BRPI0706881A2 - disjuntor de circuito, e método para determinar a temperatura de um bimetal - Google Patents
disjuntor de circuito, e método para determinar a temperatura de um bimetal Download PDFInfo
- Publication number
- BRPI0706881A2 BRPI0706881A2 BRPI0706881-6A BRPI0706881A BRPI0706881A2 BR PI0706881 A2 BRPI0706881 A2 BR PI0706881A2 BR PI0706881 A BRPI0706881 A BR PI0706881A BR PI0706881 A2 BRPI0706881 A2 BR PI0706881A2
- Authority
- BR
- Brazil
- Prior art keywords
- bimetal
- temperature
- subsequent
- interaction
- ambient temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 43
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H1/00—Details of emergency protective circuit arrangements
- H02H1/0007—Details of emergency protective circuit arrangements concerning the detecting means
- H02H1/0015—Using arc detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H6/00—Emergency protective circuit arrangements responsive to undesired changes from normal non-electric working conditions using simulators of the apparatus being protected, e.g. using thermal images
- H02H6/005—Emergency protective circuit arrangements responsive to undesired changes from normal non-electric working conditions using simulators of the apparatus being protected, e.g. using thermal images using digital thermal images
Landscapes
- Thermally Actuated Switches (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
DISJUNTOR DE CIRCUITO E MéTODO PARA DETERMINAR A TEMPERATURA DE UM BIMETAL. Um disjuntor de circuito inclui um bimetal eletricamente conectado em série com contatos separáveis e um mecanismo de operação estruturado de modo a abrir e fechar tais contatos. Um sensor de temperatura distal do bimetal incluindo uma saída tendo um sinal de temperatura ambiente, um modelo térmico de tempo real estruturado de modo a prover uma resistência dependente de temperatura corrigida em função da voltagem e do sinal de temperatura ambiente, e uma saída incluindo um valor de corrente que é função do sinal de temperatura ambiente e da resistência de bimetal corrigida. Um segundo circuito inclui uma entrada tendo um valor de corrente e uma saída estruturada de modo a atuar sobre o mecanismo de operação em resposta a pré-determinadas condições de corrente.
Description
"DISJUNTOR DE CIRCUITO, E MÉTODO PARA DETERMINARA TEMPERATURA DE UM BIMETAL".
Campo da Invenção
A presente invenção se . relaciona a disjuntores decircuito, e mais particularmente a disjuntores decircuito incluindo um bimetal em série com contatosseparáveis. A presente invenção também se relacionaa métodos para determinar a temperatura do bimetal e/oua resistência do bimetal.
Histórico da Invenção
Disjuntores de circuito são usados para protegercircuitos elétricos de danos provocados por condições desobre-corrente, tal como condição de sobre-carga ou falhaou curto-circuito. Disjuntores de circuito menores,os chamados "mini-disjuntores" usados para residências eaplicações comerciais leves, tal como aplicações deproteção, incluem um bimetal que se aquece e se curvaem resposta a uma condição de sobre-corrente persistente.
0 bimetal destrava o mecanismo de mola que abre oscontatos separáveis do disjuntor de circuito e interrompea corrente que flui no sistema de proteção.
Em certas aplicações (por exemplo, mas não se limitando adetecção de falhas de arco) a voltagem no elementobimetal térmico é empregada para medir indiretamente acorrente de carga de disjuntor. A medição de uma correnteé complicada porque a impedância do elemento bimetálicovaria com a temperatura, qual variação produz imprecisõesna medição da amplitude da corrente. Por exemplo,a impedância do elemento bimetálico pode variar até cercade 70% em função da temperatura na faixa de operaçãonormal do disjuntor, dependendo do tipo de bimetal usado.
Tipicamente, na maioria dos metais, a impedância dobimetal tem um coeficiente de temperatura positivo (PTC).
Em outras palavras, a resistência cresce com atemperatura. Se, quando se projeta a parte eletrônicado disjuntor se considerar que a resistência do bimetalé constante, uma variação de temperatura-resistência dobimetal pode implicar em erro na corrente obtida.A medida que a temperatura do bimetal cresce, a queda devoltagem no bimetal também cresce, para uma dadacorrente, resultando que a corrente de carga parece maiorque na verdade. Dependendo do algoritmo de controle,o resultado potencial pode ser um comando errático paraabrir o disjuntor de circuito.
A patente U.S. N0 4.486.733 descreve um mecanismode proteção reativo eletro-térmico de bimetal que tem umelemento bimetálico de compensação para temperaturaambiente, para manter a precisão de operação do mecanismode proteção, a despeito de eventuais mudanças natemperatura ambiente.
A patente U.S. N0 6.813.131 descreve um disjuntor decircuito tipo montagem - incluindo um elemento bimetálicoe um termistor. 0 termistor é um dispositivo sensívela temperatura, adaptado para ser reativo à temperaturano elemento bimetálico, para obter uma temperaturaaproximada. Por exemplo, se estiver mais perto doelemento bimetálico, o termistor será submetidoa temperaturas menos extremas, uma vez que a energiadissipada pelo elemento bimetálico é dispersa no ambientedentro do alojamento do disjuntor. Mesmo se estiver muitopróximo do elemento bimetálico, a temperatura obtida pelotermistor próximo do elemento bimetálico, ainda que umatemperatura menos extrema, ainda será proporcional àtemperatura real do elemento bimetálico. Uma entrada deamplificador se referencia ao terminal de saída doelemento bimetálico. A impedância do bimetal tem umcoeficiente de temperatura positivo, e o termistor tem umcoeficiente de temperatura negativo. Reativo a termistor,a amplificador provê um ganho negativo para a voltagem debimetal, e o conjunto provê um sinal de abertura emfunção da voltagem de saída compensada do amplificador.Por conseguinte, há espaço para melhorias em disjuntores,incluindo um bimetal em série com contatos separáveis.Também há espaço para melhorar os métodos de determinaçãoda temperatura e/ou resistência de um bimetal.
Sumário da Invenção
Estas e outras necessidades são satisfeitas pela presenteinvenção, que compensa as variações de resistênciaelétrica do bimetal em função da temperatura, quando medea corrente de disjuntor indiretamente através da voltagemno bimetal. Significativamente, não se requer um sensorde temperatura no bimetal, quer em contato diretoou próximo do bimetal.
