux mixtos d'arséniure do gallium et de phosphure de gallium, de phosphures do gallium et d'in- dium et d'arséniure et do phosphuro d'indium.
Ces corps présentent, on ce qui concerne leur utilisation comme éléments électroluminescents, des limitations qui leur sont propres, en ce sens qu'ils ne sont capables d'émettre de la lumière que dans la région vi- Bible du spectre, qu'ils peuvent être utilisés seule- mont à basse température, que leur rendement est faible,. que leur préparation présente do grandes difficultés et (ou) qu'ils sont d'un prix trop élevé pour une utilisation à grande échelle.
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Par suite, l'un des objet* de la présente invention est de réaliser les moyens de supprimer les limitations mentionnées ci-dessus dans la fabrication et l'utilisation dos solides électroluminescente,
Un objet particulier de la présente invention ont de réaliser le moyen d'obtenir la production de luminescence dans le spectre invisible aussi bien que dans le spootro visible
Un autre objet do cette invention est l'obten- tion do dispositifs électroluminescente qui puissent fonctionner efficacement à de hautes températures,
c'est-à-dire jusqu'à 1 200 C sous faible tension*
Un autre objet de cotte invention est l'ob- tention d'éléments électroluminescents de préparation facile et peu coûteuse
Ces divers objets, et d'autres encore, apparaîtront clairement à la lecture de la description qui suite
L'invention sera plus aisément comprise à la lecture de la description détaillée ci-dessous avoo référence au dessin annexé dans lequel @ - la figure 1 représente un dispositif pour la production de lumière sur une certaine surface d'un cristal phosphorescent ;
- la figure 2 représente un dispositif pour la production do lumière sur la surface entière d'un cristal phosphorescente et - la figure 3 représente un dispositif dans lequel l'élément phosphorescent de la présente inven- tion est dispersé dans un diélectrique.
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Suivant la présente invention, il a été remarqué que le phosphure de bore cristallisé dans
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le système cubique constitue, lorsqu'il est oonvona- blomont activée un élément 4lootrolu=1noloont .tt1oaoo et permet la fabrication de dispositifs élootrolum1nol. conte oapablos de fonctionner à dos température! '10- "1' 8, L'impoptRïtoo de la présente invention sera plus facilement c=prîse à la lecture de la bravo description qui suit du phénomène de l'41aotrolum1nel. conce.
Toile qu'elle est actuellement compricet l'éleotroluminesoenoo comporto, en premier lieu, l'excitation électrique d'un électron non normalement excité dans la bande de plus faible énergie (bondi
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des valoncoo) d'un ..m1-oonduoteur, excitation d'une intensité suffisante pour élever oot électron au travers de l'intervalle d'énergie interdit jusqu'au niveau énergétique de la bande immédiatement supérieure (bande de conduction). Lorsque 1'élootron excité retombe 4 sa position normale dans la bande dos valen-
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ces, la luminescence se produit.
Ce prOoossus ont connu sous le nom de rooombinaison do l'électron excité L'énergie maximale do la lumière émise par un élément phosphorescent est approximativemont égale à l'énergie nécessaire pour franchir l'intervalle interdit du corps considéré. En pratique cependant, la matière de base de l'élément phosphorescent contient, en générale certains agents étrangers,ou activants, que l'on pense être le siège d'une émission luminescente.
L'énergie d'ac- tivation d'un activant,dont la concentration est
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faible, est moindre que celle nécessaire au franchisse- mont de l'intervalle intordit de la matière de base, do sorte quo l'énergie nécessaire pour exciter l'un do ses électrons ot le faire passer dans la bande do conduction de la matière do base est moindre que colle requise pour les électrons do valence de cotte matière do base.
Lorsqu'un électron excité effectue sa recom- binaison, il peut faire cette opération on transitant d'abord vers un centre activant puis en transitant do la vers la bande des valences. Une luminescence, sous forme de lumière d'énergie correspondante, apparaît à chacune) de ces transition.. Ainsi, de la lumière se trouve émise sous deux énergies, l'une égale à l'éner- gie d'activation do l'activant, et l'autre égale à l'énergie nécessaire au franchissement @e l'intervalle interdit du la matière do base diminuée de l'énergie d'activation de 1'activant.
L'explication ci-dessus se rapporte, pour raison do simplicité, à des porte do chargu constitués par des électrons, mais,.dans la réalité, ces porteurs peuvent être des électrons, ou dos porteurs positifs (lacunes), ou les deux, suivant la composition de l'élément luminescent.
