BE672160A - - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 
 EMI1.1 
 



  "Procédé de préehauffaçe d'articles moulés en vue de la séparation de matières semi-conductrices à résistance élevée." 
Lors do la fabrication connue de silicium par réduction à partir d'halogénures de silicium en présence d'hydrogène, par suite du degré de pureté désiré et de l'homogénéité du silicium préparé, nécessaire pour le traitement complémentaire, on procède directement à la séparation sur un corps de silicium do même qualité. 



   Dans ce cas, les articles   moulés  prévus pour 
 EMI1.2 
 la séparation sont jl1ére.lat1ient portés, dans un passage direct de courant, H la température de transformation de Ô00 - 1400" 0, de ci- do 1150" C. Par suite de la propriété   serai-conductrice   de la matière de départ, le chauffage direct, de même que le   chauffage à   haute fréquence du corps initial de silicium ne peuvent être 
 EMI1.3 
 effectués sans aide initiale , c trt.L..r,rc sans pr6chaut. t'6,f à la eonduetibillfié minimum crz  c;.i,;,.otlâ:.ate. 



  Etant :C312t1>: que le pl'1chüul'i.';.,) a a une 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 haute tension de 5.000 volts n'est pas suffisant pour les corps semi-conducteurs de départ à résistance élevée, dans la pratique, les corps sont généralement chauffés électriquement au moyen de cloches chauffantes ou au moyen de brûleurs d'hydrogène à   l'extérieur   de la chambre de séparation,  à   environ 700 C 0,c'est-à-dire jusqu'à ce qu'on atteigne la conductibilité pour le   passage   direct du courant,
Lorsqu'on emploie des cloches en quartz comme récipients pour les articles moulés d'un diamètre croissant, il est toujours difficile d'effectuer le   préchauf.   fage sous haute tension et le   pré chauffage   par   l'exté-   rieur de la chambre de séparation.

   Dans les cloches métalliques, les corps de silicium ne peuvent être chauffés sans être pollués par le métal. 



   A présent, on a trouvé un procédé de préchauffa- ge t rticles moulés pour la séparation de matières semi- conductrices à résistance élevée à partir de composés gazeux de cette matière semi-conductrice sur des corps moulés tout d'abord préchauffés, puis chauffés par passage direct de courant dans des chambres de séparation en métal ou en quartz, ces dernières ayant un diamètre inté- rieur de plus de 150 mm, le dispositif de préchauffage étant alimenté par un circuit séparé. Ce procédé est caractérisé en ce qu'on adapte un dispositif de chauffage directement à   coté   des articles moulés dans la chambre de séparation et en ce   qu'on   les retire après le pré- chauffage. 



   Actuellement, on connaît un procédé dans lequel on place des corps chauffants dans une chambre réaction* nelle et, à l'aide de ces corps, on règle des conditiona   exactes   de température en vue de fabriquer des composés 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 semi-conducteurs définis. 



   On connaît également un procédé dans lequel des plaquettes d'antimoine et d'aluminium, reposant sur du de chauffage carbure dé silicium sont chauffés par un   dispositif/se   trouvant dans un récipient. 



   Toutefois, les dispositifs de chauffage préci- tés se trouvent en permanence dans la chambre dans laquel- le se déroule la réaction et ils ont pour but de mainte- nir une température réactionnelle constante. Par contre, avec le dispositif de chauffage du procédé de la présente invention, la conductibilité des corps initiaux de sépa- ration est élevée par chauffage jusqu'à ce qu'ils puissent être ensuite chauffés par passar direct de courant. 



   De la sorte, on peut préchauffer d'une manière . appropriée, par exemple, de minces barres de silicium (figure 1) dans une installation à une ou à deux barres au moyen d'un corps chauffant à bandes 2 orienté à 
5 - 10 mm à partir de la paroi en direction de la ou des minces barres, le chiffre de référence   3   désignant la 'paroi de la chambre réactionnelle et 4, le pont supé- rieur de courant. 