De acordo com um aspecto da invenção, um disjuntor decircuito compreende: um alojamento, contatos separáveis,um bimetal eletricamente conectado em' série com os taiscontatos separáveis, o bimetal incluindo uma resistênciaque é função da temperatura, e uma saída tendo umavoltagem representativa da corrente que flui através doscontatos separáveis; um mecanismo de operação estruturadode modo a abrir e fechar os contatos separáveis; umsensor de temperatura distai no bimetal, qual sensorinclui uma saída que provê um sinal representativo datemperatura ambiente; e um circuito de aberturacooperativo com o mecanismo de operação para abrir oscontatos separáveis. O circuito de abertura compreende:um primeiro circuito incluindo uma primeira entradaeletricamente interconectada com a saída do bimetal, parareceber a voltagem representativa da corrente que fluinos contatos separáveis, uma segunda entradaeletricamente interconectada com a saída do sensor detemperatura para receber um sinal representativo datemperatura ambiente, um modelo térmico de tempo realque é estruturado de modo a prover a resistênciadependente de temperatura corrigida do bimetal em funçãoda voltagem representativa da corrente que flui atravésde contatos separáveis e do sinal representativo datemperatura ambiente, e uma saída incluindo uma voltagemde corrente, que é função da voltagem representativa dacorrente que flui através de contatos separáveis eda resistência dependente de temperatura corrigida, eum segundo circuito incluindo uma entrada tendo o valorde corrente e uma saída estruturada para atuar sobre omecanismo de operação em resposta a condições de correntepré-determinadas.
0 primeiro circuito pode compreender um processadorestruturado de modo a repetidamente executar algoritmosinterativos como modelo térmico de tempo real.
0 processador pode ser adicionalmente estruturado de modoa periodicamente dar entrada à voltagem representativada corrente que flui através dos contatos separáveis eao sinal representativo da temperatura ambiente.
O processador pode ser adicionalmente estruturado, em umainteração inicial de um algoritmo interativo, paradeterminar (a) uma temperatura inicial absoluta dobimetal a partir da temperatura ambiente mais um pré-determinado valor, (b) uma energia instantânea dissipadapelo bimetal, e (c) uma subida de temperatura do bimetalem relação ã temperatura ambiente, e a interaçãosubseqüente do algoritmo interativo para determinar (d)a temperatura absoluta subseqüente do bimetal a partir datemperatura ambiente mais uma subida de temperatura dobimetal em relação à temperatura ambiente, (e) a energiainstantânea subseqüente dissipada pelo bimetal, e (f)a subida de temperatura subseqüente do bimetal em relaçãoà subseqüente temperatura ambiente introduzida.
O processador pode ser adicionalmente estruturado de modoa calcular a resistência dependente de temperaturacorrigida do bimetal, como uma função pré-determinadada temperatura absoluta subseqüente do bimetal.
0 processador pode ser adicionalmente estruturado de modoa calcular a energia instantânea subseqüente dissipadapelo bimetal, a partir do quadrado da voltagem de bimetaldividido pela resistência dependente de temperaturacorrigida do bimetal.
O processador pode ser adicionalmente estruturado,em outra interação após a interação subseqüente paradeterminar (g) outra temperatura absoluta do bimetala partir de outra entrada de temperatura ambiente mais asubida de temperatura subseqüente do bimetal, (h) outraenergia instantânea dissipada pelo bimetal para outrainteração depois da interação subseqüente, e (i) outrasubida de temperatura do bimetal em relação à outratemperatura ambiente introduzida.
0 processador pode ser adicionalmente estruturado de modoa armazenar a energia instantânea subseqüente dissipadapelo bimetal e a subida de temperatura subseqüente dobimetal para uso por outra interação após a subseqüenteinteração.
Em outro aspecto da presente invenção, um método paradeterminar uma temperatura de bimetal eletricamenteconectado em série com contatos separáveis e incluindouma saída com a voltagem representativa da corrente queflui através de contatos separáveis compreende: medir umatemperatura representativa da temperatura ambiente;introduzir a voltagem representativa do corrente que fluinos contatos separáveis e empregar um modelo térmicode tempo real para determinar a temperatura do bimetala partir da temperatura representativa da temperaturaambiente e a voltagem representativa da corrente que fluinos contatos separáveis.
Descrição Resumida dos Desenhos
Um pleno entendimento da presente invenção seráproporcionado pela descrição a seguir das configuraçõespreferidas em conexão com os desenhos anexos, nos quais:
A figura 1 é um diagrama de blocos de um disjuntor decircuito de acordo com a presente invenção;
A figura 2 é um diagrama de blocos em forma esquemáticamostrando o modelo elétrico e o modelo térmico empregadospelo processador da figura 1;
A figura 3 é um fluxograma de um algoritmo para osmodelos elétricos e térmicos da figura 2; e
A figura 4 é um fluxograma de um algoritmo de modeloselétrico e térmico de outra configuração da invenção.
Descrição Detalhada das Configurações PreferidasNesta especificação, quando se diz que uma parte éeletricamente interconectada com uma ou mais partes,deve ser entendido que estas partes estão diretamenteeletricamente conectadas, ou ainda eletricamenteconectadas por um ou mais conectores ou partesintermediárias geralmente eletricamente condutivas.
Ademais, quando se diz que uma parte está "eletricamenteconectada" a uma ou mais partes, deve ser entendido queestas partes estão diretamente eletricamente conectadas,ou através de um ou mais condutores elétricos.
A presente invenção será descrita em conexão comdisjuntores de circuito de falha de arco, emboraa presente invenção também se aplica a uma ampla gamade disjuntores de circuito.
Referindo-se à figura 1, um disjuntor de circuito 2inclui um alojamento 4, contatos separáveis 6, e umbimetal 8 eletricamente conectado em série com taiscontatos separáveis 6. 0 bimetal 8 inclui uma resistênciadependente de temperatura 10 (figura 2) e uma saída 12tendo uma voltagem 14 (figura 2) representativa dacorrente 16 (figura 2) que flui através de contatosseparáveis 6. Um mecanismo de operação 18 é estruturadode modo a abrir e fechar os contatos separáveis 6.
Um sensor de temperatura (T)20 é disposto distai dobimetal 8 e inclui uma saída 22 tendo um sinal 24representativo da temperatura ambiente.
Um circuito de abertura 26 coopera com o mecanismo deabertura 18 para abrir os contatos separáveis 6.