La lumière correspondant aux plus fortes énorgies (longueurs d'ondo les plus courtes) prend donc naissance dans les corps présentant un large intervalle entre bandes.Pour obtenir do la lumière dans la région des ultra-violets par excitation élec- trique de solides cristallins, il est nécessaire d'utiliser un élément phosphorescent semi-conducteur ayant un intervalle d'énergie supérieur à environ
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',10 ov, puisque c'est là la maximum d'énergie de la lumière dans le spectre visible (longueur d'onde
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4 000 , ) .
Uno particularité oaraatérid,uo du phosphuro do bore luminescent cristallisé dans le
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système cubique qui fait l'objet du présont oxpoeéâ est do présenter une énorgio do franchissement de son intervalle interdit d'environ 6 ev. Pour cotte raison,
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lu phosphure de boro oristallied cubique est lao soûl composé 111-V euaoeptibio d'éleotroluminesoenoo dans la région doe ultra-violeta, lao nitruro do bore cristallisé cubique excepta. Il a été antériouremont mentionné qu'une eleotroluminosoonoe avait été observée sur le nitruro do boro.
Maie, la luminesoonoo observée se situait dans la région chromatique,ou visible. et on no sait pas si la matière était cristallisée dans le système cubique ou le système hexagonale ni
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quels activanta, et en quelle quantité, étaient uti- lises. D'autre part, le nitrure do boro cristallise
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cubique n'a jamais été décrit, que l'on saohe, comme pouvant outre utilisé pour l'émission dans l'ultra- violet.
Do plus, le préparation de nitrure de boro cristallisé dans Io système cubique (borason), tulle qu'elle est décrite dans la littérature connue, tmpl1- que l'emploi de températures ot de pressions élevées.
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Do sorte que, memo si le nitrure do bore pouvait dtre utilisé oommo élément luminescent, la difficulté ot le coût de sa préparation en empocheraient l'emploi de se répandre largement.
Parmi les autres somi-oonduoteurs courants,
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seul le sulfure de sine présente un intervalle d'éner- gie supérieur a 3,10 ev, en l'occurence 3,7 ev, énergie qui lui permettrait d'émettre une luminescence dans la région des ultra-violets du spectre * Mais cette lumi- nescence se situerait, de toute façon, dans le proche ultra-violet, c'est-à-dire vers 3 350*4 000 , alors que le phosphure de bore cristallise cubique, qui présente un intervalle d'énergie d'environ 6 ev, peut émettre une luminescence dans une zone de longueurs d'onde descendant jusqu'h 2 200 .
D'autre part, la sulfure do zinc a été le premier fluorescent synthé- tique connu (Sidot, 1867) et a été depuis très rocher ché comme produit luminescent, mais les dispositifs luminescents ayant ce composé pour base n'ont un rondement que de 2 % environ. Par contre, les disposi- tifs électroluminescents au phosphuro de bore cristallin sd dans le système cubique objets de la présente inven- tion fonctionnent avec dos rendements pouvant attein- dre 50 %.
En dehors de sa capacité d'émission de lumière dans l'ultra-violet et dans le spectre visible, le phosphure do bore cristallise dans le système cubique est susceptible d'émettre de la lumière dans 1'infra-rouge du spectre s'il renferme dos activants appropries. Par suite, les éléments phosphorescents objets de la présente invention sont bien supérieurs à ceux antérieurement connus du fait qu'ils peuvont être utilisés pour émettre do la lumière dans l'ultra- violet, dans le visible et dans l'infra-rougo du speotro lumineux.
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Les activants appropriés envisagés ici comprennent des éléments choisis dans les groupes IIB, IVB et VIB de la classification périodique lorsqu'il s'agit de produire do la lumière ultra-violette, Les éléments à retenir de préférence dans ces groupes sont le gluoinium, le magnésium, le aine, la cadmiumle morcuro, le carbone, le silicium, le germanium, l'étain, le plomb, le soufre, le sélénium ot le tellu- re.
L'incorporation d'éléments du groupe IIB et do gluoinium ou de magnésium conduit à des éléments phosphorescents présentant une conductivité du type p, colle d'éléments du groupe VIB donnent des oonduotivi- tés du type n, tandis que celle d'éléments du groupe IVB peut donner des conductivités soit du typo 10 soit du type n, suivant la composition finale do l'élément phosphorescent.Plus précisément, lorsque la composi- tion du cristal est telle qu'un élément du groupe IVB, silicium par exemple, y remplace un atome de bore dans le réseau de base, on obtient une oonduotivité du type n,
ot lorsqu'un atome do silicium y remplace un atome de phosphore dans le réseau de base, on obtient une conductivité du typo p.
