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Circuit de détection et de mesure de signaux, notamment de signaux dérivés de l'ionisation d'un milieu, particulièrement d'un milieu gazeux.
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La présente invention a pour de et un circuit destiné*
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à détection et la mesura dé 8it:r,:.lx. dérivas de l'ionisation d'un milieu, particulièrement d'un c3..iau galeux.
Les besoins industriels do eu'brûle, d'nnalyse et de sécurité dans la production et la mipulation de gaz compri" més ou liquéfias, dans l'industrie : étroliare ou pctccr chimique ont, au cours de ces dern:l. \ t'es années larceinent contribué à. l'apparition d'appareil ..{jos de détection, de mesure des concentrations ou des tau de pureté dos gaz, vapeurs ou fumées.
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Toutefois, la diversité et la cuplexité dors procédé mis en oeuvre ne permettaient que trc difficilement un con- trôle permanent et automatique des cr -.ères ou des paramètres régissant les conditions physiques dan lors milieux gazeux,
Ce n'est qu'au début de la décade 1930 à 1940 qu'une
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solution '.au problème de la mé 'olot;io continue, en phase cazouse, fat esquissée, La base du procédé, en l'occuronc( la mesure (les courante électriques résultant de l'ionisation d'une atmosphère, simple ou composite, par la particule alpha du radium, fit l'objet
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d'un brevet belyo No, JY:J.l:>4 accordé en date du 31.1.19:1) au physicien français Il.
Balsullez, 10(1',\01 perfectionna sa méthode en collaboration avec L. Dreitlla.ru1 et publia, dans la Revue Générale do l'électricité du 1ti. ! .1'Ei (t.XLIII p.
27J'dn) une description très détaillée de son travaux.
La méthode consistait u associer deux chambre d'ionisation à un tube thermoionicu. dont la grille de commande tétait connoctcie au point cohuuun entre les doux chambres. Ces deux chambres étaient identiques en dimensions mais l'une d'entre elles était hermétique - et servait d'élément de référence fixe - tandis que l'autre était ouverte à la libre circulation du complexe gazeux ambiant.
Toute variation survenant dans la constitution de ce milieu, ou toute altération de la pression au soin de la chambre ouverte, se traduisant par une variation du courant traversant initialement les deux chambres do telle sorte que les variations résultantes de la tension apparaissant à la grille du tube thormoionique permettait de détecter le changement survenu.
Cette méthode présente cependant l'inconvénient de nécessiter un courant de chauffage du filament qui, dans un système destiné à fonctionner en cycle continu, implique la présence d'une source débitant en permanence et qui, do plus, doit être soigneusement stabilisée et, en outre, elle
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.8 - 1f,#
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est affectée par les modifications des paramètres électriques du tubo électronique résultant de l'épuisement progressif do la cathode dans le tempe. Si l'on ajoute à cola les insta-
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bilités spécifiques aux tubes thormoioniquo duos à la nature statistique de l'émission cathodique, on comprend le pou do succès industriel du procédé.
Un autre dispositif faisant l'objet du brovot allo-
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,\\nd No. 1.079.351 du 21..2.19.58 reprend la méthode précédente unis utilise un tube à cathode froide ou thyratron à effluve et lieu et place du tube thermoionique avec un relais inséré dans le circuit anodique du thyratron. Ce dispositif élimine ltt inconvénients mentionnés plus haut main présente,par coitre les défauts suivante
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1.
) Le circuit opère en "tout ou en rien", et ne peut donc être utilisé en métrologie continue* 20) Les thyratrons à effluve et autres tubes à cathode froide nécessitent pour leur fonctionnement des tensions élevées Généralement comprises entre 250 et 350 volts.
3 ) Le déclenchement du passage du courant entre cathode et anode du thyratron à. effluve implique que l'électrode de commande de ce dernier soit soumise à des variations de
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potentiel de plusieurs dizaines de volts, co qui suppose dons chambres d'ionisation do volume relativement important contenant des chargea élevées de subatanooa radioactive*.
4 ) Le thyratron à effluve peut 8tre déclenché extérieurement (effet Ge1cror) par dos impacts de radiations cosmiques doter- minant ainsi des Interventions intempestives.