0 circuito de abertura 26 inclui um primeiro circuito 28que provê uma função de modelo térmico de tempo real 29,e um segundo circuito 3 0 que provê uma função de abertura(por exemplo, não se limitando a, detecção de falha dearco (AFD)). O primeiro circuito 2 8 inclui uma primeiraentrada 32 eletricamente interconectada com a saída 12do bimetal 8 para introduzir a voltagem 14 (figura 2)representativa da corrente 16 (figura 2) que flui atravésdos contatos separáveis 6, e uma segunda entrada 34eletricamente interconectada com a saída 22 do sensor detemperatura 20 para introduzir o sinal 24 representativoda temperatura ambiente. Como será discutido mais adianteem conexão com as figuras 2 a 4, a função de modelotérmico de tempo real 29 é estruturada de modo a proveruma resistência dependente de temperatura corrigida 36(figuras 3 e 4) do bimetal 8 em função da voltagem debimetal 14 (figura 2) e o sinal representativo datemperatura ambiente. Por sua vez, a função de modelotérmico 29 provê uma saída 38, incluindo um valor decorrente de bimetal 40 que é função da voltagem debimetal 14 e da resistência dependente de temperaturacorrigida 36. A função de abertura AFD 31 inclui umaentrada 42 tendo um valor de corrente 40 e uma saída 44estruturada para atuar sobre o mecanismo de abertura 18em resposta a pré-determinadas condições de corrente.Exemplos de detectores adequados de falha de arco serãodescritos, por exemplo, nas patentes U.S. N0 5.522.006, eum tipo preferido descrito na patente U.S. N0 5.6791.869que estão incorporados nesta por referência.
Exemplo 1
O primeiro circuito 28 inclui um processador adequado(μΡ)46 estruturado de modo a repetidamente executar umalgoritmo interativo (58 da figura 3 ou 58' da figura 4)como função de modelo de tempo real 29. O μΡ46, queinclui ou coopera com um conversor analógico para digital(ADC) 48, é estruturado de modo a introduzir a voltagem14 representativa da corrente que flui através decontatos separáveis 16 e do sinal 24, (de modo nãolimitante, por exemplo voltagem) representativo datemperatura ambiente. Como será discutido aqui em conexãocom as figuras 2 a 4, o μΡ46 mede a voltagem de bimetal14, estima a temperatura de bimetal 50 (figuras 3 e 4)e a resistência elétrica de bimetal 36 (figuras 3 e 4)e calcula a corrente no disjuntor 86 (figuras 3 e 4)a partir destes valores. Em particular, o μπιΡ 46 medea voltagem 24 que representa a temperatura ambiente, ea voltagem de bimetal 14 com o ADC 48, e processa estainformação com o algoritmo 58 da figura 3 ou 58'da figura 4 para prover a corrente de disjuntor 86.
Exemplo 2
A temperatura ambiente é a temperatura dentro doalojamento de disjuntor de circuito 4. μΡ46 emprega osensor de temperatura 20 (de modo não limitante, porexemplo, um termistor) disposto distai, (i.e. a umadistância adequada para medir a temperatura ambiente) apartir do bimetal 8, para medir a temperatura ambienteinterna de disjuntor de circuito. Então, μΡ 46 usa avoltagem de bimetal 14 (figura 2) e um modelo térmico 51(figura 2) do bimetal 8 e o disjuntor de circuito 2 paraestimar a subida de bimetal transiente 52 (figura 2)acima da temperatura ambiente interna do disjuntor decircuito 54 (figura 2). A subida de temperatura debimetal de transiente estimada 52 e a temperaturaambiente interna 54 são usadas para estimar a temperaturaabsoluta de bimetal 55 (figura 2), e determinar aresistência de bimetal 10, que então é empregada paraestimar a corrente efetiva de disjuntor 16.
Exemplo 3
O μΡ46 preferivelmente amostra em tempos pontuaisa voltagem de bimetal 14 (figura 2) em uma freqüência deamostragem adequada, que é igual ou maior que a taxaNyquist (i.e., suficientemente rápida para capturar todoo conteúdo espectral da forma de onda de voltagem).(por exemplo, o período de amostragem Ts da Equação 4.
Exemplo 4
Embora seja descrito um mecanismo sensor de correntecom base em processador, componentes eletrônicos digitaisdiscretos e/ou um sistema contínuo no tempo (de modo nãolimitante, por exemplo, usando componentes eletrônicosanalógicos) e/ou combinações destes poderão serempregados. Alternativamente, outros mecanismos sensoresde corrente adequados também poderiam ser empregados.
Um exemplo inclui medir a voltagem de bimetal híbridoanalógico/ digital, no qual o meio ciclo integral ouo pico de voltagem de bimetal primeiramente é determinadocom o circuito analógico, e então digitalmente amostrado.
Exemplo 5
A figura 2 mostra um modelo elétrico vinculado de tempocontínuo de primeira ordem 56 e o modelo térmico 51do bimetal 8 e o disjuntor de circuito associado 2(figura 1). Este modelo pode ser substituído por ummodelo mais detalhado (exemplo 6 a seguir) se desejadauma maior precisão.
A resistência térmica do bimetal Rfl(8C/W), com respeitoa temperatura ambiente interna de disjuntor de circuito(8C)54, modela as perdas de calor de estado estável etransiente no bimetal 8, incluindo condução, convecção,radiação. A capacitância térmica do bimetal Ce (J/8C)modela a subida de temperatura de estado estável etransiente no bimetal 8 pela dissipação de energia.
A energia instantânea estimada dissipada com bimetal 8é dada por Qbimetai (t) (W), e ΔΤ (t) é a subida detemperatura estimada 52 do bimetal 8 em relaçãoà temperatura ambiente interna do disjuntor de circuito54 versus tempo t, enquanto ΔΤ(t) é determinado pelaexpressão da Equação 1 abaixo.
<formula>formula see original document page 10</formula>
(EQUACAO 1)
onde, Qcg (t) ê a energia instantânea de rede transferidapara o bimetal de disjuntor de circuito 8.
Usando a lei de Kischoff para fluxo de calor, a Equação 1será rescrita para prover a expressão da Equação 2.
<formula>formula see original document page 10</formula>
(EQUAÇÃO 2)
A Equação 3 provê a correspondente expressão de domínioLaplace a partir da Equação 2:<formula>formula see original document page 11</formula>
onde,
<formula>formula see original document page 11</formula>
s é definido a partir de
£-l{AT(s)}=AT(t);
£ 1, o Operador da Transformação LaplaceInversa
AT(t=0') = 0.
A Equação 4 provê a substituição da Equação 3 paraproduzir uma versão de tempo pontual do modelo de tempocontínuo para integração retangular reversa.
