<EMI ID=1.1>
<EMI ID=2.1>
res d'un aimant, il est possible -par exemple en faisant
varier le champ magnétique par rapport à la plaquette- de
réaliser des résistances ou des potentiomètres variables sans contact mobile, qui peuvent être utilisés dans des dispositifs électriques de signalisation (voir par exemple le brevet . allemand 1 ol3 880 et le brevet USA 2 712 601). La résis- <EMI ID=3.1>
<EMI ID=4.1>
dans le champ magnétique ou bien quand ce dernier atteint une
<EMI ID=5.1> <EMI ID=6.1>
fabriquer des dispositifs de signalisation sans contacts tels
<EMI ID=7.1>
Des dispositifs analogies sont également utilises par exemple .comme pour des moteurs électriques. Cependant, jusqu'ici} ces dispositifs n'ayant pas un très bon rendement ils sont peu utilisés. Le rendement dépend principalement du
<EMI ID=8.1>
résultat en employant un champ magnétique très puissant. Comme en général, pour des raisons de simplification des dispositifs, . ;
<EMI ID=9.1>
rapidement limité quand on essaye d'augmenter le rendement au moyen d'un puissant champ magnétique.
Si, dans un diagramme rectangulaire on porte en-
<EMI ID=10.1>
ordonnées. En inversant le sens du champ magnétique , on
<EMI ID=11.1>
te. Sans de nombreuses applications, il peut cependant être souhaitable d'avoir une variation de la résistance qui soit que par ranport à l'axe des ordonnées,
On peut obtenir une variation dissymétrique de la résistance si le circuit magnétique est construit de telle manière qu'en faisant par exemple tourner une partie de ce circuit 5 l'entrefer, dans lequel est placée la plaquette
<EMI ID=12.1>
l'aimant que pour l'autre. Un dispositif de ce genre peut par
<EMI ID=13.1> <EMI ID=14.1>
<EMI ID=15.1>
triques, il est dans de nombreux cas nécessaire de connaîtra
<EMI ID=16.1>
plaquettes magnétorésistantes connus jusqu'ici ne sont pas
<EMI ID=17.1>
<EMI ID=18.1>
sitif, dont la résistance est fonction du champ (lui
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connus jusqu'ici et convenant également pour la mesure de la polarité d'un champ magnétique...
<EMI ID=20.1>
<EMI ID=21.1>
en fonctionnement, est introduit dans l'entrefer d'un circuit magnétique variable, qui modifie la valeur de la résistance du système. L'invention consiste à utiliser un dispositif qui
<EMI ID=22.1>
<EMI ID=23.1>
qui? vis à vis des autres parties du circuit magnétique, possède une faible perméabilité et une grande force coercitive, le corps semiconducteur et l'aimant d'excitation se trouvant aux
<EMI ID=24.1>
variable sont concentras sur le corps semiconducteur
Dans le dispositif suivant- l'invention, l'aimant permanent utilisé est en particulier constitué par un matériau
<EMI ID=25.1>
<EMI ID=26.1>
plaques ferromagnétiques entre lesquelles -mais à un autre
<EMI ID=27.1> dont la .résistance est fonction du champ magnétique et d'une
<EMI ID=28.1>
d'une plaque de recouvrement en ferrite. Le matériau semiconduc-. teur dont la résistance est fonction du champ magnétique peut
<EMI ID=29.1>
<EMI ID=30.1>
<EMI ID=31.1>
<EMI ID=32.1> <EMI ID=33.1>
<EMI ID=34.1>
<EMI ID=35.1>
sation de l'invention.
- La figure 1 montre trois exemples de réalisa" tien différents du dispositif suivant l'invention. ... La figure 2 contre l'influence de champs magnétiques extérieurs, d'induction- maximum différente, sur le point de fonctionnement du dispositif,
- La figure 3 montre un émetteur de signaux sans contact mobile. <EMI ID=36.1> <EMI ID=37.1> <EMI ID=38.1> <EMI ID=39.1>
de la figure La figure 6 montre, la. variation de l'amplitu- <EMI ID=40.1> Les figures la à c représentent schématiquement des exemples d'un système de résistance suivant l'inven-
<EMI ID=41.1>
<EMI ID=42.1>
<EMI ID=43.1>
<EMI ID=44.1>
circuit. De cette manière; maigre une aimantation relativement ; faible de l'aimant d'excitation, le flux est concentré dans
<EMI ID=45.1>
sistante est donc soumise à une forte induction permanente,
<EMI ID=46.1>
<EMI ID=47.1>
flux est donc fortement concentré dans la zone occupée par le
<EMI ID=48.1>
<EMI ID=49.1> figure la essentiellement par la. construction de la partie du circuit magnétique dans laquelle se trouve la. plaquette magné- <EMI ID=50.1>
<EMI ID=51.1>
<EMI ID=52.1>
te, qui présente une résistance magnétique plus faible Niais une <EMI ID=53.1>
lieu de plaquettes en ferrite électriquement non conductrices
<EMI ID=54.1>
magnétiques, par exemple des plaques en fer 10 et 11 pour servir de plaques support eu de recouvrement pour le Matériau semiconducteur 1. Cependant, comme le fer est électriquement
<EMI ID=55.1>
Comme il a été dit, l'aimant permanent 3 du
<EMI ID=56.1>
lise en une matière de faible perméabilité mais présentant une résistance magnétique élevée et une grande force coercitive Cette condition est désirable \11 une part pour que le champ magnétique extérieur qui agit sur le dispositif ne traversa)
<EMI ID=57.1>
d'autre part pour que sous l'action du champ extérieur-, l'aidant permanent ne soit pas soumis à une inversion de son aimantation ou bien ne soit pas démagnétisé..
