CA2957845A1 - Procede de recuit par lampes flash - Google Patents
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Abstract
Procédé de recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement, ledit procédé comprenant; le défilement du substrat (1) portant le revêtement à recuire (2) sous une lampe flash (4), la face du substrat (1 ) portant ledit revêtement (2) étant tournée vers la lampe flash (4), l'irradiation du revêtement à recuire par la lumière intense puisée émise par la lampe flash (4) à travers un masque (3) situé entre la lampe flash et le revêtement à recuire et comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat, la fréquence de la lampe flash et la vitesse de défilement du substrat étant réglées de manière à ce que chaque point du revêtement à recuire reçoive au moins une impulsion lumineuse, caractérisé par le fait que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à recuire est au plus égale à 1 mm, et par le fait que la forme et l'étendue de la fente sont telles que le masque occulte le revêtement à recuire dans toutes les zones où l'intensité lumineuse qui, en absence de masque, arriverait au niveau du revêtement à recuire est inférieure à une intensité lumineuse seuil, appelée ci-après intensité lumineuse nominale.
Description
PROCEDE DE RECUIT PAR LAMPES FLASH
La présente invention concerne un procédé et un appareil pour le recuit rapide de couches minces déposées sur des substrats plats, au moyen de lampes flash.
Il est connu d'effectuer un recuit laser local et rapide (laser flash heating) de revêtements minces déposés sur des substrats plats. Pour cela on fait défiler le substrat avec le revêtement à recuire sous une ligne laser, ou bien une ligne laser au-dessus du substrat portant le revêtement (voir par exemple W02008/096089 et WO 2013/156721).
Le recuit laser permet de chauffer des revêtements minces à des températures élevées, de l'ordre de plusieurs centaines de degrés, tout en préservant le substrat sous-jacent.
Plus récemment il a été proposé de remplacer dans un tel procédé
de recuit superficiel les sources de lumière laser, telles que des diodes laser, par des lampes à lumière intense pulsée (IPL, Intense Pulsed Light) également appelées lampes flash. Dans la demande internationale WO
2013/026817 il est ainsi proposé un procédé de fabrication d'un revêtement bas émissif comprenant une étape de dépôt d'une couche mince à base d'argent, puis une étape de recuit superficiel rapide de ladite couche dans le but de diminuer son émissivité et d'augmenter sa conductivité. Pour l'étape de recuit on fait défiler le substrat revêtu de la couche d'argent sous un ensemble de lampes flash en aval de la station de dépôt de la couche.
En essayant de reproduire ce procédé avec un vitrage Planitherm ONE (verre clair revêtu d'un empilement de fines couches transparentes, dont certaines couches en métaux nobles, déposées par pulvérisation cathodique sous vide), la Demanderesse a observé des inhomogénéités d'aspect du revêtement après recuit. La figure 1 montre un revêtement Planitherm ONE après recuit avec des lampes flash dans les conditions suivantes :
La présente invention concerne un procédé et un appareil pour le recuit rapide de couches minces déposées sur des substrats plats, au moyen de lampes flash.
Il est connu d'effectuer un recuit laser local et rapide (laser flash heating) de revêtements minces déposés sur des substrats plats. Pour cela on fait défiler le substrat avec le revêtement à recuire sous une ligne laser, ou bien une ligne laser au-dessus du substrat portant le revêtement (voir par exemple W02008/096089 et WO 2013/156721).
Le recuit laser permet de chauffer des revêtements minces à des températures élevées, de l'ordre de plusieurs centaines de degrés, tout en préservant le substrat sous-jacent.
Plus récemment il a été proposé de remplacer dans un tel procédé
de recuit superficiel les sources de lumière laser, telles que des diodes laser, par des lampes à lumière intense pulsée (IPL, Intense Pulsed Light) également appelées lampes flash. Dans la demande internationale WO
2013/026817 il est ainsi proposé un procédé de fabrication d'un revêtement bas émissif comprenant une étape de dépôt d'une couche mince à base d'argent, puis une étape de recuit superficiel rapide de ladite couche dans le but de diminuer son émissivité et d'augmenter sa conductivité. Pour l'étape de recuit on fait défiler le substrat revêtu de la couche d'argent sous un ensemble de lampes flash en aval de la station de dépôt de la couche.
