BRPI0904893A2

BRPI0904893A2 - método de realização de uma investigação por indução eletromagnética de uma formação que circunda um furo perfurado possuindo um revestimento, método para realização de uma investigação por indução eletromagnética em uma formação que circunda um furo perfurado possuindo um revestimento, sistema para realização de medições por indução eletromagnética em uma formação que circunda um furo perfurado possuindo emm revestimento, e método para compensação de atenuação em medições de invetigação por indução eletromagnética

Info

Publication number: BRPI0904893A2
Application number: BRPI0904893-6A
Authority: BR
Inventors: Guozhong Gao; Frank Morrison
Original assignee: Prad Res & Dev Ltd
Priority date: 2008-10-21
Filing date: 2009-10-01
Publication date: 2011-03-15
Also published as: US20100097066A1; US8400159B2

Abstract

MéTODO DE REALIZAçãO DE UMA INVESTIGAçãO POR INDUçãO ELETROMAGNéTICA DE UMA FORMAçãO QUE CIRCUNDA UM FURO PERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, MéTODO PARA REALIZAçãO DE UMA INVESTIGAçãO POR INDUçãO ELETROMAGNéTICA EM UMA FORMAçãO QUE CIRCUNDA UM FURO PERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, SISTEMA PARA REALIZAçãO DE MEDIçõES POR INDUçãO ELETROMAGNéTICA EM UMA FORMAçãO QUE CIRCUNDA UM FURO PERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, E MéTODO PARA COMPENSAçãO DE ATENUAçãO EM MEDIçõES DE INVESTIGAçãO POR INDUçãO ELETROMAGNéTICA São descritos métodos e sistemas associados para determinação do fator de atenuação por revestimento para diversas freqúências de medições da impedância de uma bobina de fiação de transmissão ou recepção. A compensação é baseada em duas relações. A primeira relação ocorre entre um ou mais parâmetros de impedância obtidos por medição e o produto de condutividade de revestimento, espessura de revestimento e freqúência eletromagnética. A segunda relação ocorre entre o fator de correção para revestimento e o produto de condutividade de revestimento, espessura de revestimento e freqúência eletromagnética.

Description

MÉTODO DE REALIZAÇÃO DE UMA INVESTIGAÇÃO POR INDUÇÃOELETROMAGNÉTICA DE UMA FORMAÇÃO QUE CIRCUNDA UM FUROPERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, MÉTODO PARA REALIZAÇÃODE UMA INVESTIGAÇÃO POR INDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA EM UMAFORMAÇÃO QUE CIRCUNDA UM FURO PERFURADO POSSUINDO UMREVESTIMENTO, SISTEMA PARA REALIZAÇÃO DE MEDIÇÕES PORINDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA EM UMA FORMAÇÃO QUE CIRCUNDA UMFURO PERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, E MÉTODO PARACOMPENSAÇÃO DE ATENUAÇÃO EM MEDIÇÕES DE INVESTIGAÇÃO PORINDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA

ANTECEDENTES

1. Campo da Invenção

O presente relatório descritivo de pedido depatente refere-se a medições eletromagnéticas realizadasrelativamente a furos perfurados. Mais particularmente, opresente relatório descritivo de pedido de patente refere-se a métodos e sistemas para correção ou determinação deatenuação devida à característica condutora de umrevestimento de furo perfurado durante a realização demedições eletromagnéticas.

2. Antecedentes da Invenção

As investigações ("surveys") eletromagnéticas (EM)são utilizadas para propósitos de mapeamento dacondutividade elétrica de formações geológicas entre furosperfurados e radialmente em afastamento de um único poço.Esta última operação, normalmente referida como perfilagemde indução, tem sido rotineiramente utilizada ao longo demais de cinqüenta anos. Estas investigações são realizadasem furos abertos, isto é, furos que não foram revestidoscom um revestimento condutor tal como um revestimentometálico.

Recentemente, os conceitos de perfilagem de induçãoforam ampliados para investigações entre poços nãorevestidos e entre poços equipados com revestimentosmetálicos condutores. Existe igualmente um interesse emutilizar perfilagem entre sensores de interior de poço e desuperficie e no interior de poços individuais revestidoscom forros metálicos. Os forros metálicos (revestimento)introduzem diverso-s problemas relativamente àsinvestigações de indução eletromagnética (EM). O primeiroproblema consiste no fato de o sinal do transmissor para oreceptor ser intensamente atenuado na passagem através dorevestimento metálico devido a sua elevada condutividade, ehabitualmente também devido a sua elevada permeabilidademagnética. 0 segundo problema reside no fato de acondutividade, a permeabilidade e a espessura seremvariáveis ao longo da extensão do revestimento. Um terceiroproblema reside no fato de os transmissores utilizadosnestas investigações consistirem normalmente em solenóidesde múltiplas voltas que possuem um núcleo de elevadapermeabilidade magnética. Em elevados niveis de corrente nosolenóide, a permeabilidade do material do núcleo, e doinvólucro circundante propriamente dito, é levada para umregime não linear. Nestas circunstâncias a corrente nosolenóide não é proporcional ao valor liquido do campoirradiado. Os receptores são igualmente solenóides denúcleo de elevado valor mu (alto-|a) porém não sãogeralmente operados em niveis de campo elevados nos quaissão observados efeitos não lineares.

As investigações de indução compartilhamtipicamente os mesmos principios fisicos. Um transmissor,normalmente uma bobina de múltiplas voltas de fio, portauma corrente alternada de freqüência co (radianos/segundo)quando disposto no interior de um furo de poço. A correntena bobina cria um campo magnético variável no tempo naformação subterrânea circundante que por sua vez, de acordocom a lei de Faraday, induz uma força eletromotiva (emf). Aforça emf conduz correntes na formação, que sãoproporcionais à condutividade da formação. Finalmente, umreceptor é posicionado alternativamente no mesmo furo depoço que o transmissor ou em um outro furo de poço separadodo furo de poço que contém o transmissor. 0 receptor mede ocampo magnético originário do transmissor e as correntessecundárias, ou induzidas, na formação.

A perfilagem de indução convencional utiliza umacombinação de múltiplos receptores e/ou múltiplostransmissores ligados em série para cancelamento do sinalmútuo no ar. Em geral, um modelo teórico para um talsistema embutido em uma formação de resistividadearbitrária é então utilizado para equiparação ouinterpretação dos campos recebidos. Em algumas aplicações,o valor absoluto da resistividade média da formação não étão importante quanto a capacidade de mapeamento devariações de resistividade no interior da formação. Paradeterminação desta variação espacial da resistividade daformação, as investigações envolvem tipicamente a colocaçãodo transmissor em múltiplas posições (por exemplo,profundidades) no interior do furo de poço, e medição docampo resultante em múltiplas posições de receptor paracada posição de transmissor. Em investigações de seçãotransversal de furo ("crosshole") , uma tal investigaçãoproduz como resultado um conjunto de dados similar ao dosmétodos de tomografia.