Quand, dans le dispositif suivant l'invention,
on utilise comme aimant d'excitation des matériaux à base d'oxydes, le point de fonctionnement du système est très stable
et indépendant des champs magnétiques extérieurs jusqu'à au
<EMI ID=58.1> figure 2. Sur cette figure on a porte en ordonnée la résis- <EMI ID=59.1>
tante du dispositif suivant l'invention en fonction de la valeur du champ magnétique extérieur appliqué B (en kG). Sur le réseau de courbes de la figure 2, le paramètre est le champ magnétique (en kG) qui, avant le relevé de chacune des courbes, a été applique sur l'aimant- à base d'oxydes du système de résistance suivant l'invention. On a supposé que la courbe à l'extrême gauche de la figure 2 était la caractéristique initiale du système de résistance. Cette courbe est repérée
<EMI ID=60.1>
reste inchangée quand l'induction due au champ magnétique extérieur appliqué -reste en dessous d'environ 1 kG. Si, sur un dispositif dont la caractéristique est 0 ....1,0, on augmente l'induction agissante jusqu'à des valeurs quelconques dans le sens négatif, la caractéristique ne varie en général pas
si, lors du relevé de la caractéristique;, l'aimant d'excitation 3 de la figure 1 était saturé. par contre, si on augmente l'induction dans le sens positif sur la caractéristique 0 ....1,0, cette caractéristique reste inchangée tant
que l'induction ne dépasse pas environ 1-kG. Si l'induction
<EMI ID=61.1>
placée vers la droite et l'on obtient la caractéristiaue
<EMI ID=62.1>
kG, -la caractéristique du système de résistance se.déplace toujours plus loin vers la droite comme le montrait les courbes
<EMI ID=63.1>
<EMI ID=64.1>
champs extérieurs compris entre 1 et + 1 kG, sans.que la caractéristique correspondante se déplace vers la gauche ou
<EMI ID=65.1>
du circuit magnétique permanent soit démagnétisé on voit son aimantation inversée. Par contre, un dispositif dont la caractéristique est 7 (dans l'exemple) peut être soumis à des champs magnétiques extérieurs dans le sens positif d'amplitude quelconque sans que la caractéristique 7 se déplace vers la droite (figure 2), car la caractéristique 7 correspond
à un dispositif dont l'aimant d'excitation est magnétiquement
<EMI ID=66.1>
versa par rapport à l'aimant d'excitation de caractéristique <EMI ID=67.1>
Le système de résistance suivant- 1* invention
<EMI ID=68.1>
<EMI ID=69.1>
<EMI ID=70.1>
<EMI ID=71.1> la figure 1. Dans la partie inférieure de la figure 3 on a <EMI ID=72.1>
aimants indiquent le sens de déplacement de ces deux aimants. En approchant 11 aimant 20 du système de résistance, on obtient sensiblement le même résultat que quand on' déplace parallèlement à la flèche l'aimant 21.
Le système de résistance suivant l'invention peut également être utilisé comme constituant du commutateur d'un.
<EMI ID=73.1>
b montrent schématiquement deux coupes dans un moteur de ce
<EMI ID=74.1>
le rotor constitué par un aimant permanent en 31 et les tôles
<EMI ID=75.1>
du stator/ 32, Dans un moteur à courant continu qui comporte . par exemple trois enroulements, on peut avoir trois dispositifs tels que 30 dans un moteur corme celui de la figure 4a et ils peuvent être montés sur une circonférence, décalas de 1200 <EMI ID=76.1>
parallèle ou dirige en sens inverse par rapport au flux de l'aidant, d'excitation du dispositif de résistance suivant
<EMI ID=77.1>
résistance de la. plaquette varie une fols entre son maximum et
<EMI ID=78.1>
Les plaquettes magnéto-résistantes peuvent par exemple être connectées à des transistors, avec les enroulements
<EMI ID=79.1> <EMI ID=80.1>
de 1200 -l'une par rapport ' l'autre- âtre reparties sur les
<EMI ID=81.1>
circuit de la.figure 5' comporte en outre les résistances
<EMI ID=82.1>
<EMI ID=83.1>
<EMI ID=84.1>
<EMI ID=85.1> <EMI ID=86.1>
Pour attaquer des transistors, il est souvent
<EMI ID=87.1>
<EMI ID=88.1>
ce aussi grande que possible entre le signal qui bloque l'un des transistors et le signal qui rend conducteur l'un des <EMI ID=89.1> est obtenu quand l'aimant formant rotor du moteur est chaque
<EMI ID=90.1>
<EMI ID=91.1>
<EMI ID=92.1>
<EMI ID=93.1>
<EMI ID=94.1>
ouvert ou ferme pendant une durée déterminée., aussi longue que possible et s'il est nécessaire d'avoir une résistance minimum
<EMI ID=95.1>
moteur de telle manière que, dans le roseau de courbes de la <EMI ID=96.1> <EMI ID=97.1>
<EMI ID=98.1>
<EMI ID=99.1>
<EMI ID=100.1>
selon la figure 6 en déplaçant le rotor, on peut utilise:' une tôle . ferromagnétique (tôle collectrice) qui est Mise
<EMI ID=101.1>
<EMI ID=102.1>
<EMI ID=103.1>
<EMI ID=104.1>
<EMI ID=105.1>