BE662092A - - Google Patents
Info
- Publication number
- BE662092A BE662092A BE662092A BE662092A BE662092A BE 662092 A BE662092 A BE 662092A BE 662092 A BE662092 A BE 662092A BE 662092 A BE662092 A BE 662092A BE 662092 A BE662092 A BE 662092A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- diode
- base
- low
- Prior art date
Links
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/284—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator monostable
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
syant pour objet : Montage transistorisé à bascule avec sortie à faible résistance,
<Desc/Clms Page number 2>
La présente invention concerne un montage ou couplage transistorisé à bascule ou à flip-flop ayant une sortie à faible résistance, en particulier pour des chargea capacitives.
Pour obtenir des résistances de sortie faibles il est connu d'insérer des transistors(suiveur d'émetteur) mis en service dans un montage ou couplage à collecteur.
Dans des montages à bascule ou à flip-flop dans lesquels les tensions se modifient par sauts ou par paliers, un montage de cette espèce ne peut être employé tel quel quand il existe une charge capacitive. Vu que dans des montagea ou couplages flip-flop ou à bascule les éléments constructifs actifs doivent être guidés entre les limites du domaine de commande il se produit de grandes amplitudes qui provo quent un "engorgement" du suiveur d' émetteur.
La figure 1 des dessins annexés montre un exemple de ce dispositif de couplage connu employant des transistors pnp.
Un tel dispositif fonctionne de la façon suivante:
Pour la partie négative de la tension produite par un couplage à bascule le courant passe à travers la résistance d'émetteur 1 et le condensateur 2 par le chemin du collecteur de l'émetteur vers le pôle négatif de la source de tension de fonctionnement 3. Pendant l'application de la tension négative sur la base, le condensateur 2 se charge.
Lors de l'emploi de transistors npn les polarités inversées interviennent selon le sens,
Pour la partie positive de la tension, le courant à travers le transistor est interrompu lors d'une intervention
<Desc/Clms Page number 3>
complète. Par suite de la tension se trouvant sur le condensateur, l'émetteur du transistor reste négatif: le condensateur ne peut se dépharger que sur la résistance 1.
Il se produit ainsi une altération d'un saut de tension positif. Pour maintenir celle-ci faible la résistance d'émetteur 1 peut être maintenue faible. Vu que cependant le courant de pointe maximum pouvant être extrait dans des transistors est limité, l'amplitude utilisable se réduit dans le cas d'une résistance d'émetteur faible,.
L'inconvénient du suiveur d'émetteur connu consiste dans l'altération d'un saut de tension positif ou dans des transistors npn d'un saut de tension négatif pour une charge capacitive.
Le but de l'invention est de trouver un dispositif de couplage à bascule non stable, bistable ou monostable avec une sortie à faible résistance qui donne aussi pour une charge capacitive des sauts de tension de façon non altérée.
L'objet à la base de l'invention est d'obtenir dans des couplages ou montages à bascule ou à flip-flop une résistance de sortie faible par 1'emploi du suiveur d'émetteur connu sans avoir besoin d'éléments constructifs additionnels essentiels de sorte que le montage reste simple et d'un fonctionnement sûr.
Pour un montage transistorisé à bascule avec une sortie à faible résistance le problème trouve une solution à l'aide d'un transistor suiveur d'émetteur fonctionnant suivant un couplage à collecteur, dont la base est immédiatement reliée avec le collecteur d'un transistor appartenant au couplage à bascule parce que, suivant l'invention, la voie de l'émetteur de base du suiveur d'émetteur est pourvue d'un
<Desc/Clms Page number 4>
pont avec une diode de sorte que dans un transistor pnp son anode est reliée avec la base et la cathode avec l'émetteur tandis que dans un transistor npn la cathode est reliée avec la base et l'anode est reliée avec l'émetteur.
Il est avantageux que la diode possède une résistance de passage faible et soit conformée comme une diode au silicium ' ou au germanium ou un redresseur au germanium.
Les effets techniques et technico-économiques apparaissent par ce que le dispositif de couplage suivant l'invention permet la construction de montages à bascule à résistance de sortie faible, qui supporte aussi une charge capacitive sans distorsion des flancs de tension transmis en employant le suiveur d'émetteur connu sans dépense accrue importante en éléments ou équipements de construction de sorte que le montage est simple et de fonctionnement sûre
L'invention va être décrite ci-après, avec plus de détails en se référant à un exemple de réalisation.
La figure 2 montre un dispositif de montage d'un étage transistorisé à bascula suivi d'un suiveur d'émetteur selon l'invention y .,.--raccordé.
Les transistors 4 et 5 représentent en liaison avec les résistances et condensateurs corre spondant un montage à bascule mono stable. Dans l'état de repos le transistor 4 est parcouru par le courant tandis que le transistor 5 arrête ou empêche le passage de courant. A la sortie (émetteur) du transistor 6 du suiveur d'émetteur se trouve une faible tension négative. Par une impulsion positive arrivant sur la base du transistor 4, le dispositif bascule de l'état de repos à l'état de travail c'est-à-dire que le transistor 5 est parcouru par la courant et le transistor 4 empêche le passage
<Desc/Clms Page number 5>
du courant. Le potentiel du collecteur tend rapidement vers la valeur qui se trouve sur la source 3 de tension de fonctionnement et partant également vers la tension à la sortie.