<formula>formula see original document page 11</formula>
(EQUAÇAO 4)
onde,
Ts é o período de amostragem (em segundos) (de modonão limitante, por exemplo cerca de 1 ms para 60 Hz;um período de modo que a amostragem de freqüência sejaigual ou maior que a taxa Nyquist).
z, o sistema de tempo pontual equivalenteao operador Laplace s dos sistemas de tempo contínuo,que é definido a partir de Z^(ATfz)}= AT(n).
Z'1, o Operador de Transformação Z Inversa
<formula>formula see original document page 11</formula>
A Equação 5 representa o equivalente de tempo pontual domodelo térmico 51.
<formula>formula see original document page 11</formula>
onde,η é um número inteiro maior que zero;
ΔΤ(η), a subida de temperatura estimada do bimetal 8em relação à temperatura ambiente interna do disjuntor decircuito (8C) para a amostra n;
Qbimetai (η), a energia instantânea estimada (W)dissipada pelo bimetal 8 para a amostra n; e
ΔΤ(η-Ι), a subida de temperatura estimada (8C)do bimetal 8 em relação à temperatura ambiente internado disjuntor de circuito para a amostra n-1.
Exemplo 6
Consegue-se um desempenho relativamente melhor para omodelo de tempo pontual 51 empregando um método deintegração melhor, tal como integração trapezoidal.A Equação 6 provê uma substituição adequada da Equação 3.
<formula>formula see original document page 12</formula>
(EQUAÇÃO 6)
A Equação 7 mostra um equivalente de tempomais preciso equivalente ao modelo térmico 51.
<formula>formula see original document page 12</formula>
(EQUAÇÃO 7)
onde,
Qbimetai (n-1) é a energia instantânea estimada (W)dissipada pelo bimetal 8 para a amostra n-1.
Exemplo 7
A figura 3 mostra o algoritmo 58 empregando o modelotérmico do exemplo 6. Em primeiro lugar, em 60, um númerointeiro n, que representa um número de amostra,é estabelecido em zero. A seguir, em 62, uma temperaturade bimetal inicial adequada acima da temperaturaambiente, ΔΤ(0) é estabelecida em u para a amostra 0,qual valor u é um valor pré-determinado (8C) (de modonão limitante, por exemplo, igual a zero; cerca de zero;qualquer valor adequado). Então, em 64, uma energiainstantânea inicial estimada dissipada pelo bimetal,Qbimetai(O), é estabelecida em ν para a amostra 0,qual valor ν é um valor pré-determinado (de modo nãolimitante, por exemplo, igual a zero; cerca de zero;qualquer valor adequado). Então, em 66, se incrementao número inteiro η. A seguir, em 68 e 70, a voltagem dobimetal 8, Vbimetal (n) (V) , e a temperatura ambiente internado disjuntor de circuito Tambiente (n) (8C) sãorespectivamente medidas por ADC 48 (figura 1) . A seguir,em 72, a temperatura absoluta estimada 50 do bimetal (8c)para a amostra η é determinada através da Equação 8,dada abaixo.
<formula>formula see original document page 13</formula>
(EQUAÇÃO 8)
onde,
Tambiente (n) ê a temperatura absoluta do ambiente internodo disjuntor de circuito (8C), por exemplo, medida pelotermistor 2 0 (figura 1); e
ΔΤ(η-Ι), a subida de temperatura previamenteestimada do bimetal 8 em relação à temperatura ambiente
interna do disjuntor de circuito (8C) da amostra n-1.Então, em 74, a resistência elétrica estimada 36do bimetal 8, Rbimetai (η) (ς) , é determinada para a amostraη através da Equação 9, dada abaixo.frftbimetali17))
<formula>formula see original document page 13</formula>
(EQUAÇÃO 9)
onde,
fr(T) é uma função (de modo não limitante,por exemplo, derivada de dados obtidos do fabricante debimetal; quase uma função linear; próxima de uma funçãomisturadora) que representa ou se aproxima da variação daresistência de bimetal (ς) com a temperatura de bimetal(8C) . Isto provê a resistência de bimetal dependente detemperatura corrigida como uma função pré-determinada datemperatura absoluta do bimetal 8.
A seguir, em 76, a corrente elétrica instantânea estimada86 que flui no bimetal - ibimetai (n) (A) - é determinadapara a amostra η através da Equação 10, dada abaixo.
<formula>formula see original document page 14</formula>
(EQUAÇÃO 10)
Então, em 78, a energia instantânea dissipadapelo bimetal Qbimecai (n) (W) é determinada através de umadas Equações 11 e 12, dadas abaixo
<formula>formula see original document page 14</formula>
(EQUAÇÃO 11)
<formula>formula see original document page 14</formula>
(EQUAÇÃO 12)
A seguir, em 80, ΔΤ (n) ê determinado com base no modelotérmico a partir da Equação 7, acima.
Finalmente, em 82 e 84, ΔΤ (n) e Qbimetai (n) sãorespectivamente armazenados para uma próxima interação(amostra n+1), que será repetida na etapa 66.
Então, μΡ4 6, em uma interação inicial do algoritmointerativo 58, determina o seguinte: (a) uma temperaturaabsoluta inicial do bimetal 8 a partir da temperaturaambiente mais um pré-determinado valor u, na etapa 62,(b) uma energia instantânea dissipada pelo bimetal 8na etapa 78, e (c) uma subida de temperatura do bimetal 8em relação à temperatura ambiente na etapa 80. Então,na interação subseqüente do algoritmo interativo 58,μτηΡ 4 6 determina: (d) a temperatura absoluta subseqüentedo bimetal 8 a partir da entrada subseqüente detemperatura ambiente mais a subida de temperatura dobimetal em relação à temperatura ambiente na etapa 72;(e) uma energia instantânea subseqüente dissipada pelobimetal na etapa 78; e (f) uma subida de temperaturasubseqüente do bimetal em relação à temperatura ambientesubseqüente introduzida na etapa 80. Este processocontinua na interação subseqüente do algoritmo interativo58 para refinar a temperatura ambiente do bimetal 8a partir de outra entrada de temperatura ambiente maisa subida de temperatura subseqüente do bimetal 8, e outraenergia instantânea dissipada pelo bimetal 8, e outrasubida de temperatura do bimetal 8 em relação à últimaentrada de temperatura ambiente.
