BE903101R - Contacts electroniques et dispositifs associes - Google Patents
Contacts electroniques et dispositifs associesInfo
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Abstract
Dispositif électronique formant partie d'un circuit comportant aussi une source de puissance et une charge, ledit dispositif comprenant des moyens pour limiter la puissance qui y est dissipée, caractérisé en ce que lesdits moyens de limitation de puissance sont destinés à produire une caractéristique de courant vis-à-vis de la tension pour le dispositif qui, débutant à l'origine, traverse (5) la ligne de charge (3) du dispositif et ensuite tend à suivre (6) ladite ligne de charge vers l'axe des tensions (V2) sans jamais à nouveau traverser la ligne de charge définie par le courant de court-circuit (IL) dans le dispositif et par la tension (VL) sur ce dernier en circuit ouvert.
Description
CONTACTS ELECTRONIQUES ET DISPOSITIFS ASSOCIES La présente invention revendique la priorité d'une demande de brevet déposée en Europe le 22 août 1984 sous le N[deg.] 84201211.4 au nom de : BELL TELEPHONE MANUFACTURING COMPANY, Naamloze Vennootschap L'invention se rapporte à des contacts électroniques permettant d'établir une impédance basse ou élevée entre une première et une deuxième borne sous le contrôle d'un circuit fournissant un.signal de commande entre une troisième et une quatrième borne, tel que décrit dans le brevet belge 897772. Elle se rapporte particulièrement à un dispositif électronique faisant partie d'un circuit comportant aussi une source de puissance et une charge, lesdits dispositifs comprenant des moyens pour limiter la puissance qui y est dissipée. Un tel dispositif est déjà connu, par exemple de la demande de brevet WO 82/03733 (PCT) .Suivant celle-ci, les moyens limiteurs de puissance sont destinés à produire une caractéristique I/V, c'est-à-dire de courant par rapport à la tension, qui, à partir de l'origine, s'élève jusqu'à un maximum de courant pour une tension prédéterminée, demeure à ce courant jusqu'à ce qu'une tension maximum soit atteinte et ensuite retombe soudainement à un courant sensiblement égal à zéro. Au dernier point de rupture de cette caractéristique, la puissance dissipée dans le dispositif est à son maximum (courant et tension maximum) et dans certaines circonstances, ceci peut être inadmissible, par exemple dans le cas d'un dispositif devant être intégré dans une puce électronique. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif électronique du type ci-dessus, mais ayant une dissipation de puissance réduite. Ce but est accompli suite au fait que lesdits moyens limiteurs de puissance sont destinés à produire pour le-dispositif une caractéristique de courant vis-à-vis de la.tension qui, à partir de l'origine, traverse la ligne de charge du dispositif et ensuite tend à suivre ladite ligne de charge-vers l'axe des tensions sans jamais retraverser la ligne de charge définie par le courant de court-circuit à travers le dispositif et la tension sur ce dernier en circuit ouvert. Le minimum de puissance dissipé dans le dispositif se produit en son point de fonctionnement, c'est-à-dire le point où la caractéristique I/V traverse la ligne de charge. Des signaux anormaux non désirés ayant différentes origines, telle que la foudre frappant un tel circuit téléphonique ou une connexion accidentelle du secteur pourraient affecter les. caractéristiques du circuit. En effet, de tels signaux sont ajoutés aux signaux normaux générés par la source de puissance de telle sorte que la position de la ligne de charge est modifiée. Le point de fonctionnement se déplace alors le 'long de -la partie de la caractéristique <EMI ID=1.1> anormaux non désirés deviennent très élevés, la ligne de charge pourrait être déplacée d'une telle façon que le point de fonctionnèrent: atteindrait l'extrémité supérieure de cette partie de la caractéristique I/V. Le point de fonctionnement devient ainre instable et se déplace vers des tensions plus élevées. Puisque <EMI ID=2.1> puissance dissipée dans le dispositif pendant cette transition du- point fonctionnement est réduite à un minimum. Lorsque les signaux anormaux non désirés disparaissent, la ligne de charge retourne à la position initialement