BRPI0711411A2 - forno de processo ou congêneres - Google Patents
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Abstract
FORNO DE PROCESSO OU CONGêNERES. Trata-se de uma parte de um forno CVI/CVD, na qual um sistema de aquecimento (22) para aquecer o forno fica localizado, que é isolada de uma parte restante do forno exposta a um gás reativo ali presente. Por exemplo, a carcaça do forno pode ser fornecida com uma parede divisória (16) ou congêneres para fornecer uma separaçao física. Além do mais, um gás inerte, tais como argónio ou nitrogénio, é fornecido por meio do conduíte (34) na zona de aquecimento que contém o sistema de aquecimento para que a parte do forno esteja em diferencial de pressão positivo, se comparado com a parte na qual o gás reativo está presente. Em decorrência disto, o gás reativo demora entrar em contato com o sistema de aquecimento que pode, entre outras coisas, fazer com que depósitos se formem ali. Mais no geral, o controle do fluxo de gás reativo no forno é mais bem controlado.
Description
"FORNO DE PROCESSO OU CONGÊNERES"
CAMPO DA TÉCNICA
A presente invenção diz respeito, mais no geral, a fornalhas, fornos, câ maras de processo e congêneres no interior dos quais um gás reativo é introduzido como parte de uma etapa do processo. Um exemplo em particular da invenção diz respeito a fornos para infiltração química de vapor / deposição químic a de vapor (CVI/CVD) nos quais um gás reativo é introduzido como parte de um processo para densificar elementos porosos, tais como pré-fôrmas de freio porosas.
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
No geral, é conhecido o uso de fornalhas, fornos, câmaras de processo e congêneres nos quais um gás reativo é introduzido como parte de uma etapa de processo (doravante, a menção a "forno" na descrição deve ser entendida, no geral, como igualmente aplicável a fornalhas e outras câmaras de processo desta natureza). Um exemplo neste aspecto é o processo de infiltração química de vapor, no qual um gá s reativo precursor é introduzido em um forno no qual elementos porosos (tais como, por exemplo, e sem limitações, pré-fôrmasde disco de freio porosas) são colocados.
No geral, um forno convencional inclui uma carcaça de forno mais exterior, um espaço operacional ou câmara de reação ali fornecido no interior do qual objetos ou elementos a serem processados são colocados, um sistema para mover o gás reativo para o interior e para fora do forno, e um sistema de aquecimento para aquecer pelo menos o interior da câmara de reação.
De uma maneira conhecida, faz-se com que o gás reativo infiltre na estrutura porosa dos elementos porosos. O gás reativo pode ser um gás de hidrocarboneto, tal como propano.
Em um exemplo conhecido, um gás reativo é introduzido em um volume interior definido por uma pilha de pré-fôrmasde disco de freio anular substancialmente alinhadas na câmara de reação de um forno. No geral, faz-se com que o gás se mova do volume interior da pilha para o exterior da pilha por difusão através da estrutura porosa (por exemplo, fíbrosa) das pré-fôrmas tfou através das folgas entre as pré-fôrmas adjacentes.
Pelo menos o interior da câmara de reação é aquecido pelo sistema de aquecimento. Assim, em virtude da temperatura relativamente alta das pré-fôrmasde disco de freio, o gá s reativo pirolisa e deixa um produto de decomposição nas superfícies interiores da estrutura porosa. Por exemplo, no caso de um gás de hidrocarboneto, o produto de decomposição é carbono pirolítico para que um material compósitode carbono (tal como carbono-carbono) seja obtido.
Um exemplo de um sistema de aquecimento convencional para tais fornos é um sistema de aquecimento indutivo. Em um sistema como este, a câmar a de reação pode ser feita de um material para agir como um susceptor, tal como grafite. Também é fornecido um sistema para fornecer o campo magnético necessário, tal como uma ou mais bobinas elétricas colocadas operativamente adjacentes a pelo menos parte do susceptor. Quando uma corrente alternada suficiente for aplicada nas bobinas elétricas, o campo magnético resultante ocasiona aquecimento indutivo do susceptor de uma maneira bem conhecida.
Um outro sistema de aquecimento convencional é aquecimento resistivo, no qual uma corrente elétrica passa através de um elemento resistivo que, em decorrência disto, é aquecido. Usualmente, o uso do aquecimento resistivo obriga o uso de um elemento resistivo além da estrutura que define a câmara de reação.
Tanto com o sistema de aquecimento indutivo quanto com o sistema de aquecimento resistivo, isolamento térmico pode ser fornecido ao redor do exterior da câmara de reação a fim de aumentar a eficiência de aquecimento.