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Pour exciter une luminescence dans le spectre visible sur du phosphure de bore cristallisé cubique, on utilise comme activant un élément choisi dans le groupe IB ou un métal de transition des grou- pes IIIB, IVA, VA, VIA, VIIA et VIII do la classifi- cation périodique.Les éléments à choisir de préféron- ce dans ces groupes comprennent le cuivre, l'argent, l'or, l'aluminium, le gallium, l'indium, le titane,
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Io liroonium, l'hafnium, le vanadium, Io niobiums le tantale, lu chromo, lu molybdène, le tungstèno, le manganàso, le for,, le cobalt et le nickel.
Bien que les not1vnnta énumérés o1-d0ISU' doivent Otro choisis de préférence pour obtenir une émission do lumière chacun principalement dans non
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champ d'action respoctif, il est possible d'obtenir don chevauchements entre les groupes du fait qu'une
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împurotd donndo peut provoquer une émission de lumière sur doux longueurs d'ondo. Par exemple, le soufre pourra etro utilisd pour obtenil' uno émission dant 1'infra-rouge on plus do son émission dans l'ultra- violot et le fur pourra dtre utilisé pour obtenir doux émissions do lumière visible de longueurs d'onde dit1'ÓrcntQs.
Do plus, diverses combinaisons dtaetivanto choisis dans les éléments des groupes 1E, IlIBy IVAR VA, VIA, VIIA ot VIII peuvent être employés pour produire une luminescence dont la répartition des longueurs d'ondo soit une répartition donnée quelconque, Par cotte méthode,on peut produire de la lumière blanche par une combinaison dos longueurs d'onde fournie
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par au moins doux noti = te, Lon teneurs on activant pouvant 8tre utilindue varient entre 0,005 et environ ',0 pour oaht , du poids du cristal cubique de phosphuro de bore, la teneur préférable so situant entre 0,05 et 1,0 pour
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cent en poids.
Lorsqu'on désire produire une lum.1..Wt.oen.. ce dans l'ultra-violet, il est préférable de choisir une concentration do l'activant approprié dans la
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partie inférieure do l'inturvallo lu plus dtundut o'ust-à-diro entre environ 0,005 et 0,05 pour oont
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on poids du phosphuro do bore,
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Lo phoophuro du boru cristallisé danse le système ouhiquo dont il est question ici peut 4t préparé du divoraos façons. Par oxomplet Io brovot U.S.
N3 3.009.780 décrit un mode do production d'un cristal unique du 1:'\o'3phur(J do bore cubique on
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faisant réagir uno source do phosphore, phosphore,
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allineo phosphoreux ou phosphuro métalliquo, par
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exemple, ot une source du boro, bore, alliago do bore ou boruro métallique, donc un milieu Métallique en fusion no comportant qu'un seul métal ou qu'un eoul
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alliage. Los milieux mêtalliquon utilisables compron. nont Io cuivre, l'aluminium, le gallium, l'indium, Io silicium, le titane, le ziroonium, le gormanium, le chrome, la manganbace le fort le oobalt, Io nickel, la ruthéniU1':1, le rhodium, le palladium, l'osmium, l'irridium ot le platine.
La. souroo de phosphora et
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la source de bore sont dissoutes dans la miliou métal-
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liqua en fusion à la température convenable, a'o8t-k" dire ait duemun du point duo fusion du métal, mai. au donsoue do 1 800 0. Après terminaison do la r4not:1.on, la. masse on fusion touto ontibrt oet refroidie !t l'allure do 1O à 3000C 4 l'heure pour obtenir la pr4- cipitation du cristal unique cubique de phoaphuro de borot Le cristal cet onau1to dégagé on dissolvant Io miliou métallique colidîtid 4 l'aida d'un acide
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minéral, acide nitrique par exemple.
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Un autre mode de préparation d'un cristal unique ot cubique do phosphuro do boro consiste à mettre
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en contact un courant gazeux d'oxyde boroux, B20g par exemple ot un courant gazeux do phosphore à uno tempe* rature so situant entre 1 000 et 1 800Q, opération qui a pour effet do faire précipiter du phosphure de boro de la phase gazeuse,
Un autre mode do préparation du phosphure do bore cristallisé dans le système cubique est de frit
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dans le brevet O'.B.