mentionnée et suite au fait que la partie de la caractéristique I/V suivant la ligne de charge ne traverse pas cette dernière, le point de fonctionnement se déplace des tensions plus élevées vers sa position initiale. Il n' en serait pas de même s'il y avait un croisement entre cette partie de la caractéristique I/V et la ligne de charge. En effet, un tel croisement créerait un point de fonctionnement distinct de celui mentionné ci-dessus et affecterait le fonctionnement normal des dispositifs électroniques. Un autre but de la présente invention est de permettre, pour des tensions relativement faibles, des courants qui sont beaucoup plus élevés que le courant de court-circuit et pouvant s'écouler à travers les dispositifs électroniques, tout en conservant les avantages mentionnés ci-dessus pour les tensions plus élevées. Ce but est accompli suite au fait que la partie de ladite caractéristique de courant vis-à-vis de la tension et traversant ladite ligne de charge a une première portion s'étendant, pour des tensions qui sont relativement beaucoup plus petites que ladite tension à circuit ouvert, jusqu'à un courant relativement beaucoup plus élevé que ledit courant de court-circuit, et une seconde portion joignant la première à la partie de la caractéristique qui suit la ligne de charge. Le point de fonctionnement du dispositif peut ainsi se déplacer le long de la première partie de la caractéristique I/V de telle sorte que le courant dans ce dispositif peut atteindre ladite valeur relativement élevée pour des tensions faibles sans activer les moyens limiteur de puissance. Pour des valeurs de tension plus élevées, le dispositif opère comme décrit ci-dessus . L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques apparaissant dans les revendications ressortiront de la description détaillée qui fait suite de réalisations préférées devant être lues en conjonction avec les dessins accompagnant la description et qui représente nt . La Fig. 1, une réalisation du circuit d'un contact électronique comme dans le brevet belge 897772 mais comportant des circuits de protection de puissance suivant l'invention; Les Figs. 2 et 3, des caractéristiques de courant vis-à-vis de la tension pour les circuits de protection en puissance de la Fig . 1, les caractéristiques n'étant pas dessinées à l'échelle; La Fig. 4, des caractéristiques de courant vis-àvis de la tension pour le contact électronipe montré à la Fig. 1, les caractéristiques n'étant pas dessinées à l'échelle; et La Fig. 5, un circuit d'indication de faute FC associé aux circuits de protection en puissance représentés à la Fig. 1. On se référera tout d'abord à la Fig. 1 qui montre <EMI ID=3.1> tion de celui décrit dans le brevet belge 897772. Quoique étant toujours du type TRIMOS, le thyristor TRX formé entre <EMI ID=4.1> deux électrodes de collecteur distinctes respectivement <EMI ID=5.1> Q3 du type NPN et se substituant au transistor T2 également de ce dernier type, le transistor T3 n'étant pas représenté. En outre, des circuits individuels de protection en puissance qui sont décrits ci-dessous en plus de détails sont associés à TRX. A noter que le contact S12 du brevet belge précité <EMI ID=6.1> montré dans ce brevet, ne sont pas directement en série avec la ligne d'abonné, ne comportert pas de circuits de protection <EMI ID=7.1> comporte deux circuits de commutation identiques S et S' qui sont couplés en anti-parallèle . Plus particulièrement, <EMI ID=8.1> et sera décrit ultérieurement. Etant donné que S et S' sont identiques, seul l'un d'eux, par exemple S, sera maintenant considéré. Comme déjà mentionné ci-dessus, le transistor Q1 du thyristor TRX a deux électrodes de collecteur distinctes connectées respectivement aux électrodes de base des transis- <EMI ID=9.1> aussi connectée à l'électrode de collecteur d'un transistor Q4 du type NPN dont l'électrode d'émetteur est connectée à la <EMI ID=10.1> transistor Q6 du type NPN dont l'électrode de collecteur <EMI ID=11.1> d'émetteur est connectée à la borne S2 . La cathode de la diode D21 est aussi connectée à l'électrode de drain <EMI ID=12.1> élevées (non montrées) . Le thyristor TRX est mis en et hors circuit au moyen de transistors MOS (non montrés) correspondant aux