BRPI0708509A2 - multiple x-ray generator and multiple x-ray imaging apparatus - Google Patents

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BRPI0708509A2
BRPI0708509A2 BRPI0708509-5A BRPI0708509A BRPI0708509A2 BR PI0708509 A2 BRPI0708509 A2 BR PI0708509A2 BR PI0708509 A BRPI0708509 A BR PI0708509A BR PI0708509 A2 BRPI0708509 A2 BR PI0708509A2
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BRPI0708509-5A
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Masahiko Okunuki
Osamu Tsujii
Takeo Tsukamoto
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Canon Kk
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Abstract

GERADOR DE RAJOS-X MULTIPLOS, E, APARELHO DE FORMAçãO DE IMAGEM DE RAIOS-X MULTIPLOS Um aparelho compacto pode formar feixes de raios-X múltiplos com boa controlabilidade. Feixes de elétrons (e) emitidos pelos elementos de emissão de elétrons (15) de uma unidade geradora de feixe de elétrons múltiplos (12) recebem o efeito de lente de um eletrodo de lente (19). Os feixes de elétrons resultantes são acelerados até o nível de potencial final por porções de uma porção alvo do tipo transmissão (13) de um eletrodo anodo (20). Os feixes de raios-X múltiplos (x) gerados pela porção alvo do tipo transmissão (13) passam através de uma placa de blindagem de raios-X (23) e porções de extração de raios-X (24) em uma câmara de vácuo e sãoextraídos das janelas de extração de raios-X (27) de uma porção de parede (25) para a atmosfera.MULTIPLE X-RAY GENERATOR, E, MULTIPLE X-RAY IMAGE FORMATING A compact device can form multiple X-ray beams with good controllability. Electron beams (e) emitted by the electron emitting elements (15) of a multiple electron beam generating unit (12) receive the lens effect of a lens electrode (19). The resulting electron beams are accelerated to the final potential level by portions of a transmission-type target portion (13) of an anode electrode (20). The multiple X-ray beams (x) generated by the transmission-type target portion (13) pass through an X-ray shield plate (23) and X-ray extraction portions (24) in a vacuum chamber and are extracted from the X-ray extraction windows (27) of a wall portion (25) into the atmosphere.

Description

"GERADOR DE RAIOS-X MÚLTIPLOS, Ε, APARELHO DEFORMAÇÃO DE IMAGEM DE RAIOS-X MÚLTIPLOS"CAMPO TÉCNICO"MULTI-X-RAY GENERATOR, Ε, MULTI-X-RAY IMAGE DEFORMING APPARATUS" TECHNICAL FIELD

A presente invenção refere-se a um gerador de raios-Xmúltiplos usado para formação de imagem por raios-X não destrutivo,diagnóstico, e semelhantes, nos campos de equipamento médico eequipamento industrial que usam fontes de raios-X.The present invention relates to a multiple x-ray generator used for non-destructive x-ray imaging, diagnostics, and the like in the fields of medical equipment and industrial equipment using x-ray sources.

FUNDAMENTO DA TÉCNICATECHNICAL BACKGROUND

Convencionalmente, um tubo de raios-X usa uma fontetérmica de elétrons como uma fonte de elétrons, e obtém um feixe de elétronsde alta-energia acelerando os elétrons térmicos emitidos a partir de umfilamento aquecido a alta temperatura via um eletrodo Wehnelt, eletrodo deextração, eletrodo de aceleração, e eletrodo de lente. Após modelar o feixe deelétrons em uma forma desejada, o tubo de raios-X gera raios-X irradiandocom o feixe uma porção alvo de raios-X feita de um metal.Conventionally, an X-ray tube uses an electron fontotherm as an electron source, and obtains a high-energy electron beam by accelerating thermal electrons emitted from a high temperature heated filament via a Wehnelt electrode, extraction electrode, electrode. acceleration, and lens electrode. After shaping the electron beam into a desired shape, the X-ray tube generates X-rays by beaming with the beam a target X-ray portion made of a metal.

Recentemente, uma fonte de elétrons de catodo frio foidesenvolvida como uma fonte de elétrons para substituir esta fonte térmica deelétrons, e estudada extensamente como uma aplicação de uma tela deexibição plana (FPD). Como um catodo frio típico, é conhecida uma fonte deelétrons tipo Spindt que extrai elétrons aplicando um campo elétrico alto àponta de uma agulha com um tamanho de vários IOnm. Há, igualmentedisponível, um emissor de elétrons usando um nanotubo de carbono (CNT)como um material e uma fonte de elétrons tipo condução superficial que emiteelétrons formando uma microestrutura da ordem de nanômetros sobre asuperfície de um substrato de vidro.Recently, a cold cathode electron source has been developed as an electron source to replace this electron heat source, and has been extensively studied as an application of a flat screen display (FPD). As a typical cold cathode, a Spindt electron source is known which extracts electrons by applying a high electric field to the point of a needle of several IOnm size. There is also an electron emitter using a carbon nanotube (CNT) as a material and a surface-conducting electron source that emits electrons forming a microstructure of the order of nanometers on the surface of a glass substrate.

As referências de patentes 1 e 2 propõem, como uma aplicaçãodestas fontes de elétrons, uma técnica para extrair raios-X formando um únicofeixe de elétrons usando uma fonte de elétrons tipo Spindt ou uma fonte deelétrons tipo nanotubo de carbono. A referência de patente 3 e a referêncianão de patente 1 apresentam uma técnica de gerar raios-X irradiando umaporção alvo de raios-X com feixes de elétrons de uma fonte de elétronsmúltiplos usando uma pluralidade destas fontes de elétrons de catodo frio.Patent references 1 and 2 propose, as an application of these electron sources, a technique for extracting X-rays by forming a single electron beam using a Spindt electron source or a carbon nanotube electron source. Patent reference 3 and non-patent reference 1 show a technique of generating X-rays by radiating a target portion of electron beam X-rays from a multiple electron source using a plurality of these cold cathode electron sources.

Referência 1 de patente: patente japonesa 9-180894, em abertoPatent Reference 1: Japanese Patent 9-180894, open

Referência 2 de patente: patente japonesa 2004-329784, emabertoPatent Reference 2: Japanese Patent 2004-329784, emaberto

Referência 3de patente: patente japonesa 8-264139, em abertoPatent Reference 3: Japanese Patent 8-264139, open

Referência 1 não de patente: Applied Physics Letters 86,184104 (2005), J. Zhang "Stationary scanning x-ray source based on carbonnanotube field emitters"Non-Patent Reference 1: Applied Physics Letters 86,184104 (2005), J. Zhang "Stationary x-ray scanning source based on carbonnanotube field emitters"

APRESENTAÇÃO DA INVENÇÃOPRESENTATION OF THE INVENTION

PROBLEMAS QUE A INVENÇÃO DEVE RESOLVERPROBLEMS THAT THE INVENTION MUST SOLVE

A Fig. 14 é uma vista mostrando o arranjo de um esquema degeração de raios-X convencional usando feixes de elétrons múltiplos. Em umacâmara de vácuo 1, na qual uma pluralidade de fontes do elétroncompreendendo elementos de emissão de elétrons múltiplos, gera feixes deelétrons e, os feixes de elétron e são colididos sobre uma porção-alvo 2 paragerar raios X. Os raios X gerados são extraídos diretamente para a atmosfera.Entretanto, os raios X gerados da porção-alvo 2 divergem, no vácuo, em todasas direções. Por esta razão, é difícil formar feixes independentes de raios-X χusando a produção de raios X a partir das janelas de extração de raios-X 4 deuma placa de blindagem de raios-X 3 provida sobre o lado da atmosfera,porque os raios X, emitidos de fontes adjacentes de raios-X, são transmitidosatravés das mesmas janelas de extração de raios-X 4.Fig. 14 is a view showing the arrangement of a conventional X-ray generation scheme using multiple electron beams. In a vacuum chamber 1, in which a plurality of electron sources comprising multiple electron emission elements generate electron beams, and the electron beams are bumped on a target portion 2 to x-ray the generated X-rays. However, the X-rays generated from target portion 2 diverge in a vacuum in all directions. For this reason, it is difficult to form independent x-ray beams by using x-ray production from the x-ray extraction windows 4 of an x-ray shield plate 3 provided on the atmosphere side, because x-rays , emitted from adjacent X-ray sources, are transmitted through the same X-ray extraction windows 4.