Entretanto, o gás reativo introduzido na câmara de reação pode tender a vazar ou sair da câmara de reação por difusão para o interior do volume no forno, mas do lado de fora da câm ara de reação.
Em particular, em um processo CVI/CVD, usualmente, o gás reativo é um gá s precursor para um produto de decomposição a ser depositado (tais como um deposto de carboneto ou de carbono). Se o gás reativo alcançar o isolamento ou o sistema de aquecimento, um acúmulo do depóàto pode surgir nestas estruturas, o que ocasiona deterioração da função, da confiabilidade e/ou da vida útil operacional.
DESCRIÇÃO RESUMIDA DA INVENÇÃO
Em vista do exposto, é desejável isolar substancialmente o sistema de aquecimento (e isolamento térmico associado, se houver) em um forno CVI/CVD de um gás reativo que é ali usa do.
Portanto, a presente invenção contempla definir uma zona em uma carcaça de forno CVI/CVD no qual o sistema de aquecimento (que inclui isolamento térmico associado, se houver) é substancialmente isolado de contato com o gás reativo que é usado no processo CVI/CVD.
Em um aspecto, a zona isolada (algumas vezes aqui referida como a "zona de aquecimento") na carcaça do forno é fisicamente separada por uma estrutura de parede localizada na carcaça do forno para definir a zona de aquecimento.
Em um aspecto adicional, a presente invenção contempla introduzir um fluxo de um gás inerte na zona de aquecimento para definir um diferencial de pressão ligeiramente positivo em relação à pressão do gá s reativo na câmara de reação. Este diferencial de pressão retarda adicionalmente qualquer tendência de o gás reativo entrar na zona de aquecimento.
A presente invenção pode ser ainda mais bem entendida em relação aos desenhos anexos, nos quais:
a figura 1 é uma vista esquemática seccional transversal de um forno de processo de acordo com a presente invenção, no qual um sistema de aquecimento indutivo é usado; e
a figura 2 é uma vista seccional transversal parcial que ilustra o uso alternativo de um sistema de aquecimento resistivo na presente invenção, da forma contemplada.
DESCRIÇÃO DETALHADA DA PRESENTE INVENÇÃO
Para simplificar a descrição da invenção, um exemplo de um forno indutivamente aquecido será apresentado primeiro. Posteriormente, em relação à figura 2, a aplicabilidade da presente invenção em um forno que usa aquecimento resistivo será ilustrada.
No geral, um forno 10 usado para CVI/CVD compreende uma carcaça externa do forno 12 que separa o interior do forno 10 do exterior, e que ali define um certo volume.
No volume do forno 10, é fornecido um susceptor 14. Como é bem conhecido na tecnologia, no geral, um susceptor é uma estrutura que fica aquecida na presença de um campo magnético gerado por uma corrente alternada. O susceptor 14 em um forno CVI/CVD pode, por exemplo, compreender uma ou mais paredes 16, um piso 18 e um topo 20 que definem coletivamente um outro volume ou câmara de reação no volume geral do forno 10. Objetos a ser tratados, tais como pré-fôrmasde disco de freio porosas, são colocados no volume 21 definido pelo susceptor 14.
Um sistema para aquecer o forno é genericamente ilustrado em 22. Por exemplo, no caso de um forno indutivamente aquecido, o sistema de aquecimento 22 é uma ou mais bobinas elétricas convencionais conectadas em uma fonte de alimentação exterior de energia apropriada. Bobinas elétricas desta natureza são consideradas conhecidas pelos versados na técnica e, portanto, não são aqui descritas nem ilustradas com detalhes.
A fim de aumentar a eficiência do aquecimento do susceptor 14, o isolamento térmico 23 pode ser fornecido em um exterior de uma ou mais superfícies do susceptor 14. O isolamento térmico é convencional na tecnologia, tal como material de isolamento térmico com base em cerâmica, ou isolamento de fibra de carbono, especialmente fibras de carbono que formam camadas sucessivamente empilhadas.
Uma ou mais passagens de entrada de gás 24 são fornecidas no susceptor 14 (uma passagem de entrada de gás 24 é ilustrada na figura 1 a título de simplicidade ilustrativa.). O gás reativo (por exemplo, um gás hidrocarboneto) é introduzido no forno 10 por meio de um conduíte 26 que cruza a parede do forno 12 a partir do exterior. O conduíte 26 é pelo menos alinhado com a passagem de entrada de gás 24 e pode ser nela fixo, ou ser fixo em relação a ela, por qualquer método adequado, tais como parafusos ou por solda. Mais no geral, é preferível que haja pouco ou nenhum vazamento do gá s reativo na interface entre o conduíte 26 e o susceptor 14. O fluxo de gás reativo através do conduíte 26 é sugerido pela seta rotulada A na figura 1.
