BRPI0708219A2 - contato frontal com base em óxido de zinco ìndio para dispositvo fotovoltaico e método para produzir o mesmo - Google Patents
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Abstract
CONTATO FRONTAL COM BASE EM óXIDO DE ZINCO ìNDIO PARA DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO E MéTODO PARA PRODUZIR O MESMO. A presente invenção refere-se a um dispositivo fotovoltaico inclu indo um contato frontal e/ou um método para produzir o mesmo. Em certas modalidades de exemplificação, o contato frontal de óxido transparente condutivo (TCO) é de óxido de zinco índio (IZO). Em outras modalidades de exemplificação, o IZO pode ter outro(s) elemento(s), como prata (Ag), adicio-nado(s) a ele de modo que o contato frontal pode, por exemplo, ser compos- to de, ou incluir, óxido de prata alumínio zinco (ZnAIAgO). Além disso, em certas modalidades de exemplificação, o contato frontal (por exemplo, IZO ou ZnAIAgO) pode ser depositado por pulverização de uma forma deficiente de oxigênio (subestequiométrica); de modo que o subseqúente tratamento térmico ou cozimento usado na fabricação do dispositivo fotovoltaico (por exemplo, para subseqúente formação de camada) resulta em uma máxima estequiometria, que pode ou não ser subestequiométrica no produto final.
Description
Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "CONTATOFRONTAL COM BASE EM ÓXIDO DE ZINCO ÍNDIO PARA DISPOSITIVOFOTOVOLTAICO E MÉTODO PARA PRODUZIR O MESMO".
A presente invenção refere-se a um dispositivo fotovoltáico inclu-indo um contato frontal. Em certas modalidades de exemplificação, o contatofrontal de oxido transparente condutivo (TCO) é de oxido de zinco índio (I-ZO). Em outras modalidades de exemplificação, o IZO pode ter outro(s) ele-mento^), como prata (Ag), adicionado(s) a ele de modo que o contato frontalpossa ser feito de, ou incluir, por exemplo, oxido de prata-alumínio-zinco(ZnAIAgO). Além disso, em certas modalidades de exemplificação, o contatofrontal (por exemplo, IZO ou ZnAIAgO) pode ser depositado por pulverizaçãoem uma forma não-estequiométrica e deficiente em oxigênio, de modo que osubseqüente cozimento ou tratamento térmico de contato com o corpo dodispositivo fotovoltáico cause também a otimização do contato frontal demodo que ocorra a sua oxidação adicional, resultando disso uma estequio-metria máxima que pode ou não ser subestequiométrica no produto final.
ANTECEDENTES E SUMÁRIO DAS MODALIDADES DE EXEMPLIFICA ÇÃO DA INVENÇÃO
Os dispositivos fotovoltaicos são conhecidos na técnica (por e-xemplo, ver as patentes números U.S. 6.784.361, U.S. 6.288.325, U.S.6.613.603 e U.S. 6.123.824, cujas revelações são por meio desta incorpora-das aqui como referência). Dispositivos fotovoltaicos de silício amorfo, porexemplo, incluem um contato frontal ou eletrodo. Tipicamente, o contatofrontal é feito de um oxido condutivo transparente (TCO), formado em umsubstrato, como substrato de vidro. Em muitos casos, o contato frontal éformado usando um método de pirólise química, quando são pulverizadosprecursores sobre o substrato de vidro a aproximadamente 400 a 500 grausC (centígrados). Desafortunadamente, as películas de TCO, como Sn02:F(oxido de estanho dopado com flúor), formadas em substratos de vidro porpirólise química sofrem de não-uniformidade e, deste modo, podem ser im-previsíveis e/ou inconsistentes em relação a determinadas propriedades óti-cas e/ou elétricas.Assim, deverá ser avaliado que existe uma necessidade na téc-nica em relação a um material de contato frontal aperfeiçoado para dispositi-vos fotovoltaicos.