Além disto, como mostrado na Fig. 15, quando raios X sãoextraídos a partir da janela de extração de raios-X 4 para o lado da atmosfera,provendo uma placa de blindagem de raios-X 6 sobre o lado da atmosfera deuma porção de parede 5 da câmara de vácuo 1, são produzidos muitos raios-Xde escape x2, raios X divergentes xl, que não são colididos sobre um objeto P.Além disso, é difícil formar feixes de raios X múltiplos com intensidadeuniforme por causa do uso de uma pluralidade de fontes de elétronscompreendendo elementos de emissão de elétrons múltiplos ao contrário deuma única fonte convencional de raios-X.In addition, as shown in Fig. 15, when x-rays are extracted from the x-ray extraction window 4 to the atmosphere side, providing an x-ray shield plate 6 on the atmosphere side of a wall portion 5 of the vacuum chamber 1, many exhaust x-rays x2, divergent x-rays x1 are produced which are not collided with a P object. In addition, it is difficult to form multiple x-ray beams with uniform intensity because of the use of a plurality. of electron sources comprising multiple electron emission elements as opposed to a single conventional X-ray source.

E um objetivo da presente invenção prover um Gerador deraios-X múltiplos, compacto que possa resolver os problemas acima e formarfeixes múltiplos de raios-X com poucos raios X dispersados e uniformidadeexcelente e um aparelho de formação de imagem por raios-X usando ogerador.It is an object of the present invention to provide a compact, multiple X-ray Generator that can solve the above problems and form multiple X-ray beams with excellent scattered X-ray and uniformity and an X-ray imaging apparatus using the generator.

MEIOS DE RESOLVER OS PROBLEMASMEANS OF SOLVING PROBLEMS

A fim de conseguir o objetivo acima, um Gerador de raios-Xmúltiplos, de acordo com a presente invenção, é caracterizado tecnicamentepor compreender uma pluralidade de elementos de emissão de elétrons, meiode aceleração para acelerar os feixes de elétrons emitidos da pluralidade deelementos de emissão de elétrons, e uma porção-alvo que é irradiada com osfeixes de elétrons, onde a porção-alvo é provida em correspondência com osfeixes de elétrons, a porção-alvo compreendendo meio de blindagem de raios-X, e os raios X gerados da porção-alvo sendo extraídos como feixes de raios-X múltiplos para a atmosfera.In order to achieve the above objective, a Multiple X-ray Generator according to the present invention is technically characterized by comprising a plurality of electron-emitting elements by acceleration to accelerate the emitted electron beams of the plurality of electron-emitting elements. electrons, and a target portion that is irradiated with the electron beams, where the target portion is provided in correspondence with the electron beams, the target portion comprising x-ray shielding means, and the x-rays generated from the electron beam. target being extracted as multiple x-ray beams into the atmosphere.

EFEITOS DA INVENÇÃOEFFECTS OF THE INVENTION

De acordo com um Gerador de raios-X múltiplos de acordocom a presente invenção, fontes de raios-X usando uma pluralidade deelementos de emissão de elétrons podem formar feixes de raios-X múltiploscujos ângulos de divergência são controlados, com poucos raios X dispersosde escape. O uso de feixes de raios-X múltiplos pode concretizar um aparelhode formação de imagem por raios-X compacto com excelente uniformidadedos feixes.According to a multiple x-ray generator according to the present invention, x-ray sources using a plurality of electron emission elements can form multiple x-ray beams whose angles of divergence are controlled, with few scattered exhaust x-rays. The use of multiple x-ray beams can achieve a compact x-ray imaging apparatus with excellent uniformity of beams.

Outras características e vantagens da presente invenção setornarão aparentes da descrição a seguir considerada em conjunto com osdesenhos de acompanhamento.Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following description taken in conjunction with the accompanying drawings.

DESCRIÇÃO RESUMIDA DOS DESENHOSBRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS

Os desenhos de acompanhamento, aqui incorporadosconstituindo parte da especificação, ilustram modos de realização da invençãoe, junto com a descrição, servem para explicar os princípios da invenção.The accompanying drawings, incorporated herein as part of the specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

A Fig. 1 é uma vista mostrando o arranjo de um corpo de fontede raios-X múltiplos de acordo com o primeiro modo de realização;Fig. 1 is a view showing the arrangement of a multiple X-ray font body according to the first embodiment;

A Fig. 2 é uma vista, no plano, de um substrato de elemento;Fig. 2 is a plan view of an element substrate;

A Fig. 3 é uma vista mostrando o arranjo de um elemento tipoSpindt;Fig. 3 is a view showing the arrangement of a Spindt-like element;

A Fig. 4 é uma vista mostrando o arranjo de um elemento tiponanotubo de carbono;Fig. 4 is a view showing the arrangement of a carbon tipotane element;

A Fig. 5 é uma vista mostrando o arranjo de um elemento tipocondução superficial;Fig. 5 is a view showing the arrangement of a surface-leading type element;

A Fig. 6 é um gráfico mostrando as características devoltagem-corrente de elementos de emissão de elétrons múltiplos;Fig. 6 is a graph showing the current-return characteristics of multiple electron emission elements;

A Fig. 7 é uma vista mostrando o arranjo de uma porção-alvotipo múltipla transmissão tendo uma placa de blindagem de raios-X;Fig. 7 is a view showing the arrangement of a multiple transmission blanking portion having an X-ray shield plate;

A Fig. 8 é uma vista mostrando o arranjo da porção-alvo tipotransmissãoFig. 8 is a view showing the arrangement of the target transmission portion

A Fig. 9 é uma vista mostrando o arranjo da porção-alvo tipomúltipla transmissão tendo a placa de blindagem de raios-X;Fig. 9 is a view showing the arrangement of the single-transmission target portion having the X-ray shield plate;

A Fig. 10 é uma vista mostrando o arranjo de uma porção-alvotipo transmissão tendo placa de blindagem de raios-X/feixe de elétronsrefletidos;Fig. 10 is a view showing the arrangement of a transmission alvotype portion having X-ray shield plate / electron reflected beam;

A Fig. 11 é uma vista mostrando o arranjo de uma placa deblindagem de raios-X provida com uma porção de extração de raios-Xafunilada;Fig. 11 is a view showing the arrangement of an X-ray shielding plate provided with a tapered X-ray extraction portion;

A Fig. 12 é uma vista em perspectiva de um corpo de fonte deraios-X múltiplos compreendendo uma porção-alvo tipo reflexão de acordocom o segundo modo de realização;Fig. 12 is a perspective view of a multiple X-ray source body comprising a reflection-like target portion according to the second embodiment;

A Fig. 13 é uma vista mostrando o arranjo de um aparelho deformação de imagem por raios-X múltiplos de acordo com o terceiro modo derealização;Fig. 13 is a view showing the arrangement of a multiple x-ray imaging apparatus according to the third embodiment;

A Fig. 14 é uma vista mostrando o arranjo de uma fonte deraios-X múltiplos convencional; eFig. 14 is a view showing the arrangement of a conventional multiple X-ray source; and

A Fig. 15 é uma vista mostrando uma fonte de raios-Xmúltiplos convencional.Fig. 15 is a view showing a conventional multiple x-ray source.

Melhor modo para realizar a invençãoBest Mode for Carrying Out the Invention

A presente invenção será descrita em detalhe baseado nosmodos de realização mostrados nas Figs. 1 a 13.The present invention will be described in detail based on the embodiments shown in Figs. 1 to 13.

[Primeiro modo de realização][First embodiment]

A Fig. 1 é uma vista mostrando o arranjo de um corpo de fontede raios-X múltiplos 10. Uma unidade de geração de feixe de elétrons 12 eum eletrodo de anodo 20 são arranjados em uma câmara de vácuo 11. Aunidade geradora de feixe de elétrons 12 compreende um substrato deelemento 14 e um arranjo de elemento 16 tendo uma pluralidade de elementosde emissão de elétrons 15 arranjada sobre o substrato de elemento. Umaunidade de sinal de ativação 17 controla a ativação dos elementos de emissãode elétrons 15. Um eletrodo de lente 19 fixado a um membro de isolamento18 é provido para controlar os feixes de elétrons e emitidos dos elementos deemissão de elétrons 15. Altas voltagens são aplicadas aos eletrodos 19 e 20via porções de introdução de alta voltagem 21 e 22.Fig. 1 is a view showing the arrangement of a multiple X-ray font body 10. An electron beam generating unit 12 and anode electrode 20 are arranged in a vacuum chamber 11. Electron beam generating unit 12 comprises an element substrate 14 and an element array 16 having a plurality of electron-emitting elements 15 arranged on the element substrate. An activation signal unit 17 controls the activation of the electron emission elements 15. A lens electrode 19 attached to an isolation member18 is provided to control the electron beams and emitted from the electron emission elements 15. High voltages are applied to the electrodes 19 and 20 via high voltage introduction portions 21 and 22.