NO 2.966.426 ot consiste à mettre on contact un halogénure, un hydruro ou un alo011o do bore avec un halogénure ou un hydruro de phosphore
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à la température d'au moine 593 0 Los notivnnts sont introduits dans le phots- phure do bore lorsque ao,u3,oi est prépare par le mode de fusion décrite plus haut en ajoutant directement l'élément activant au métal on fusion dans lequel se
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prépare le phoaphuro de bore. Si la préparation "01'- :aotuo en phase gazeuse, comme décrit dans lo brevet Ilote NO 2.966,426 déjà cite, l'élément activant, ou un de ses composés volatil, un halogénuro par exemple, est ajouté on quantité voulue aux gaz de réaction ot s'incorpore au cristal do phosphuro do bore durant sa formation.
En variante, l'activant peut être introduit dans le phosphuro do bore cristallin après sa formation par diffusion 1\ haute température d'après les procédée courants.
Comme il a été dit plus haut, le phosphure
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de boro cristallin peut 3tra activé do façon à lui faire émettre de la lumière ultra-violette. Cette lumière
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ultra-violette peut être transformée en lumière visible par emploi d'une matière fluorescente appropriée, ainsi qu'il est fait dans les lampes à fluorescence de typo courant utilisant une décharge dans de la vapeur de morcuru sous faible pression.
Los exemples ci-après définiront l'invention de façon encore plus complète Exemple 1 -
Cet exemple illustre l'excitation d'une luminescence dans la région des ultra-violets à l'aide d'un élément phosphorescent au phosphure de bore cristallisé dans le système cubique.
La figure 1 montre un dispositif k diode de contact. Un cristal unique de phosphore de bore cubique, dont los dimensions sont 1 mm x : mm # 0,5 mm, on constitue le corps 10. Une forme appropriée do ce corps pourra être colle d'un disque ou d'une rondelle do faible épaisseur, mais toute autre jugdo convenable pourra ôtre adoptée, Ce corps 10 de phosphure do bore contient 0,005 pour cent on poids de magnésium calculé sur le poids du phosphure do boro.
Le phosphure de bore utilisé dans cet exemple a été préparé suivant le mode do fusion décrit plus haut et sa conductivité est du typo p. le* contact redresseur est formé sur le corps 10 par un fil do tungstène 11 très fin qui s'appuie sur la face supérieure do ce corps 10. D'autres matières à haut point do fusion peuvent dire substituées au tungstène, le bronze phosphoreux, le nickel et simi- lairos, par exemple.
Une pression d'environ 50 grammes convient pour assurer le contact ponctuel entre
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1 'électrode et la face supérieure du disque, bien que dos prussiens plus fortes ou moins fortes, par exemple entre 10 ot 100 grammes, puissent être utilisées.Si désire, le fil très fin 11peut être soude au corps 10 en faisant passer uno forte surintensité dans la diode,
Le contact à résistance ohmique est obtenu sur la fac inférieure du corps 10 on y souvent l'élec- trodo de nickel 12.
Cotte soudure sa fait par fusion en pressant le disque 10 contre l'électrode 12 sous uno température d'environ 1 100 C, ce qui provoque la soudure du disque 10 sur 1'électrode 12. Les oonduo- tours d'amenée do courant, 13 et 14, qui pourront être on cuivre ou en nickel, sont soudée ou mécaniquement fixés de toute autre façon aux conducteurs 11 et 12 ot sont relies 4 la source do courant 16 et à la résis- tance 15. lorsqu'une tension alternative (60 périodes) est appliquée à la diode, on détecte une radiation ultra-violette émanant de la région du disque de phosphure do bore entourant le point de contact du fil très fin 11.
La longueur d'onde de la radiation ultra- violette émise est de l'ordre de 2 100 , la puissance totale absorbée par le dispositif est do l'ordre d'environ 0,1 W.
La forme de réalisation de l'invention décrite dans le présent exemple peut être modifiée do diverses façons, les résultats obtenus restant semblables. Par exemple, le disque 10 de phosphure de boro cristallise dans le système cubique et obtenu par fusion pourra être prépare sous formo pratiquement
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pure et utilisa tel quoi, ou bion, un élément activant du type décrit plus haut pourra être incorpora au phosphure do bore, ot dans la quantité désirée , en incorporant au conducteur nickel 12 à souder par fusion
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10 % on poids du nickel du l'r.otivrust choisi, magné- sium pnr exemple.