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5 ) Le remplacement périodique du tube â cathode froide s'impose en raison de variations de son caractéristiques.
Or, les conditions Imposées par l'exploitation impli-
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quontquv les appareils de détection opérant en surveillance permanente présentent des critères de sensibilité do fiabilité ot de stabilité très élevée en marne temps qu'ils as l'lurent la présence continue d'un courant de garde réalisant le contrôle automatique des installations, ce qu'il n'est pas possible d'obtenir par l'utilisation des tubes à cathode froide.
De plus, les réglementations internationales limitent sévèrement l'activité des sources ionisante , ce qui conduit
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obligatoirement à l'utilisation des chambres de volume réduit excitées par des sources radioactives très faibles.
La présente invention élimine les inconvénients ou
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1ilui tations propres aux systèmes antér lure en répondant intégralement aux critères mentionnée t,' -dessus et fournit un dispositif dt détection et de ateauri qui possède une fiabi- lité et une sensibilité écales dans tenb aea éléments avec l'avantage supplémentaire de fonctionna : à basse tension.
L'invention fournit un dispositif le détection et de
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mesure de signaux, notamment do aimau: dérivés de l'ionisation d'un milieu, particulièrement d'un mil.lu galeux, et comportant une première chambre d'ionisation, ouv 1 te au milieu ambiant, montée en diviseur pritentiomatrique av j une deuxième chambre d'ionisation fournissant un potentiel le référence, l'ensemble des deux chambres ainsi montées fourni sant un signal dittée rentic3l, lequel est appliqué à l '61030'\-'odo de commande (grille) d'un serai-conducteur à effet de champ, dépourvu de tout élé-
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ment chauffé et présentant par lui-mtce un très faible volume, une très grande fiabilité duna le l' 'fI)S, une région linéaire de fonctionnement très importante et ne nécessitant pas, comme les tubes à vide ou à cathode froide,
de remplacement périodique.
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L'utilisation du nomi-ounductour 1 effet de elimap en lieu et place des éléments antérieurement connus constitue une première caractéristique fondamentale de l'invention, qui
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assure, outre les avantagea ÓnUtn6..h ci-dossus, une sensibilité très élevée, entraîne une réduction trou considérable de l'ac- tivité dos courues ionisantes, du volume des chambres d'ionien...
tion et de l'ensemble de l'appareil et fournit un courant de garde utilisable pour le contrôle automatique tant des détec-
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tours oux nct3noa que des installations les comprenant, en conformité avec luit règlements existants en la matière*
Do plus, du fait do la réduction très considérable de l'activité dos sources radioactives ionisantes qui peut être ainsi obtenue, les réglementations internationales (Eura-
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tom 19.::. i.y ) peuvent être facilement observées.
L'ensemble des avantagea résultant de la mise en oeuvre du dispositif faisant l'objet de la présente invention ne peut être obtenu par les autres moyens actuellement connus.
Suivant une forma de réalisation de l'invention, la chambre d'ionisation fournissant le potentiel de référence est con-
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stituée par deux disques parallèles, de dJ.h1011Sione relativement petites, dont 1 'û car tentent est réglable par translation coaxiale do l'un des disques# un do ceux-ci portant une faible Charge radioactive.
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Suivant une forme de réalisation préférée de l'invention, la chambre d'ionisation fournissant le potentiel de référence est également ouverte au milieu ambiant et est constituée par une chambre d'ionisation à taux de recombinaison élevé, l'écartement des doux disques parallèles étant réglé en sorte que la variation de la résistance interne de cotte chambre d'ionisation apporte une correction à la variation de la résistance interne de l'autre chambre d'ionisation, noue l'influence des agents physiques extérieurs.
Cette correction peut, suivant le réglage de l'écartement, assurer une compensation partielle, rigoureuse ou infime une surcompensation des effets des agents extérieurs perturbateurs.