Uma porção-alvo tipo transmissão 13 sobre a qual os feixes de elétrons e emitidos colidem é discretamente formada sobre o eletrodo deanodo 20, de modo a estar voltada para os feixes de elétron e. A porção-alvotipo transmissão 13 é provida adicionalmente com uma placa de blindagem deraios-X 23 feita de um metal pesado. A placa de blindagem de raios-X 23,nesta câmara de vácuo, tem porções de extração de raios-X 24. Uma porçãode parede 25 da câmara de vácuo 11 é provida com janelas de extração deraios-X 27 tendo películas de transmissão de raios-X 26 localizadas na frentedas porções de extração de raios-X.A transmission-type target portion 13 over which the electron and emitted beams collide is discretely formed on the anode electrode 20 so that it faces the electron beams e. The transmission honeycomb portion 13 is further provided with an X-ray shield plate 23 made of a heavy metal. The X-ray shield plate 23 in this vacuum chamber has X-ray extraction portions 24. A wall portion 25 of the vacuum chamber 11 is provided with X-ray extraction windows 27 having ray transmission films. -X 26 located in front of X-ray extraction portions.

Os feixes de elétron e emitidos a partir dos elementos deemissão de elétrons 15 recebem o efeito de lente do eletrodo de lente 19, e sãoacelerados até o nível potencial final por porções da porção-alvo tipotransmissão 13 do eletrodo de anodo 20. Feixes de raios-X χ gerados pelaporção-alvo tipo transmissão 13 passam através das porções de extração deraios-X 24 e são extraídos para a atmosfera via janelas de extração de raios-X27. A pluralidade de feixes de raios-X χ é gerada de acordo com a pluralidadede feixes de elétrons e a partir de uma pluralidade de elementos de emissão deelétrons 15. A pluralidade de feixes de raios-X χ extraída das porções deextração de raios-X 24 forma feixes de raios-X múltiplos.The electron beams emitted from the electron-emitting elements 15 receive the lens effect of the lens electrode 19, and are accelerated to the final potential level by portions of the target-transmission portion 13 of the anode electrode 20. X χ generated by transmission-type target spray 13 pass through the X-ray extraction portions 24 and are extracted into the atmosphere via X-ray extraction windows27. The plurality of x-ray beams χ is generated according to the plurality of electron beams and from a plurality of electron emission elements 15. The plurality of x-ray beams extracted from the x-ray extraction portions 24 forms multiple x-ray beams.

Os elementos de emissão de elétrons 15 são arranjadosbidimensionalmente sobre o arranjo de elemento 16, como mostrado na Fig.2. Com os avanços recentes na nanotecnologia, é possível formar umaestrutura fina com tamanho de nm em uma posição predeterminada por umprocesso de dispositivo. Os elementos de emissão de elétrons 15 sãofabricados por esta nanotecnologia. As quantidades de emissão de elétronsdos elementos de emissão de elétron 15 são controladas individualmente pelossinais de ativação Sl e S2 (que serão descritos mais tarde) via unidade desinal de ativação 17. Isto é, controlar individualmente as quantidades deemissão de elétrons dos elementos de emissão de elétrons 15 no arranjo deelementos 16 usando-se os sinais de ativação Sl e S2 como sinais de matrizestorna possível controlar individualmente os feixes de raios-XLIGADOS/DESLIGADOS.The electron emission elements 15 are arranged two-dimensionally over the element array 16, as shown in Fig. 2. With recent advances in nanotechnology, it is possible to form a thin nm-sized structure at a predetermined position by a device process. The electron emission elements 15 are manufactured by this nanotechnology. The electron emission quantities of the electron emission elements 15 are individually controlled by the activation signals Sl and S2 (which will be described later) via the desinal activation unit 17. That is, individually controlling the electron emission amounts of the electron emission elements. electrons 15 in the array of elements 16 using the activation signals Sl and S2 as matrix signals makes it possible to individually control the x-ray beams ON / OFF.

A Fig. 3 é uma vista mostrando o arranjo do elemento deemissão de elétron tipo Spindt 15. Membros de isolamento 32 e eletrodos daextração 33 são providos em um substrato de elemento 31 feito de Si.Emissores cônicos 34, cada um deles, feito de um metal ou materialsemicondutor e tendo um diâmetro de ponta de vários 10 nm são formados emranhuras de tamanho em μm nos centros dos eletrodos usando um processo defabricação de dispositivo.Fig. 3 is a view showing the arrangement of the Spindt-type electron emission element 15. Isolation members 32 and extraction electrodes 33 are provided on an element substrate 31 made of Si. Conical emitters 34 each made of a Metal or materials semiconductor and having a tip diameter of several 10 nm are formed in μm size grooves at the electrode centers using a device fabrication process.

A Fig. 4 é uma vista mostrando o arranjo do elemento deemissão de elétron tipo nanotubo de carbono 15. Como um material para umemissor 35, é usado um nanotubo de carbono compreendendo uma estruturafina de vários IOnm. O emissor 35 é formado no centro de um eletrodo deextração 36.Fig. 4 is a view showing the arrangement of the carbon nanotube electron-emitting element 15. As a material for a 35 emitter, a carbon nanotube comprising a fine structure of several 10 nm is used. The emitter 35 is formed in the center of an extraction electrode 36.

Quando voltagens de vários 10 a vários 100 V são aplicadasaos eletrodos de extração 33 e 36 do elemento tipo Spindt e do elemento tiponanotubo de carbono, campos elétricos altos são aplicados às pontas dosemissores 34 e 35, emitindo, desse modo, os feixes de elétrons e pelofenômeno de emissão de campo.When voltages of several 10 to 100 V are applied to the extraction electrodes 33 and 36 of the Spindt-type element and the carbon-tube tip element, high electric fields are applied to the emitter tips 34 and 35, thereby emitting the electron beams and field emission pellophenomenon.

A Fig. 5 é uma vista mostrando o arranjo do elemento deemissão de elétrons tipo condução superficial 15. Uma estrutura finacompreendendo nano partículas é formada como um emissor 38 em um vãoem um eletrodo de película fina 37 formado sobre um substrato de elementode vidro 31. Quando uma voltagem excedendo 10 V é aplicada entre oseletrodos deste elemento tipo condução superficial, um campo elétrico alto éaplicado ao vão fino formado por partículas finas entre os eletrodos. Isto geraelétrons de condução. Ao mesmo tempo, os feixes de elétrons e são emitidosno vácuo, e a emissão de elétrons pode ser controlada com uma voltagemrelativamente baixa.Fig. 5 is a view showing the arrangement of the surface-conducting electron-emitting element 15. A finite structure comprising nanoparticles is formed as an emitter 38 in a space in a thin-film electrode 37 formed on a glass element substrate 31. When A voltage exceeding 10 V is applied between the electrodes of this surface conduction type element, a high electric field is applied to the thin gap formed by fine particles between the electrodes. This generates conduction electrons. At the same time, the electron beams are emitted in a vacuum, and the electron emission can be controlled at a relatively low voltage.

A Fig. 6 mostra as características de voltagem-corrente doelemento tipo Spindt, do elemento tipo nanotubo de carbono e do elementotipo condução superficial. A fim de obter uma corrente de emissão constante,a voltagem obtida corrigindo-se uma voltagem média de ativação Vo comuma voltagem de correção AV é aplicada como uma voltagem de ativação aoselementos de emissão de elétrons 15. Isto pode corrigir variações emcorrentes de emissão dos elementos de emissão de elétron 15.Fig. 6 shows the voltage characteristics of the Spindt element, carbon nanotube element and surface conduction element. In order to obtain a constant emission current, the voltage obtained by correcting an average activation voltage Vo with an AV correction voltage is applied as an activation voltage to the electron emission elements 15. This can correct variations in emission currents of the elements. of electron emission 15.

Como fontes de elétrons para a geração de feixes de raios-Xmúltiplos além dos elementos de emissão de elétrons acima, podem serusados elementos tipo MIM (Metal Isolante Metal) e elementos tipo MIS(Metal Isolante Semicondutor). Além disso, podem ser usadas fontes deelétron tipo catodo frio, como uma fonte de elétrons tipo junção PNsemicondutora e uma fonte de elétrons tipo junção Schottky.As electron sources for the generation of multiple X-ray beams in addition to the above electron emission elements, MIM (Metal Insulating Metal) and MIS (Semiconductor Insulating Metal) elements can be used. In addition, cold cathode-type electron sources such as a PNsemiconductor junction electron source and a Schottky junction electron source can be used.