La fusion s'opero on pressant 10 disque, ou rondelle, 10 oontro 1'électrode 12 soue une tompérntu1'o d'environ 1 1040 ot pondant un temps suffisant pour que l'élément activant, magnésium par exemple contenu d'ms la niokol, diffuse dans la faro du disque 10 aasurnnt ainsi la soudure do oc disque 10 ot do l'élootrodo 12.
On obtiont do cette façon un corps on phosphuro do bore présentant In oonduot1v1t6 du typo ddaîrd, D'autros modifications au procédé comportent l'utilisation d'nutros matières à point do fusion élQv6, par exemple lo for, l'argont, l'or, la cuivre, oto. pour la réalisation dos conducteurs 1 et 12 et dos amendes do courant 13 et 14* Si désire", le dispositif olaotrolmainosoont peut Otre enrobé dans le quartz ou dans une matière similaire de la façon ' courante*
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B32m±le 2 Cet exemple illustre l'excitation d'une luminescence dans la région visible du apootre à l'ni40 d'un élément phosphorescent au phosphuro de bore*
Un cristal unique do phosphuro do bore, do conductivité type p, préparé par fusion (on milieu nickel)
décrite plus haut et do dimensions
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1 mm x 1 mm x 0,5 zut, n été utilisa oommo élément luminescent dans le dispositif décrit pour l'exemple 1
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i (figure 1)t A 1' application au dispositif d'une tension électrique en provenance do la source 1 ôr une luminosité rouge vît$ visible a l'os il nu, a été émise par le phoephure de bore dans la région entourant le point de contact du fil de tungstène 11.L'excitation do cette luminescence dans le phosphuro de bore était due aux impuretés résiduelles contenue$ dans le nickel.
cet oxomplo décrit un mode et un dispositif pour l'obtention sur la surface entière d'un élément phosphorescent au phosphuro do boro*
Un cristal unique de phosphure de bore 20 (figure 2), on forme de disque, est soudé au conducteur niokol 21 oontomnt environ 10 pour oent en poids de
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zinc pour former contact ohmique avec le cristal# La soudure a été effectuée par fusion en pressant la secteur 20 contre 10 conducteur 21 sous uno 6tmitura de 1 10000 pendant un temps suffisant (4 heures environ) pour permettre à un nombre suffisant d'atomes de zinc de diffuser dans le phosphuro de bore et de porter la
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teneur en sino à 0,01 du poids du cristal.
Les atomes do zinc donnent naissance à uno conductivité du type p dans le disque do phosphure de zinc# Sur la faoo supérieure du disque 20, il a été formé une couche
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mince 22 de phosphure de bore présentant une conduo- tivité du type nu par diffusion de sélénium dans le disque 20. Cette diffusion peut se faire soit par diffusion de sélénium en phase vapeur dans le disque 20
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chauffe ou bien par pression et oht1.uttCLlO aux environs de 1 004aC.
Los conducteurs d'amende de courant 23 et 24 sont ensuite fixée respectivement au disque de
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phosphure do bore par l'intermédiaire du aonducbaur 21 et à la couche mince 22 do phosphure do bore à conductivité du typo n. Cotto disposition constitue
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uno jonction p.n entre le phosphuro do bore à conduo- t.v3,tG z, (aotivnnt s sélénium) et le phosphure de bore 4 oonduotivité p activa au mince La tension électrique étant appliquée au dispositif,on détecte une radiation émanant de la
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sura,oo entière do 1'dément phosphorescent.
On peut préparer, de 1'\ façon qui vient d'6tro décrite dans cet 6xomp., des élémonts phoephor rosoents au phosphuro de bore natives de marnière à émettre des radiations dans la région visible et dans 1' infra-rouge du spectre lumineux* Exemple 4 -
Cet exemple illustre l'emploi de phosphure
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do bore électroluminescent dans une collulo didleutrï- que à poudre m1orooriatalline.
Le dispositif montré figure 3 comporte une plaque 30 en verre Vyoor (vorre à 96 xi do si1100) sur laquelle a été déposée une couche 31, transparente ou aomt-trnnspnrento, d'oxyda do titra. Sur oetto couche 'fui ont pincée une couche do didiootrique bzz en quartz imprégnée do particules 32 de phosphure de bore oristallisd dans le système cubique et do oonduotivite do type p (avec 0,005 en poids dE;
magnésium comme
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activant). Une couche supérieurs conductrice 34, constituée par une feuille ou une plaque métallique, en nickel par exemple, est placée sur le tout* L'extra mité du conducteur d'amenée do courant 35 cet ensuite fixée sur la fouille métallique 34 ot l'extrémité d'un autre conducteur (amenée de courant 36) est fixée à la couche conductrice 31.Los conducteurs et 36 sont reliés à une source de tension alternative, non représentée sur la. fleure, maie semblable à celle de la figure 1.