No geral, o gás reativo é exaurido (por métodos convencionais de movimentação de gás, tais como ventiladores, sopradores de sucção, etc. não ilustrados) ou de outra forma sai do espaço operacional por meio de uma ou mais passagens de saída de gás 28, como sugerido pelas setas rotuladas B. Então, o gás reativo sai, ou faz-se com que ele saia, do forno 10 por meio de uma ou mais saídas do forno 30, como indicado, no geral, pelas setas rotuladas C.
De acordo com um exemplo da presente invenção, o volume interior do forno definido pela carcaça 12 pode ser particionado para definir a zona de aquecimento supramencionada. Por exemplo, da forma vista na figura 1, uma "prancha" ou parede anular 32 é fornecida e se estende radialmente entre uma superfície interior da carcaça 12 e uma superfície exterior do susceptor 14. A parede 32 é fixa no lugar por qualquer método de fixação convencional adequado para o ambiente operativo do forno 10. Mais particularmente, a parede 32 é vedada (por exemplo, por solda ou pela provisão de elementos de vedação fí sica) em ambas as suas bordas radialmente interna e externa para, desse modo, ter uma vedação de gás substancialmente total em relação à passagem de um gás. Desejavelmente, a parede 32 pode compreender um conjunto de camadas, tal como uma pilha de camadas cerâmicas r ígidas e/ ou flexíveis.
Um gás inerte, tais como argônio ou nitrogênio, é fornecido na zona de aquecimento por meio de um conduíte de suprimento de gás inerte 34, da forma sugerido pela seta rotulada D na figura 1.
O fluxo D de gás inerte pode ser regulado por uma válvula convencional 36. Com uma dada regulação da válvula 36, pode ser obtido um fluxo de gás D que mantém uma pressão pré-determinada Pl na zona de aquecimento (detectada pelo detector de pressão 38 esquematicamente ilustrado).
Em paralelo, a pressão P2 na outra parte do volume definido na carcaça do forno 32 no qual o gás reativo está presente (algumas vezes aqui referido como a zona reativa) é detectada por um outro detector de pressão 40.
As pressões detectadas Pl e P2 podem ser fornecidas juntamente a um controlador de válvu Ia 42 (preferivelmente, um controlador de válvu Ia automático) para que o fluxo D de gás inerte mantenha um diferencial de pressão positivo em particular na zona de aquecimento em relação ao restante do volume da carcaça do forno 10. Por exemplo, o diferencial de pressão a ser mantido pode ser de cerca de +0,5 até cerca de +5 milibars (+0,05 até +0,5 kPa) a favor da zona de aquecimento e, mais especificamente, de cerca de +1 até cerca de +2 milibars (+0,1 até +0,2 kPa) a favor da zona de aquecimento. A ligeira sobrepressão na zona de aquecimento também retarda qualquer vazamento ou outra entrada do gás reativo na zona d e aquecimento.
Como exposto, beneficamente, a determinação das pressões Pl e P2 pode ser automática. Por exemplo, a diferença de pressão entre as pressões detectadas em cada detector 38, 40 pode ser automaticamente calculada em intervalos regulares e fornecida ao controlador de vá lvula 42. Então, este resultado pode ser usado para ajustar automaticamente o fluxo D do gás inerte na zona de aquecimento.
Percebe-se que o fluxo de gás inerte também pode ser monitorado de maneira tal que um consumo excepcionalmente alto de gás inerte a fim de manter uma dada pressão na zona de aquecimento possa ser tomado como uma indicação de um vazamento de gá s na íntegra da zona de aquecimento, particularmente na parede 32. Esta determinação pode ser usada para disparar um alarme perceptível pelo usuário, ou pode ser usado como um sinal de disparo do sistema de controle para disparar automaticamente um procedimento responsivo.