Verificou-se que um TCO formado de, ou incluindo, oxido de zin-co índio (IZO) é altamente vantajoso para aplicações em contatos frontaisem dispositivos fotovoltaicos (como, por exemplo, dispositivos fotovoltaicoscom base em silício amorfo). As vantagens do IZO incluem a sua capacida-de de ser depositado de um modo condutivo a aproximadamente temperatu-ra ambiente (por exemplo, através de pulverização catódica). Além disso,quando depositado em certas proporções de zinco/índio e/ou utilizando cer-tas condições, descobriu-se que o contato frontal com base em IZO aumentaa sua condutividade elétrica quando cozido a temperaturas tais como 200-400 graus centígrados, mais preferivelmente em torno de 200-300 grauscentígrados (podem ser usadas temperaturas similares em técnicas de fabri-cação de baterias solares a-Si (sílica-a) para aumentar o desempenho depilha).
Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, ocontato frontal com base em IZO é depositado em um modo de deficiênciade oxigênio (subestequiométrico). Pode ser usada pulverização catódica aaproximadamente temperatura ambiente para a deposição do contato frontalem certos casos de exemplificação, embora, em vez disso, outras técnicaspossam ser usadas em certas situações. Por exemplo, o contato frontal combase em IZO pode ser depositado por pulverização utilizando alvo(s) de ce-râmica, ou podem ser depositadas por pulverização usando alvo(s) de cerâ-mica, ou podem ser depositadas usando um alvo de metal de InZn (índiozinco) (ou ZnAIAg (zinco alumínio prata)) em uma atmosfera de pulverizaçãocatódica reativa incluindo gases de oxigênio e argônio. A composição gaso-sa, ou mistura, pode ser escolhida de modo a tornar subestequiométrico omaterial depositado inicialmente, de modo que o subseqüente cozimentodurante o tratamento térmico do dispositivo fotovoltaico resulte em uma má-xima estequiometria de IZO ou ZnAIAg (por exemplo, uma quantidade apro-priada de oxidação) para o contato frontal de TCO.Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, ocontato frontal de TCO é consideravelmente livre, ou inteiramente livre deflúor. Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, o contatofrontal de TCO pode ter uma resistência de lâmina (Rs) de cerca de 7-50ohms/quadrado, mais preferivelmente de cerca de 10-25 ohms/quadrado, eo mais preferivelmente de cerca de 10-15 ohms/quadrado, utilizando um e-xemplo de referência de espessura não Iimitante de cerca de 1.000 a 2.000angstrõms.
A deposição por pulverização de um TCO (óxido condutivotransparente) a aproximadamente temperatura ambiente para um contatofrontal deve ser desejável, supondo que a maioria das plataformas de fabri-cação de vidro não são equipadas com sistemas de aquecimento no local.
Além disso, uma vantagem potencial adicional de películas de TCO deposi-tadas por pulverização é que elas podem incluir a integração de revestimen-tos anti-reflexão, redução de resistividade e assim por diante. Por exemplo,um revestimento anti-reflexão simples ou em multicamadas pode ser dispos-to entre o substrato de vidro e o contato frontal de TCO.
Em certas modalidades de exemplificação da presente invenção,é fornecido um dispositivo fotovoltaico com base em silício amorfo compre-endendo: um substrato de vidro frontal; uma película semicondutora ativacompreendendo silício amorfo; um eletrodo frontal eletricamente condutivo esubstancialmente transparente, localizado pelo menos entre o substrato devidro frontal e a película semicondutora ativa; um eletrodo traseiro, no qual apelícula semicondutora ativa é disposta entre pelo menos o eletrodo frontal eo eletrodo traseiro; e no qual o eletrodo frontal compreende óxido de zincoíndio. Em certas modalidades de exemplificação, é também providenciadoum superestrato de vidro, no qual o eletrodo traseiro é localizado entre pelomenos a superestrutura de vidro e a película semicondutora ativa. Em certasmodalidades de exemplificação, uma proporção In/Zn (índio/zinco) no eletro-do frontal compreendendo óxido de zinco índio é em torno de 7/1 a 13/1,mais preferivelmente cerca de 8/1 a 10/1.
Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, éproporcionado um dispositivo fotovoltaico compreendendo: um substrato devidro frontal; uma película semicondutora ativa; um eletrodo frontal eletrica-mente condutivo e substancialmente transparente, localizado entre pelo me-nos o substrato de vidro frontal e a película semicondutora ativa; e no qual oeletrodo frontal compreende IZO e/ou ZnAIAgO.