Il est évident que le dispositif suivant l'invention peut être associé à des circuits ou éléments d'entrée, tout comme à des circuits de sortie très divers,
D'autres particularités et avantages de l'invention apparattront à la lecture do la description qui va suivre et à la considération des dessins Joints au présent mémoire, dans lesquels :
Figure 1 représente le circuit do base de l'invention.
Figure 2 représente une variante du circuit de la figure 1.
Figure 3 représente une autre variante du circuit de la figure 1.
Figure 4 représente un montage différentiel comportant deux circuits identiques suivant la figure 1.
Figure 5 représente un montage différentiel comportant deux circuits suivant la figure 1, montés en sonsopposés.
Figure 6 montre schématiquement un dispositif permettant de faire comprendre le principe do la disposition préférée de la figure 8.
Figure 7 montre une courbe de mesure obtenue par le montage de la figure 6.
Figure 8 représente schématiquement la disposition dos chambres d'ionisation suivant une réalisation préférée de l'invention.
Figures 9 et 10 représentent une vue extérieure ot une vue intérieure du dispositif monté suivant la figure 8.
Dans les fibres, dos éléments semblables sont repères par des numéros identiques.
La figure 1 représente le circuit de base du dispositif
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de l'invention. Deux chambres d'ionisation 1 et 2 sont montées en diviseur potentiométrique, d'une manière connue, sur une source d'alimentation 3 de résistance interne négligeable et présentant une différence de potentiel stable V. Le point commun 4 entre les deux chambres est connecté à la grille de commande 8 d'un transistor à effet de champ 9 dont le circuit de l'électrode dite "drain" contient la résistance d'utili.. sation 10 et dont l'électrode dite source" contient un instrument de mesure 11.
La chambre 1 présente un volume effectif très faible -quelques millimètres cubes - tandis que le volume de la chambre 2 est relativement plus grand - quelques centimètres cubes.-.
La chambre 1 est caractérisée par deux disques parallèles 5 et 6 de très faibles dimensions et dont l'écartement est réglable par translation coaxiale de l'un des disques par rapport à autre et blocage au moyen d'une vis 7. La couche d'air ionisé dans l'espace séparant les deux électrodes étant ajustable,elle constitue une résistance variable de forte valeur qui permet de fixer le potentiel du point A.
Cette chambre est hermétique do manière à la soustraire à l'influence du milieu ambiant.
La chambre 2 est classique, de type cylindrique à électrode centrale, et est entourée d'une paroi dotée de perforations réalisées de façon telle que l'intérieur de 2 soit soumis à toutes les fluctuations du milieu ambiant**
Le transistor à effet de champ, tel qu'utilisé en 9 est un semi-conducteur relativement récent ayant la propriété fondamentale - particulièrement Intéressante dans le circuit considéré - de présenter une impédance d'entrée très élevée (1013 à 1015 ohms) due au fait que celle-ci est constituée soit par une jonction polarisée en sens inverse, soit par une "grille" fortement isolée par une couche d'oxyde de silicium (SiO2) du corps semi-conducteur de l'élément.
Divers types de semi-conducteurs à effet de champ sont connus, tels que le "Truc" (Transistor Unipolaire à effet de champ), le "Tecnétron" ou le "statisator". Dans le présent mémoire, il ne sera pas tenu compte, saufindication contraire, du type do transistor à effet, de champ utilisé, car le fonctionnement du circuit, sa haute sensibilité et son extrême fiabilité sont indépendante des paramètres spécifiques du type de semi-conducteur à effet de champ utilisé.
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Le circuit de la figure 1 fonctionne comme suit. :
En ajustant le distance d entre les disques 5 et 6 dans l'air libre et calme, la grille 8 du semi-conducteur 9 est portée à un potentiel défini par le rapport des résis- tances internes des chambres 1 et 2. Ce potentiel est fixé de manière à faire fonctionner le transistor à effet de champ au milieu de la partie linéaire de sa caractéristique.
Dans ces conditions, l'instrument 11 mesure le courant parcourant le circuit "source" de 9. Toute variation affectant le milieu contenu dans la chambre 2 entraînera une variation du potentiel au point 4 et, par conséquent, une variation du courant du transistor, mesuré en 11.