A aplicação da presente invenção em um forno aquecido, ao contrár io, por um sistema de aquecimento resistivo não é substancialmente diferente daquela para um forno indutivamente aquecido. A figura 2 é uma vista seccional transversal parcial que ilustra um exemplo de como os elementos em um sistema de aquecimento resistivo são arranjados, mas, fundamentalmente, os mesmos conceitos se aplicam aos expostos. A saber, uma parte do volume definido pela carcaça do forno 12', na qual o sistema de aquecimento resistivo fica disposto, é separada com vedação do gás do restante do volume da carcaça do forno 12', onde o gás reativo está presente. Uma câmara de reação 14' fica disposta na carcaça do forno 12', no qual objetos a ser processados são colocados. Então, um ou mais elementos resistivos 25 podem ser colocados em contato com um exterior da câ mara de reação 14', ou pelo menos adjacente a ele. Os elementos resistivos 25 podem ter uma variedade de configurações convencionais. Em um exemplo típico, os elementos resistivos são elementos alongados.
Como no forno indutivamente aquecido, uma camada de isolamento térmico 23' pode ser fornecida para aumentar a eficiência de calor do forno.
Entretanto, apesar do diferente arranjo do sistema de aquecimento quando é usado o aquecimento de resistência, a mesma configuração geral na carcaça de forno 12' se aplica como no forno indutivamente aquecido. A saber, os elementos do sistema de aquecimento resistivo são similarmente isolados de uma parte do forno que contém o gás reativo, então, uma descrição do arranjo de uma parede de separação e do sistema de gás inerte não é repetida.
Embora a presente invenção tenha sido descrita anteriormente em relação a certos exemplos em particular com o propósito de ilustração e de explicação da invenção, entende-se que a invenção não é exclusivamente limitada pela referência aos detalhes específicos destes exemplos. Mais especificamente, versados na técnica percebem prontamente que modificações e desenvolvimentos podem ser feitos nas modalidades preferidas sem fugir do escopo da invenção, definido nas reivindicações anexas.
Claims (12)
1. Forno CVI/CVD compreendendo: uma carcaça de forno mais externa que define um primeiro volume no forno; uma câmara de reação disposta na carcaça do forno, no interior da qual um elemento a ser processado pelo forno é colocado; um sistema de aquecimento para aquecer pelo menos a câmara de reação; e um sistema de circulação de gás reativo para introduzir um gás reativo na câmara de reação a partir do exterior da carcaça de forno e para conduzir o gás reativo para fora da câmara de reação para o exterior da carcaça do forno; CARACTERIZADO pelo fato de que: uma parte do primeiro volume no qual o sistema de aquecimento fica localizado é isolada de uma maneira substancialmente vedada em relação ao gás de uma zona reativa no primeiro volume no qual o gás reativo está presente, desse modo, definindo uma zona de aquecimento; e em que o forno compreende adicionalmente um sistema de circulação de gás inerte construído e arranjado para fornecer um gás inerte à zona de aquecimento em uma taxa que cria um diferencial de pressão positivo em relação a uma pressão no restante do primeiro volume no qual o gás reativo está presente para retardar um fluxo de gás reativo para o interior da zona de aquecimento.
2. Forno, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato de que ele compreende um detector de pressão de zona de aquecimento construído e arranjado para determinar uma pressão na zona de aquecimento, em que o sistema de circulação de gás inerte compreende um regulador de fluxo, o regulador de fluxo sendo operável em correspondência com a pressão detectada na zona de aquecimento para ajustar uma vazão de gás inerte que resulta em uma pressão pré-determinada na zona de aquecimento.
3. Forno, de acordo com a reivindicação 2, CARACTERIZADO pelo fato de que ele compreende adicionalmente um detector de pressão na zona reativa construído e arranjado para determinar uma pressão na zona reativa onde o gás reativo está presente, em que o regulador de fluxo do sistema de circulação de gás inerte é construído e arranjado para controlar o fluxo de gás inerte para o interior da zona de aquecimento com base, pelo menos parcialmente, na pressão detectada na zona reativa para obter um diferencial de pressão positivo pré-determinada entre a zona de aquecimento e a zona reativa.
4. Forno, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, CARACTERIZADO pelo fato de que ele compreende adicionalmente um alarme para sinalizar uma mudança no fluxo de gás inerte necessário para manter uma dada pressão na zona de aquecimento.
5. Forno, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, CARACTERIZADO pelo fato de que o sistema de aquecimento é um sistema de aquecimento indutivo.
6. Forno, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, CARACTERIZADO pelo fato de que o sistema de aquecimento é um sistema de aquecimento resistivo.
7. Forno, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, CARACTERIZADO pelo fato de que a câmara de reação compreende um ou mais de um de um elemento de parede, de um elemento de piso e de um elemento de topo.