En essayant de reproduire ce procédé avec un vitrage Planitherm ONE (verre clair revêtu d'un empilement de fines couches transparentes, dont certaines couches en métaux nobles, déposées par pulvérisation cathodique sous vide), la Demanderesse a observé des inhomogénéités d'aspect du revêtement après recuit. La figure 1 montre un revêtement Planitherm ONE après recuit avec des lampes flash dans les conditions suivantes :
- 2 -Intensité de chaque impulsion de lumière : 35 J/cm2 Durée de chaque impulsion: 2,7 ms Fréquence des pulses : 0,5 Hz Vitesse de défilement du substrat : 0,78 m/min Largeur approximative de la zone éclairée par la lampe dans le sens du défilement du substrat : 10 cm Distance entre la lampe flash et le substrat : 20 mm On observe des stries périodiques, distantes d'environ 2,6 cm, qui étaient absentes du revêtement directement après dépôt de l'empilement Plan itherme ONE.
Ces stries n'apparaissent pas non plus lorsqu'on effectue le recuit du revêtement en faisant défiler un substrat identique sous une ligne laser générée par des diodes laser. L'apparition des défauts d'homogénéité
d'aspect semble donc être liée à l'utilisation d'une source de lumière pulsée (lampe flash) en remplacement d'une source de lumière continue (diode laser).
Après de nombreux essais visant à mieux comprendre ce phénomène indésirable, la Demanderesse a trouvé une solution, assez simple à mettre en oeuvre, qui permet de réduire considérablement, voire de supprimer totalement ce défaut périodique d'homogénéité du substrat recuit.
Cette solution consiste à interposer entre la lampe flash et le revêtement à recuire un masque opaque comportant une fente d'irradiation.
Pour que l'utilisation d'un tel masque aboutisse à la réduction ou à la suppression des défauts d'homogénéité du revêtement recuit, les conditions suivantes doivent être remplies :
- Le masque et la fente d'irradiation doivent avoir une position fixe par rapport à la lampe flash, - La fréquence de la lampe flash et la vitesse de défilement du substrat doivent être telles que chaque point du revêtement reçoive au moins une impulsion lumineuse, - Le masque doit être positionné le plus près possible de la surface du revêtement à recuire, tout au plus à quelques millimètres de celle-ci,
Ces stries n'apparaissent pas non plus lorsqu'on effectue le recuit du revêtement en faisant défiler un substrat identique sous une ligne laser générée par des diodes laser. L'apparition des défauts d'homogénéité
d'aspect semble donc être liée à l'utilisation d'une source de lumière pulsée (lampe flash) en remplacement d'une source de lumière continue (diode laser).
Après de nombreux essais visant à mieux comprendre ce phénomène indésirable, la Demanderesse a trouvé une solution, assez simple à mettre en oeuvre, qui permet de réduire considérablement, voire de supprimer totalement ce défaut périodique d'homogénéité du substrat recuit.
Cette solution consiste à interposer entre la lampe flash et le revêtement à recuire un masque opaque comportant une fente d'irradiation.
Pour que l'utilisation d'un tel masque aboutisse à la réduction ou à la suppression des défauts d'homogénéité du revêtement recuit, les conditions suivantes doivent être remplies :
- Le masque et la fente d'irradiation doivent avoir une position fixe par rapport à la lampe flash, - La fréquence de la lampe flash et la vitesse de défilement du substrat doivent être telles que chaque point du revêtement reçoive au moins une impulsion lumineuse, - Le masque doit être positionné le plus près possible de la surface du revêtement à recuire, tout au plus à quelques millimètres de celle-ci,
- 3 -- La forme et l'étendue de la fente d'irradiation doivent être telles que le masque intercepte la lumière de la lampe, c'est-à-dire occulte le substrat, dans toutes les zones où l'intensité lumineuse est inférieure à une intensité lumineuse seuil, appelée ci-après intensité lumineuse nominale.