L'intensité du courant mesuré en 11 croit si la pression ou la densité du milieu ambiant croit et cette intensité décroît si la pression ou la densité du milieu ambiant décroît.
Les résistances 12 et 14 forment avec une résistance a coefficient de température négatif 13 (CTN ou thermistance) un réseau de compensation des variations spécifiques du transistor à effet de champ en fonction de la température.
Pour autant que sa résistance soit convenablement adaptée au circuit, la charge d'utilisation, représentée par la résistance 10, peut être constituée par un système d'alerte. un circuit amplificateur, un circuit de télécommande par ou sans fil, enfin, par toute charge électrique Généralement quelconque requise par l'utilisatour.
La résistance do charge 10, montrée à la figure 1 dans le circuit de "drain" du semi-conducteur, pourrait cependant tout aussi bien être insérée dans le circuit de "source" sans altérer le fonctionnement du système, L'instrument de mesure 11 peut être par exemple un galvanomètre, un galvanomètre à contact ou encore un relais actionnant un automate généralement quelconque.
A la figure 2, le transistor à effot de champ 15 est suivi d'un transistor amplificateur 19. Les deux chambres d'ionisation 1 et 2 sont identiques à colles de la figure 1 mais le transistor à effet de champ 15 est un etatistor qui fonctionne comme le transistor à effet de champ 9 mais qui comporte une grille summplémentaire. dans laquelle une 'modulation peut être insérée, ou une polarisation fixe appliquée pour situer le point de fonctionnement du statistor. La résistance de charge 17 est ici placée dans le circuit do source tandis
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que la résistance le, ex coefficient de température positif, assure une compensation thermique.
Les variation de tension sur la résistance 17 sont appliquées à la base du transistor 19 les signaux amplifiés apparaissent dune le circuit de sortie constitue par l'instrument de Mesura 20 et le relais 21 à seuil ajustable.
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Les résistances Z2, 2je et 24 forment un réseau de compensation thermique et déterminent le point de fonctionnement du transistor 19. Celui-ci peut être remplacé par n'importe quel type il' amplificateur ou organe de sortie convenant à une application particulière.
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C'est ainsi quc:x la figure 3, le m6me circuit do base est associé à un circuit a6néra:'9ur d'impulsions constitué par un thyratron à état solide (25) ou thyristor, et une diode (26).
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Le potentiomètre 27 inséré %1,.ns le circuit de drain du transistor 15 sort à régler le seuil de fonctionnement du thyristor 25. .arsc 1r le courant de drain de 15 atteint une valeur suffisante pour déclencher 25, celui-ci devient conducteur et alimente une char ce quelconque insérée entre les bornes 31 et 32. Par suite de l'établissement brutal du courant, une impulsion apparaît sur la capacité 28 et est
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transmise par la diode 26 au circuit extérieur via les résis- tances 29 et 30 Loti impulsions recueillies peuvent être utilisées pour un comptage, pour le déclenchement d'un circuit d'alarme, etc.
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La figure U montre deux circuits do base (la, 2a, 15no 33 et Ib, 2b, 15b j4) en lIIontnao différentiel permettant des, mesures 'en 20, à la sortie de l'amplifica- teur 36 alimenté aux bornes des résistances de sortie 33, 34, Le potentiomètre 35 sert à équilibrer le montage.
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La figure 5 représente doux transistors à effet do chmitp (l5n, 15b) montes on pont mais attaquas par deux groupes de chambres d'ionisation ( la, 2a, et lb, 2b) montées on sons opposes.
Un des transistors réagit dans un sens donné pour des gaz plus lourds que l'air ou qu'un gaz de référence donné tandis que l'autre transistor variera on sons inverse, pour dos gaz plus levers que l'air ou que le Gaz de référence donné.
L'indication sur l'instrument do mesure, à zéro médian, indi- quera, entre autres, si le gaz mesuré est plus léger ou plus
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lourd que le gaz de référence. Deux thyristors 3'.)a ot 39b
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dont les seuils de fonctionnement peuvent être roules au moyen des potentiomètres 37 et 38 déclencheront lorsque les concentrations auront atteint ou dépassé un taux prédéterminé.