transistors P et N du brevet belge précité, commandés via la borne S4. Comme déjà mentionné ci-dessus, le circuit de commutation S comporte des circuits de protection de puissance qui sont aussi capables de commander TRX et dont le fonctionnement sera décrit en détail ci-après. Le thyristor TRX est associé à deux circuits distincts de protection en puissance, appelés respectivement circuitsde protection en puissance primaire et secondaire. Le circuit de protection en puissance primaire comporte les <EMI ID=13.1> il limite le courant à travers TRX lorsque la tension sur le circuit S dépasse une valeur prédéterminée. Le circuit de protection en puissance secondaire comporte les composants <EMI ID=14.1> tion qui fait suite de l'opération des circuits de protection, <EMI ID=15.1> diode D21 est polarisée dans le sens conducteur. Le même fonctionnement est valable pour S' au cas où la tension <EMI ID=16.1> Les circuits de protection primaire et secondaire sont mis en et hors service respectivement par les <EMI ID=17.1> le transistor N13 du type DMOS. Lorsque le thyristor TRX est en circuit, une tension de commande positive d'environ +20V appliquée à la borne S4 est transmise aux électrodes <EMI ID=18.1> conducteur et les circuits de protection sont mis en service. Pour mettre le thyristor TRX hors circuit, la tension de commande en S4 est décrûe de sa valeur positive d'environ + 20 Volts à une valeur négative d'environ -20 Volts. Pendant cette transition de tension, TRX est mis hors circuit <EMI ID=19.1> DMOS est bloquée. En effet, les transistors NMOS sont alors toujours conducteur suite à la tension positive verrouillée par leurs capacitances de porte. Lorsque la <EMI ID=20.1> devient conducteur de telle sorte que cette tension de commande négative est appliquée aux électrodes de porte <EMI ID=21.1> N12 constitue ainsi un circuit de retard qui place les circuits de protection hors service un intervalle de temps après le blocage de TRX. Ainsi, la protection de ce dispositif demeure opérative aussi longtemps que TRX est en service. Lorsque TRX est hors service, aucun courant ne s'écoule à travers le circuit de protection en puissance primaire aussi longtemps que la tension sur le circuit de commutation S n'excède pas environ trois chutes de tension <EMI ID=22.1> <EMI ID=23.1> Q A noter que le courant s'écoulant à travers le circuit de protection en puissance primaire est tellement petit que <EMI ID=24.1> et que celle sur le chemin drain-source du transistor conducteur N12 est aussi négligeable puisque cette dernière chute de tension est proportionnelle au courant de base du transistor Q5 qui est toujours bloqué. Lorsque la tension <EMI ID=25.1> décrira ci-après. Pendant l'opération qui précède, le <EMI ID=26.1> En considérant seulement la partie Ql/Q2 du thyristor TRX, la caractéristique courant vis-à-vis de la tension du circuit de commutation S serait celle représentée à la Fig. 2 dont la partie lest la caractéristique normale I/V du thyristor TRX polarisé dans le sens conducteur. Comme montré, la tension V s'élève à une tension maximum <EMI ID=27.1> ci-dessus (+ 2,1 Volts) et correspond à un courant maximum Il de 320 milliampères. De ce qui précède, il suit que le <EMI ID=28.1> mis hors service en suivant la partie 2 de la caractéristique I/V montrée à la Fig . 2 . Les courants dans le transistor TRX et dans le circuit de commutation S sont alors sensiblement égaux à zéro quelle que soit la tension sur ce circuit de telle sorte que la caractéristique I/V coincide alors presque avec l'axe des tensions pour celles <EMI ID=29.1> valable pour le thyristor TRX aussi bien que pour le circuit de commutation S . La ligne de charge en courant continu 3 du dispositif de commutation S est aussi représentée par le diagramme de la Fig. 2. Elle est définie par deux points correspondant respectivement au courant maximum IL (70 milliampères) dans la ligne de télécommunication lorsque cette dernière est court-circuitée et à la tension maximum <EMI ID=30.1> de charge en courant continu 3 traverse la partie 1 de la caractéristique I/V du circuit de commutation S en un point de fonctionnement stable 4. Lorsque des signaux anormaux non désirés sont appliqués à la ligne de télécommunication, ils