   Toutefois, dans le cas des installations de sépa- ration à 6 et 18 barres ou à barres multiples, il est avantageux d'introduire, par le haut, pendant la durée du préchauffage, un corps chauffant rond 5 du type d'un thermo-plongeur en barre (figure   2).   



   Afin de préchauffer les installations à 18 barres et 4 barres multiples, on peut employer le même corps chauffant rond que dans les installations à 6 barres, Si par exemple, dans un circuit double, on place 6 barrée dans le circuit intérieur et 12 barres dans le circuit extérieur, le circuit extérieur est aisément chauffé à la   @   

 <Desc/Clms Page number 4> 

 conductibilité nécessaire après l'allumage des six barres intérieures, avec une puissance de chauffage croissante. 



   Dans le cas de corps initiaux dont la forme s'écarte de celle d'une barre, on peut disposer, d'une manière analogue, des articles moulés adaptés aux corps en les amenant, en vue du préchauffage, à proximité immédiate des corps initiaux à chauffer. 



   Par suite de la haute pureté requise, on emploie principalement du quartz comme matière pour le support ou l'enveloppe du corps de chauffage intérieur. Toutefois, dans des cas particuliers, les éléments chauffants peuvent également être encastrés dans des gaines ou des récipients en métaux nobles ou également en oxyde d'aluminium. 



   Grâce au préchauffage parfait des corps initiaux en vue de la séparation d'une matière semi-conductrice identique, par exemple du silicium, du bore, du germanium, avec un dispositif de chauffage adapté à l'intérieur de la chambre de séparation et pouvant être retiré, on peut développer davantage la chambre de séparation et élargir les conditions de séparation, ce qui assure, en particulier, une meilleure répartition des gaz de départ, indépendamment des dimensions de la chambre de séparation. 



   Etant donné que le préchauffage sous haute tension est très coûteux et suffisant pour les   matières à   résistance élevée, le préchauffage interne permet, pour la première fois, de se dispenser des étroites cloches en quartz comme chambres de séparation. De la sorte, on peut employer de grandes chambres en quartz, dans lesquelles les corps initiaux ne peuvent plus être préchauffés de l'extérieur jusqu'à la conductibilité correspondante. 



  De plus, grâce au chauffage interne, on peut également employer des chambres de séparation en métal pouvant 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 également être réalisées nous forme de cloches, main également sous forme de caissons. 



   Comme matière pour la chambre de séparation, on peut employer, par exemple, du quartz, du verre d'outillage ou de la   porcelaine.   Dans ce cas, on peut travailler avec ou sans enveloppe de refroidissement. 



  Toutefois, à cet effet, on peut également employer, par exemple, des revêtements d'or, d'argent, de titane ou de platine sur des cloches métalliques comportant une enveloppe de refroidissement   (20 à   400 . C). Dans des cas particuliers, on peut également employer de l'acier spécial ou du fer avec un refroidissement   périphérique.   
 EMI5.1 
 R E V E N D 1 %j A T 1 0 N     
Procédé de préchauffage d'articles moulés pour la séparation de matières semi-conductrices à résistance élevée à partir des composés gazeux de la matière semiconductrice sur des corps moulés tout d'abord préchauffés, puis chauffés par passage direct de courant, dans des chambres de séparation en métal ou en quartz, ces dernières ayant un'diamètre intérieur de plus de 150 mm,

   le dispositif de préchauffage étant alimenté par un circuit séparé de courant, caractérisé en ce qu'on adapte un dispositif de chauffage à proximité immédiate des articles moulés dans une chambre de séparation et en ce qu'on le retire après le préchauffage. 
 EMI5.2 
 



  -t ft ...... mnr 

**ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.

Claims (1)

1. **ATTENTION** fin du champ CLMS peut contenir debut de DESC **.