Une charge quelconque peut être insérée on séria avec chacun des thyristors,
Dans certaines installations, pour des raisons de convenance ou de sécurité, il peut être souhaitable que les indicateurs de fonctionnement, Galvanomètre, relais d'alarme ou do commande automatique, systèmes enregistreurs ou toute autre charge d'utilisation soient placée à une certaine distance des éléments détecteurs.
Le transfert par câbles implique que les lignes utilisées soient parfaitement équilibrées et n'influent pas sur le bon fonctionnement des appareils en particulier lorsque ceux-ci sont du type différentiel.
On pout obtenir ces résultats par un montage à contreréaction totale.
L'appareil tel que décrit jusqu'à présent satisfait dans une large mesure aux conditions citées dans l'introduction de description. Il assure une exploitation à l'aide do sources à basse tension, il ne contient pas d'élément sujet au vieillissement et il est donc toujours fiable. D'autre part, il permet de disposer d'un courant do garde. Enfin, il est d'une très grande sensibilité. Toutefois, quel que soit l'intérêt des formes do réalisation précédentes, elles restent sujettes à une imperfection. En effet, le signal apporté à la grille du transistor à effet do champ reste affecté par des influences perturbatrices qui ne s'éliminent pas par le montage différentiel constitué par le diviseur potontiométrique.
Dans ce montage, on effet, la résistance do référence, constituée par la chambre hermétique, échappe aux influences perturbatrices importantes, dont la principale est la variation de pression imposée au milieu ionisé. La chambre ouverte y est seule sensible.
Pour remédier à cet inconvénient, on prévoit, suivant un développement de l'idée inventive, d'ouvrir également à ces influences extérieures la chambre de référence.
Les influences perturbatrices sont ainsi éliminées par soustraction. Mais ce qui ost vrai pour les ajouta perturbateurs, l'est également pour tout autre agent influençant simultanément les deux chambres, do sorte qu'on présence de gaz, vapeurs ou fumées, un tel dispositif ne fournirait aucune réponse puisque la tension aux bornes de l'élément actif 2
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resterait constante. Il faut dune que les variations de courant affectant la chambre 1 soient différenciées des variations de courant affectant la chambre 2. C'est ce qu'on réalise suivant l'invention en constituant la chambre de réfé- rence par une chambre à taux de recombinaison élevé.
Pour comprendre le comportement électrique du procédé mis on oeuvre, on considérera le montage très simple représen- té à la figure 6.
Dans ce circuit, 40 est une chambre d'ionisation , disques parallèles,choisie ici a titre purement explicatif ot non limitatif. Un disque circulaire métallique 41 portant en son centre une source ionisante 44 de quelques microcuries d'un émetteur de particules alpha est parallèle et coaxial à un second disque de marne nature 42, entouré d'un anneau de garde métallique 43, mis à la terre et délimitant le volume actif de 40.
Le disque 42 est fixe et soigneusement isolé de 43 et de la terre 1 la distance d séparant 41 et 42 est rendue variable par translation coaxiale de 1 par rapport à 42.
Une résistance de charge fixe et stable 45 de très haute valeur (1010 ohms par exemple) est insérée entre) 42 et la terre tandis que l'ensemble est raccordé à une source 3 aux bornes de laquelle existe une différence de potentiel rigoureusement stable V.
Le pôle positif de 3 est connecté à 41 tandis que le polo négatif est mis à la terre commune du circuit.
Il résulte de ce qui précède que, par suite de Inaction ionisante de la source 44, la résistance 45est parcourue par un courant tel que :
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où R40 est la résistance interne apparente do 40 dans des conditions physiques données et R45 est la valeur de ia résistance 45.
Dos lors, il existe aux bornes de la résistance 45 une différence de potentiel
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déterminée essentiellement par les variations de résistance interne R40 de la chambre 40.
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Si, partant d'une distance d séparant les disques 'il et 42 très petite (un dixième de millimètre par exemple), à température. pression barométrique et humidité constantes, on augmente progressivement d en mesurant successivement los valeurs de U correspondant à chaque valeur de d, on obtient la courbe reproduite à la figure 7 où l'on a porté en abscisses la distance d (en millimètres) et on ordonnées la tension U (exprimée on volts) aux bornes de la résistance 4'}.