Existe uma faixa de freqüências na qual essasinvestigações por indução são práticas. Abaixo de umadeterminada freqüência os campos secundários da formaçãosão simplesmente excessivamente pequenos para seremdetectados com receptores práticos e acima de umadeterminada freqüência a atenuação causada pelorevestimento oblitera a resposta da formação. A faixa defreqüência depende do tipo de revestimento utilizado. 0revestimento de aço-carbono possui geralmente umacondutividade (cr) de 5e6 S/m, uma permeabilidade (jo.) de100, ao passo que o revestimento de Crômio é essencialmentenão magnético (p=l) , e possui uma condutividade (cr) de le6S/m. Como resultado, o revestimento de Crômio é maisfavorável para investigações por indução na medida em que oCrômio atenua muito menos o sinal eletromagnético em que orevestimento de aço-carbono na mesma freqüência. Assim,para sistemas de campo práticos e dependendo das condições,em foros perfurados revestidos como Crômio a faixa defreqüências práticas pode incluir até várias centenas deHz, ao passo que em furos perfurados revestidos com aço-carbono, a freqüência poderá ser limitada paraaproximadamente 100 Hz. Vide, por exemplo, o trabalho de G.Gao, D. Alumbaugh, P. Z.hang.f. H. Zhang, C. Levesque, R.Rosthal, J. Liu, A. Abubakar, e T. Habashy, "Practicalimplications of nonlinear inversion for cross-wellelectromagnetic data collected in cased-wells,"[Implicações práticas de inversão não linear de dadoseletromagnéticos de seção transversal de poço colhidos empoços revestidos] resumo extenso SEG, 2008, doravante aquireferido como "G. Gao, 2008" e que é aqui incorporado atitulo de referência.

Um problema reside no fato de que dentro da faixade freqüência descrita acima, as propriedades dorevestimento (condutividade (c) , permeabilidade (|i, pararevestimento de Crômio |J. tem aproximadamente o valor 1),espessura (t) e raio geométrico interno (r) ) não ao longoda extensão do revestimento. Devido ao fato de a atenuaçãocausada pelo revestimento ser tão intensa, pequenasvariações em suas propriedades produzem variações noscampos observados por um receptor que são significativas emcomparação com as variações previstas de variações deformações desejadas. Um problema adicional consiste no fatode a intensidade do transmissor, conhecida como momento detransmissor, dever ser conhecida para que variações demomento não sejam erroneamente interpretadas como variaçõesna condutividade da formação.

É portanto altamente desejável prover um meio paraeliminar, ou corrigir, estas variações do revestimento.Conforme é demonstrado no trabalho de G. Gao, 2008, aremoção dos efeitos do revestimento das mediçõesproporciona benefícios significativos na qualidade deimagem da formação de imagens/inversão eletromagnética em.Considere-se o esquema de uma investigação de seçãotransversal de poço apresentado na Fig. Ia. Os furosperfurados 110 e 112 são ilustrados na formação 100. Ambosos furos perfurados são revestidos com um revestimentocondutor tal como de aço com alto teor de carbono. Otransmissor Ti, numerai de referência 120, na localização ino furo perfurado 110, produz um campo B±j no receptor 122na localização j do furo perfurado 112. 0 campo Bij podeser expressado como o produto de:

<formula>formula see original document page 7</formula>

em que o momento (ou intensidade) , Mi do transmissor 120 eum termo puramente geométrico, gij, são neste casocombinados em Gij; a resposta de formação desejada, aresposta das correntes induzidas, se nenhum revestimento seencontrar presente; Kfij, é a atenuação do revestimento notransmissor kit e a atenuação do revestimento no receptor124 na localização j do furo perfurado 112, kj.

O trabalho de Augustin, A.M., Kennedy, W.D.,Morrison, H.F., e Lee, K.H., A theoretical study of surfaceto borehole electromagnetic logging in cased holes [Umestudo teórico de perfilagem eletromagnética da superficiepara o furo perfurado em furos revestidos]: Geophysics, 54,90-99 (1989), doravante aqui referido como "Augustin et al(1989)," e aqui incorporado a titulo de referência,demonstra que os termos de atenuação de revestimento k± e kjsão multiplicativos para simples transmissores e receptoresoperando em revestimento homogêneo.

Uma solução conhecida para o problema da atenuaçãocausada pelo revestimento consiste na utilização de razõesentre campos recebidos para eliminação de ki e kj. Comoexemplo ilustrativo deste método, suponha-se que o furoperfurado do receptor não se encontra revestido de talforma que kj tem o valor um. Agora, para uma posição fixado transmissor, podemos obter a razão dos campos em duasdiferentes posições de receptor A & B

<formula>formula see original document page 8</formula>

e a atenuação k± causada pelo revestimento é cancelada. Osvalores de Gij' s são conhecidos, de tal forma que a razãoplena produz como resultado uma razão de resposta daformação que é independente de revestimento. Essas razõesde resposta podem ser ajustadas para modelos da formaçãotal como ocorre com as respostas propriamente ditas. Apatente norte-americana n° US 6,294,917, de propriedade doproprietário da presente invenção, doravante aqui designadacomo "a Patente ySll" e aqui incorporada a titulo dereferência, descreve como o método de razão pode serfacilmente estendido para razões duplas se ambos os furosperfurados se encontrarem revestidos.

Conforme se encontra demonstrado no trabalho de G.Gao 2008: (1) as razões descritas acima são relativamentesensiveis a ruido nos campos medidos; e (2) no processo demodelagem, ou inversão, a utilização de dados de razãoreduz a sensibilidade do método para variações deresistividade de formação na proximidade dos furosperfurados. No exemplo ilustrado na Fig. Ia, esta área desensibilidade reduzida ocorreria na proximidade do furo depoço de transmissor 110.

Uma solução alternativa para a abordagem de razãoencontra-se descrita no documento internacional n° WO2009-/002763A1 (US 20090005993) . A solução alternativa, aquireferida como o método de "inversão", reduz os efeitos deruido mediante inversão simultânea dos fatores de atenuaçãode revestimento e propriedade da formação. Entretanto,conforme é demonstrado no trabalho de G. Gao 2008, aabordagem do método de inversão também reduz asensibilidade à variação na resistividade da formação naproximidade dos furos perfurados, o que reduz a resolução daimagem de condutividade/resistividade obtida porformação de imagens/inversão eletromagnética EM.

Uma outra solução conhecida adicional, pelo menospara o modo de operação de seção transversal de furoperfurado, consiste na colocação de um receptor auxiliaradjacente ao transmissor (ou de um transmissor auxiliaradjacente ao receptor) . Este método é descrito na Patentenorte-americana n° US 7.030.617, de propriedade do mesmoproprietário do presente pedido de patente, doravante aquireferida como "a Patente *617", e aqui incorporada a titulode referência.

Considere-se a Fig. Ib para o caso em que oobjetivo consiste em solucionar a correção de revestimentopara o transmissor 120 no furo perfurado revestido 110quando um receptor Rj, 122, se encontra no interior de umfuro de poço de tipo de furo aberto 114.

O campo Bk em um receptor auxiliar Rkr 130, éefetivamente governado pela equação:

Bik = GlkIclIck (3)

devido ao fato de o espaçamento entre o transmissor 120 e oreceptor auxiliar 130 ser excessivamente reduzido para queocorra qualquer resposta de formação significativa.

O campo no receptor distante 122 é governado pelaequação:

Blj=GuKfjkl (4)

Se o receptor auxiliar, Rk, 130 se encontrarsuficientemente distante do transmissor 120 e se cada umdos mesmos tiver o mesmo acoplamento ao revestimento dofuro perfurado 110 (mesma extensão de solenóide, mesmaconfiguração de núcleo e enrolamento) e se o revestimentofor uniforme ao longo de sua extensão, nesse caso ki=kk eportanto:

<formula>formula see original document page 11</formula>

Nesse caso ^^^ e isto é facilmente solucionadopara a resposta de formação desejada kf\j.