sont ajoutés aux signaux normaux générés par le bureau de télécommuni- cation de telle sorte que la ligne de charge se déplace <EMI ID=31.1> peuvent avoir des origines diverses telles que la foudre <EMI ID=32.1> accidentelle de l'alimentation du secteur sur ces lignes. Le point de fonctionnement se déplace alors le long de la <EMI ID=33.1> anormaux non désirés deviennent très élevés, la ligne de charge pourrait être déplacée d'une telle façon que le <EMI ID=34.1> de la partie 1 de la caractéristique I/V. Ce point de fonctionnement deviendrai alors instable et se déplacerait vers des tensions plus élevées tandis que le TRX serait <EMI ID=35.1> <EMI ID=36.1> de tension. Lorsque les signaux anormaux disparaissent, la ligne de charge en courant continu se replace dans la position montrée à la Fig. 2 et le point de fonctionnement se déplace de VM (250 Volts) à VL (70 Volts) ou la partie de la caractéristique I/V de TRX qui coincide avec l'axe de tension traverse la ligne de charge en courant continu 3. Le point de fonctionnement devient ainsi instable à cette tension VL et puisque le circuit de protection en puissance primaire est alors toujours actif, il est impossible de mettre le thyristor TRX hors service . Pour permettre à ce dernier d'être mis à nouveau en service, la partie 2 et la partie d'une caractéristique I/V du circuit de commutation S coincidant avec l'axe des tensions ne devrait pas traverser la ligne de charge-en courant continu 3, de telle sorte qu'aucun point de fonctionnement stable <EMI ID=37.1> normal 4. Une solution est d'utiliser le circuit de protection en puissance secondaire décrit ci-après. En considérant seulement ce circuit de protection en puissance secondaire, lorsque le circuit de commutation <EMI ID=38.1> BE <EMI ID=39.1> travers TRX varie alors en fonction de la tension V mesurée sur le circuit de commutation S suivant la partie 5 de la caractéristique I/V montrée à la Fig. 3. A noter que suite aux valeurs de résistance qui seront données plus il loin, le courant I (Fig. 1) s'écoulant à travers TRX est beaucoup plus grand que celui s'écoulant à travers le circuit de protection secondaire. Par conséquent, le courant I peut être considéré comme celui s'écoulant à travers le circuit de commutation S et, tout comme pour la Fig. 2, la caractéristique I/V de la Fig. 3 est valable pour le thyristor TRX aussi bien que pour le circuit de commutation <EMI ID=40.1> <EMI ID=41.1> série, par les courants mentionnés ci-dessus, devient plus <EMI ID=42.1> est réduit d'où il s'en suit que l'impédance de TRX augmente de telle façon que le courant I qui s'y écoule varie en fonction de V de la façon représentée par la partie 6 de la caractéristique I/V de la Fig. 3. Cette variation est fonction de la puissance dissipée dans TRX puisque la chute de tension développée sur le circuit de commutation S dépend <EMI ID=43.1> TRX,mais aussi de V puisqu'un courant additionnel qui est <EMI ID=44.1> ces deux dernières résistances, le courant I demeurerait <EMI ID=45.1> par la partie 7 de la caractéristique I/V de la Fig. 3. Dans ce cas, la puissance dissipée dans le circuit de commutation S peut devenir excessive puisque la partie 7 croise la ligne de dissipation de puissance maximum 8 du circuit S. Pour les raisons mentionnées ci-dessus, la partie 6 de la caractéristique I/V ne devrait pas traverser la ligne de charge en courant continu 3. D'autre part, comme la puissance minimum dissipée dans le circuit de commutation se produit au point de fonctionnement de ce circuit, c'est-à-dire au point de croisement de la partie 5 de la caractéristique I/V et de la ligne de charge en courant continu 3, la partie // 6 de la caractéristique I/V devrait être choisie aussi proche que possible de la ligne de charge en courant continu 3 afin d'abtenir une dissipation de puissance minimum dans le circuit de commutation S. Par conséquent, la pente de la partie 6 de la caractéristique I/V est choisie semblable à celle de la ligne de charge en courant continu 3. <EMI ID=46.1> Q6 commence à conduire, sa tension de saturation base-émetteur <EMI ID=47.1> <EMI ID=48.1> où V et I sont respectivement la tension sur et le courant s'écoulant à travers le circuit de commutation S. Cette expression