L'allure particulière do la courbe de la figure 7 est due, en ordre principal, à l'incidence de divers phénomènes.
Entre P et Q, l'allure ascendante est duo aux facteurs ci-après s a) lorsque d augmente, la capacité électrostatique entre les disques 41 et 42 diminue, de sorte que pour une charge donnée, la tension aux bornes du condensateur augmente également. b) lorsque d auront, les trajectoires parcourues par les particules ionisantes allant en augmentant, l'ionisation spécifique ainsi que le nombre do paires d'ions formés croît.
c) lorsquo d augmente, le champ électrostatique entre les électrodes diminue 1 il en résulte un début de porto par recombinaison des ions ot les accroissements do tension dus à la diminution do capacité entre los électrodes croissent à un rythme moindre étant donne quo les accroissements relatifs suc- cessifs do d sont proportionnellement décroissante.
Los influences mentionnées ci-dessus n'équilibrent pour une distance d correspondant au point Q.
On peut donc conclure do ce qui procède qu'entre les points
P et Q de la courbe, la résistance interne do la chambre 40 diminue à mesure que d augmente et passe par un minimum en Q.
A partir du point Q, la courbe s'infléchit et tond vers zéro.
Cette inflexion est rägie par los facteurs suivants : : a) La réduction progressive du champ électrostatique entre les disques 41 et 42 qui fait que les trajectoires des ions no sont plus parallèles aux lianes do champ, b) La recombinaison dos ions par suite do l'allongement do leurs parcours et des dérives que en résultent.
En effet, la rocombinaison des porteurs de chargea dans un gaz est fortement favorisée par la capture d'électrons pour former des ions négatifs étant donné que, dans les conditions
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susmentionnées (d très grand). l'excès d'énergie du système électron-ion positif est très faible c) L'influence des molétcules gazeuses neutres intervenant dans la réaction dite des "trois corps* et qui favorise considérablement la recombinaison selon l'équation
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où Z est la molécule neutre considérée.'
La présence de Z indique que les effets de recombinaison résultant de l'action ci-dessus dépendent de la pression et seront d'autant plue marqués que la pression est élevée.
De plus, lorsque l'on fait croître cette même pression pour des valeurs de d comprises entre les points B et C de l'axe des abscisses, cela revient à faire croître la valeur de la constante diélectrique entre les armatures du condensa- teur formé par les disques 41 et 0.* et il en résulte que la tension aux bornes de ces mêmes armatures tend à décroître.
Les deux dernières influences considérées effet des trois corps et accroissement de la constante diélectrique du milieu, étant cumulatives* il en résulte que les variations de résistance interne duos aux variations de pression auront beaucoup plus Importantes qUe celles résultant des variations dues à la concentration ou à la nature chimique des gaz du milieu ambiant.
On peut donc monter les deux chambres d'ionisation comme montré à la figure 8. La chambre 1 est ajustée pour présenter un taux de recombinaison élevé comme expliqué ci-dessus. La chambre 2 est. comme précédemment, une chambre d'ionisation classique, dU type cylindrique à électrode centrale excitée par une source ionisante plus active que celle de la chambre 1. Les deux chambres ouvertes sont montées dans une enceinte commune 46 percée de doux fenêtres 47 et 48 dont le plan médian horizontal coïncide avec le plan médian des chambres 1 et 2. Le reste du circuit est identique à celui de la figure 1.
Dans ces conditions, les deux chambres sont soumises aimultanément à l'action du milieu ambiant, et sont également faradisées si l'enceinte 46 est Métallique et mise à la terre cornue représenté. vba lors, la réponse de la chambre 2 (dans laquelle les pertes par recombinaison sont limitées à un strict minimum) sera beaucoup plus sensible aux variations de concentration
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dans les mélangea gazeux ou de la nature chimique de ceux-ci, que la chambre 1,
On a donc réalisé un système à deux chambres d'ionisation dans lequel une dés chambres est simplement très sensible aux Variations de la pression (et aux autres agents perturbateurs) exercée par les gaz sur ses parois,
tandis que l'autre est h la fois très sensible aux variations survenant dans la nature chimique du milieu ambiant ou dans le taux de concentration de celui-ci, et aux agents physiques extérieurs.