La capacité chargeant la sortie est chargea par suite de la faible résis- tance de sortie du transistor 6 du suiveur d'émetteur parcouru par le courant.
Après l'écoulement du temps déterminé par la résistance 7 et par le condensateur 8 le dispositif bascule en arrière à nouveau dans l'état de repos. Maintenant la capacité de charge est déchargée sur la diode 9, la voie de 1'émetteur-collecteur du transistor 4, qui possède dans l'état par couru par le courant une résistance très faible, et la résistance 10. l'impulsion produite par le montage à bascule mono stable est¯ '/ /µ transmise avec une forme fidèle.
**ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.
Claims (1)
- La diode 9 doit présenter une résistance de passage aussi faible que possible. Ceci est obtenu par l'emploi d'une diode au silicium ou d'un redresseur à surface au germanium. @ EMI5.1 anzaATrarrs.. :' ; 1. Montage transistorisé à bas cule avec sortie à faible rés is tan ce à l'aide d'un transistor à suiveur d'émetteur dont la base est reliée immédiatement avec le collecteur d'un transistor appartenant au montage à bascule, c a r a c t é r i s é en ce que la voie base-émetteur du transistor (6) du .. suiveur d'émetteur est pontée par une diode (9) de sorte que . dans un transistor pp son anode est reliée avec la base et sa cathode est reliée avec l'émetteur et dans un transistor npn sa cathode est reliée avec la base et son anode est reliée , ;;Ç avec l'émetteur du transistor (6) du suiveur d'émetteur. <Desc/Clms Page number 6>2. Montage à bascule suivant la revendication 1, EMI6.1 a a r a e t à r i a 6 en ce que la diode (9) possède une résistance de passage faible et est conformée comme diode au silicium ou au germanium ou un redresseur au germanium. EMI6.2 ', - .c ". ', ' > '0, EMI6.3 ±} : ": ;, >,:'(: . EMI6.4 " :;;. :' g:: ' i>,i " g -U i ' '> " ' ' .- Q 1,'1"ù ' ±81%Àiï , ' l' 'li ' À Ej ]"< '> 0 J'IX EMI6.5 . +Y ( i " i , ill " ;tr',r, 4' ",-, .. ;M 'u.",;s :.N. a f,.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE662092A BE662092A (fr) | 1965-04-05 | 1965-04-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE662092A BE662092A (fr) | 1965-04-05 | 1965-04-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE662092A true BE662092A (fr) | 1965-08-02 |
Family
ID=3847426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE662092A BE662092A (fr) | 1965-04-05 | 1965-04-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE662092A (fr) |
-
1965
- 1965-04-05 BE BE662092A patent/BE662092A/fr unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2602620A1 (fr) | Circuit de commutation a semiconducteurs | |
| FR2470485A1 (fr) | Amplificateurs equilibres de classe ab | |
| EP0052040B1 (fr) | Amplificateur intégré en classe AB en technologie CMOS | |
| BE662092A (fr) | ||
| EP0571302B1 (fr) | Amplificateur avec limitation de courant de sortie | |
| FR2688905A1 (fr) | Circuit miroir de courant a commutation acceleree. | |
| EP0200255B1 (fr) | Etage de commutation du type darlington notamment pour décodeur de lignes d'une mémoire | |
| EP0153208A1 (fr) | Montage en série de transistors de puissance | |
| EP0377205A1 (fr) | Limiteur en courant et récepteur optique en faisant application | |
| CA2371066A1 (fr) | Protection contre les surtensions | |
| US5514984A (en) | Active pull down type ECL apparatus capable of stable operation | |
| EP0559545B1 (fr) | Etage de sortie push-pull pour amplificateur en circuit intégré | |
| EP0384863A1 (fr) | Circuit de sortie compatible TTL à vitesse de commutation élevée | |
| EP0353808B1 (fr) | Circuit de compensation de courant | |
| US5065114A (en) | Circuit configuration for an amplifier stage | |
| EP0553020A1 (fr) | Etage de sortie TTL-CMOS pour circuit intégré | |
| FR2481541A1 (fr) | Amplificateur a gain regle et a contre-reaction d'emetteur variable | |
| DE19707315C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Umwandlung optischer Signale in elektrische Signale | |
| EP0722217B1 (fr) | Circuit de réglage du seuil de supression d'un signal | |
| BE852191A (fr) | Dispositif de commande pour transistor de puissance | |
| EP1303909B1 (fr) | Circuit electronique de conversion d'un signal et amplificateur integrant ledit circuit | |
| FR2469835A1 (fr) | Circuit de transmission et de repetition d'impulsions | |
| SE432169B (sv) | Grindkrets | |
| FR2614483A1 (fr) | Etage amplificateur avec sortie de collecteurs | |
| JPS6338889B2 (fr) |