conduit immédiatement à <EMI ID=49.1> Suite au choix des valeurs des résistances, c'est-à-dire <EMI ID=50.1> les suppositions suivantes peuvent être faites <EMI ID=51.1> et l'expression précédente devient <EMI ID=52.1> de telle sorte que l'on obtient <EMI ID=53.1> Il.apparaît clairement de cette dernière expression que le courant I dépend de la tension �14 .V. 13 Puisque la partie 6 de la caractéristique I/V est choisie aussi proche que possible de la ligne de charge en courant continu 3 afin de limiter la puissance dissipée <EMI ID=54.1> être choisi légèrement au-dessus de IL et la tension maximum V doit être choisie légèrement au-dessus de V . Pour L l'exemple présent et avec les valeurs de résistance données <EMI ID=55.1> <EMI ID=56.1> conventionnelles pour un système de télécommunication, le circuit de protection devrait seulement être activé pour un courant dépassant 300 milliampères. Si, pour cette raison, <EMI ID=57.1> partie 6 de la caractéristique devrait être décalée vers le haut et une partie de celle-ci pourrait être située au-dessus de la ligne 8 de dissipation de puissance maximum. Dans ce cas, lorsque le circuit de protection en puissance devient actif, la puissance dissipée dans S peut être tellement élevée que ce dernier est détruit. Les désavantages des deux circuits de protection en puissance pris séparément peuvent être éliminées en combinant ces deux circuits, cette combinaison fournissant la caractéristique d'ensemble I/V du circuit de commutation S représentée à la Fig. 4- Cette caractéristique a la partie 1 et, partie llement, la partie 2 de la caractéristique I/V se rapportant au circuit de protection à puissance primaire, et la partie 6 de la caractéristique I/V se rapportant au circuit de protection en puissance secondaire. De cette figure il apparaît clairement que la caractéristique I/V traverse la ligne de charge en courant continu 3 mentionnée ci-dessus en un point de fonctionnement stable unique 4 et que la puissance dissipée dans le circuit de commutation S est réduite à son minimum puisque la partie 6 est très proche de la ligne de charge en courant continu 3. Un circuit d'indication de faute FC est montré <EMI ID=58.1> / <EMI ID=59.1> (-48 Volts). Le circuit indicateur de faute FC est associé seulement au circuit de protection S de l'unité de <EMI ID=60.1> Ceci est suffisant pour détecter des signaux anormaux de n'importe quelle polarité sur la boucle de la ligne de <EMI ID=61.1> La borne d'entrée CET, de FC est connectée à la borne de détection de sortie ayant la même identification pour le circuit de protection S de l'unité de commutation <EMI ID=62.1> teur de faute FC sont respectivement connectées aux bornes de ligne de la ligne d'abonné et ayant les mêmes références. <EMI ID=63.1> est connectée à un processeur de signal numérique ou circuit DSP (non montré) qui forme aussi partie du circuit de ligne de télécommunication . La circuit indicateur de faute FC comporte un <EMI ID=64.1> <EMI ID=65.1> connectée en série. Un autre transistor Q8 du type NPN a son électrode de base connectée à la borne d'entrée <EMI ID=66.1> Ce point de jonction est aussi connecté aux électrodes <EMI ID=67.1> i <EMI ID=68.1> <EMI ID=69.1> du type NMOS dont l'électrode de source est connectée à <EMI ID=70.1> directement connectée à l'électrode de drain du transistor !:-Ils Le circuit indicateur de faute FC fonctionne comme suit. Lorsqu'aucun signal anormal n'est détecté par les circuits de protection en. puissance des circuits de <EMI ID=71.1> <EMI ID=72.1> <EMI ID=73.1> telle sorte que la tension (VDD) appliquée à l'électrode <EMI ID=74.1> a la même tension (VDD) à ses électrodes de source et de <EMI ID=75.1> par les circuits de protection en puissance d'un circuit de commutation S, une tension, positive par rapport à celle <EMI ID=76.1> D22 (D23) et le chemin collecteur-émetteur du transistor Il <EMI ID=77.1> génère alors un courant qui est transmis via la borne <EMI ID=78.1> actions appropriées. Quoique les principes de l'invention aient été décrits ci-dessus en se référant à des exemples particuliers, il est bien entendu que cette description est faite seulement à titre d'exemple et ne constitue aucunement une limitation de la portée de l'invention.