En attaquant un transistor à. effet de champ par un divi- beur potentiométrique comportant deux chambres d'ionisation ouvertes, on. obtient un ensemble qui présente une fiabilité et une sensibilité égales dune tous ses éléments.
Il ont bien évident qu'on pourrait utiliser l'ensemble dos deux chambres ouvertes avec un détecteur quelconque L'appareil obtenu présenterait toutefois les défauts spécifiques au détecteur utilisé, dont l'énumération a été faite dans l'introduction do description.
Si on réglo l'écartement des disques de la chambre 1 de façon telle que les variations de sa résistance interne nous l'influence de la pression, de la température ou des turbulences soient égales aux variations do la résistance interne de la chambre 2 pour ces mêmes facteurs, la résultante de cette action sera nulle et ces variations n'affecteront donc pas le potentiel au point 4, c'est-à-dire ne modifieront pas la polarisation du transistor à effet de champ 9.
Par contre, les faibles variations de résistance interne de la chambre 1 en fonction de la nature chimique ou de la concentration du milieu ambiant n'affecteront que très peu la tension apparaissant aux bornes de la chambre 2.
Le potentiel au point 4, c'est-à-dire le potentiel appliqué à la grille de commande 8 du transistor à effet de champ 9, ne sera donc influencé que par la nature chimique ou la concentration du milieu gazeux, Le dispositif décrit permet donc de réaliser un circuit de détection de gaz, vapeurs et fumées qui peut être rigoureusement compensé, et peut même assurer une surcompensation, en ce qui concerne l'action indésirable des agents physiques extérieurs.
Les figurée 9 et 10, représentent, en grandeur réelle, la vue extérieure et la vue intérieure respectivement d'une réalisation préférée du montage des deux chambres d'ionisation
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ouvertes au milieu ambiant,
L"ensemble des deux chambres est monté à l'intérieur d'un bottier 46 percé de feutrée 47 et 48 situées en regard des deux chambreset munies d'un treillis métallique de protection 49. L'extrémité inférieure 50 du initier 46'est ouverte à l'entrée des gaz tout comme les fenêtres 47 et 48L'autre extrémité du bottier est constituée par un support 51 portant les broches de connexion.
La chambre 2 est du type cylindrique à électrode centraie. L'électrode cylindrique 60 est percée de trous de manière à permettre l'entrée de Gaz dans la chambre. L'élec- trode centrale 37 est sphérique et se trouve bloquée en position par un écrou 59 auquel est associée une rondelle isclante 56. L'ensemble 56-57 est maintenu par une bague 58.
La chambre 1 est constituée par deux disques parallèles de petites dimensions 5 et 6 dont l'écartement est récrié, en vue de réaliser chambre à taux de recombinaison élevé, ainsi qu'il a été expliqué plus haut, par déplacement coaxial du disque 5 sur la via 52. Le blocage se fait au moyen de la via de blocage 53. Le dispositif de réglage est supporté par les montante 54. Le disque 6 est muni d'une cosse de connexion 55 correspondant à la borne 4 de la figure 8.
La charge active est placée au centre de l'un des disques, en l'espèce au centre du disque 5*
Les signaux fournie par l'appareil détecteur peuvent servir. éventuellement après amplification, à actionner des systèmes d'alerte généralement quelconquescomprenant éven- tuellement des relais, en particulier, ces mômes signaux peuvent provoquer la mise en service de systèmes de télécommunication généralement quelconques.
Un cas particulièrement intéressant est celui de la détection des incendie* de forets, où le câblage pourrait être détruit par une quelconque intervention, ou encore, où la pose même d'un câblage serait trop coûteuse ou impossible.
En pareil cas, on équipera le dispositif suivant l'invention d'un émetteur d'ondes radicélectriques codées pour reconnaître l'origine du signal.