Se, entretanto, o transmissor 120 se encontrarexcessivamente próximo do receptor 122 de tal forma que aseparabilidade não constitua mais uma questão; (2) se asvariações de propriedades do revestimento ocorrerem em umaescala reduzida relativamente ao espaçamento do transmissor120 e do receptor auxiliar 130; (3) em alguns casos em quenão for prático tornar o receptor auxiliar 130eletricamente equivalente ao transmissor; ou (4) se otransmissor 130 estiver operando em uma região não linear,os resultados do método da patente A617 serão menosprecisos em comparação com outros métodos.

Um outro método de combinação de receptores-transmissores auxiliares com o método de razão foi descritona Publicação de Pedido de Patente Norte-Americano co-pendente com o presente pedido de patente, N0 _(Pasta de Procurador N0 23.0686, Pedido de Patente Norte-Americano de Número de Série US 11/868379, depositado em 5de outubro de 2007), doravante aqui designado "o pedido'379", e aqui incorporado a titulo de referência. O métododescrito no pedido A379 utiliza um transmissor auxiliar eum receptor conforme se encontram ilustrados na Fig. 2.

Neste caso o receptor 222, Rj pode igualmente ser utilizadocomo um transmissor para o receptor na localização k. Ocampo em Rj do transmissor principal 220, Ti na localizaçãoi, é dado por

<formula>formula see original document page 12</formula>

e o campo no receptor 224 na localização k, Bik é dado por

Bik = GikKkk (8)

O campo na localização k devido aotransmissor/receptor 222 em j é dado por

Bjk = G jkkjkk (9)

Na medida em que todos os Bs e Gs são conhecidos,existem três equações em três incógnitas: k±, kj e kk. Épossivel obter uma solução para ki devido ao fato de ocampo na localização distante (ilustrado como uma bobina230 na localização A), ser dado por:

Bu=GuKlki (10)

Sendo ki conhecido, o Kff requerido pode igualmenteser determinado.

Este sistema auxiliar múltiplo mencionado porúltimo tem um conceito simples porém é relativamentecomplicado de implementar em um sistema prático devido aofato de um instrumento que é na realidade descido para ointerior do furo perfurado 210 ser longo e pesado. Esteúltimo sistema auxiliar múltiplo não tem a vantagem de osefeitos não lineares no transmissor serem incluídos em ki.

Desta forma, é desejável utilizar medições nosolenóide propriamente dito para obtenção de uma previsãodo fator de atenuação de revestimento no solenóide. Umdesenvolvimento recente é descrito no Pedido de PatenteNorte-Americano de propriedade do proprietário do presentepedido de patente, de N0 _ (Pasta de Procurador N023.0689, Pedido de Patente Norte-Americano de Número deSérie US 12/117,089, depositado em 8 de maio de 2008)doravante aqui referido como "o pedido '089," e aquiincorporado a título de referência. 0 pedido A089 descreveo uso de medições da impedância da bobina de transmissão oude recepção para determinação do fator de atenuação derevestimento do revestimento em torno da bobina. Osparâmetros do revestimento (condutividade, permeabilidademagnética, e espessura de revestimento) e os fatores deatenuação de revestimento podem ser determinados a partirdas medições de impedância de pelo menos duas freqüências(de uma tabela previamente calculada) e subseqüentemente osparâmetros de revestimento determinados podem serutilizados para cálculo dos fatores de atenuação derevestimento. Alternativamente, pode ser estabelecidadiretamente uma tabela entre os fatores de atenuação derevestimento e a impedância. Entretanto, o pedido '089 nãoinclui nenhuma abordagem para determinação dos parâmetrosde revestimento tais como condutividade, permeabilidademagnética, e espessura de revestimento, a partir dasmedições de impedância. É bem conhecido que os parâmetrosde revestimento são tipicamente acoplados entre si de umaforma complicada e que o acoplamento variasignificativamente com os parâmetros do revestimento e coma freqüência, o que torna um desafio a determinaçãoseparada dos parâmetros de revestimento sem restriçõesadicionais.

Desta forma, é desejável prover um método maisrobusto de utilização de medições em um solenóide paraprevisão do fator de atenuação de revestimento bem comooutros parâmetros de revestimento na localização dosolenóide.

SUMÁRIO

De acordo com configurações, é provido um métodopara realização de uma investigação por induçãoeletromagnética de uma formação que circunda um furoperfurado possuindo um revestimento. Um transdutoreletromagnético é instalado e colocado em funcionamento nointerior de uma seção do furo perfurado que se encontrarevestido com um revestimento condutor não magnético.Conforme é aqui utilizada, a expressão "não magnético(a)"significa que a permeabilidade magnética é próxima de ouigual a um. As medições de impedância referentes àimpedância do transdutor eletromagnético em uma primeirafreqüência são realizadas durante a presença operacional dotransdutor na seção de furo perfurado. São realizadasmedições de investigação eletromagnética da formação. Aatenuação nas medições de investigação eletromagnéticadevida ao revestimento não magnético condutor é compensadacom tal compensação sendo baseada pelo menos parcialmenteem uma relação entre um fator de correção de revestimento eura produto de parâmetros relativos a pelo menos um de entreuma condutividade do revestimento, uma espessura dorevestimento, e uma freqüência eletromagnética.

Adicionalmente, de acordo com outras configuraçõesa compensação é baseada pelo menos em parte em uma relaçãoentre um fator de correção de revestimento e parâmetrosrelativos a impedância, em que a relação épreferencialmente derivada em parte de uma relação entre umfator de correção de revestimento e um produto deparâmetros referentes a condutividade de revestimento,espessura de revestimento e freqüência eletromagnética.

Características e vantagens adicionais da invençãoirão tornar-se mais prontamente aparentes com base nadescrição detalhada que se encontra a seguir quandoconsiderada em combinação com os desenhos que se encontramem anexo.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

A presente invenção é descrita adicionalmente nadescrição detalhada que se encontra a seguir, comreferência à pluralidade de desenhos assinalados a titulode exemplos não limitativos de configurações exemplares dapresente invenção, em cujos desenhos numerais de referênciaidênticos representam partes similares de principio a fimdas diversas vistas dos desenhos, e em que:

As Figs. la-b ilustram investigaçõeseletromagnéticas de seção transversal de poço ("crosswell")conforme são conhecidas na técnica;

a Fig. 2 ilustra um arranjo de transmissor-receptorauxiliar para utilização em métodos de razão conhecidospara compensação de revestimento;

a Fig. 3 é um diagrama ilustrativo de um sistema deinvestigação por indução eletromagnética de acordo comconfigurações da invenção;

as Figs. 4a e 4b são gráficos cruzados ilustrativosda indutância (L) e da resistência (R) a uma freqüência de5 Hz comparativamente à indutância e resistência a 32 Hzpara valores variáveis de ct e t do revestimento;

as Figs. 5a e 5b são gráficos cruzados ilustrativosda indutância (L) e da resistência (R) a uma freqüência de5 Hz comparativamente à indutância e resistência a 167 Hzpara valores variáveis de ct e t do revestimento;

a Fig. 6a é um gráfico ilustrativo da relação entreindutância e o produto de condutividade de revestimento,espessura de revestimento e freqüência;

a Fig. 6b é um gráfico ilustrativo da relação entreresistência sobre freqüência e o produto de condutividadede revestimento, espessura de revestimento e freqüência;

as Figs. 7a e 7b ilustram a relação entre o fatorde atenuação de revestimento e o produto de condutividadede revestimento, espessura de revestimento e freqüência;

as Figs. 8a-8d são gráficos da relação para fatorde atenuação de revestimento versus L e R/f;

as Figs. 9a e 9b são gráficos da relação para L eR/f versus sigma*t*f/ID;

as Figs. IOa e IOb são gráficos ilustrativos darelação entre fatores de revestimento e sigma*t*f/ID, paradois diferentes diâmetros internos de revestimentos; e

as Figs. lla-lld são gráficos ilustrativos darelação para fator de atenuação de revestimento versus L eR/f para dois diferentes diâmetros internos derevestimentos.