Dans la présente demande, on appelle intensité lumineuse nominale l'intensité d'une impulsion lumineuse, d'une durée donnée, au-delà de laquelle une deuxième impulsion d'une intensité supérieure ou égale à celle de la première impulsion et de même durée que celle-ci, n'entraîne pas de changement de couleur en réflexion du revêtement.
On appelle changement de couleur la différence entre deux couleurs (AE*) efle = L2P 4- (tel ¨ az:).2 + (51 telle que défini par le système colorimétrique CIE L*a*b* (illuminant D65).
Le système CIELab définit un espace colorimétrique en forme de sphère avec un axe L* caractérisant la clarté, un axe a* rouge/vert et un axe b*
bleu/jaune. Une valeur a* supérieure à 0 correspond à des teintes avec une composante rouge, une valeur a* négative à des teintes avec une composante verte, une valeur b* positive à des teintes avec une composante jaune et une valeur b* négative à des teintes avec une composante bleue. Dans la formule ci-dessus L1, al et b1 sont les coordonnées dans l'espace colorimétrique CIELab de la première couleur et L2, a2 et b2 ceux de la deuxième.
Lorsqu'on irradie le revêtement à recuire avec une première impulsion d'une intensité suffisante, cette irradiation provoque un changement de la couleur du revêtement (AE*1). Puis, lorsqu'on répète cette même irradiation avec une impulsion de même énergie (même intensité, même durée), le changement de couleur additionnel provoqué
aboutit à un changement de couleur total (AE*2).
Dans la présente demande, on appelle intensité lumineuse nominale l'intensité d'une impulsion lumineuse, d'une durée donnée, au-delà de laquelle une deuxième impulsion d'une intensité supérieure ou égale à celle de la première impulsion et de même durée que celle-ci, n'entraîne pas de changement de couleur en réflexion du revêtement.
On appelle changement de couleur la différence entre deux couleurs (AE*) efle = L2P 4- (tel ¨ az:).2 + (51 telle que défini par le système colorimétrique CIE L*a*b* (illuminant D65).
Le système CIELab définit un espace colorimétrique en forme de sphère avec un axe L* caractérisant la clarté, un axe a* rouge/vert et un axe b*
bleu/jaune. Une valeur a* supérieure à 0 correspond à des teintes avec une composante rouge, une valeur a* négative à des teintes avec une composante verte, une valeur b* positive à des teintes avec une composante jaune et une valeur b* négative à des teintes avec une composante bleue. Dans la formule ci-dessus L1, al et b1 sont les coordonnées dans l'espace colorimétrique CIELab de la première couleur et L2, a2 et b2 ceux de la deuxième.
Lorsqu'on irradie le revêtement à recuire avec une première impulsion d'une intensité suffisante, cette irradiation provoque un changement de la couleur du revêtement (AE*1). Puis, lorsqu'on répète cette même irradiation avec une impulsion de même énergie (même intensité, même durée), le changement de couleur additionnel provoqué
aboutit à un changement de couleur total (AE*2).
- 4 -Lorsque AE2 est sensiblement égal à AE1, c'est-à-dire lorsque AE2 - AE1 est inférieur ou égal à 1, on considère que la deuxième impulsion n'a pas eu d'incidence significative sur la couleur du revêtement et que l'intensité de l'impulsion est supérieure ou égale à l'intensité nominale telle que définie ci-dessus.
Par contre, lorsque la deuxième impulsion provoque un changement de couleur significatif (AE*2 ¨ AE*1 > 1), on considère que la deuxième impulsion a une incidence sur la couleur du revêtement et que l'intensité lumineuse est considérée comme inférieure à l'intensité
lumineuse nominale.
Les intensités lumineuses à considérer sont bien entendu celles mesurées au niveau du plan de travail, c'est-à-dire au niveau du revêtement à recuire.
La lumière émise par la lampe flash présente, au niveau du plan de travail, un profil d'intensité de lumière, également appelé profil de densité de puissance, au moins une zone où l'intensité lumineuse est supérieure ou égale à l'intensité nominale telle que définie ci-dessus, et d'autres zones, généralement en périphérie de la zone irradiée, où
l'intensité lumineuse est inférieure à l'intensité lumineuse nominale.