Um gerador de raios-X usando este elemento de emissão deelétrons tipo catodo frio como uma fonte de elétrons emite elétrons aplicandouma voltagem baixa ao elemento de emissão de elétrons na temperaturaambiente sem aquecer o catodo. Este gerador não exige conseqüentementenenhum tempo de espera para a geração de raios-X. Além disso, uma vez quenenhuma energia é exigida para aquecer o catodo, uma fonte de raios-X debaixo consumo de energia pode ser fabricada mesmo usando uma fonte deraios-X múltiplos. Uma vez que as correntes destes elementos de emissão deelétron podem ser controladas LIGA/DESLIGA por operação de ativação dealta velocidade usando-se voltagens de ativação, pode ser fabricada uma fontede raios-X tipo arranjo múltiplo, que selecione um elemento de emissão deelétrons para ser acionado e que execute operação de resposta de alta velocidade.An X-ray generator using this cold cathode electron emitting element as an electron source emits electrons by applying a low voltage to the electron emitting element at ambient temperature without heating the cathode. This generator therefore requires no waiting time for X-ray generation. In addition, since no energy is required to heat the cathode, an energy-efficient X-ray source can be fabricated even using a multiple X-ray source. Since the currents of these electron emission elements can be controlled ON / OFF by high speed activation operation using activation voltages, a multiple array X-ray font can be fabricated which selects an electron emission element to be triggered and performing high-speed response operation.

As Figs. 7 a 11 são vistas para explicar um método de formarfeixes de raios-X χ. A Fig. 7 mostra um exemplo de porção-alvo tipo múltiplatransmissão 13. As porções-alvo tipo transmissão 13 correspondendo aoselementos de emissão de elétrons 15 são arranjadas lado a lado na câmara devácuo 11. A fim de formar feixes de raios-X múltiplos x, é necessário extrairda câmara de vácuo 11, separadamente, os raios X gerados irradiando-se aporção-alvo tipo transmissão 13 com um feixe de elétrons e, e o feixe deraios-X χ gerado por um feixe de elétrons e adjacente, sem misturá-los.Figs. 7 to 11 are seen to explain a method of forming x-ray beams. Fig. 7 shows an example of a multi-transmission target portion 13. The transmission-type target portions 13 corresponding to the electron emission elements 15 are arranged side by side in the hollow chamber 11. In order to form multiple x-ray beams , it is necessary to extract from the vacuum chamber 11 separately the generated x-rays radiating the transmission type target 13 with an electron beam, and the x-ray beam χ generated by an adjacent electron beam without mixing. them.

Por este motivo, a placa de blindagem de raios-X 23 na câmarade vácuo e a porção-alvo tipo múltipla transmissão 13 são integradas em umaúnica estrutura. As porções de extração de raios-X 24 providas na placa deblindagem de raios-X 23 são arranjadas em posições correspondendo aosfeixes de elétrons e, de modo a extrair os feixes de raios-X x, cada uma delastendo um ângulo da divergência, necessário a partir da porção-alvo tipotransmissão 13.For this reason, the X-ray shield plate 23 in the vacuum chamber and the multiple transmission target portion 13 are integrated into a single structure. The X-ray extraction portions 24 provided on the X-ray shield plate 23 are arranged in positions corresponding to the electron beams and, in order to extract the X-ray beams, each extending an angle of divergence, necessary to from the target portion of the transmission 13.

Uma vez que a porção-alvo tipo transmissão 13 formada poruma película fina de metal tem, geralmente, dissipação de calor baixa, édifícil aplicar grande energia. A porção-alvo tipo transmissão 13 neste modode realização é, no entanto, coberta pela placa de blindagem de raios-X 23,espessa, á exceção das áreas das quais os feixes de raios-X χ são extraídospela irradiação com os feixes de elétrons e, e a porção-alvo tipo transmissão13 e a placa de blindagem de raios-X 23 estão em contato mecânico e térmicouma com a outra. Por este motivo, a placa de blindagem de raios-X 23 temuma função de dissipar o calor gerado pela porção-alvo tipo transmissão 13por condução de calor.Since the transmission type target portion 13 formed of a thin metal foil generally has low heat dissipation, it is difficult to apply large energy. The transmission-like target portion 13 in this embodiment is, however, covered by the thick X-ray shield plate 23, except for the areas from which the X-ray beams are extracted by irradiation with the electron beams and , and the transmission-type target portion13 and X-ray shield plate 23 are in mechanical and thermal contact with one another. For this reason, the X-ray shield plate 23 has a function of dissipating the heat generated by the heat-conducting target portion 13.

Isto torna possível formar um arranjo de uma pluralidade deporções-alvo tipo transmissão 13 para o qual energia, muito maior do queaquela aplicada a uma porção-alvo tipo transmissão convencional pode seraplicada. Além disso, o uso da placa de blindagem de raios-X 23, espessa,pode melhorar a exatidão da superfície e, portanto, fabricar uma fonte deraios-X múltiplos com características de emissão de raios-X uniformes.This makes it possible to form an array of a plurality of transmission-type target portions 13 to which much larger energy than that applied to a conventional transmission-type target portion can be applied. In addition, the use of thick X-ray shield plate 23 can improve surface accuracy and therefore manufacture a multiple X-ray source with uniform X-ray emission characteristics.

Como mostrado na Fig. 8, a porção-alvo tipo transmissão 13compreende um camada geradora de raios-X 131 e uma camada de suportepara a geração de raios-X 132, e tem excelente funcionalidade com uma altaeficiência na geração de raios-X. A placa de blindagem de raios-X 23 éprovida na camada de suporte para a geração de raios-X 132.A camada geradora de raios-X 131 é feita de um metal pesadocom uma espessura de película de aproximadamente diversos IOnm a váriosμπι para reduzir a absorção dos raios-X quando os feixes de raios-X χ sãotransmitidos através da porção-alvo tipo transmissão 13. A camada de suportepara a geração de raios-X 132 usa um substrato feito de um elemento levepara suportar a camada da película fina da camada geradora de raios-X 131 epara reduzir igualmente a atenuação da intensidade pela absorção dos feixesde raios-X χ melhorando a eficiência de resfriamento da camada geradora deraios-X 131 aquecido pela aplicação dos feixes de elétrons e.As shown in Fig. 8, the transmission-type target portion 13 comprises an X-ray generating layer 131 and an X-ray generating support layer 132, and has excellent functionality with a high efficiency of X-ray generation. X-ray shield plate 23 is provided in the support layer for X-ray generation 132. X-ray generating layer 131 is made of a heavy metal with a film thickness of approximately several IOnm to several µπι to reduce the X-ray absorption when the X-ray beams are transmitted through the target transmission type portion 13. The support layer for X-ray generation 132 uses a substrate made of a light element to support the thin film layer of the layer. X-ray generator 131 and to also reduce the intensity attenuation by absorbing the X-ray beams by improving the cooling efficiency of the heated X-ray 131 generator layer by applying the electron beams.

Tem sido geralmente considerado que para a camada desuporte para a geração de raios-X convencional 132, berílio metálico é eficazcomo um material de substrato. No entanto, neste modo de realização, foiusada uma película de Al, AlN, ou SiC com uma espessura deaproximadamente O5Imm a vários mm ou uma combinação dos mesmos. Istoporque este material tem condutibilidade térmica alta e uma característica detransmissão de raios-X excelente, absorve eficazmente feixes de raios-X defeixes de raios-X x, que estão em uma região de energia baixa e contribuipouco para a qualidade de uma imagem de transmissão de raios-X por 50%ou menos, e tem uma função de filtro de mudar a qualidade da radiação dosfeixes de raios-X x.It has generally been found that for the conventional X-ray generation support layer 132, beryllium metal is effective as a substrate material. However, in this embodiment, an Al, AlN, or SiC film having a thickness of approximately 0.5 mm to several mm or a combination thereof was used. This is because this material has high thermal conductivity and an excellent X-ray transmission characteristic, effectively absorbs x-ray beams x-ray defects, which are in a low energy region and contributes little to the quality of a transmission image. x-rays by 50% or less, and has a filter function to change the radiation quality of x-ray beams.

Com referência à Fig. 7, os ângulos de divergência dos feixesde raios-X χ são determinados pelas condições de abertura das porções deextração de raios-X 24 arranjadas na câmara de vácuo 11. Em alguns casos, énecessário ajustar os ângulos de divergência dos feixes de raios-X χdependendo das condições de formação de imagem. Com referência à Fig. 9,a fim cumprir esta exigência, este aparelho inclui dois meios de blindagem.Isto é, além da placa de blindagem de raios-X 23 na câmara de vácuo, umaplaca de blindagem de raios 41 X é provida fora da câmara de vácuo 11. Uma vezque é fácil substituir a placa de blindagem 41 provida na atmosfera, umângulo de divergência pode ser selecionado arbitrariamente para o feixe deraios-X χ de acordo com as condições de irradiação para um objeto.Referring to Fig. 7, the divergence angles of the X-ray beams are determined by the opening conditions of the X-ray extraction portions 24 arranged in the vacuum chamber 11. In some cases, the divergence angles of the beams need to be adjusted. X-ray image depending on imaging conditions. Referring to Fig. 9, in order to meet this requirement, this apparatus includes two shielding means. This is, in addition to the X-ray shield plate 23 in the vacuum chamber, a 41 X-ray shielding plate is provided outside the housing. vacuum chamber 11. Since it is easy to replace the shield plate 41 provided in the atmosphere, a divergence angle can be arbitrarily selected for the X-ray beam χ according to the irradiation conditions for an object.