Claims (1)
- REVENDICATIONS1) Dispositif électronique (S/S') formantpartie d'un circuit comportant aussi une source de puissance et une charge, ledit dispositif comprenant des moyenspour limiter la puissance qui y est dissipée, caractérisé <EMI ID=79.1>R13' R14' Q6) sont destinés à produire une caractéristique de courant vis-à-vis de la tension (Fig. 3)) pour le dispositif qui, débutant à l'origine, traverse (5) la ligne de charge (3) du dispositif et ensuite tend à suivre (6) ladite ligne de charge vers l'axe des tensions (V2) sans jamaisà nouveau traverser la ligne de charge définie par le courant de court-circuit (IL) dans le dispositif et par<EMI ID=80.1>dite caractéristique de courant vis-à-vis de la tension.3) Dispositif électronique comme sous 2, caractérisé en ce que lesdits moyens de limitation de puissance (R ; R13' R14 ; Q6) sont associés auxdits moyens de commutation<EMI ID=81.1>parallèle avec lesdits moyens de commutation et des moyens de commutation et moyens de régulation (Q6) commandés par lesdits premier et second moyens de détection et contrôlant lesdits moyens de commutation de façon à produire ladite caractéristique de courant vis-à-vis de la tension.4) Dispositif électronique suivant 3, caractérisé<EMI ID=82.1>moyens de détection sont connectés en série et en ce que lesdits moyens de régulation comportent un dispositif actif(Q6) avec une partie entrée couplée sur lesdits premiers moyens de détection et sur une partie desdits secondsmoyens de détection, et une partie sortie connectée auxdits<EMI ID=83.1>5) Dispositif électronique suivant 4, caractérisé en ce que lesdits premiers moyens de détection comportent<EMI ID=84.1>6) Dispositif électronique suivant 3,associé à un contact électronique (S/S') permettant d'établir une impédance basse ou élevée entre une première (Sl/S'2)<EMI ID=85.1>auxiliaires étant prévus et permettant d'établir une impédance basse ou élevée entre les première et les troisième bornes et entre les seconde et les troisième bornes, les conditions d'impédance de ces deux contacts auxiliaires étant opposées, caractérisé en ce que lesdits moyens de commutation (Q , ) font partie dudit contact électronique (S/S') et que lesdits<EMI ID=86.1>par ledit signal de commande et capables de mettre en service lesdits moyens de limitation en puissance et hors service<EMI ID=87.1> ladite impédance élevée .7) Dispositif électronique comme sous 1, caractérisé en ce que la partie (5) de ladite caractéristique de courant vis-à-vis de la tension (Fig. 4) traversant ladite ligne de charge (3) a une première portion (1) s'étendant, pour des<EMI ID=88.1>courant (Il) relativement beaucoup plus grand que ledit courant de court circuit (IL) et une seconde portion (2) joignant ladite première portion (1) à la partie (6) de la caractéristique qui suit la ligne de charge (3).8) Dispositif électronique suivant 3 et 7, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des seconds<EMI ID=89.1>électronique (S/S') et des seconds moyens de régulation (Q4) commandés par lesdits troisièmes moyens de détection<EMI ID=90.1>de produire lesdites première (1) et seconde (2) portions de ladite caractéristique de courant vis-à-vis de la tension.9) Dispositif électronique comme sous 8, caractérisé<EMI ID=91.1>10) Dispositif électronique suivant 8 incorporé dans un contact électronique (S/S') permettant d'établir une<EMI ID=92.1>fournissant un signal de commande entre une troisième et une quatrième (S4) bornes, deux contacts électroniques auxiliaires étant prévus et permettant d'établir une impédance basse ou élevée entre les première et troisième borne s e t entre les seconde et troisième bornes, les conditions d'impédance de ces deux contacts auxiliaires étant opposées, caractérisé en ce que lesdits moyens de<EMI ID=93.1>de commande et capable de mettre en service lesdits seconds moyens de limitation de puissance et de lesmettre hors service après que lesdits moyens de commutation<EMI ID=94.1>11) Dispositif électronique suivant 2, caractérisé en ce que lesdits moyens de commutation (Ql/3) sont<EMI ID=95.1>quatrième (Q3) dispositifs actifs, en ce que les premières bornes de sortie des troisième et quatrième dispositifs actifs sont couplées à la borne de contrôle du second dispositif actif, en ce que les secondes bornes de sortie des troisième et quatrième dispositifs actifs sont<EMI ID=96.1>dispositif actif a deux secondes bornes de sortie distinctes couplées respectivement aux bornes de commande des