Exemplo 8
A figura 4 mostra o algoritmo 58' empregando o modelotérmico do Exemplo 5. Este algoritmo 58' é similarao algoritmo 58 da figura 3, exceto pelo fato de a etapa64, Qbimetai rn (o) = v, e a etapa 84 de armazenar Qbimetai (η),para uso na próxima interação, não serem empregadas, ede a Equação 5 substituir a Equação 7 na etapa 80'.
Exemplo 9
Um erro de transiente na corrente estimada 86 pode surgirse AT(O) (a subida de temperatura inicial assumidado bimetal 8, em relação à temperatura ambiente na etapa62 das figuras 3 e 4) for diferente da subida detemperatura inicial efetiva do bimetal 8 em relaçãoà temperatura ambiente. Este erro não será pior quede uma unidade de abertura de um disjuntor de circuitoconvencional sem compensação para a variação deresistência de bimetal em função da temperatura, eademais, depois de um certo tempo, este erro cai a zero.Um modo de resolver este erro é estabelecer inicialmenteAT(O) zero, para que a resistência de bimetal estimada 36Rbimetal(n) se j a minimizada e, assim, i bimetal (n) 865 é igualou maior que a corrente efetiva de bimetal 16 (figura 2).
Esta solução proporciona um modo de garantir que o errofique no lado seguro, mas potencialmente pode fazer queos circuitos disjuntores se abram inconvenientementeem alguns instantes.
Exemplo 10
Se os modelos térmicos dos exemplos 5 e 6 não foremparametrizados com precisão, ainda assim os mesmospoderão produzir informações úteis, por exemploa resistência elétrica estimada de bimetal 36 devese aproximar, mas não exceder a resistência elétricaefetiva de bimetal 10 (figura 2). Neste caso, o errorelacionado à temperatura na medição de corrente serádiferente de zero, contudo, menor que de um disjuntorsem compensação de temperatura.
Exemplo 11
Se a resistência elétrica estimada de bimetal 36(calculada por algoritmos 58, 58') for maior quea resistência elétrica efetiva de bimetal 10 (figura 2),então a corrente de disjuntor de circuito estimada 86será menor que a corrente efetiva de disjuntor 16(figura 2). Então, o disjuntor de circuito 2 eos parâmetros de modelo térmico de bimetal (R9 e Ce)devem ser escolhidos adequadamente para isto não ocorrer.
Exemplo 12
O circuito de abertura de exemplo 2 6 tem uma armadura 88,que é atraída por uma força magnética de grandeintensidade gerada por sobre-correntes muito altas,para atuar sobre o mecanismo de operação 18 e prover umafunção de abertura instantânea.
Um sinal de abertura 90 é gerado na saída AFD 44 paraligar um comutador adequado, tal como um retificador desilício (SCR) 92, e energizar o solenóide de abertura 94.Qual solenóide de abertura 94, quando energizado atuasobre o mecanismo de abertura 18, e abre os contatosseparáveis 96. Um resistor 96 em série com a bobina dosolenóide 94 (ou resistência da bobina, no caso doresistor 96) limita a corrente da bobina, e o capacitor98 protege a porta SCR 92 contra picos de voltagem efalsas aberturas por ruído.
Embora as configurações específicas da presente invençãotenham sido descritas em detalhes, deve ser apreciadopor aqueles habilitados na técnica que váriasmodificações e alternativas àqueles detalhes poderão serdesenvolvidos a luz dos ensinamentos desta especificação.Portanto, os particulares arranjos descritos nestadeverão ser tomados como meramente ilustrativos, e denenhuma forma Iimitantes para o escopo desta, cujaextensão total somente será dada nas reivindicaçõesanexas, em qualquer e/ou todos equivalentes.
Claims (22)
1.- Disjuntor de circuito, caracterizado pelo fato decompreender:um alojamento (4);- contatos separáveis (6);um bimetal (8) eletricamente conectado em série comos citados contatos separáveis, o citado bimetalincluindo uma resistência dependente de temperatura (10)e uma saída (12) tendo uma voltagem (14) representativada corrente que flui nos citados contatos separáveis;um mecanismo de operação (18) estruturado de modoà abrir e fechar os citados contatos separáveis;um sensor de temperatura (2 0) distai do citadobimetal, o citado sensor de temperatura incluindouma saída (22) tendo um sinal (24) representativo datemperatura ambiente; eum circuito de abertura (26) cooperativo como citado mecanismo de operação de abertura dos citadoscontatos separáveis, o citado circuito de aberturacompreendendo:um primeiro circuito (28) incluindo uma primeiraentrada (32) eletricamente interconectada com a saídado citado bimetal para introduzir a citada voltagemrepresentativa da corrente que flui aos citados contatosseparáveis, uma segunda entrada (34) eletricamenteinterconectada com a saída do citado sensor detemperatura para introduzir o citado sinal representativoda temperatura ambiente, um modelo térmico de tempo real(29) estruturado de modo a prover uma resistênciadependente de temperatura corrigida (36) do citadobimetal em função da citada voltagem representativada corrente que flui nos contatos separáveis e do citadosinal representativo da temperatura ambiente, e uma saída(38) incluindo um valor de corrente (40), que é funçãoda citada voltagem representativa da corrente que fluinos citados contatos separáveis e da citada resistênciadependente de temperatura corrigida, eum segundo circuito (31) incluindo uma entrada (42)tendo o citado valor de corrente e uma saída (44) paraatuar sobre o citado mecanismo de operação em resposta apré-determinadas condições de corrente.
2. - Disjuntor, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado pelo fato de o citado primeiro circuitocompreender um processador (4 6) estruturado de modoa executar repetidamente um algoritmo interativo(58, 58') como o citado modelo térmico de tempo real.
3. - Disjuntor, de acordo com a reivindicação 2,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado de modo a periodicamenteintroduzir (68, 70) a citada voltagem representativa dacorrente que flui nos contatos separáveis e o citadosinal representativo de temperatura ambiente.
4. - Disjuntor, de acordo com a reivindicação 2,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado em uma interação inicialdo citado algoritmo interativo para determinar (62, 72,- 78, 80, 80') (a) uma temperatura absoluta inicialdo citado bimetal a partir da citada temperatura ambientemais um pré-determinado valor (68), (b) uma energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal (78), e (c) umasubida de temperatura do citado bimetal em relaçãoà citada temperatura ambiente (80, 80'), e em umainteração subseqüente do citado algoritmo interinterativodeterminar (72, 78, 80, 80') (d) uma temperatura absolutasubseqüente do citado bimetal a partir de uma entradasubseqüente da citada temperatura ambiente mais a citadasubida de temperatura do citado bimetal em relaçãoà citada temperatura ambiente (72) , (e) uma energiainstantânea subseqüente dissipada pelo citado bimetal(78) , e (f) uma subida de temperatura subseqüente docitado bimetal em relação à citada temperatura ambientesubseqüente (80, 80') introduzida.