A seguinte condição é necessária para impedir que feixes deraios-X de fontes adjacentes de raios-X escapem para fora se provendo aplaca de blindagem de raios-X 23 na câmara de vácuo Ilea placa deblindagem de raios-X 41 fora da câmara de vácuo 11. Isto é, as placas deblindagem de raios-X 23 e 41 e as porções de extração de raios-X 24 precisamser ajustadas para manter a relação de d > 2D-tan α onde d é a distância entreos feixes de raios-X x, D é a distância entre a porção-alvo tipo transmissão 13e a placa de blindagem de raios-X 41, e α é o ângulo de radiação do feixe deraios-X χ que sai da placa de blindagem de raios-X 23.The following condition is necessary to prevent X-ray beams from adjacent X-ray sources from escaping by providing X-ray shield plate 23 in the vacuum chamber. The X-ray shielding plate 41 outside the vacuum chamber 11 That is, the x-ray shielding plates 23 and 41 and the x-ray extraction portions 24 need to be adjusted to maintain the ratio of d> 2D-tan α where d is the distance between the x-ray beams, D is the distance between the target transmission portion 13e and the X-ray shield plate 41, and α is the radiation angle of the x-ray beam exiting the X-ray shield plate 23.

Quando o feixe de elétrons de alta energia e atinge a porçãoalvo do tipo transmissão 13, não apenas os elétrons refletidos, mas tambémraios-X são dispersos na direção de reflexão. Esses raios-X e feixes deelétrons são considerados como causas de escape de raios-X das fontes deraios-X e de descarga fina com uma alta voltagem.When the high-energy electron beam reaches the transmission-type target portion 13, not only the reflected electrons, but also X-rays are scattered in the direction of reflection. These X-rays and electron beams are considered to cause X-ray escape from high-voltage X-ray and fine-discharge sources.

A fig. 10 mostra uma contramedida para este problema. Umaplaca de blindagem contra raios-X/feixe de elétrons refletidos 43 tendo furosde feixe de elétrons incidente 42 é provida sobre o lado de elemento deemissão de elétrons 15 da porção alvo tipo transmissão 13. Os feixes deelétrons e emitidos pelo elemento de emissão de elétrons 15 passam atravésdos furos de feixe de elétrons incidentes 42 da placa de blindagem de feixe deelétrons refletidos/ raios-X 43 e atingem a porção alvo tipo transmissão 13.Com esta estrutura, a placa de blindagem de raios-X/feixe de elétronsrefletidos 43 pode bloquear raios-X, elétrons refletidos, e elétrons secundáriosgerados sobre o lado de fonte de elétron da superfície da porção alvo tipotransmissão 13.Fig. 10 shows a countermeasure for this problem. An X-ray / reflected electron beam shield plate 43 having incident electron beam holes 42 is provided on the electron-emitting element side 15 of the transmission-type target portion 13. The electron beams and emitted by the electron-emitting element 15 pass through the incident electron beam holes 42 of the reflected electron beam / X-ray shield plate 43 and reach the transmission-type target portion 13. With this structure, the X-ray shield / electron beam array 43 can block X-rays, reflected electrons, and secondary electrons generated on the electron source side of the surface of the target transmission portion 13.

Quando feixes de raios-X χ forem formados pela irradiação daporção alvo tipo transmissão 13 com os feixes de elétrons de alta energia e, adensidade dos feixes de raios-X χ não é limitada pela densidade deempacotamento dos elementos de emissão de elétrons 15. Esta densidade édeterminada pelas placas de blindagem de raios-X 23 e 41 para extrair osfeixes de raios-X separados χ de fontes de raios-X múltiplos geradas geradospela porção alvo tipo transmissão 13.When x-ray beams are formed by irradiation of the transmission-type target portion 13 with the high-energy electron beams and, the density of the x-ray beams is not limited by the packing density of the electron emission elements 15. This density It is determined by the X-ray shield plates 23 and 41 to extract the separate X-ray beams χ from multiple X-ray sources generated by the transmission-type target portion 13.

A Tabela 1 mostra os efeitos de blindagem de metais pesados(Ta, W e PB) contra feixes de raios-X com energias de 50keV, 62keV e82keV, assumindo que as energias dos feixes de raios-X χ gerados quando aporção alvo tipo transmissão 13 é irradiada com feixes de elétrons e de100keV.Table 1 shows the effects of heavy metal shielding (Ta, W and PB) against 50keV, 62keV and 82keV X-ray beams, assuming the X-ray beam energies χ generated when transmitting target type 13 it is irradiated with electron beams and de100keV.

Tabela 1 Espessura de material de blindagemTable 1 Shielding Material Thickness

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Como um critério de blindagem entre os feixes de raios-X χgerados pela porção alvo tipo transmissão 13, um fator de atenuação de 1/100é um valor apropriado como uma quantidade que não influencia imagens deraios-X. Obviamente, uma placa de metal pesado, tendo uma espessura de 5 aIOmm, é necessária como uma placa de blindagem para obter este fator deatenuação.As a shielding criterion between the X-ray beams generated by the transmission-type target portion 13, an attenuation factor of 1/100 is an appropriate value as an amount that does not influence X-ray images. Of course, a heavy metal plate having a thickness of 5 to 10 mm is required as a shield plate to achieve this dampening factor.

Quando este esquema for aplicado a um corpo de fontes deraios-X múltiplos usando os feixes de elétrons e de cerca de IOOkeV, éapropriado estabelecer espessuras Dl e D2 da placa de blindagem de raios-X/feixe de elétrons refletido 43 e placa de blindagem de raios-X 23 mostradasna fig. 11 para 5 a 1 Omm. Em adição, formar as porções de extração de raios-X da placa de blindagem de raios-X 23 em um vácuo em janelas afuniladastorna possível melhorar o efeito de blindagem.When this scheme is applied to a multiple X-ray source body using the electron beams and about 10000V, it is appropriate to establish thicknesses D1 and D2 of the X-ray shield plate / reflected electron beam 43 and shielding plate. x-rays 23 shown in fig. 11 to 5 to 1 Omm. In addition, forming the X-ray extraction portions of the X-ray shield plate 23 in a tapered window void makes it possible to improve the shielding effect.

[Segundo modo de realização][Second embodiment]

Fig. 12 é uma vista mostrando o arranjo do segundo modo derealização, que é a estrutura de um corpo de fonte de raios-X múltiplos 10'compreendendo uma porção alvo tipo transmissão 13. Esta estruturacompreende uma unidade geradora de feixe de elétrons 12' e um eletrodoanodo 20' compreendendo a porção alvo tipo transmissão 13 e uma placa deblindagem de raios-X/feixe de elétron refletidos 43' incluindo furos de feixede elétron incidente 42' e porções de extração de raios-X 24' em uma câmarade vácuo 11'.Fig. 12 is a view showing the arrangement of the second embodiment, which is the structure of a multiple X-ray source body 10 'comprising a transmission type target portion 13. This structure comprises an electron beam generating unit 12' and a 20 'electrode anode comprising the transmission-type target portion 13 and a 43' reflected electron beam / X-ray shielding plate including 42 'incident electron beam holes and 24' X-ray extraction portions in an 11 'vacuum chamber .

Na unidade geradora de feixe de elétrons 12', feixes de elétrons e emitidos pelos elementos de emissão de elétrons 15 passam atravésde um eletrodo de lente e são acelerados para alta energia. Os feixes deelétrons acelerados passam através dos furos de feixe de elétron incidente 42'da placa de blindagem de raios-X/feixe de elétron refletidos 43' e sãoaplicados à porção alvo tipo transmissão 13'. Os raios-X gerados pela porçãoalvo tipo transmissão 13' são extraídos como feixes de raios-X χ das porçõesde extração de raios-X 24' da placa de blindagem de raios-X/feixe de elétronrefletidos 43'. Uma pluralidade de feixes de raios-X χ forma múltiplos feixesde raios-X. A placa de blindagem de raios-X/feixe de elétron refletidos 43'pode suprimir grandemente a dispersão de elétrons refletidos que causadescarga de alta voltagem.In the 12 'electron beam generating unit, electron beams emitted by the electron emitting elements 15 pass through a lens electrode and are accelerated to high energy. The accelerated electron beams pass through the incident electron beam holes 42 'of the reflected electron beam / X-ray shield plate 43' and are applied to the transmission type target portion 13 '. The X-rays generated by the transmission type target portion 13 'are extracted as x-ray beams χ from the X-ray extraction portions 24' of the X-ray shielding plate / electron reflected beam 43 '. A plurality of x-ray beams χ form multiple x-ray beams. The 43 'reflected electron beam / X-ray shielding plate can greatly suppress the scattering of high voltage discharged reflected electrons.