troisième et quatrième dispositifs actifs.12) Dispositif électronique suivant 11, caractérisé<EMI ID=97.1>par un transistor PNP dont les électrodes de base, d'émetteur et de collecteur correspondent respectivement aux bornesde contrôle et aux première et seconde bornes de sortie,<EMI ID=98.1>dispositifs actifs sont chacun constitués par un transistor NPN dont les électrodes de base, de collecteur et d'émetteur correspondent respectivement aux bornes de contrôle et aux première et seconde bornes de sortie.13) Circuit de ligne pour système de télécommunication comprenant une impédance série dans chacun des deux conducteurs de ligne et des contacts de chaque côté de ces deux impédances permettant de connecter sélectivement leurs bornes respectivement vers le bureau ou vers la ligne, caractérisé en ce que ces contacts sont constitués par deux<EMI ID=99.1>tant la ligne aux impédances et la seconde connectant celles-ci au bureau, et que seulement ladite première paire<EMI ID=100.1>revendiqués sous 3.14) Circuit de ligne pour système de télécommunication suivant 13, caractérisé en ce que ladite première<EMI ID=101.1>Q4) tels que revendiqués sous 8.15) Circuit de ligne pour système de télécommunication suivant 13 ou 14, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens de détection (FC) couplés à ladite<EMI ID=102.1>de fournir un signal indiquant que la tension sur au moins un desdits contacts électroniques dépasse une valeur prédéterminée.16) Circuit de ligne pour système de télécommunication suivant 15 et comportant des contacts électroniques (S/S') permettant d'établir une impédance basse ou élevée<EMI ID=103.1>deux contacts électroniques auxiliaires étant prévus et permettant d'établir une impédance basse ou élevée entre les première : et troisième bornes et entre les seconde et troisième bornes, les conditions d'impédance de ces deux contacts auxiliaires étant opposées, et le contact électronique comportant en outre un premier contact polarisé (S) capablede fournir une impédance basse pour une polarité de tension<EMI ID=104.1>bornes, en parallèle avec un second contact polarisé (S') capable de fournir une impédance basse pour la polarité opposée, caractérisé en ce que lesdits moyens de détection<EMI ID=105.1>qui est fonction de la tension sur au moins l'un desdits contacts polarisés (S).17) Circuit de ligne pour système de télécommunication suivant 16, caractérisé en ce que lesdites première<EMI ID=106.1>entre lesdits moyens de limitation de puissance et une desdites bornes dudit contact polarisé (S), en ce que la partie sortie est constituée par les électrodes de collecteur desdits transistors NPN auxquels une première borne d'alimentation en courant continu (VDD) est connectée via une première<EMI ID=107.1><EMI ID=108.1>NMOS (N .) dont les électrodes de porte sont toutes deux connectées au point de jonction de ladite première résistance<EMI ID=109.1>de drain sont interconnectées et dont les électrodes de source sont respectivement connectées auxdites première<EMI ID=110.1>continu, et en ce que lesdites électrodes de drain communes desdits transistor PMOS et premier transistor NMOS sont connectées à l'électrode porte d'un second transistor NMOS (N ) dont l'électrode de source est connectéeà ladite seconde borne d'alimentation en courant continu<EMI ID=111.1>18) Circuit de ligne pour système de télécommunication suivant 13, caractérisé en ce qu'il comporte des troisième et quatrième paires additionnelles de contacts électroniques,la troisième connectant les impédances du côté de la ligne à un premier circuit auxiliaire et la quatrième les connectant du côté du bureau à un second circuit auxiliaire .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE2/60767A BE903101R (fr) | 1983-09-19 | 1985-08-22 | Contacts electroniques et dispositifs associes |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE2060208 | 1983-09-19 | ||
| BE2/60767A BE903101R (fr) | 1983-09-19 | 1985-08-22 | Contacts electroniques et dispositifs associes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE903101R true BE903101R (fr) | 1986-02-24 |
Family
ID=25661793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE2/60767A BE903101R (fr) | 1983-09-19 | 1985-08-22 | Contacts electroniques et dispositifs associes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE903101R (fr) |
-
1985
- 1985-08-22 BE BE2/60767A patent/BE903101R/fr not_active IP Right Cessation
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