DESCRIÇÃO DETALHADA DAS CONFIGURAÇÕES PREFERENCIAIS

Na descrição detalhada que se encontra a seguir dasconfigurações preferenciais, é feita referência aosdesenhos que se encontram em anexo, que fazem parte dasmesmas, e que são apresentados a titulo de ilustração deconfigurações especificas mediante as quais a invenção podeser praticada. Deverá ser entendido que outrasconfigurações podem ser utilizadas e que podem serrealizadas alterações estruturais sem afastamento do escopoda invenção.

Os detalhes aqui ilustrados são dados meramente atitulo de exemplo e para propósitos de discussãoilustrativa das configurações da presente invenção e sãoapresentados na forma de provisão daquilo que se acreditaser a descrição mais útil e mais prontamente compreensíveldos princípios e aspectos conceituais da presente invenção.

A este respeito, não foi realizada nenhuma tentativa deilustrar detalhes estruturais de presente invenção dequalquer forma mais detalhada do que aquela consideradanecessária para uma compreensão fundamental da presenteinvenção, em que o relatório descritivo considerado emcombinação com os desenhos se destina a tornar aparentepara aqueles que são versados na técnica como as diversasformas da presente invenção poderão ser configuradas naprática. Adicionalmente, numerais de referência idênticos edesignações idênticas nos diversos desenhos indicamelementos idênticos.

O presente relatório descritivo refere-se à áreatécnica de perfilagem transversal de furo perfurado("cross-borehole logging"), perfilagem de superficie-para-furo perfurado, perfilagem de furo perfurado-para-superficie, ou perfilagem em interior de furo por meioseletromagnéticos quando os furos são revestidos com umrevestimento de crômio/não magnético. Em qualquer caso comum revestimento condutor, é altamente desejável eliminar,ou corrigir, a atenuação variável de campos transmitidosatravés de, ou recebidos através de, um revestimento queapresente variações inerentes de condutividade,permeabilidade magnética e/ou espessura. De acordo comalgumas configurações, um método mediante o qual pode serutilizada uma medição da impedância de um solenóide detransmissão (ou de recepção) em uma freqüência pode serutilizado para prever a atenuação do campo pelorevestimento circundante conforme observado em um receptordistante (ou de um transmissor distante) para qualquerfreqüência, independentemente de condutividade e espessurapara revestimento com um determinado diâmetro interno, bemcomo a condutividade do material da formação. Acondutividade do material da formação é adicionalmenteempregada para previsão da atenuação do campo pelorevestimento. De acordo com outras configurações, é providoum método para previsão da atenuação de revestimento quenão varia com pequenas alterações de diâmetro interno dorevestimento.

De acordo com algumas configurações, é provido umnovo meio para determinação do fator de atenuação derevestimento para qualquer freqüência com base em mediçõesda impedância da bobina de fio de transmissão ou recepçãode uma freqüência independentemente de condutividade eespessura do revestimento. Em outras palavras, se aimpedância for conhecida para uma freqüência especifica, ofator de atenuação de revestimento para qualquer freqüênciae para qualquer revestimento poderá ser obtido. A precisãoda estimativa do fator de atenuação de revestimento serádependente da precisão da medição de impedância.

A fig. 3 é um diagrama ilustrativo de um sistema deinvestigação por indução eletromagnética de acordo comconfigurações da invenção. Os furos perfurados 310 e 312encontram-se na formação subterrânea 300. A coluna deferramentas 320 operada por cabo de perfuração ("wirelinetoolstring") é instalada e colocada em operação no interiordo furo perfurado 310 a partir do caminhão de cabo deperfuração 302 mediante utilização do cabo 332 através dacabeça de poço 314. Similarmente, a coluna de ferramentas322 operada por cabo de perfuração é instalada e colocadaem operação no interior do furo perfurado 312 a partir docaminhão de cabo de perfuração 304 utilizando cabo 334através da cabeça de poço 316. Os caminhões 302 e 304comunicam entre si e/ou com outros componentes e sistemasda superficie através de comunicação por satélite 340 ououtros meios conhecidos de comunicação com fios ou semfios. A ferramenta 320 inclui diversos componentes, taiscomo receptores 324, 326 e 328. A ferramenta 322 inclui otransmissor 330. De acordo com algumas configurações, ostransmissores e/ou receptores localizados na superficie 306e 308 são utilizados ao invés de, ou adicionalmente a,alternativamente as ferramentas de interior de poço narealização de investigações por indução eletromagnética dotipo de superficie-para-furo perfurado ou do tipo de furoperfurado-para-superficie. De acordo com algumasconfigurações, o sistema de processamento 350 é utilizadopara processar os dados medidos. 0 sistema 350 inclui um oumais processadores 354 e um sistema de armazenamento 352que pode incluir diversos tipos de meios de armazenamentoincluindo uma memória volátil tal como uma memória deacesso aleatório primária, e uma memória não-volátil talcomo uma memória somente de leitura, uma memória tipo"flash", dispositivos magnéticos de armazenamento emcomputador tais como discos rigidos, disquetes, e fitasmagnéticas, e discos óticos tais como CD ROMS, DVD ROMS.

A impedância das bobinas, a razão da voltagem deacionamento (V) para a corrente (I) que flui através dabobina é a soma de sua resistência (R) e reatância indutivaL— em que L é sua auto-indutância. Em formato fasor, aimpedância Z é expressa da seguinte forma:

Z = R + icoL (11)

em que co = 2nf é a freqüência angular, e / é a freqüência emHz.

Em contraste com os métodos descritos no pedido'089, de acordo com algumas configurações a equação (2) étransformada para a seguinte forma mediante divisão de coem ambos os lados da equação (11),

Z/(o = R/(» + iL (12)

As configurações aqui divulgadas referem-se àutilização de Rlco e/ou L para determinação dos fatores deatenuação de revestimento. É importante mencionar que foidescoberto que Rico é um parâmetro muito mais significativofisicamente que R apenas. 0 uso de Rl(o é significativodevido ao fato de o parâmetro de resistência sobrefreqüência angular tornar possíveis os métodos aquidescritos. R/á> tem as mesmas unidades que L. Devido aofato de o) = 27tf , nas seções a seguir do relatório descritivoserá simplesmente utilizado o termo R/f ao invés de Rico.