Le masque d'irradiation doit être positionné entre la lampe et le revêtement de manière à intercepter la totalité de la lumière qui, au niveau du revêtement à recuire, a une intensité lumineuse inférieure à l'intensité
nominale. Le masque peut éventuellement intercepter une faible partie de la lumière qui présente une intensité supérieure ou égale à l'intensité
nominale.
La présente invention a pour objet un procédé de recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement, ledit procédé comprenant - le défilement du substrat portant le revêtement à recuire sous une lampe flash émettant une lumière intense pulsée, la face du substrat portant ledit revêtement étant tournée vers la lampe flash, - l'irradiation du revêtement à recuire par la lumière intense pulsée émise par la lampe flash à travers un masque situé, en
Par contre, lorsque la deuxième impulsion provoque un changement de couleur significatif (AE*2 ¨ AE*1 > 1), on considère que la deuxième impulsion a une incidence sur la couleur du revêtement et que l'intensité lumineuse est considérée comme inférieure à l'intensité
lumineuse nominale.
Les intensités lumineuses à considérer sont bien entendu celles mesurées au niveau du plan de travail, c'est-à-dire au niveau du revêtement à recuire.
La lumière émise par la lampe flash présente, au niveau du plan de travail, un profil d'intensité de lumière, également appelé profil de densité de puissance, au moins une zone où l'intensité lumineuse est supérieure ou égale à l'intensité nominale telle que définie ci-dessus, et d'autres zones, généralement en périphérie de la zone irradiée, où
l'intensité lumineuse est inférieure à l'intensité lumineuse nominale.
Le masque d'irradiation doit être positionné entre la lampe et le revêtement de manière à intercepter la totalité de la lumière qui, au niveau du revêtement à recuire, a une intensité lumineuse inférieure à l'intensité
nominale. Le masque peut éventuellement intercepter une faible partie de la lumière qui présente une intensité supérieure ou égale à l'intensité
nominale.
La présente invention a pour objet un procédé de recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement, ledit procédé comprenant - le défilement du substrat portant le revêtement à recuire sous une lampe flash émettant une lumière intense pulsée, la face du substrat portant ledit revêtement étant tournée vers la lampe flash, - l'irradiation du revêtement à recuire par la lumière intense pulsée émise par la lampe flash à travers un masque situé, en
- 5 -une position fixe par rapport à la lampe flash, entre la lampe flash et le revêtement à recuire et comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat, la fréquence de la lampe flash et la vitesse de défilement du substrat étant réglées de manière à ce que chaque point du revêtement à recuire reçoive au moins une impulsion lumineuse, caractérisé par le fait que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à
recuire est au plus égale à 1 mm, de préférence au plus égale à 500 pm, idéalement au plus égale à 100 pm, et par le fait que la forme et l'étendue de la fente sont telles que le masque occulte le revêtement à recuire dans toutes les zones où l'intensité
lumineuse qui, en absence de masque, arriverait au niveau du revêtement à
recuire est inférieure à une intensité lumineuse seuil, appelée ci-après intensité lumineuse nominale.
A chaque fois qu'il sera fait mention d'une lampe flash dans la présente demande, ce terme désigne une lampe flash unique ou bien un ensemble de lampes flash, par exemple 5 à 20 lampes, ou encore 8 à 15 lampes, disposées de préférence parallèlement les unes aux autres, et associées à un ou plusieurs miroirs. Un tel ensemble de lampes flash et de miroirs est utilisé par exemple dans le procédé divulgué dans WO
2013/026817. Les miroirs ont pour fonction de diriger toute la lumière émise par les lampes dans la direction du substrat et de conférer au profil d'intensité lumineuse une forme voulue en cloche tronquée présentant un plateau central d'intensité à peu près constante (variant de moins de 5 "Yo) et des flancs latéraux où l'intensité diminue progressivement. Ces miroirs peuvent être des miroirs plans ou des miroirs focalisants.
Les lampes flash utilisées dans la présente invention se présentent généralement sous la forme de tubes en verre ou en quartz scellés et remplis d'un gaz rare, munis d'électrodes à leurs extrémités.
