<Desc/Clms Page number 1>
Disposition de stabilisation du point de fonctionnement d'un transistor.
La figure 1 représente un étage amplificateur, qui utilise un transistor 1 du type n-p-n dans la configura- tion avec émetteur commun. L'émetteur est relié 4 la barre collectrice négative et le collecteur à la barre collec- trice positive, par l'intermédiaire d'une résistance 2.
Le point de fonctionnement de l'otage dépend prin- cipalement de la tension base-émetteur UBE qui est pré- levée entre les barres collectrices, par l'intermédiaire d'un diviseur de tension composé des résistances 3 et 4.
On sait que le point de fonctionnement d'un étage amplificateur de ce genre, dépend fortement de la tempé- rature, car les caractéristiques représentées par la
<Desc/Clms Page number 2>
figure 2 se déplaceemnt vers la gauche quand la température augmente Comme le montro la figure 2, pour un courant de base J maintenu constant, le courant du collecteur passe de la valeur J2 à la valeur J quand la. tempéra- ture augmente de TO à T1
Cette variation du courant collecteur en fonction de la température, peut, suivant l'invention, êter dans une large mesure, éliminée si, sur l'intervalle émetteur- base, on place en parallèle une diode, dont le sens de conduction correspond à celui de l'intervalle émetteur- base,
et qui est polarisée dans la sens du passage du courant,
On peut obtenir des résultats particulièrement intéressants, quand on utilise une diode, dont la carac- téristique courant-tension varie, en fonction de la tem- pérature, approximativement de la même manière, que la caractéristique en diode de l'intervalle émetteur-base du transistor.
On peut par exemple, connecter une diode de ce genre, à la place de la résistance 4 de la figure 1. Pour réaliser l'adaptation à la caractéristique du transistor, on peut avantageusement connecter en série avec la diode, une autre résistance, de telle sorte, que l'intervalle émetteur-base du transistor 1 se trouve en parallèle avec un circuit série composé de la diode et de la résistance supplémentaire.
Par suite de la présence de la diode dans le diviseur de tension, le courant qui traverse ce dernier, augmente quand la température s'élève, d'une valeur qui est déterminée par les caractéristiques et la dépendance de la diode vis à vis de la température. La chute de tension dans la résistance 3, augmente de la même valeur, de sorte que - si la tension entre les barres collectrices est maintenue constante à la tension entre base et
<Desc/Clms Page number 3>
émetteur du transistor 1, et par suite également le courant de base JB diminuent, Si pour une augmentation de la température de TO à T1 la diminution de courant vaut exactement i - voir fig 2 - le courant collecteur JC conserve la valeur constante J2 malgré l'augmentation de la température.
Les figures 4 et 5 représentent d'autres exemples de réalisation de l'invention.
La. figure 3 montre un circuit push-pull bien connu, composé de deux transistors identiques n-p-n, de .préférence des transistors au silicium. Le transistor 2 a simplement pour but de compenser les variations du courant de la base du transistor 1 de l'amplificateur lui-môme, dues à la température. Cet effet de compensation repose en principe sur le fait, que quand la température varie, un courant de compensation circule par l'inter- médiaire des intervalles émetteur-base des deux transis. tors et les résistances de base qui vont au point médian M.
Ce courant de compensation traverse l'intervalle émetteur- base du transistor 2, en sens inverse, par rapport au sens de ce courant dans l'intervalle émetteur-base du transis- tor 1.
En utilisant l'idée de prinoipe de l'invention, on peut obtenir le même effet de compensation, d'une ma- nière beaccoup moins coûteuse, Une dispositifin de ce genre est représentée par la fig 4. La diode D remplace ici l'intervalle émetteur-base du transistor 2 de la fig. 3
Les règles indiquées plus haut permettent de choisir cette diode.
La figure 5 représente un étage amplificateur push-pull de type connu. Pour éviter des déformations à la mise en charge, qui sont dues à la valeur du seuil de fonctionnement des transistors, on a l'habitude dana ce genre de dispositions, d'intercaler, dans le circuit de
<Desc/Clms Page number 4>
commande commun aux deux transistors, une source de ten- sion, qui est choisie de telle manière, que les transis- tors travaillent dans la partie droite de leur caractéris tique, Si cette tension a une valeur constante, le point de fonctionnement des transistors se déplace cependant 'quand la température varie, car ceci modifie la valeur du seuil de fonctionnement des intervalles émetteur-base.
Ces variations dues à la température, peuvent ici également 8tre éliminées à peu de frais, en appliquant le principe de l'invention, - comme le montre la fig, 5 - en intercalant dons la partie du circuit de commande commune aux deux transistors, une diode D, qui est choisie en suivant les règles données plus haut.
REVENDICATIONS,
1.- Disposition de stabilisation du point de fonc tionnement d'un transistor, caractérisée en ce que, on connecte, en parallèle sur l'intervalle émetteur-base, une diodo, dont le sens de conduction correspond à celui de l'intervalle émetteur-base, et qui est polarisée dans le sens de passage du courant.