5. - Disjuntor, de acordo com a reivindicação 4,caracterizado pelo fato de o citado valor pré-determinadoser uma constante (u).
6.- Disjuntor, de acordo com a reivindicação 5,caracterizado pelo fato de a citada constante ser zero.
7.- Disjuntor, de acordo com a reivindicação 4,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado de modo a calcular (74)a citada resistência dependente de temperatura corrigidado citado bimetal, como uma função pré-determinadada citada temperatura absoluta subseqüente do citadobimetal.
8.- Disjuntor, de acordo com a reivindicação 7,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado de modo a calcular (76)o citado valor de corrente a partir da citada voltagemdo citado bimetal dividido pela citada resistênciadependente de temperatura corrigida do citado bimetal.
9.- Disjuntor, de acordo com a reivindicação 7,caracterizado pelo fato de oadicionalmente estruturado dea citada energia instantâneapelo citado bimetal a partirvoltagem do citado bimetalcitado processador sermodo a calcular (78)subseqüente dissipadado quadrado da citadadividido pela citadaresistência dependente de temperatura corrigida do citadobimetal.
10.- Disjuntor, de acordo com a reivindicação 7,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado de modo a calcular (80)ΔΤ{η)como a citada subida de temperatura do citado bimetalem relação à citada temperatura ambiente a partir daequação abaixo:<formula>formula see original document page 20</formula>e onde, R9 é a resistência térmica do citado bimetal,Ce a capacitância térmica do citado bimetal, Ts o períodode amostragem entre a citada interação inicial e a citadainteração subseqüente, Qbimetai (n) a citada energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal para a citadainteração subseqüente, Qbimetai (n-1) a citada energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal para a citadainteração inicial, e ΔΤ(n-1) a citada subida detemperatura do citado bimetal em relação à temperaturaambiente para a citada interação inicial.
11. Disjuntor, de acordo com a reivindicação 4,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado em outra interação apósa citada interação subseqüente determinar (72, 78,-80, 80'), (g) outra temperatura absoluta do citadobimetal a partir de outra entrada da citada temperaturaambiente mais a citada subida de temperatura subseqüentedo citado bimetal (72) , (h) outra energia instantâneadissipada pelo citado bimetal para a citada outrainteração após a citada interação subseqüente (78), e(i) outra subida de temperatura do citado bimetalem relação à citada outra temperatura ambiente (80, 80')introduzida.
12. Disjuntor, de acordo com a reivindicação 4,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado de modo a armazenar (82, 84)a citada energia instantânea dissipada pelo citadobimetal e a citada subida de temperatura subseqüentedo citado bimetal para uso por outra interação apósa citada interação subseqüente.
13. Disjuntor, de acordo com a reivindicação 7,caracterizado pelo fato de o citado processador seradicionalmente estruturado de modo a calcular {80')ΔΤ(η)como a citada subida de temperatura do citado bimetalem relação à citada temperatura ambiente a partir daequação abaixo:<formula>formula see original document page 21</formula>onde, R0 é a resistência térmica do citado bimetal,Cθ a capacitância térmica do citado bimetal, Ts o períodode amostragem entre a citada interação inicial e a citadainteração subseqüente, Qbimetai (n) a citada energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal para a citadainteração subseqüente, e ΔΤ(η-Ι) a citada subida detemperatura do citado bimetal em relação à citadatemperatura ambiente para a citada interação inicial.
14. Disjuntor, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado pelo fato de a citada temperatura ambienteser a temperatura dentro do citado alojamento.
15. Método para determinar a temperatura de um bimetal,eletricamente conectado em série com contatos separáveis(6), o citado bimetal incluindo uma saída (12) tendo umavoltagem (14) representativa da corrente (16) que fluiatravés dos citados contatos separáveis, caracterizadopelo fato de compreender:- sensorear (2 0) uma temperatura representativa datemperatura ambiente;- introduzir (32, 48) a citada voltagem representativade corrente que flui através dos contatos separáveis; e- empregar um modelo térmico de tempo real (29) paradeterminar a temperatura do citado bimetal a partir dacitada temperatura sensoreada representativa datemperatura ambiente e a citada voltagem representativada corrente que flui através dos citados contatosseparáveis.
16. Método, de acordo com a reivindicação 15,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreenderexecutar repetidamente um algoritmo interativo (58, 58')como o citado modelo térmico de tempo real.
17. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreender,na interação inicial do citado algoritmo interativo: - determinar (62, 72, 78, 80, 80') (a) uma temperaturaabsoluta inicial subseqüente do citado bimetal a partirda citada temperatura ambiente mais um pré-determinadovalor (62, 72), (b) uma energia instantânea dissipadapelo citado bimetal (78), e (c) uma subida de temperaturado citado bimetal em relação à citada temperaturaambiente (80, 80'); ee na interação subseqüente do citado algoritmointerativo:determinar (72, 78, 80, 80') (d) a temperaturaabsoluta subseqüente do citado bimetal a partir de umatemperatura ambiente subseqüentemente sensoreada maisa citada subida de temperatura do citado bimetalem relação à temperatura ambiente (72); (e) a energiainstantânea subseqüente dissipada pelo citado bimetal(78); e (f) a subida de temperatura subseqüente do citadobimetal em relação à citada temperatura ambientesubseqüentemente sensoreada (80, 80').
18.- Método, de acordo com a reivindicação 17,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreenderempregar uma constante (u) como o citado valor pré-determinado.
19.- Método, de acordo com a reivindicação 17,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreender:calcular (72) a citada resistência dependente detemperatura corrigida do citado bimetal como uma funçãopré-determinada da citada temperatura absolutasubseqüente do citado bimetal;calcular (76) o citado valor de corrente (86)a partir da citada voltagem do citado bimetal divididopela citada resistência dependente de temperaturacorrigida do citado bimetal; e- calcular (78) a citada energia instantâneasubseqüente dissipada pelo citado bimetal a partir doquadrado da citada voltagem do citado bimetal divididopela citada resistência dependente de temperaturacorrigida do citado bimetal.