Sous l'effet d'une impulsion électrique de courte durée, obtenue par décharge d'un condensateur, le gaz s'ionise et produit une lumière incohérente particulièrement intense. Le spectre d'émission comporte
recuire est au plus égale à 1 mm, de préférence au plus égale à 500 pm, idéalement au plus égale à 100 pm, et par le fait que la forme et l'étendue de la fente sont telles que le masque occulte le revêtement à recuire dans toutes les zones où l'intensité
lumineuse qui, en absence de masque, arriverait au niveau du revêtement à
recuire est inférieure à une intensité lumineuse seuil, appelée ci-après intensité lumineuse nominale.
A chaque fois qu'il sera fait mention d'une lampe flash dans la présente demande, ce terme désigne une lampe flash unique ou bien un ensemble de lampes flash, par exemple 5 à 20 lampes, ou encore 8 à 15 lampes, disposées de préférence parallèlement les unes aux autres, et associées à un ou plusieurs miroirs. Un tel ensemble de lampes flash et de miroirs est utilisé par exemple dans le procédé divulgué dans WO
2013/026817. Les miroirs ont pour fonction de diriger toute la lumière émise par les lampes dans la direction du substrat et de conférer au profil d'intensité lumineuse une forme voulue en cloche tronquée présentant un plateau central d'intensité à peu près constante (variant de moins de 5 "Yo) et des flancs latéraux où l'intensité diminue progressivement. Ces miroirs peuvent être des miroirs plans ou des miroirs focalisants.
Les lampes flash utilisées dans la présente invention se présentent généralement sous la forme de tubes en verre ou en quartz scellés et remplis d'un gaz rare, munis d'électrodes à leurs extrémités.
Sous l'effet d'une impulsion électrique de courte durée, obtenue par décharge d'un condensateur, le gaz s'ionise et produit une lumière incohérente particulièrement intense. Le spectre d'émission comporte
- 6 -généralement au moins deux raies d'émission ; il s'agit de préférence d'un spectre continu présentant un maximum d'émission dans le proche ultraviolet.
La lampe est de préférence une lampe au xénon. Elle peut également être une lampe à l'argon, à l'hélium ou au krypton. Le spectre d'émission comprend de préférence plusieurs raies, notamment à des longueurs d'onde allant de 160 à 1000 nm.
La durée de l'impulsion de lumière (flash) est de préférence comprise dans un domaine allant de 0,05 à 20 millisecondes, notamment de 0,1 à 5 millisecondes. Le taux de répétition (fréquence) est de préférence compris dans un domaine allant de 0,1 à 5 Hz, notamment de 0,2 à 2 Hz.
La lampe, ou les lampes, est de préférence disposée transversalement aux plus grands côtés du substrat. Elle possède une longueur de préférence d'au moins 1 m, notamment d'au moins 2 m et même d'au moins 3 m, de manière à permettre le traitement de substrats de grande taille.
Le condensateur est typiquement chargé à une tension de 500 V à
500 kV. La densité de courant est de préférence d'au moins 4000 A/cm2. La densité d'énergie totale émise par les lampes flash, rapportée à la surface du revêtement, est de préférence comprise entre 1 et 100 J/cm2, de préférence entre 2 et 30 J/cm2, en particulier entre 5 et 20 J/cm2.
Le substrat portant le revêtement à recuire est de préférence en verre ou en vitrocéramique. Il est de préférence transparent, incolore (verre clair ou extra-clair) ou coloré, par exemple en bleu, gris, vert ou bronze. Le verre est de préférence de type silico-sodo-calcique, mais il peut également être en verre de type borosilicate ou alumino-borosilicate. Le substrat possède avantageusement au moins une dimension supérieure ou égale à
1 m, voire 2 m et même 3 m. L'épaisseur du substrat varie généralement entre 0,1 mm et 19 mm, de préférence entre 0,7 et 9 mm, notamment entre 1 et 6 mm, voire entre 2 et 4 mm.
Le matériau du revêtement à recuire peut en principe être n'importe quel matériau, organique ou minéral, qui n'est pas détruit par le
La lampe est de préférence une lampe au xénon. Elle peut également être une lampe à l'argon, à l'hélium ou au krypton. Le spectre d'émission comprend de préférence plusieurs raies, notamment à des longueurs d'onde allant de 160 à 1000 nm.