Em outras modalidades de exemplificação desta invenção, éproporcionado um método para fazer um dispositivo fotovoltaico, o métodoincluindo: depositar por pulverização um eletrodo frontal compreendendoóxido de zinco índio sobre um substrato de vidro em aproximadamente tem-peratura ambiente; formar uma película semicondutora ativa no substrato devidro sobre pelo menos o eletrodo frontal compreendendo óxido de zincoíndio; e, durante ou seguindo-se à formação da película semicondutora ativa,submeter pelo menos o eletrodo frontal a tratamento térmico de pelo menos200 graus centígrados, o que além disso oxida o eletrodo frontal compreen-dendo óxido de zinco índio, de modo a ativar a sua desejada estequiometria.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
A Figura 1 é uma vista de corte transversal de um exemplo dedispositivo fotovoltaico, de acordo com uma modalidade de exemplo destainvenção.
A Figura 2 é um diagrama de fluxo ilustrando um método parafazer um dispositivo fotovoltaico, de acordo com uma modalidade de exem-plo desta invenção.
DESCRIÇÃO DETALHADA DE MODALIDADES DE EXEMPLIFICAÇÃO DAINVENÇÃO
Dispositivos fotovoltaicos, como baterias solares, convertem aradiação solar e outras fontes de luz em energia elétrica utilizável. A radia-ção solar (por exemplo, luz solar) incidindo em um dispositivo fotovoltaico eabsorvida por uma região ativa de material semicondutor (por exemplo, umaou mais camadas de silício amorfo) gera pares de elétrons-buracos na regi-ão ativa. Os elétrons e buracos podem ser separados por um campo elétricode uma junção no dispositivo fotovoltaico. A separação dos elétrons e bura-cos pela junção resulta na geração de uma corrente elétrica e voltagem. Emcertas modalidades de exemplificação, os elétrons fluem em direção à regiãodo material semicondutor tendo condutividade tipo-n, e os buracos fluem emdireção à região do semicondutor tendo condutividade tipo-p. A corrente po-de fluir através de um circuito externo conectando a região tipo-n à regiãotipo-p, enquanto a luz continua a gerar pares de elétrons-buracos no disposi-tivo fotovoltaico.
Em certas modalidades de exemplificação, junções simples dedispositivos fotovoltaicos de silício amorfo (a-Si) incluem três camadas desemicondutores. Em particular, uma camada-p, uma camada-n e uma ca-mada-i que é intrínseca. Em certas modalidades de exemplificação destainvenção, a camada de silício amorfo (que pode incluir uma ou mais cama-das, tais como camadas ρ, η e i) pode ser de silício amorfo hidrogenado emcertos casos, mas também pode ser composto por, ou incluir, carbono silícioamorfo hidrogenado ou germânio silício amorfo hidrogenado, ou similares.
Por exemplo, e sem limitação, quando um fóton de luz é absorvido na cama-da-i, ele dá origem a uma unidade de corrente elétrica (um par de elétron-buraco - "an-electron-hole pais"). As camadas ρ e n, que contêm íons do-pantes carregados, estabelecem um campo elétrico através da camada-i queatrai a carga elétrica para fora da camada-i e a envia para um circuito exter-no opcional, onde ela pode proporcionar energia para componentes elétri-cos. Observa-se que embora certas modalidades de exemplificação destainvenção sejam orientadas em direção a dispositivos fotovoltaicos com ba-ses em silício amorfo, esta invenção não é limitada a isto, e, em certos ca-sos, pode ser usada junto com outros tipos de dispositivos fotovoltaicos.
A Figura 1 é uma vista de corte transversal de um dispositivofotovoltaico, de acordo com uma modalidade de exemplo desta invenção. Odispositivo fotovoltaico inclui o substrato de vidro frontal transparente 1, oeletrodo frontal ou contato 3, o qual é formado de, ou inclui, TCO, como oxi-do de zinco índio (IZO) e/ou oxido de prata alumínio zinco (ZnAIAgO), a pelí-cuia semicondutora ativa 5 de uma ou mais camadas semicondutoras, o ele-trodo traseiro ou contato 7, que pode ser de um TCO ou um metal, um en-capsulante opcional 9 ou adesivo de um material como acetato de vinila eti-Ieno (EVA) ou similar, e um superestrato opcional 11, de um material comovidro. Naturalmente, outra(s) camada(s) que não está (estão) mostrada(s)pode(m) ser proporcionada(s) no dispositivo, como entre o substrato de vidrofrontal 1 e o contato frontal 3, ou entre outras camadas do dispositivo.