Na prática, os transmissores ou receptores conformeilustrados na Fig. 3 constituem individualmente um longosolenóide envolvido em torno de um núcleo magneticamentepermeável. A indutância e resistência de uma tal bobinapode ser calculada com um núcleo permeável, sem um núcleopermeável, e com revestimento, e sem revestimento. Quandouma tal bobina é inserida em um revestimento condutor, ascorrentes induzidas no revestimento produzem um camposecundário que enrosca a bobina e induz aquilo que éconhecido como efeito eletromotivo reverso ("back emf"). Oefeito eletromotivo reverso tem deslocamento de fase comrelação à voltagem de acionamento: o componente em-faseadiciona resistência (R) à bobina e o componente fora-de-fase altera a indutância (L) da bobina. Desta forma, aimpedância da bobina é alterada pelo acoplamento aorevestimento e as alterações são dependentes daspropriedades do revestimento.

As bobinas com núcleo de metal micrométrico ("Mu-metal") são tipicamente necessárias, devido ao fato de quecom um núcleo de metal micrométrico, o acoplamento entre osolenóide e o revestimento é significativamente aumentado,e correspondentemente, a sensibilidade das medições aosparâmetros do revestimento é muito superior.Existem alterações mensuráveis significativas naprática em L e R da bobina transmissora para alteraçõesrelativamente reduzidas de condutividade (a) ,permeabilidade magnética (u) e espessura (t) dorevestimento para freqüências entre 1 e 250 Hz. Para osexemplos a seguir, os presentes inventores focalizaram suaatenção em um revestimento de crômio/não magnéticoassumindo que a permeabilidade magnética do revestimento éconstante e igual a 1. O diâmetro interno do revestimento éfixo. As Figs. 4a e 4b são gráficos cruzados ilustrativosda indutância e resistência a uma freqüência de 5 Hz emcomparação com aquelas observadas a uma freqüência de 32 Hzpara valores variáveis de a e t do revestimento. Emparticular, a curva 410 da Fig. 4a ilustra a indutância (L)com um valor de freqüência de 5 Hz em comparação com umafreqüência de 32 Hz para valores variáveis de a e t, e acurva 420 da Fig. 4b ilustra a resistência (R) a umafreqüência de 5 Hz em comparação com uma freqüência de 32Hz para valores variáveis de a e t. As Figs. 5a e 5b sãográficos cruzados ilustrativos da indutância (L) e daresistência (R) a 5 Hz em comparação com os valores a 166,6Hz para valores variáveis de cj e t do revestimento. Emparticular, a curva 510 da Fig. 5a ilustra a indutância (L)a 5 Hz em comparação com 166,6 Hz para valores variáveis dea e t, e a curva 520 da Fig. 5b ilustra a resistência (R) a5 Hz em comparação com 166,6Hz para valores variáveis de cte t. Para as Figs. 4a, 4b, 5a e 5b, a faixa de valores dea situa-se entre 5e5 e 5e6 S/m, a faixa de valores de tsitua-se entre 0,25 de polegada (6,35 mm) e 0,45 depolegada (11,43 mm), e a faixa de valores de / situa-seentre 5 Hz e 250 Hz. Diversas observações podem serrealizadas a partir das Figuras 4a, 4b, 5a e 5b. Emprimeiro lugar, as relações para L e R em diferentesfreqüências são totalmente dependentes. Em outras palavras,se soubermos que LeR se situam em 5 Hz, LeRem outrasfreqüências podem ser adequadamente derivadas das de 5 Hz.em segundo lugar, conhecendo-se LeR para mais de umafreqüência não adicionará nenhuma informação suplementaralém da informação de uma freqüência. Finalmente, acondutividade cr e a espessura de revestimento t não sãoseparáveis.

Desta forma, uma importante descoberta obtida dasFiguras 4a, 4b, 5a e 5b reside no fato de que acondutividade a, a espessura de revestimento t e afreqüência / não são separáveis. Uma questão que passaentão a surgir é como poderemos determinar cr e t a partirde medições de impedância? A resposta é que uma taldeterminação não pode ser realizada devido ao fato de osmesmos não serem separáveis.

Entretanto, os presentes inventores descobriram quese for realizada uma representação gráfica de L eR/fversus o produto de condutividade cr, espessura derevestimento t e freqüência f, designadamente Gt-f, paratoda a condutividade, espessura de revestimento efreqüências, o problema torna-se inesperadamente esurpreendentemente fácil de resolver. A Fig. 6a é umgráfico ilustrativo da curva de relação 610 entreindutância (L) e o produto de condutividade de revestimento(cr), espessura de revestimento (t) e freqüência (/) . AFig. 6b é um gráfico ilustrativo da curva de relação 620entre resistência sobre freqüência (R/f) e o produto decondutividade de revestimento (cr), espessura derevestimento (t) e freqüência (/) . Adicionalmente, foidescoberta a existência de uma relação inesperadamentesimples entre o fator de atenuação de revestimento e a-t f.As Figs. 7a e 7b ilustram a relação entre o fator deatenuação de revestimento e a-t-f. Em particular, a curva710 na Fig. 7a ilustra a relação entre a amplitude do fatorde revestimento e a-t-f, e a curva 720 na Fig. 7b ilustra arelação entre a fase do fator de revestimento e a-t-f. Foiutilizado um diâmetro interno de revestimento de 6,4polegadas (162,56 mm) para ambas as curvas 710 e 720. Paraas Figs. 6a, 6b, 7a e 7b, a faixa de a é de entre 5e5 e5e6 S/m, a faixa de té de entre 0,25 de polegada (6,35 mm)e 0,45 de polegada (11,43 mm), e a faixa de / é de entre 5Hz e 250 Hz.

Conforme se encontra ilustrado nas Figs. 6a e 6b,pode ser claramente observado que tanto L e R/f constituemsimples funções de sigma*t*f. L altera-se monotonicamentecom sigma*t*f, o que significa que sigma*t*f pode serdeterminado unicamente se L for conhecido. R/f não sealtera monotonicamente com sigma*t*f, existem doissigma*t*fs que correspondem ao mesmo R/f. Entretanto, parauma configuração de ferramenta especifica, a freqüência quecorresponde ao pico é conhecida. Como resultado, se afreqüência de interesse for maior que a freqüência de pico,a curva do lado direito do pico deverá ser utilizada, casocontrário, deverá ser utilizada a curva do lado esquerdo dopico. Desta forma, foi descoberto que sigma*t*f pode serfacilmente determinado alternativamente de L ou R/f ou Z/f.

Conforme se encontra ilustrado nas Figs. 7a e 7b, ofator de atenuação de revestimento tem igualmente umarelação simples com sigma*t*f. Se sigma*t*f for conhecido,o fator de atenuação de revestimento pode ser determinadode forma única mediante utilização das curvas 710 e 720 dasFigs. 7a e 7b respectivamente.

Devido ao fato de Lr R/f e o fator de atenuação derevestimento constituírem simples funções de sigma*t*f, arelação entre L, R/f e o fator de atenuação de revestimentopode ser estabelecida diretamente. As Figs. 8a-8d sãográficos ilustrativos da relação para fator de atenuação derevestimento versus L e R/f. Em particular, a curva 810 naFig. 8a ilustra a amplitude do fator de atenuação derevestimento amplitude versus L; a curva 820 na Fig. 8bilustra a fase do fator de atenuação de revestimento versusL; a curva 830 na Fig. 8c ilustra a amplitude do fator deatenuação de revestimento versus R/f; e a curva 840 na Fig.8d ilustra a fase do fator de atenuação de revestimentoversus R/f. Foi utilizado ura diâmetro interno derevestimento de 6,5 polegadas (165,1 mm) para as curvas810, 820, 830 e 840. Deverá ser observado que o fator derevestimento não se altera monotonicamente com R/f,entretanto, as curvas podem ser facilmente utilizadasmediante comparação com a freqüência de pico.