Lorsqu'un champ électrique est appliqué au travers du diélectrique imprègne de phosphure de bore, une luminescence ultra-violette intense est émise au travers dos couches transparentes 31 et 30.
Ce dispositif peut âtre utilisé pour 1'émis- sien do radiations visibles en incorporant au milieu diélectrique, au lieu de 1' élément phosphorescent uti- lisé dans l'exemple ci-dessus, un phosphure de bore contenant, à la concentration, par exemple de 0,05 à 1,0 pour cent en poids, un élément du groupe IB ou bien l'un quelconque dos éléments de transition dont il a été question plus haut. En variante, on provo- quera dans ce dispositif une luminescence infra-rouge en incorporant au diélectrique des cristaux de phosphure do bore active par un. activant convenablement choisi.
Le dispositif montré figure 3 et décrit dans l'exemple qui précède peut dtre modifié de diverses façons pour obtenir le résultat cherché. Par exemple, le quarts peut être remplacé par d'autres
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Matières diélectriques susceptibles dtbtre utilities à haute température. Les diélectriques à choisi? de
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pr<5fdrunoo sont ceux désignés comme diélectriques non organiques, En dehors du quartz fondu, les autre$ matières dî6lectriquon convenant à cet usage compron- nont le vrro Vyoor (à 96 % do silice ) le magnésium
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micacé (phlogopitut qui demeure thormiquement stable jusqu'à 800 0),
le talc et certaines porcelaine# oommo oolloo l la stéatite, au zirooniumt à l'aluminium et au titnno. Parmi les matières organiques diélectriques pouvait dtre employées, on trouve diverses résines thermodurcissables telles que Ion estoeu nilyliquoal diéthylbne-glycol (onrbonnto d'allyle) par exemple, et les r<Sainu8 aux ciliconeno On peut aussi envisager l'utilisation d'uno douxiomo ooucho diélootriquo împrdgn6o do ph08. phuro de boro on mîcrooristnux cubiques placée contim gut? h la première et entre Ion deux oouohos oon4u.o- trices.
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Dos matières tronsporontos autres que le titane peuvent être employée pour constituer la oouoho 31 de la figure 3, oxyde etannique ou oxyde
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oilïoique, par exemple.
D'autre part, divers métaux conducteurs pouvent Ctre utilisés au lieu du nJ.ok81 pour former la coucha 34, tels que le chromo, le cuivra, le platine, le cobalt ou autres métaux bons .
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conducteurs ut, do pré:t'éN!10G, II. pouvoir réfléchissant . élevât Si le dispositif est prévu pour utilisation aux basses températures, on pourra utiliser des métaux
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dont le point de fusion est înfdrïour à la temporature
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maximale d'utilisation du phosphure de bore cristallise
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dans lo système cubique Par exemple, l'aluminium donne- ra satisfaction jusque dos températures d'utilisation d'environ 66000 et Ilarpnt jU8qu1 96100 environ.
La source do courant prévue ici peut être soit une source de courant alternatif, toit une source de courant continu,
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Le phosphure do bore luminescent et arlltD11184 cubique dont il est question dans le présent expose peut Otra excita par dos rayons enthodiqueo# des rayons X, de ,rs lumière ultra-viole tto, des rayons n, oto, En raison do la haute stabilité thermique ot chimique et de la structure cristalline de cet élément phosphora.- cent, il est possible d'utiliser des intensités plus fortes et d'obtenir dos rondomonts et des durées de vie
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plus 610vÓs qu'aven les matières luminescentes tdr9.au- ramant connues, ot la consommation de courant ext extrême- ment réduite De plus, le phosphuro de boro cristallise cubique est d'une préparation facile,
par de nombreuses
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méthodes comprenant celles numré08 plus haut et d'au- tres, et son prix de revient est raisonnable.
L'élément phosphorescent décrit dans le présent exposé est utilisé avec de grands avantagea dans les lances
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b elootroluminosounoe, pour les écrans de radar les tu- bes à rayons cathodiques, les dispositifs amplificateurs
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do 1=brui les ddtontours d'ultra-violets, los disposi- tifs renforçateurs do rayons X, etc.
Il est évident que la possibilité de nombreuses modifications à apporter à cette invention apparaîtra à tout homme do l'art sans pour autant s'doartor de son principe ni de son champ d'application.