La durée de l'impulsion de lumière (flash) est de préférence comprise dans un domaine allant de 0,05 à 20 millisecondes, notamment de 0,1 à 5 millisecondes. Le taux de répétition (fréquence) est de préférence compris dans un domaine allant de 0,1 à 5 Hz, notamment de 0,2 à 2 Hz.
La lampe, ou les lampes, est de préférence disposée transversalement aux plus grands côtés du substrat. Elle possède une longueur de préférence d'au moins 1 m, notamment d'au moins 2 m et même d'au moins 3 m, de manière à permettre le traitement de substrats de grande taille.
Le condensateur est typiquement chargé à une tension de 500 V à
500 kV. La densité de courant est de préférence d'au moins 4000 A/cm2. La densité d'énergie totale émise par les lampes flash, rapportée à la surface du revêtement, est de préférence comprise entre 1 et 100 J/cm2, de préférence entre 2 et 30 J/cm2, en particulier entre 5 et 20 J/cm2.
Le substrat portant le revêtement à recuire est de préférence en verre ou en vitrocéramique. Il est de préférence transparent, incolore (verre clair ou extra-clair) ou coloré, par exemple en bleu, gris, vert ou bronze. Le verre est de préférence de type silico-sodo-calcique, mais il peut également être en verre de type borosilicate ou alumino-borosilicate. Le substrat possède avantageusement au moins une dimension supérieure ou égale à
1 m, voire 2 m et même 3 m. L'épaisseur du substrat varie généralement entre 0,1 mm et 19 mm, de préférence entre 0,7 et 9 mm, notamment entre 1 et 6 mm, voire entre 2 et 4 mm.
Le matériau du revêtement à recuire peut en principe être n'importe quel matériau, organique ou minéral, qui n'est pas détruit par le
- 7 -traitement de recuit superficiel et dont les propriétés physiques, et notamment la couleur, sont modifiées suite à ce traitement.
Il s'agit de préférence d'un revêtement minéral, en particulier d'un revêtement comportant une ou plusieurs couches d'un oxyde métallique et/ou une ou plusieurs couches d'un métal, de préférence d'un métal noble, à l'état métallique.
Dans un mode de réalisation, le revêtement à recuire comprend de préférence au moins une couche d'un oxyde conducteur transparent (TCO de l'anglais transparent conductive oxide). Cet oxyde est de préférence choisi parmi l'oxyde d'étain et d'indium (ITO), l'oxyde d'indium et de zinc (IZO), l'oxyde d'étain dopé à l'antimoine ou au fluor (ATO et FTO), l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO) et/ou au gallium (GZO) et/ou au titane, l'oxyde de titane dopé au niobium et/ou au tantale, le stannate de cadmium ou de zinc.
Un oxyde particulièrement préféré est l'oxyde d'étain et d'indium, fréquemment appelé ITO . Le pourcentage atomique de Sn est de préférence compris dans un domaine allant de 5 à 70%, notamment de 6 à
60%, avantageusement de 8 à 12%. Par rapport à d'autres oxydes conducteurs, tels que l'oxyde d'étain dopé au fluor, l'ITO est apprécié pour sa conductivité électrique élevée, autorisant l'emploi de faibles épaisseurs pour obtenir un bon niveau d'émissivité ou de résistivité.
Dans un autre mode de réalisation, le revêtement à recuire comporte une ou plusieurs couches minces d'un métal, en particulier d'un métal noble, typiquement des couches à base d'argent ou d'or, de préférence au moins une couche d'argent.
L'épaisseur physique du revêtement à recuire est avantageusement au moins égale à 30 nm et au plus égale à 5000 nm, de préférence comprise entre 50 nm et 2000 nm.
Dans le procédé de la présente invention, on fait défiler le substrat portant le revêtement à recuire sous ou devant les lampes flash partiellement masquées par le masque d'irradiation.
Afin d'augmenter l'efficacité énergétique du procédé, les lampes flash sont de préférence proches du revêtement à recuire,
Il s'agit de préférence d'un revêtement minéral, en particulier d'un revêtement comportant une ou plusieurs couches d'un oxyde métallique et/ou une ou plusieurs couches d'un métal, de préférence d'un métal noble, à l'état métallique.