20.- Método, de acordo com a reivindicação 17,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreender:calcular (80)ΔΤ(η) como a citada subida detemperatura do citado bimetal em relação àtemperatura ambiente a partir da equação abaixo:citada<formula>formula see original document page 24</formula>e onde, Re é a resistência térmica do citado bimetal, C0a capacitância térmica do citado bimetal, Ts o período de amostragem entre a citada interação inicial e a citadainteração subseqüente, Qbimetai (n) a citada energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal para a citadainteração subseqüente, Qbimetai (n-1) a citada energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal em relação à citada temperatura ambiente para a citada interaçãoinicial, e ΔΤ(η-Ι) a citada subida do citado bimetalem relação à temperatura ambiente para a citada interaçãoinicial.
21. Método de acordo com a reivindicação 17,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreender,em outra interação depois da citada interaçãosubseqüente:determinar (72, 78, 80, 80') (g) outra temperaturaabsoluta do citado bimetal a partir de outra entrada da citada temperatura ambiente mais a citada subida detemperatura subseqüente do citado bimetal (72), (h) outraenergia instantânea dissipada pelo citado bimetalpara a citada outra interação após a citada interaçãosubseqüente (78), e (i) outra subida de temperatura do citado bimetal em relação à citada outra temperaturaambiente (80, 80') introduzida.
22. Método, de acordo com a reivindicação 17,caracterizado pelo fato de adicionalmente compreender:calcular (80' )ΔΤ(n) como a citada subida detemperatura do citado bimetal em relação à citadatemperatura ambiente a partir da equação abaixo:<formula>formula see original document page 25</formula>e onde, R0 é a resistência térmica do citado bimetal, C9a capacitância térmica do citado bimetal, Ts o período deamostragem entre a citada interação inicial e a citadainteração subseqüente, Qbimetai (n) a citada energiainstantânea dissipada pelo citado bimetal para a citadainteração subseqüente, e ΔΤ(η-Ι) a citada subida detemperatura do citado bimetal em relação à citadatemperatura ambiente para a citada interação inicial.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/333,002 | 2006-01-17 | ||
| US11/333,002 US7400482B2 (en) | 2006-01-17 | 2006-01-17 | Circuit breaker and method for sensing current indirectly from bimetal voltage and determining bimetal temperature and corrected temperature dependent bimetal resistance |
| PCT/IB2007/000100 WO2007083211A1 (en) | 2006-01-17 | 2007-01-15 | Circuit breaker and method for sensing current indirectly from bimetal voltage and determining bimetal temperature and corrected temperature dependent bimetal resistance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BRPI0706881A2 true BRPI0706881A2 (pt) | 2011-04-12 |
Family
ID=38017347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BRPI0706881-6A BRPI0706881A2 (pt) | 2006-01-17 | 2007-01-15 | disjuntor de circuito, e método para determinar a temperatura de um bimetal |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7400482B2 (pt) |
| EP (1) | EP1974426A1 (pt) |
| CN (1) | CN101371414B (pt) |
| AU (1) | AU2007206650B2 (pt) |
| BR (1) | BRPI0706881A2 (pt) |
| CA (1) | CA2633123A1 (pt) |
| CR (1) | CR10154A (pt) |
| WO (1) | WO2007083211A1 (pt) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005104159A1 (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 熱動式引き外し装置及びそれを用いた回路遮断器 |
| US7685447B2 (en) * | 2006-07-05 | 2010-03-23 | Eaton Corporation | Circuit interrupter and method modulating configurable processor clock to provide reduced current consumption |
| CN100544150C (zh) * | 2007-08-22 | 2009-09-23 | 董右云 | 智能化电能管理系统总装置 |
| DE102008039334B4 (de) * | 2008-08-22 | 2016-01-14 | Airbus Defence and Space GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum optimierten Energiemanagement |
| US8665574B2 (en) | 2010-11-12 | 2014-03-04 | Schneider Electric USA, Inc. | Thermal memory in a fault powered system |
| US10598703B2 (en) | 2015-07-20 | 2020-03-24 | Eaton Intelligent Power Limited | Electric fuse current sensing systems and monitoring methods |
| KR102295771B1 (ko) | 2017-10-12 | 2021-08-31 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 컨택터 코일 전류를 이용한 컨택터 수명 진단 시스템 및 방법 |
| CN108597962B (zh) | 2018-03-22 | 2020-09-08 | 华为技术有限公司 | 一种小型断路器及其控制方法、系统 |
| US11289298B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-03-29 | Eaton Intelligent Power Limited | Monitoring systems and methods for estimating thermal-mechanical fatigue in an electrical fuse |
| US11143718B2 (en) | 2018-05-31 | 2021-10-12 | Eaton Intelligent Power Limited | Monitoring systems and methods for estimating thermal-mechanical fatigue in an electrical fuse |
| FR3084216B1 (fr) * | 2018-07-19 | 2020-09-11 | Thales Sa | Dispositif d'emulation d'un bilame, et dispositif de protection d'une ligne electrique vis-a-vis d'une surintensite |
| EP3974848B1 (en) | 2020-09-24 | 2024-07-31 | ABB Schweiz AG | Arc fault detection device with wideband sensor |
| US11817693B2 (en) * | 2021-10-29 | 2023-11-14 | Eaton Intelligent Power Limited | Electronic trip unit with thermal capacity measurement and display |
| GB2623323A (en) * | 2022-10-11 | 2024-04-17 | Eaton Intelligent Power Ltd | Contactor arrangement and method for operating a contactor arrangement |
| CN120638239B (zh) * | 2025-08-13 | 2026-03-06 | 慈溪市鸣鹤兴华电器有限公司 | 一种双金属片断开电路控制方法及系统 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4245780A (en) * | 1978-04-18 | 1981-01-20 | Eaton Corporation | Temperature regulator assembly and signal modulator therefor |
| US4327397A (en) * | 1980-06-04 | 1982-04-27 | Mccleery Winston T | Computer power/temperature protector |
| US4420033A (en) * | 1980-09-24 | 1983-12-13 | Eaton Corporation | System for automatically controlling vehicle compartment temperature and transducer therefor |