Descobriu-se que um TCO formado de, ou incluindo, óxido dezinco índio (IZO) é altamente vantajoso para o eletrodo frontal condutivo oucontato 3. As vantagens do IZO incluem sua capacidade de ser depositadode um modo condutivo em aproximadamente temperatura ambiente (por e-xemplo, por intermédio de pulverização catódica). Além disso, quando depo-sitado com certas proporções índio/zinco e/ou usando certas condições, foidescoberto que o contato frontal com base em IZO 3 aumenta a sua condu-tividade quando cozido subseqüentemente a temperaturas tais como 200-400 graus centígrados, mais preferivelmente em torno de 200-300 grauscentígrados (podem ser usadas temperaturas similares em técnicas de fabri-cação de baterias solares a-Si para aperfeiçoar o desempenho de pilha).
Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, o ele-trodo frontal de TCO ou contato 3 é substancial ou inteiramente livre de flúor.Isto pode ser vantajoso em assuntos de poluição. Em certas modalidades deexemplificação desta invenção, o contato frontal de TCO 3, antes e/ou de-pois do tratamento térmico, pode ter uma resistência de lâmina (Rs) em tor-no de 7-50 ohms/quadrado, mais preferivelmente em torno de 10-25ohms/quadrado, e o mais preferivelmente em torno de 10-15ohms/quadrado, usando um exemplo não Iimitante de espessura em tornode 1.000 a 2.000 ângstroms, de modo a assegurar condutividade adequada.
Uma vantagem adicional potencial de películas de TCO deposi-tadas por pulverização para eletrodos frontais/contatos 3 é que elas podempermitir a integração de um revestimento anti-reflexão e/ou de compressãode cor (não-mostrado) entre o contato frontal 3 e o substrato de vidro 1. 0revestimento anti-reflexão (não-mostrado) pode incluir uma ou múltiplas ca-madas em diferentes modalidades desta invenção. Por exemplo, o revesti-mento anti-reflexão pode incluir uma camada de dielétrico indicadora de altarefratividade imediatamente adjacente ao substrato de vidro 1, e outra ca-mada de dielétrico indicadora de refratividade menor imediatamente adja-cente ao contato frontal 3. Assim, uma vez que o contato frontal está nosubstrato de vidro 1, deverá ser observado que o termo "on", como aqui u-sado, cobre tanto diretamente sobre quanto indiretamente sobre com outrascamadas entre elas.
Os eletrodos frontais ou contatos 3 formados por, ou incluindoIZO podem ser de qualquer estequiometria adequada, em certas modalida-des desta invenção. No entanto, a mais preferida é uma proporção de In/Znna camada de TCO 3 em torno de 7/1 a 13/1, mais preferivelmente em tornode 8/1 a 10/1. Descobriu-se que tais proporções são vantajosas em relaçãoà durabilidade e condutividade nas aplicações de eletrodos.
Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, o IZO(ou InZnOx), como depositado no eletrodo frontal/película de contato 3 éamorfo, e pode permanecer amorfo após o recozimento. Deve ser observadoque o IZO é um material de tipo substituto, significando que dois materiais(por exemplo, In2O3 e ZnO) fundem-se para produzir uma nova liga. Tipica-mente, uma condutividade máxima pode ser obtida quando o IZO é amorfo.Em outras palavras, um eletrodo frontal amorfo 3 é vantajoso, uma vez quepode ser obtida uma condutividade aperfeiçoada. No entanto, em outrasmodalidades de exemplificação desta invenção, o IZO não necessita seramorfo e pode, por exemplo, ser cristalino.
Em certas modalidades de exemplificação desta invenção, osubstrato de vidro frontal 1 e/ou o superestrato traseiro 11 podem ser feitosde vidro com base em sílica-cal soldada. Enquanto os substratos 1, 11 po-dem ser de vidro em certas modalidades de exemplificação desta invenção,outros materiais, como quartzo ou similar, podem ser usados em seu lugar.Além disso, o superestrato 11 pode ser opcional em certos casos. O vidro 1e/ou 11 pode ou não ser temperado termicamente em diferentes modalida-des desta invenção.