Adicionalmente, deverá ser observado que todos osgráficos nas Figs 8a-d não sofrerão alterações com afreqüência, a condutividade do revestimento e a espessura.

As relações ilustradas foram confirmadas tanto através demodelagem numérica quanto através de medições realizadas emlaboratório. As Figuras 6, 7 e 8 são meramente uma funçãoda configuração da ferramenta e do diâmetro interno dorevestimento, o que significa que as Figuras 6, 7, 8 podemser preparadas antecipadamente para todas as configuraçõesde ferramentas e diâmetros internos de revestimentosalternativamente a partir de modelagem numérica ou demedições em laboratório, quando então poderão serrealizadas correções de revestimento em tempo real com aaquisição, ou facilmente em escritório.

De acordo com algumas configurações, será agoradescrito um método para determinação da correção derevestimento em casos em que o diâmetro interno dorevestimento é conhecido.

Neste exemplo o diâmetro do revestimento éconhecido, e é suposto que a impedância na freqüênciafi é medida, a atenuação de revestimento nafreqüência /2 precisa ser determinada para qualquerrevestimento; as seguintes etapas poderão ser utilizadas:

(1) Se f 2=f 11 nesse caso as Figs. 8a-d poderão serutilizadas para determinação do fator deatenuação de revestimento alternativamente pormeio de L ou R/f ou ambos. Deverá ser observadoque é preferencial utilizar R/f em altasfreqüências, na medida em que em freqüênciaselevadas, a relação entre a fase do fator derevestimento e L se torna menos definida. Foidescoberto que na maior parte do tempo, aamplitude de Z/f constitui uma escolhapreferencial com relação alternativamente a R/f ou L.

Deverá ser observado que pode igualmente ser utilizada umaabordagem em duas etapas: utilização das Figs.6a-b para determinação de sigma*t f através de Lou R/f ou ambos, com subseqüente utilização dasFigs. 7a-b para determinação do fator deatenuação de revestimento a partir da estimativade sigma*t*f.

(2) Se /2 não for igual a fír as Figs. 6a-b podem serutilizadas para determinar sigma*t*f1. Emseguida, Sigma*t*f2 pode ser obtido mediantesimples escalonamento de freqüência da formadescrita a seguirSigma*t*f2= (sigma*t*f1) * f2 / fi (13)

As Figs. 7a-b podem então ser utilizadas paradeterminação do fator de atenuação derevestimento associado a sigma*t*f2.

Alternativamente a impedância pode ser obtida emprimeiro lugar mediante utilização das Figs. 6a-be sigma*t*f2, com subseqüente utilização dasFigs. 8a-d para determinação do fator deatenuação de revestimento.

O método de estimativa de fator de atenuação derevestimento descrito acima é robusto em casos em que épossivel realizar uma medição robusta da impedância. Deacordo com algumas configurações, somente um dos doisparâmetros {R/f, ou L) é utilizado para estimar os fatoresde revestimento, sendo a ^ seleção dependente de qual dosmesmos é medido com maior precisão. Como resultado, aamplitude de Z/f pode igualmente ser utilizada para estimaros fatores de revestimento ao invés de ser utilizado apenasum dos mesmos.

Deverá ser observado que: (1) todas as figuras aquiapresentadas podem ser utilizadas como uma tabela deconsulta para interpolação de dados ou todas as figuraspodem ser em primeiro lugar inseridas em fórmulas, quantoentão os resultados requeridos poderão ser obtidos atravésde cálculo direto de fórmula; e (2) todas as figuras podemser obtidas alternativamente de modelagem numérica ou demedições em laboratório desde que a geometria de bobina epropriedades sejam definidas. Poderá ser utilizado códigode modelagem eletromagnética tal como elemento finito e/ousoftware de análise de diferença finita. Exemplos desistemas de software para modelagem numérica comercialmentedisponíveis que são adequados para geração das relaçõesincluem os seguintes: o software de simulação de análise deelemento finito MagNet da empresa Infolytica Corporation, eo software Comsol Multiphysics® da empresa Comsol AB.

Foi determinado que o método descrito é eficaz se odiâmetro interno (ID) do revestimento for conhecido.Entretanto, o diâmetro interno do revestimento podeapresentar variações ao longo de intervalo de investigação.De acordo com algumas outras configurações, será agoradescrito um método para determinação da correção derevestimento quando puderem existir variações no diâmetrointerno do revestimento.

Para desenvolvimento de um tal método, os presentesinventores estabeleceram que é possivel desenvolver umarelação entre (.R/f) e L e sigma*t*f /ID, ao invés desigma*t*f. As Figs. 9a e 9b são gráficos ilustrativos darelação para L e R/f versus sigma*t*f/ID. Em particular, ascurvas 910 e 912 na Fig. 9a ilustram a relação de L versussigma*t*f/ID para diâmetros internos de revestimento de 6,0polegadas (152,4 mm) e 6,8 polegadas (172,72 mm)respectivamente. A curva 920 na Fig. 9b ilustra a relaçãode R/f versus sigma*t*f/ID para ambos os diâmetros internosde revestimento, de 6,0 polegadas (152,4 mm) e 6,8polegadas (172,72 mm). Conforme se encontra ilustrado naFig. 9b, a relação de R/f versus sigma*t*f/ID altera-semuito pouco com pequenas variações de diâmetro interno derevestimento ao passo que a Fig. 9a ilustra que a relaçãopara L versus sigma*t*f/ID não se altera com pequenasvariações do diâmetro interno do revestimento.

As Figs. IOa e IOb são gráficos ilustrativos darelação entre fatores de revestimento e sigma*t*f/ID, paradois diferentes diâmetros internos de revestimento, de 6,0polegadas (152,4 mm) e de 6,8 polegadas (172,72 mm). Emparticular, a curva 1010 na Fig. 10a ilustra a relaçãoentre a amplitude do fator de revestimento e sigma*t*f/ID,e a curva 1020 na Fig. 10b ilustra a relação entre a fasedo fator de revestimento e sigma*t*f/ID. É aparente nasFigs. lOa-b que a relação entre fator de revestimento esigma*t*//ID não sofre alteração com pequenas variações dediâmetro interno de revestimento.

As Figs. lla-lld são gráficos ilustrativos darelação para fator de atenuação de revestimento versus L eR/f para dois diferentes diâmetros internos derevestimento. Em particular, as curvas 1110 e 1120 na Fig.Ila ilustram a amplitude do fator de atenuação derevestimento versus L para os diâmetros internos derevestimento de 6,0 polegadas (152,4 mm) e 6,8 polegadas(172,72 mm) respectivamente. As curvas 1130 e 1140 na Fig.Ilb ilustram a fase do fator de atenuação de revestimentoversus L para diâmetros internos de revestimento de 6,0polegadas (152,4 mm)e 6,8 polegadas (172,72 mm)respectivamente. A curva 1150 na Fig. Ilc ilustra aamplitude do fator de atenuação de revestimento versus R/fpara ambos os diâmetros internos de revestimento de 6,0polegadas (152,4 mm) e 6,8 polegadas (172, 72 mm). A curva1160 na Fig. Ild ilustra a relação entre a fase de fator deatenuação de revestimento versus R/f para ambos osdiâmetros internos de revestimento de 6,0 polegadas (152,4mm) e 6,8 polegadas (172,72 mm). Deverá ser observado que arelação entre o fator de revestimento e R/f tem umaalteração muito pequena com alterações de diâmetro internode revestimento, ao passo que a relação entre o fator derevestimento e L não muda muito com alterações do diâmetrointerno do revestimento.