| CA1193317A (en) * | 1982-05-07 | 1985-09-10 | Canadian General Electric Company Limited | Thermal model for electrical apparatus |
| US4486733A (en) * | 1982-09-29 | 1984-12-04 | Eaton Corporation | Thermal mechanism with ambient compensating bimetal providing trip force |
| US4538199A (en) * | 1983-07-14 | 1985-08-27 | Eaton Corporation | Electrothermal wire responsive miniature precision current sensor |
| US4517543A (en) * | 1983-12-01 | 1985-05-14 | Eaton Corporation | SME overcurrent protective apparatus having ambient temperature compensation |
| US4536736A (en) * | 1984-05-08 | 1985-08-20 | Eaton Corporation | Thermostat |
| US4633210A (en) * | 1985-11-04 | 1986-12-30 | Eaton Corporation | Thermal overload relay with improved response |
| US4866559A (en) * | 1988-07-26 | 1989-09-12 | Texas Instruments Incorporated | Solid state circuit protector |
| US5475371A (en) * | 1990-06-25 | 1995-12-12 | Cooper Industries, Inc. | Faulted circuit detector having isolated indicator |
| US5222009A (en) * | 1990-07-30 | 1993-06-22 | Eaton Corporation | Solid state overload relay |
| US5224006A (en) * | 1991-09-26 | 1993-06-29 | Westinghouse Electric Corp. | Electronic circuit breaker with protection against sputtering arc faults and ground faults |
| US5198956A (en) * | 1992-06-19 | 1993-03-30 | Square D Company | Overtemperature sensing and signaling circuit |
| US5318268A (en) * | 1993-06-10 | 1994-06-07 | Eaton Corporation | Thermally actuated valve with ambient temperature compensation |
| ES2150971T3 (es) * | 1993-09-01 | 2000-12-16 | Schneider Electric Ind Sa | Dispositivo de proteccion electronica. |
| US5691869A (en) * | 1995-06-06 | 1997-11-25 | Eaton Corporation | Low cost apparatus for detecting arcing faults and circuit breaker incorporating same |
| US6297607B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-10-02 | Eaton Corporation | Thermal compensation control for a motor starter |
| JP2001006518A (ja) * | 1999-04-23 | 2001-01-12 | Sony Chem Corp | 過電流保護装置 |
| US6813131B2 (en) * | 2001-08-27 | 2004-11-02 | Eaton Corporation | Circuit breaker, trip assembly, bimetal compensation circuit and method including compensation for bimetal temperature coefficient |
| US6876532B2 (en) * | 2002-04-29 | 2005-04-05 | Eaton Corporation | Circuit interrupter trip unit |
| US7492562B2 (en) * | 2003-09-10 | 2009-02-17 | Siemens Energy & Automation, Inc. | AFCI temperature compensated current sensor |
| US7499250B2 (en) * | 2006-04-19 | 2009-03-03 | Siemens Energy & Automation, Inc. | Systems, devices, and methods for temperature compensation in arc fault detection systems |
-
2006
- 2006-01-17 US US11/333,002 patent/US7400482B2/en active Active
-
2007
- 2007-01-15 CN CN2007800024733A patent/CN101371414B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-15 AU AU2007206650A patent/AU2007206650B2/en not_active Ceased
- 2007-01-15 CA CA002633123A patent/CA2633123A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-15 EP EP07705432A patent/EP1974426A1/en not_active Withdrawn
- 2007-01-15 BR BRPI0706881-6A patent/BRPI0706881A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-01-15 WO PCT/IB2007/000100 patent/WO2007083211A1/en not_active Ceased
-
2008
- 2008-07-17 CR CR10154A patent/CR10154A/es not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1974426A1 (en) | 2008-10-01 |
| WO2007083211A1 (en) | 2007-07-26 |
| AU2007206650B2 (en) | 2010-05-27 |
| CN101371414A (zh) | 2009-02-18 |
| US7400482B2 (en) | 2008-07-15 |
| CN101371414B (zh) | 2010-12-01 |
| CR10154A (es) | 2008-09-26 |
| US20070165349A1 (en) | 2007-07-19 |
| AU2007206650A1 (en) | 2007-07-26 |
| CA2633123A1 (en) | 2007-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BRPI0706881A2 (pt) | disjuntor de circuito, e método para determinar a temperatura de um bimetal | |
| US11248966B2 (en) | Health monitoring and failure prognosis of power electronics devices | |
| CN112703380B (zh) | 电仪表热性能监测 | |
| US8436600B2 (en) | Apparatus for detecting a state of operation of a power semiconductor device | |
| CN101861689B (zh) | 导线保护方法和导线保护装置 | |
| AU2007221959B2 (en) | Circuit interrupter including a shunt wire current sensor and a processor having a thermal overload predictive function | |
| CN103201922A (zh) | 故障驱动系统中的热记忆 | |
| TW200941907A (en) | System and method for improving inductor current sensing accuracy of a DC/DC voltage regulator | |
| WO2010045221A1 (en) | Temperature monitoring and control system for negative temperature coefficient heaters | |
| EP1744429A2 (en) | Method and Apparatus Applying Virtual Delta T Trip Criterion in Power Distribution | |
| BR112014005976B1 (pt) | Dispositivo e método para proteger uma carga | |
| CN107807253A (zh) | 风速测定装置及风量测定装置 | |
| JP2003014552A (ja) | 温度検知装置 | |
| CN111781969B (zh) | 温度控制电路、装置、芯片封装测试系统 | |
| JP6247323B2 (ja) | インバータのトリップの制御方法 | |
| KR20200073470A (ko) | 전원공급장치의 과전압 보호회로 | |
| CN220252039U (zh) | 电流检测组件 | |
| EP3742139A1 (en) | Testing method for non-invasive temperature measuring instruments | |
| US12323053B2 (en) | Automatic rating adjustment for power converter modules | |
| JP4170804B2 (ja) | 計量装置における重量信号補償装置 | |
| JPS58145084A (ja) | 発熱体の温度制御方式 | |
| KR20050107852A (ko) | 반도체 전력소자의 온도 추정장치 및 방법 | |
| BR112021004438B1 (pt) | Método de monitoramento de um estado funcional de um medidor de eletricidade, portadora de dados legível por computador, sinal da portadora de dados, medidor de eletricidade e sistema de medição de eletricidade | |
| Baraniuk et al. | Thermal and Surge Current Protection Means for Semiconductor Non-Isolated Power Converters | |
| Nicolics et al. | Investigation of the pulse load behavior of power wire-wound resistors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| B08F | Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE 6A. ANUIDADE(S). |
|
| B08K | Patent lapsed as no evidence of payment of the annual fee has been furnished to inpi [chapter 8.11 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE AO DESPACHO 8.6 PUBLICADO NA RPI 2223 DE 13/08/2013. |