Como no arranjo mostrado na fig. 9, no qual os ângulos deirradiação dos feixes de raios-X χ são ajustados pelo uso da placa deblindagem de raios-X 23 na câmara de vácuo Ilea placa de blindagem deraios-X 41 fora da câmara de vácuo 11, no arranjo mostrado na fig. 12, osângulos de irradiação dos feixes de raios-X χ podem ser ajustados pelo uso daplaca de blindagem de raios-X 41 fora da câmara de vácuo 11.As in the arrangement shown in fig. 9, in which the radiation angles of the X-ray beams are adjusted by using the X-ray shielding plate 23 in the vacuum chamber Il and the X-ray shielding plate 41 outside the vacuum chamber 11, in the arrangement shown in FIG. . 12, the radiation angles of the x-ray beams can be adjusted by using the x-ray shield plate 41 outside the vacuum chamber 11.

O segundo modo de realização exemplificou uma aplicação dapresente invenção à porção alvo tipo reflexão 13' com uma estrutura planar.Entretanto, a presente invenção também pode ser aplicada a um corpo defonte de raios-X múltiplos, no qual a unidade geradora de feixe de elétrons12', o eletrodo anodo 20', e a porção alvo tipo reflexão são arranjados emuma forma arqueada. Por exemplo, a colocação da porção alvo tipo reflexão13' em uma forma arqueada, centrada sobre um objeto e provendo as placasde blindagem de raios-X 23 e 41, pode reduzir extremamente a região doescape de raios-X x2 na técnica anterior mostrada na fig. 15. Observe que estearranjo também pode ser aplicado à porção alvo tipo transmissão 13 damesma maneira.The second embodiment exemplified an application of the present invention to the reflection-like target portion 13 'with a planar structure. However, the present invention may also be applied to a multiple X-ray source body in which the electron beam generating unit 12 is present. ', the anode electrode 20', and the reflection-like target portion are arranged in an arcuate shape. For example, placing the reflection-like target portion 13 'in an arcuate shape, centered on an object and providing the x-ray shield plates 23 and 41, can greatly reduce the region of the x2 x-ray shield in the prior art shown in fig. . Note that the arrangement can also be applied to the transmission type target portion 13 in the same manner.

Como descrito acima, o segundo modo de realização podeextrair o feixe de raios-X independente χ que tem uma alta relação S/N commuito poucos raios-X dispersos ou raios-X de escape, dos raios-X geradospela irradiação da porção alvo tipo reflexão 13' com os feixe de elétrons e. Ouso deste feixe de raios-X χ pode, portanto, executar formação de imagem porraios-X com elevado contaste e alta qualidade de imagem.As described above, the second embodiment can extract the independent X-ray beam χ which has a high S / N ratio with very few scattered X-rays or escape X-rays from the X-rays generated by the reflection-like target portion irradiation. 13 'with the electron beam e. The use of this x-ray beam can therefore perform X-ray imaging with high contrast and high image quality.

[Terceiro modo de realização][Third embodiment]

A fig. 13 mostra uma vista do arranjo de um aparelho deformação de imagem por raios-X múltiplos. Este aparelho de formação deimagem tem uma unidade de medição de intensidade de raios-X múltiplos 52incluindo um detector de raios-X do tipicamente, de transmissão 51, que écolocado em frente ao corpo de fonte de raios-X múltiplos 10 mostrado na fig.1. Este aparelho tem ainda um detector de raios-X 53 colocado através de umobjeto (não mostrado). A unidade medidora de intensidade de raios-Xmúltiplos 52 e o detector de raios-X 53 são conectados a uma unidade decontrole 56 via unidades de processamento de sinal de detecção 54 e 55,respectivamente. Em adição, a saída da unidade de controle 56 é conectada auma unidade de sinal de ativação 17 via um circuito de ativação de elementode emissão de elétron 57. Saídas da unidade de controle 56 são,respectivamente, conectadas a porção de introdução de alta voltagem 21 e 22de um eletrodo de lente 20 via unidades de controle de alta voltagem 58 e 59.Fig. 13 shows an arrangement view of a multiple X-ray imaging apparatus. This imaging device has a multiple X-ray intensity measuring unit 52 including a typically transmission X-ray detector 51 which is placed in front of the multiple X-ray source body 10 shown in FIG. . This apparatus also has an X-ray detector 53 placed through an object (not shown). Multiple X-ray intensity measuring unit 52 and X-ray detector 53 are connected to a control unit 56 via detection signal processing units 54 and 55, respectively. In addition, the control unit output 56 is connected to an activation signal unit 17 via an electron emission element activation circuit 57. Outputs from the control unit 56 are respectively connected to the high voltage input portion 21 and 22 of a lens electrode 20 via high voltage control units 58 and 59.

Como no primeiro modo de realização, o corpo de fonte deraios-X múltiplos 10 gera uma pluralidade de feixe de raios-X χ pelairradiação de uma porção alvo tipo transmissão 13 com uma pluralidade defeixes de elétrons e extraídos de uma unidade geradora de feixe de elétrons12. A pluralidade de feixe de raios-X gerados χ é extraída como feixes deraios-X múltiplos em direção à unidade de medição de intensidade de raios-Xmúltiplos 52 na atmosfera, via janelas de extração de raios-X 27 providas emuma porção de parede 25. Os feixes de raios-X múltiplos (a pluralidade defeixe de raios-X x) são colididos sobre um objeto após serem transmitidosatravés do detector de raios-X do tipo transmissão 51 da unidade de mediçãode intensidade de raios-X múltiplos 52. Os feixes de raios-X múltiplostransmitidos através do objeto são detectados pelo detector de raios-X 53,obtendo, assim, uma imagem de transmissão de raios-X do objeto.As in the first embodiment, the multiple X-ray source body 10 generates a plurality of X-ray beams by radiating a transmission-like target portion 13 with a plurality of electron defects and extracted from an electron beam generating unit12. . The plurality of generated x-ray beam χ is extracted as multiple x-ray beams toward the multiple x-ray intensity measuring unit 52 in the atmosphere via x-ray extraction windows 27 provided on a wall portion 25. Multiple x-ray beams (the plurality of x-ray defects) are collided with an object after being transmitted via the transmission-type x-ray detector 51 of the multiple x-ray intensity measuring unit 52. Multi-transmitted X-rays through the object are detected by the X-ray detector 53, thus obtaining an image of X-ray transmission of the object.

Nos elementos de emissão de elétrons 15 arranjados sobre umarranjo ordenado de elementos 16, ocorrem ligeiras variações nascaracterísticas de corrente-voltagem entre os elementos de emissão deelétrons 15. As variações na corrente de emissão conduzem a variações nadistribuição de intensidade de feixes de raios-X múltiplos, resultando emirregularidade de contraste no momento de formação de imagem de raios-X.Portanto, é necessário uniformizar correntes de emissão nos elementos deemissão de elétrons 15.In the electron emission elements 15 arranged on an orderly arrangement of elements 16, slight variations in the voltage-current characteristics occur between the electron emission elements 15. The variations in the emission current lead to variations in the intensity distribution of multiple X-ray beams. , resulting in contrast irregularity at the time of X-ray imaging. Therefore, it is necessary to standardize emission currents in the electron emission elements 15.

O detector de raios-X do tipo transmissão 51 da unidade demedição de intensidade de raios-X múltiplos 52 é um detector usando umsemicondutor. O detector de raios-X do tipo transmissão 51 absorve partes defeixes de raios-X múltiplos e converte os mesmos em sinais elétricos. Ocircuito de controle de comutador 54 converte, então, os sinais elétricosobtidos em dados digitais. A unidade de controle armazenar os dados digitaiscomo os dados de intensidade da pluralidade de raios-X x.The transmission type X-ray detector 51 of the multiple X-ray intensity measuring unit 52 is a detector using a semiconductor. Transmission-type X-ray detector 51 absorbs multiple X-ray defective parts and converts them to electrical signals. The switch control circuit 54 then converts the electrical signals obtained into digital data. The control unit stores the digital data as the intensity data of the plurality of x-rays.