A região semicondutora ativa ou película 5 pode incluir uma oumais camadas, e pode ser de qualquer material adequado. Por exemplo, apelícula semicondutora ativa 5 de um tipo de dispositivo fotovoltaico de silí-cio amorfo (a-Si) de junção simples inclui três camadas semicondutores, ouseja, uma camada-p, uma camada-n e uma camada-i. Estas camadas depelícula baseadas em silício amorfo 5 podem ser de silício amorfo hidroge-nado em certos casos, mas também podem ser formadas por, ou incluir,carbono silício amorfo hidrogenado, ou germânio silício amorfo hidrogenado,ou outro(s) material(ais) adequado(s), em certas modalidades de exemplifi-cação desta invenção. Em modalidades alternativas desta invenção, é pos-sível que a região ativa 5 seja de um tipo de junção dupla.
O contato traseiro ou eletrodo 7 pode ser de qualquer materialeletricamente condutivo adequado. Por exemplo, e sem limitação, em certoscasos, o contato traseiro ou eletrodo 7 pode ser de um material de TCO e/oude um metal. Exemplos de materiais de TCO para uso em um contato trasei-ro ou eletrodo 7 incluem óxido de zinco índio, oxido de estanho índio (ITO),oxido de estanho, e/ou óxido de zinco que pode ser dopado com alumínio (oqual pode ou não ser dopado com prata). O TCO do contato traseiro 7 podeser do tipo de camada simples ou do tipo de multicamadas em casos dife-rentes. Além disso, em certos casos, o contato traseiro 7 pode incluir ambasas porções de um TCO e um metal. Por exemplo, em uma modalidade deexemplo de multicamadas, a porção de TCO do contato traseiro 7 pode in-cluir uma camada de um material, como óxido de zinco índio (que pode ounão ser dopado com prata), óxido de estanho índio (ITO), e/ou óxido de zin-co, mais próxima da região ativa 5, e outra camada condutiva e possivel-mente refletiva de um material, como prata, molibdênio, platina, aço, ferro,nióbio, titânio, cromo, bismuto, antimônio ou alumínio, mais distante da regi-ão ativa 5 e mais próxima do superestrato 11. A porção de metal pode sermais próxima do superestrato 11, comparada com a porção de TCO do con-tato traseiro.
O módulo fotovoltaico pode ser encapsulado ou parcialmentecoberto com um material encapsulante, como o encapsulante 9, em certasmodalidades de exemplificação. EVA é um exemplo de encapsulante ou a-desivo para a camada 9. No entanto, em diferentes casos, podem ser usa-dos em seu lugar outros materiais para a camada 9, tais como plástico tipoTedlar, plástico tipo Nuvasil, plástico tipo Tefzel1 ou similares.
A Figura 2 é um fluxograma ilustrando etapas para a confecçãode urn dispositivo fotovoltaico, de acordo com certas modalidades de exem-plificação desta invenção. Nesta modalidade de exemplo, o contato frontalcom base em IZO 3 é depositado de um modo deficiente de oxigênio (subes-tequiométrico). Pode ser usada pulverização catódica em aproximadamentetemperatura ambiente para a deposição do contato frontal em certos casosde exemplificação, embora, em vez disso, em certos casos, possam ser u-sadas outras técnicas. Em S1 da Figura 2, o contato frontal com base emIZO 3 pode ser depositado por pulverização em aproximadamente tempera-tura ambiente no substrato de vidro 1 (direta ou indiretamente), usando al-vo(s) de cerâmica, ou pode ser depositado por pulverização usando um alvode metal de InZn (ou ZnAIAg) em uma atmosfera de pulverização catódicareativa incluindo gases argônio e oxigênio. A composição gasosa, ou mistu-ra, pode ser escolhida em S1 de modo a fazer o material inicialmente depo-sitado subestequiométrico ou deficiente em oxigênio. Depois disso, em S2,são formadas outras camadas do dispositivo sobre o contato frontal, como apelícula 5 (e camadas opcionais 7 e/ou 9). Em S3, o tratamento térmico, co-mo cozimento, usado durante a fabricação do dispositivo fotovoltaico produza estequiometria máxima (por exemplo, por oxidação ou similar) do contatofrontal 3, e assim resulta uma estequiometria ótima de IZO ou ZnAIAgO parao contato frontal seguindo-se ao tratamento térmico. O tratamento térmico deS3 pode ser realizado durante ou depois da formação de uma ou mais ca-madas 5, 7 e/ou 9 do dispositivo. Além disso, o tratamento térmico pode usartemperaturas em torno de 200 a 400, mais preferivelmente em torno de 200a 300 graus centígrados.