Em casos em que o diâmetro interno do revestimentoapresenta variações:

(1) Se o revestimento for conectado a diversossegmentos de revestimento com um diâmetro internoconhecido, o método de diâmetro interno conhecidodescrito acima poderá ser utilizado segmento porsegmento.

(2) As Figs. Ila e Ilb podem ser utilizadas paradeterminação direta do fator de atenuação derevestimento a partir da medição de R/f para amesma freqüência. L não deverá ser utilizado paraeste propósito.

(3) As Figs. 9a e 9b podem ser utilizadas paradeterminar sigma*t*f/ID a partir da medição deR/f e/ou L. Em seguida sigma*t*f/ID é escalonadopara sigma*t*f/ID da freqüência de interesse.

Finalmente, as Figs. IOa e IOb podem serutilizadas para determinação do fator deatenuação de revestimento.

Desta forma, de acordo com diversas configurações,mediante utilização das técnicas descritas e relações, aatenuação observada por um receptor distante em qualquerfreqüência pode ser obtida diretamente de medições defreqüências individuais da impedância do transmissor emrevestimento de crômio/não magnético. As relações etécnicas descritas podem igualmente ser utilizadas paraprevisão da atenuação a ser experimentada por um receptorrevestido para os campos produzidos por um transmissordistante. Desta forma, é possivel realizar a previsãoindependentemente da condutividade do revestimento, daespessura do revestimento, de pequenas variações dediâmetro interno do revestimento, e da distribuição decondutividade da formação. São descritos dois métodosdiferentes que dependem do fato de o diâmetro interno dorevestimento apresentar ou não variações. Foi descobertoque tanto a impedância {R/f, L) quanto os fatores deatenuação de revestimento constituem simples funções desigma*t*f, e as mesmas foram confirmadas tanto mediantesimulação quanto através de medições realizadas emlaboratório.Muito embora as relações descritas acima sejambaseadas em um diâmetro interno fixo do revestimento,relações similares são aplicáveis para um diâmetro externo(OD) fixo, incluindo R// versus sigma*t*/, L versussigma*t*/, fator de revestimento versus sigma*t*/, R/fversus sigma*t*//0D, L versus sigma*t*//0D, fator derevestimento versus sigma*t*//0D, fator de revestimentoversus R/f e fator de revestimento versus L.

Os métodos de acordo com a presente invenção podemser utilizados para estimativa do produto de sigma*t dorevestimento a partir de medições de impedância.Adicionalmente, se sigma ou t puderem ser determinados apartir de outros recursos, t ou sigma poderão serdeterminados do produto de sigma*t determinado.

De acordo com algumas configurações, os métodosdescritos são igualmente utilizados para determinação dacorreção de revestimento para um receptor auxiliaradjacente a um transmissor, ambos localizados no mesmorevestimento porém separados por uma distância suficiente(da ordem de 7 a 10 metros). 0 campo corrigido medido nestereceptor constitui então uma medida do momento efetivo dotransmissor, e constitui o mesmo momento efetivo que éutilizado para previsão do campo em uma localização dereceptor distante. Deste modo é obtida uma correção detransmissor em revestimento, e até mesmo em uma faixa deoperação não linear do transmissor.

De uma forma geral, a precisão das previsõesdepende da precisão das medições de impedância.

Muito embora uma grande quantidade de alterações emodificações da presente invenção serão indubitavelmenteaparentes para uma pessoa normalmente versada na técnicaapós tal pessoa ter lido a descrição fornecida acima,deverá ser entendido que as configurações especificasilustradas e descritas a titulo ilustrativo não deverão denenhuma forma ser consideradas limitativas. Adicionalmente,a invenção foi descrita com referência a configuraçõespreferenciais especificas, porém determinadas variaçõesabrangidas no espirito e escopo da invenção irão ocorreràqueles que são versados na técnica. Observa-se que osexemplos acima foram fornecidos com propósitos meramenteexplicativos e não deverão de nenhuma forma serinterpretados como limitativos da presente invenção. Muitoembora a presente invenção tenha sido descrita comreferência a configurações exemplares, deverá ser entendidoque os termos que foram aqui utilizados são termosdescritivos e ilustrativos, e não termos limitativos. Podemser realizadas alterações, dentro do escopo dasreivindicações em anexo, conforme atualmente enunciadas econforme emendadas, sem afastamento do escopo e do espiritoda presente invenção em seus aspectos. Muito embora apresente invenção tenha sido aqui descrita com referência ameios, materiais e configurações específicos(as), apresente invenção não pretende ser limitada aos detalhesaqui divulgados; ao invés disso, a presente invençãoestende-se a todas as estruturas funcionalmenteequivalentes, métodos e usos conforme abrangidos no escopodas reivindicações em anexo.

Claims

1. MÉTODO DE REALIZAÇÃO DE UMA INVESTIGAÇÃO PORINDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA DE UMA FORMAÇÃO QUE CIRCUNDA UMFURO PERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, o método sendocaracterizado por compreender:instalação e colocação em operação de umtransdutor eletromagnético no interior de uma seçãodo furo perfurado que se encontra revestida com umrevestimento condutor não magnético;realização de medições de impedânciarelacionadas com impedância do transdutoreletromagnético em uma primeira freqüência enquantoo mesmo se encontra instalado e em operação nareferida seção de furo perfurado;realização de medições de investigaçãoeletromagnética da formação; ecompensação de atenuação das medições deinvestigação eletromagnética devida ao revestimentocondutor não magnético, em que a compensação ébaseada pelo menos em parte em uma relação entre umfator de correção para revestimento e um produto deparâmetros relativos a condutividade derevestimento, espessura de revestimento efreqüência eletromagnética.

2. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por a relação ser previamente determinada.

3. Método, de acordo com a reivindicação 2,caracterizado por a relação previamente determinada ser umade entre 1) mantida em uma tabela de consulta e 2) mantidacomo uma fórmula.

4. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por a compensação ser adicionalmente baseadaem parte em uma relação entre um ou mais parâmetros deimpedância e o produto de parâmetros relativos acondutividade de revestimento, espessura de revestimento efreqüência eletromagnética.

5. Método, de acordo com a reivindicação 4,caracterizado por o um ou mais parâmetros de impedânciaser(em) selecionado(s) do grupo que consiste em indutância,e resistência dividida por freqüência eletromagnética.

6. Método, de acordo com a reivindicação 4,caracterizado por compreender adicionalmente a estimativado produto de parâmetros relativos a condutividade derevestimento e espessura de revestimento com base no(s) umou mais parâmetro(s) de impedância.

7. Método, de acordo com a reivindicação 6,caracterizado por alternativamente o parâmetro referente acondutividade de revestimento ou o parâmetro referente aespessura do revestimento ser medido independentemente, e ooutro dos dois parâmetros ser determinado com base noproduto estimado dos dois parâmetros.

8. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por as medições da formação detectarempropriedades da formação a uma distância superior a 1 metroa partir do furo perfurado.

9. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por pelo menos algumas das medições deinvestigação eletromagnética serem realizadas na primeirafreqüência.

10. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por pelo menos algumas das medições deinvestigação eletromagnética serem realizadas em uma oumais segunda(s) freqüência(s) diversa(s) da primeirafreqüência, e a compensação para as segundas freqüênciasser objeto de escalonamento com utilização de uma razãoentre as segundas freqüências e a primeira freqüência.

11. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por a relação ocorrer entre o fator decorreção para revestimento e o produto de parâmetrosrelativos a condutividade de revestimento, espessura derevestimento e freqüência eletromagnética dividida por umparâmetro relativo ao diâmetro do revestimento na referidaseção do furo perfurado.

12. Método, de acordo com a reivindicação 9,caracterizado por o parâmetro referente ao diâmetro dorevestimento ser selecionado do grupo que consiste nodiâmetro interno do revestimento e no diâmetro externo dorevestimento.

13. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por a seção revestida condutiva não magnéticado furo perfurado ser revestida com aço-cromo nãomagnético.

14. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por compreender adicionalmente a instalação ecolocação em operação de um segundo transdutoreletromagnético no interior de uma seção de um segundo furoperfurado, em que as medições de investigaçãoeletromagnética são realizadas mediante transmissão erecepção entre os furos perfurados com utilização dostransdutores.

15. Método, de acordo com a reivindicação 1,caracterizado por compreender adicionalmente a instalação ecolocação em operação de um segundo transdutoreletromagnético na superfície, em que as medições deinvestigação eletromagnética são realizadas mediantetransmissão e recepção entre a superfície e o furoperfurado com utilização dos transdutores.

16. MÉTODO PARA REALIZAÇÃO DE UMA INVESTIGAÇÃO PORINDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA EM UMA FORMAÇÃO QUE CIRCUNDA UMFURO PERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, o método sendocaracterizado por compreender:instalação e colocação em operação de umtransdutor eletromagnético no interior de uma seçãodo furo perfurado que se encontra revestida com umrevestimento condutor não magnético;realização de medições de impedância relativasà impedância do transdutor eletromagnético em umaprimeira freqüência enquanto o mesmo se encontrainstalado e em operação na referida seção do furoperfurado;realização de medições de investigaçãoeletromagnética da formação; ecompensação de atenuação nas medições deinvestigação eletromagnética devida ao revestimentocondutor não magnético, em que a compensação ébaseada pelo menos em parte em uma relação entre umfator de correção para revestimento e um ou maisparâmetros relativos a impedância.

17. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por a relação ser previamente determinada.

18. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por a relação previamente determinada ser 1)mantida em uma tabela de consulta e 2) mantida como umafórmula.

19. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por a relação ser derivada em parte de umarelação entre um fator de correção para revestimento e umproduto de parâmetros relativos a condutividade derevestimento, espessura de revestimento e freqüênciaeletromagnética.

20. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por pelo menos algumas das medições deinvestigação eletromagnética serem realizadas na primeirafreqüência.

21. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por a seção revestida condutiva não magnéticado furo perfurado ser revestida com aço-cromo nãomagnético.

22. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por compreender adicionalmente a instalação ecolocação em operação de um segundo transdutoreletromagnético no interior de uma seção de um segundo furoperfurado, em que as medições de investigaçãoeletromagnética são realizadas mediante transmissão erecepção entre os furos perfurados com utilização dostransdutores.

23. Método, de acordo com a reivindicação 16,caracterizado por o um ou mais parâmetro(s) relativo(s) aimpedância ser(em) selecionado(s) do grupo que consiste emindutância, e resistência dividida por freqüênciaeletromagnética.

24. SISTEMA PARA REALIZAÇÃO DE MEDIÇÕES POR INDUÇÃOELETROMAGNÉTICA EM UMA FORMAÇÃO QUE CIRCUNDA UM FUROPERFURADO POSSUINDO UM REVESTIMENTO, o sistema sendocaracterizado por compreender:um transdutor eletromagnético passivel deinstalação e colocação em operação no interior deuma seção do furo perfurado que se encontrarevestida com um revestimento condutor nãomagnético possibilitando dessa forma as medições deindução e as medições de impedância do transdutor;eum sistema de processamento configurado eorganizado para gerar dados de investigaçãoeletromagnética da formação, em que os dados deinvestigação são compensados relativamente aatenuação causada pelo revestimento condutor nãomagnético, em que a compensação é baseada pelomenos em parte em uma relação entre um fator decorreção para revestimento e um produto deparâmetros relativos a condutividade derevestimento, espessura de revestimento efreqüência eletromagnética.

25. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por a relação ser previamente determinada eser mantida em uma tabela de consulta.

26. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por a relação ser previamente determinada eser mantida como uma fórmula.

27. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por a compensação ser adicionalmente baseadaem parte em uma relação entre um ou mais parâmetros deimpedância e o produto de parâmetros relativos acondutividade de revestimento, a espessura de revestimentoe freqüência eletromagnética.

28. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por o fator de correção para revestimento serescalonado mediante utilização de uma razão de uma primeirafreqüência utilizada para as medições de impedância esegundas freqüências utilizadas para as medições deindução.

29. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por a relação ocorrer entre o fator decorreção para revestimento e o produto de parâmetrosrelativos a condutividade de revestimento, espessura derevestimento e a primeira freqüência dividida por umparâmetro relativo ao diâmetro do revestimento na referidaseção do furo perfurado.

30. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por a seção revestida condutora não magnéticado furo perfurado ser revestida com aço-cromo nãomagnético.

31. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por compreender adicionalmente um segundotransdutor eletromagnético passivel de instalação ecolocação em operação no interior de uma seção de umsegundo furo perfurado, em que as medições de induçãoeletromagnética são realizadas mediante transmissão erecepção entre os furos perfurados com utilização dostransdutores.

32. Sistema, de acordo com a reivindicação 24,caracterizado por compreender adicionalmente um segundotransdutor eletromagnético passivel de instalação ecolocação em operação na superfície, em que as medições deindução eletromagnética são realizadas mediante transmissãoe recepção entre a superfície e o furo perfurado comutilização dos transdutores.

33. MÉTODO PARA COMPENSAÇÃO DE ATENUAÇÃO EMMEDIÇÕES DE INVESTIGAÇÃO POR INDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA, talatenuação sendo devida a um revestimento condutor nãomagnético, o método sendo caracterizado por compreender:recepção de dados de medições eletromagnéticarepresentando propriedades de medições de umaformação que circunda um furo perfurado possuindoum revestimento condutor não magnético, realizadasmediante utilização de um transdutoreletromagnético;percepção de medições de impedância relativas àimpedância do transdutor eletromagnético enquanto omesmo se encontra instalado e em operação nointerior do furo perfurado; ecompensação da atenuação nos dados de mediçõeseletromagnéticas devida ao revestimento condutornão magnético, em que a compensação é baseada pelomenos em parte em uma relação entre um fator decorreção para revestimento e parâmetros relativos àimpedância do transdutor eletromagnético.

34. Método, de acordo com a reivindicação 33,caracterizado por a relação ser previamente determinada.

35. Método, de acordo com a reivindicação 33,caracterizado por a relação ser derivada em parte de umarelação entre um fator de correção para revestimento e umproduto de parâmetros relativos a condutividade derevestimento, espessura de revestimento e freqüênciaeletromagnética.

36. Método, de acordo com a reivindicação 33,caracterizado por o revestimento condutor não magnético serfeito de um aço-cromo não magnético.