A unidade de controle 56 armazenar dados de correção para oelemento de emissão de elétrons 15 que correspondem às características devoltagem-corrente dos elementos de emissão de elétrons 15 na fig. 6, edetermina os valores ajustados de voltagem de correção para os elementos deemissão de elétrons 15 pela comparação dos dados de correção com os dadosde intensidade de detecção de feixes de raios-X múltiplos. Voltagens deativação ativar sinais Sl e S2 obtidos pela unidade de sinal de ativação 17controlada pelo circuito de ativação de elemento de emissão de elétrons 57são corrigidas pelo uso destas voltagens de correção. Isto torna possíveluniformizar correntes de emissão nos elementos de emissão de elétrons 15 euniformizar as intensidades dos feixes de raios-X χ nos feixes de raios-Xmúltiplos.The control unit 56 stores correction data for the electron emission element 15 that corresponds to the current-return characteristics of the electron emission elements 15 in fig. 6, determines the adjusted correction voltage values for the electron emission elements 15 by comparing the correction data with the multiple X-ray beam detection intensity data. Activating voltages activating Sl and S2 signals obtained by the activation signal unit 17 controlled by the electron emission element activation circuit 57 are corrected by the use of these correction voltages. This makes it possible to uniformize emission currents in the electron emission elements 15 and to uniformize the intensities of the X-ray beams in the multiple X-ray beams.

O método de correção de intensidade de raios-X usando odetector de raios-X do tipo transmissão 51 pode medir uma intensidade deraios-X a despeito de um objeto e, assim, pode corrigir as intensidades dosfeixes de raios-X χ em tempo real durante formação de imagem de raios-X.The X-ray intensity correction method using the transmission type X-ray detector 51 can measure an X-ray intensity regardless of an object and thus can correct the intensities of the X-ray beams in real time during X-ray imaging.

Independentemente do método de correção acima, é possíveltambém corrigir as intensidades de feixes de raios-X múltiplos pelo uso dodetector de raios-X 53 para formação de imagem. O detector de raios-X 53usa um detector de raios-X do tipo bidimensional como um formação deimagem de estado-sólido CCD ou um formação de imagem usando silícioamorfo, e pode medir as distribuições de intensidade dos respectivos feixes de raios-X.Regardless of the above correction method, it is also possible to correct the intensities of multiple x-ray beams by using the x-ray detector 53 for imaging. The X-ray detector 53 uses a two-dimensional X-ray detector as a solid state CCD imaging or an image using silicon amorphous, and can measure the intensity distributions of the respective X-ray beams.

De modo a corrigir as intensidades dos feixes de raios-X χpelo uso do detector de raios-X 53, basta extrair o feixe de elétron e pelaativação do único elemento de emissão de elétrons 15 e detectarsincronamente a intensidade do feixe de raios-X gerado χ pelo uso do detectorde raios-X 53. Neste caso, é possível medir eficazmente as distribuições deintensidade de feixes de raios-X múltiplos com um sinal de detecção dodetector de raios-X 53 para formação de imagem. Este sinal de detecção éconvertido em um sinal digital pela unidade de processamento de sinal dedetecção de raios-X 55. O sinal é, então, armazenado na unidade de controle 56.In order to correct the intensities of the X-ray beams by using the X-ray detector 53, simply extract the electron beam and activate the single electron-emitting element 15 and synchronously detect the intensity of the generated X-ray beam. by using the X-ray detector 53. In this case, it is possible to effectively measure the intensity distributions of multiple X-ray beams with an X-ray detector detection signal 53 for imaging. This sensing signal is converted to a digital signal by the X-ray sensing signal processing unit 55. The signal is then stored in the control unit 56.

Esta operação é efetuada para todos os elementos de emissãode elétrons 15. Os dados resultantes são, então, armazenados como dados de5 distribuição de intensidade de todos os feixes de raios-X múltiplos na unidadede controle 56. Apo mesmo tempo, valores de correção para ativação devoltagens para os elementos de emissão de elétrons 15 são determinados pelouso de parte ou do valor integral das distribuições de intensidade de feixes deraios-X múltiplos.This operation is performed for all electron emission elements 15. The resulting data is then stored as intensity distribution data of all multiple X-ray beams in control unit 56. At the same time, correction values for activation Returns to the electron emission elements 15 are determined by part or all of the intensity distributions of multiple x-ray beams.

No momento de formação de imagem de raios-X do objeto, ocircuito de ativação de elemento de emissão de elétrons múltiplos 57 ativa oselementos de emissão de elétrons 15 de acordo com os valores de correçãopara voltagens de ativação. A efetivação desta série de operações comocalibração de aproximadamente, periódica pode uniformizar as intensidadesdos feixes de raios-X x.At the time of object X-ray imaging, the multiple electron emission element activation circuit 57 activates the electron emission elements 15 according to the correction values for activation voltages. Performing this series of operations with approximately periodic calibration can even out the intensities of the x-ray beams.

A descrição acima exemplificou o caso no qual os elementosde emissão de elétrons 15 são individualmente ativados para medirintensidades de raios-X. Entretanto, é possível acelerar medição pelairradiação simultânea com feixes de raios-X χ de uma pluralidade de porçõessobre o detector de raios-X 53 sobre as quais os feixes de raios-X χ não sãosobrepostos.The above description exemplified the case in which the electron-emitting elements 15 are individually activated to measure X-ray intensities. However, it is possible to accelerate measurement by simultaneous X-ray beam radiation of a plurality of portions over the X-ray detector 53 over which X-ray beams are not superimposed.

Adicionalmente este método de correção tema distribuição deintensidade de cada feixe de raios-X χ como dado e, assim, pode ser usadopara corrigir irregularidade nos feixes de raios-X x.Additionally this method of correction has the intensity distribution of each X-ray beam as given and thus can be used to correct irregularity in the x-ray beams.

O aparelho de formação de imagem de raios-X usando o corpode fonte de raios-X múltiplos 10 deste modo de realização pode implementaruma fonte de raios-X planar com um tamanho de objeto pelo arranjo dosfeixes de raios-X χ da maneira acima e, assim, o tamanho do aparelho podeser reduzido pela colocação do corpo de fonte de raios-X múltiplos 10próximo ao detector de raios-X 53. Em adição, como descrito acima, para osfeixes de raios-X x, intensidades de irradiação de raios-X e regiões deirradiação podem ser arbitrariamente selecionadas pela designação decondições de ativação para o circuito de ativação de elemento de emissão deelétrons 57 e regiões do elemento a serem ativadas.The X-ray imaging apparatus using the multiple X-ray source body 10 of this embodiment may implement a planar X-ray source with an object size by arranging the X-ray beams χ in the manner above and, thus, the size of the apparatus may be reduced by placing the multiple x-ray source body 10 near the x-ray detector 53. In addition, as described above, for x-ray beams, x-ray irradiation intensities and radiation regions may be arbitrarily selected by designating activation conditions for the electron emission element activation circuit 57 and regions of the element to be activated.

Adicionalmente, o aparelho de formação de imagem de raios-X múltiplos pode selecionar os ângulos de irradiação dos feixes de raios-X χpela mudança da placa de blindagem de raios-X 41 provida fora da câmara devácuo 11, mostrada na fig. 9. Por conseguinte, o feixe ótimo de raios-X χpode ser obtido de acordo com as condições de formação de imagem como adistância entre o corpo de fonte de raios-X múltiplos 10 e um objeto e umaresolução.Additionally, the multiple X-ray imaging apparatus may select the radiation angles of the X-ray beams by changing the X-ray shield plate 41 provided outside the hollow chamber 11 shown in FIG. 9. Therefore, the optimal X-ray beam χ can be obtained according to imaging conditions as the distance between the multiple X-ray source body 10 and an object and a resolution.

A presente invenção não está limitada aos modos de realizaçãoacima e várias mudanças e modificações podem se feitas dentro do espírito eescopo da presente invenção. Por conseguinte, para informar o público sobreo escopo da presente invenção as reivindicações a seguir foram feitas.The present invention is not limited to the above embodiments and various changes and modifications may be made within the spirit and scope of the present invention. Accordingly, to inform the public about the scope of the present invention the following claims have been made.

Este pedido reivindica prioridade do pedido de patenteprovisório japonês 2006-57.846, depositado em 3 de março de 2006, e pedidode patente japonês 2007-50.942, depositado em 1 de março de 2007, cujosconteúdos integrais são aqui incorporados pela referência.This application claims priority for the Japanese provisional patent application 2006-57.846 filed March 3, 2006 and Japanese patent application 2007-50.942 filed March 1, 2007, the full contents of which are incorporated herein by reference.