Embora a invenção tenha sido descrita em conexão com o que épresentemente considerado como sendó a modalidade mais prática e prefe-rida, deverá ser entendido que a invenção não deve ser limitada à modalida-de descrita, mas ao contrário, objetiva cobrir as diversas modificações e dis-posições equivalentes incluídas dentro do espírito e objetivo das reivindica-ções anexadas.
Claims (20)
1. Dispositivo fotovoltaico com base em silício amorfo, compre-endendo,um substrato de vidro frontal;uma película semicondutora ativa compreendendo silício amorfo;um eletrodo frontal eletricamente condutivo e substancialmentetransparente, localizado entre pelo menos o substrato de vidro frontal e apelícula semicondutora ativa;um eletrodo traseiro, no qual a película semicondutora ativa éproporcionada entre pelo menos o eletrodo frontal e o eletrodo traseiro; eno qual o eletrodo frontal compreende oxido de zinco índio.
2. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1,compreendendo ainda um superestrato de vidro, em que o eletrodo traseiroestá localizado entre pelo menos o superestrato de vidro e a película semi-condutora ativa.
3. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque uma proporção In/Zn no eletrodo frontal compreendendo oxido de zincoíndio está em torno de 7/1 a 13/1.
4. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque uma proporção In/Zn no eletrodo frontal compreendendo oxido de zincoíndio está em torno de 8/1 a 10/1.
5. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque o eletrodo frontal compreende oxido de zinco índio amorfo.
6. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 2,compreendendo ainda uma camada incluindo EVA (Acetato de Vinila Etile-no) localizada entre a superestrutura de vidro e o eletrodo traseiro.
7. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque o eletrodo traseiro compreende óxido de zinco índio.
8. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque o eletrodo frontal tem uma resistência de lâmina (Rs) de cerca de 7-50ohms/quadrado.
9. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque o eletrodo frontal tem uma resistência de lâmina (Rs) de cerca de 10-15ohms/quadrado.
10. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 1, emque a silício amorfo é hidrogenada.
11. Dispositivo fotovoltaico compreendendo:um substrato de vidro frontal;uma película semicondutora ativa;um eletrodo frontal eletricamente condutivo e substancialmentetransparente, localizado entre pelo menos um substrato de vidro frontal e apelícula semicondutora ativa; eno qual o eletrodo frontal compreende IZO e/ou ZnAIAgO.
12. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 11,compreendendo ainda um superestrato de vidro e no qual o eletrodo estálocalizado entre pelo menos o superestrato de vidro e a película semicondu-tora ativa.
13. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 11,em que o eletrodo frontal compreende IZO, e no qual uma proporção IN/Znno eletrodo frontal compreendendo IZO está em torno de 7/1 a 13/1.
14. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 13,em que a proporção In/Zn está em torno de 8/1 a 10/1.
15. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 11,em que o eletrodo frontal é amorfo.
16. Dispositivo fotovoltaico, de acordo com a reivindicação 11,em que o eletrodo frontal tem uma resistência de lâmina (Rs) em torno de-10-20 ohms/quadrado.
17. Método para fazer um dispositivo fotovoltaico, o métodocompreendendo:depositar por pulverização um eletrodo frontal compreendendooxido de zinco índio em um substrato de vidro a aproximadamente tempera-tura ambiente;formar uma película semicondutora ativa no substrato de vidrosobre pelo menos o eletrodo frontal compreendendo oxido de zinco índio; edurante ou em seguida à formação da película semicondutoraativa, submeter pelo menos o eletrodo frontal a tratamento térmico de pelomenos 200 graus centígrados, que ainda oxida o eletrodo frontal compreen-dendo oxido de zinco índio de modo a adquirir a desejada estequiometria damesma.
18. Método, de acordo com a reivindicação 17, em que o trata-mento térmico está em torno de 200-400 graus centígrados.
19. Método, de acordo com a reivindicação 17, em que o eletro-do frontal é amorfo antes e depois do tratamento térmico.
20. Método, de acordo com a reivindicação 17, em que uma rela-ção In/Zn no eletrodo frontal está em torno de 7/1 a 13/1.
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