8. Forno, de acordo com a reivindicação 7, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende um conduíte de entrada de gás reativo arranjado para conduzir um gás reativo de um exterior da carcaça de forno para a abertura de entrada de gás reativo formada na câmara de reação.
9. Forno, de acordo com as reivindicações 7 ou 8, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende uma abertura de saída de gás reativo na câmara de reação.
10. Forno, de acordo com a reivindicação 9, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende uma saída de gás reativo fornecida na carcaça de forno.
11. Forno, de acordo com as reivindicações 2 ou 3, CARACTERIZADO pelo fato de que ele compreende um controlador para controlar automaticamente o fluxo regulador com base em uma ou em ambas as pressões detectadas da zona de aquecimento e da zona reativa.
12. Forno, de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende uma parede de barreira para dividir a zona de aquecimento da zona reativa, a parede de barreira incluindo pelo menos uma camada cerâmica.
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| KR101178046B1 (ko) * | 2009-03-23 | 2012-08-29 | 한국실리콘주식회사 | 폴리실리콘 제조용 화학기상증착 반응기 |
| CN102374780A (zh) * | 2010-08-12 | 2012-03-14 | 北京大方科技有限责任公司 | 一种平焰炉的结构设计方案 |
| WO2013055967A1 (en) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Integrated Photovoltaic, Inc. | Photovoltaic substrate |
| CN102534567B (zh) | 2012-03-21 | 2014-01-15 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法 |
| FR2993044B1 (fr) * | 2012-07-04 | 2014-08-08 | Herakles | Dispositif de chargement et installation pour la densification de preformes poreuses tronconiques et empilables |
| FR2993555B1 (fr) * | 2012-07-19 | 2015-02-20 | Herakles | Installation d'infiltration chimique en phase vapeur a haute capacite de chargement |
| CN102889791B (zh) * | 2012-09-27 | 2014-11-19 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 炉体排风控制装置 |
| CN105862013B (zh) * | 2016-06-17 | 2018-07-06 | 南京大学 | 一种应用于小型mocvd系统的高温加热装置 |
| CN107151779B (zh) * | 2017-05-27 | 2019-04-16 | 西华大学 | 渗氮可控的零污染离子氮化装置 |
| CN109197927B (zh) * | 2018-08-31 | 2020-12-04 | 东莞市华美食品有限公司 | 一种基于物联网控制的食品智能烘烤系统 |
| CN110242969B (zh) * | 2019-05-23 | 2020-12-01 | 北京科技大学 | 一种焚硫炉 |
| CN115094402B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-04-11 | 清华大学 | 一种立式双温区-双通道化学气相沉积设备 |
| CN121023471B (zh) * | 2025-10-29 | 2026-02-13 | 湖南顶立科技股份有限公司 | 一种用于cvd沉积设备的复合加热系统、协同控制方法及其在制备碳化钽涂层中的应用 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| FR2594119B1 (fr) * | 1986-02-10 | 1988-06-03 | Europ Propulsion | Installation pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau refractaire autre que le carbone |
| US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
| JPH07108836B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1995-11-22 | 株式会社日本生産技術研究所 | 減圧ｃｖｄ装置 |
| US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
| JPH05214540A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-24 | Hitachi Ltd | Ｃｖｄ反応のモニタ方法 |
| KR100251873B1 (ko) * | 1993-01-21 | 2000-04-15 | 마쓰바 구니유키 | 종형 열처리 장치 |
| FR2714076B1 (fr) * | 1993-12-16 | 1996-03-15 | Europ Propulsion | Procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur de carbure de silicium. |
| RU2173354C2 (ru) * | 1994-11-16 | 2001-09-10 | З Би.эФ. Гудрич Кампэни | Способ и устройство инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы (варианты), изделие, получаемое этим способом, устройство для подачи первого газа-реагента в печь для инфильтрации и осаждения из газовой фазы и фрикционный диск |
| AU3375000A (en) * | 1999-02-19 | 2000-09-04 | Gt Equipment Technologies Inc. | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
| US6228174B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-05-08 | Ichiro Takahashi | Heat treatment system using ring-shaped radiation heater elements |
| ATE350508T1 (de) * | 2000-02-18 | 2007-01-15 | Gt Solar Inc | Cvd-verfahren und -vorrichtung zum abscheiden von polysilizium |
| US7220312B2 (en) * | 2002-03-13 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating semiconductor substrates |
| JP4263024B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2009-05-13 | 株式会社ヒューモラボラトリー | 炭素薄膜の製造方法および製造装置 |
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