Claims (16)

1. Gerador de raios-X múltiplos, caracterizado pelo fato decompreender uma pluralidade de elementos de emissão de elétrons, meios deaceleração para acelerar feixes de elétrons emitidos pela mencionadapluralidade de elementos de emissão de elétrons, e uma porção alvo que éirradiada com os feixes de elétrons, onde a mencionada porção alvo é providaem correspondência com os feixes de elétrons, a mencionada porção alvocompreende meios de blindagem de raios-X, e raios-X gerados damencionada porção alvo são extraídos como feixes de raios-X múltiplos paraa atmosfera.1. Multiple X-ray generator, characterized in that it comprises a plurality of electron-emitting elements, accelerating means for accelerating electron beams emitted by the plurality of electron-emitting elements, and a target portion that is irradiated with the electron beams. wherein said target portion is matched with the electron beams, said target portion comprises X-ray shielding means, and X-rays generated from said target portion are extracted as multiple X-ray beams into the atmosphere. 2. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato do controle de voltagem ser efetuado sobre osmencionados elementos de emissão de elétron compreendendo fontes deelétrons de catodo frio com base em uma condição de irradiação de feixes deraios-X para permitir controle de Liga/Desliga sobre cada feixe de raios-Xformando os feixes de raios-X múltiplos.Multiple X-ray generator according to claim 1, characterized in that the voltage control is performed on said electron emission elements comprising cold cathode electron sources based on an X-ray beam irradiation condition for allow on / off control over each x-ray beam by forming multiple x-ray beams. 3. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato dos mencionados meios de blindagem de raios-Xincluir dois meios de blindagem, um dos quais é configurado para sersubstituído na atmosfera.Multiple X-ray generator according to Claim 1, characterized in that said X-ray shielding means includes two shielding means, one of which is configured to be replaced in the atmosphere. 4. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato dos mencionados meios de blindagem de raios-Xque a mencionada porção alvo compreende incluir uma função de dissiparcalor gerado na mencionada porção alvo.Multiple X-ray generator according to Claim 1, characterized in that said X-ray shielding means comprises said target portion comprising a dissipater function generated on said target portion. 5. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de outro meio de blindagem para suprimir raios-Xdispersos e feixes de elétrons refletidos ser acoplado à mencionada porçãoalvo, e o mencionado outro meio de blindagem compreender um furoincidente para um feixe de elétron.Multiple X-ray generator according to Claim 1, characterized in that another shielding means for suppressing scattered X-rays and reflected electron beams is coupled to said target portion, and said other shielding means comprises an incident hole for an electron beam. 6. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação-3, caracterizado pelo fato da mencionada porção alvo e os mencionados doismeios de blindagem serem arranjados em uma forma arqueada centrada sobreuma posição na qual um objeto deve ser colocado.Multiple X-ray generator according to Claim 3, characterized in that said target portion and said two shielding means are arranged in an arcuate shape centered over a position in which an object is to be placed. 7. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com qualquer umadas reivindicações 1 a 6, caracterizado pelo fato da mencionada porção alvocompreender uma porção alvo tipo transmissão.Multiple X-ray generator according to any one of claims 1 to 6, characterized in that said target portion comprises a transmission type target portion. 8. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação-7, caracterizado pelo fato da mencionada porção alvo do tipo transmissãocompreender uma camada geradora de raios-X compreendendo um metalpesado e uma camada de suporte de geração de raios-X compreendendo umelemento leve com uma boa característica de transmissão de raios-X.Multiple X-ray generator according to Claim 7, characterized in that said transmission-type target portion comprises an X-ray generating layer comprising a metal weight and an X-ray generating support layer comprising a light element. with a good X-ray transmission feature. 9. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com a reivindicação-8, caracterizado pelo fato da mencionada camada de suporte de geração deraios-X incluir uma função de filtro de mudar uma qualidade de radiação dosraios-X gerados pela camada de geração de raios-X, e compreender ummaterial com elevada condutividade termal.Multiple X-ray generator according to Claim 8, characterized in that said X-ray generating support layer includes a filter function of changing a radiation quality of the X-rays generated by the ray generating layer. -X, and comprise a material with high thermal conductivity. 10. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com areivindicação 8 ou 9, caracterizado pelo fato da camada de suporte de geraçãode raios-X usar um substrato compreendendo um dentre Al, AlN, e SiC ouuma combinação dos mesmos.Multiple X-ray generator according to Claim 8 or 9, characterized in that the X-ray generating backing layer uses a substrate comprising one of Al, AlN, and SiC or a combination thereof. 11. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com qualquer umadas reivindicações 1 a 6, caracterizado pelo fato da mencionada porção alvocompreender uma porção alvo do tipo reflexão.Multiple X-ray generator according to any one of Claims 1 to 6, characterized in that said target portion comprises a reflection-like target portion. 12. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com qualquer umadas reivindicações 1 a 11, caracterizado pelo fato de uma distância d entre osfeixes de raios-X múltiplos ter uma relação de d > 2d*tan a, onde D é umadistância da mencionada porção alvo até uma posição de extração paraextração do feixe de raios-X múltiplos para a atmosfera e α ser um ângulo deradiação de um feixe de raios-X do mencionado meio de blindagem de raios-X.Multiple X-ray generator according to any one of Claims 1 to 11, characterized in that a distance d between the multiple X-ray beams has a ratio of d> 2d * tan a, where D is a distance from said portion. target up to an extraction position for multiple X-ray beam extraction into the atmosphere and α is an angle of radiation of an X-ray beam from said X-ray shielding means. 13. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com qualquer umadas reivindicações 1 a 12, caracterizado pelo fato das intensidades dos feixesde raios-X múltiplos serem controladas por voltagens de ativação paraelementos de emissão de elétrons múltiplos com base nos dados de correção.Multiple X-ray generator according to any one of Claims 1 to 12, characterized in that the intensities of the multiple X-ray beams are controlled by activation voltages for multiple electron emission elements based on the correction data. 14. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com areivindicação 13, caracterizado pelo fato dos dados de correção serem obtidospor medição usando uma unidade de medição de intensidade de raios-Xmúltiplos tipo transmissão correspondente aos feixes de raios-X múltiplos.14. Multiple X-ray generator according to Claim 13, characterized in that the correction data are obtained by measurement using a transmission-type multiple X-ray intensity measuring unit corresponding to the multiple X-ray beams. 15. Gerador de raios-X múltiplos de acordo com areivindicação 13, caracterizado pelo fato dos dados de correção serem obtidospor medição ao sincronizar um sinal de geração para cada um dos feixes deraios-X múltiplos com um sinal de detecção de um detector de raios-X paraformação de imagem.15. Multiple x-ray generator according to claim 13, characterized in that the correction data is obtained by measurement by synchronizing a generation signal for each of the multiple x-ray beams with a detection signal of a x-ray detector. X image shaping. 16. Aparelho de formação de imagem de raios-X múltiplosusando um gerador de raios-X múltiplos como definido em uma dasreivindicações 1 a 15, caracterizado pelo fato de detectar, formar imagem ediagnosticar uma imagem de transmissão de raios-X dos feixes de raios-Xobtida pela irradiação de um objeto com os feixes de raios-X múltiplos.Multiple X-ray imaging apparatus using a multiple X-ray generator as defined in one of claims 1 to 15, characterized in that it detects, images and diagnoses an X-ray transmission image of the X-ray beams. Obtained by the irradiation of an object with multiple x-ray beams.
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Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 10 (DEZ) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 02/04/2019, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS. (CO) 10 (DEZ) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 02/04/2019, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS

B16C Correction of notification of the grant [chapter 16.3 patent gazette]

Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 20 (VINTE) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 02/03/2007, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS. PATENTE CONCEDIDA CONFORME ADI 5.529/DF, QUE DETERMINA A ALTERACAO DO PRAZO DE CONCESSAO

B21F Lapse acc. art. 78, item iv - on non-payment of the annual fees in time

Free format text: REFERENTE A 17A ANUIDADE.

B24J Lapse because of non-payment of annual fees (definitively: art 78 iv lpi, resolution 113/2013 art. 12)

Free format text: EM VIRTUDE DA EXTINCAO PUBLICADA NA RPI 2764 DE 26-12-2023 E CONSIDERANDO AUSENCIA DE MANIFESTACAO DENTRO DOS PRAZOS LEGAIS, INFORMO QUE CABE SER MANTIDA A EXTINCAO DA PATENTE E SEUS CERTIFICADOS, CONFORME O DISPOSTO NO ARTIGO 12, DA RESOLUCAO 113/2013.