Dans un mode de réalisation, le revêtement à recuire comprend de préférence au moins une couche d'un oxyde conducteur transparent (TCO de l'anglais transparent conductive oxide). Cet oxyde est de préférence choisi parmi l'oxyde d'étain et d'indium (ITO), l'oxyde d'indium et de zinc (IZO), l'oxyde d'étain dopé à l'antimoine ou au fluor (ATO et FTO), l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO) et/ou au gallium (GZO) et/ou au titane, l'oxyde de titane dopé au niobium et/ou au tantale, le stannate de cadmium ou de zinc.
Un oxyde particulièrement préféré est l'oxyde d'étain et d'indium, fréquemment appelé ITO . Le pourcentage atomique de Sn est de préférence compris dans un domaine allant de 5 à 70%, notamment de 6 à
60%, avantageusement de 8 à 12%. Par rapport à d'autres oxydes conducteurs, tels que l'oxyde d'étain dopé au fluor, l'ITO est apprécié pour sa conductivité électrique élevée, autorisant l'emploi de faibles épaisseurs pour obtenir un bon niveau d'émissivité ou de résistivité.
Dans un autre mode de réalisation, le revêtement à recuire comporte une ou plusieurs couches minces d'un métal, en particulier d'un métal noble, typiquement des couches à base d'argent ou d'or, de préférence au moins une couche d'argent.
L'épaisseur physique du revêtement à recuire est avantageusement au moins égale à 30 nm et au plus égale à 5000 nm, de préférence comprise entre 50 nm et 2000 nm.
Dans le procédé de la présente invention, on fait défiler le substrat portant le revêtement à recuire sous ou devant les lampes flash partiellement masquées par le masque d'irradiation.
Afin d'augmenter l'efficacité énergétique du procédé, les lampes flash sont de préférence proches du revêtement à recuire,
- 8 -avantageusement situées à moins de 20 cm, de préférence à moins de cm et en particulier à moins de 5 cm. Plus cette distance est faible, plus l'intensité lumineuse au niveau du plan de travail (revêtement à recuire) est importante pour une puissance de fonctionnement donnée.
5 Le masque d'irradiation comporte une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat. La forme la plus simple de la fente garantissant une irradiation homogène du revêtement à
recuire est le rectangle. La fente a donc de préférence une forme sensiblement rectangulaire. Des formes plus complexes, moins préférées, 10 sont toutefois également envisageables et l'invention n'est pas limitée au mode de réalisation où la fente est un rectangle. Une fente en forme d'arc, de zigzag ou d'ondulation serait équivalente à une fente rectangulaire à
condition que le bord amont et le bord aval de la fente soient parallèles, permettant la juxtaposition parfaite (sans vide) des zones d'irradiation correspondant aux impulsions lumineuses successives.
Le substrat portant le revêtement à recuire peut être mis en mouvement de défilement à l'aide de tous moyens mécaniques de convoyage appropriés, par exemple à l'aide de bandes, de rouleaux, de plateaux en translation. Le système de convoyage permet de contrôler et réguler la vitesse du déplacement.
La vitesse de défilement du substrat doit être ajustée en fonction de la fréquence des impulsions et de la largeur de fente du masque de manière à ce que chaque point du revêtement reçoive au moins une impulsion lumineuse, autrement dit la vitesse de défilement doit être inférieure ou égale au rapport L/P de la largeur de la fente (L) à la période (P) séparant deux impulsions.
Pour une fréquence d'irradiation de 1 Hz et une largeur de la fente de 10 cm, la vitesse de défilement du substrat doit ainsi être d'au plus 10cm/seconde. Lorsque la vitesse de défilement du substrat est inférieure à
L/P, un certain nombre de points reçoivent deux impulsions lumineuses (zone de recouvrement), ce qui n'est pas très favorable du point de vue de l'efficacité énergétique du procédé. L'existence d'une zone de
5 Le masque d'irradiation comporte une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat. La forme la plus simple de la fente garantissant une irradiation homogène du revêtement à
recuire est le rectangle. La fente a donc de préférence une forme sensiblement rectangulaire. Des formes plus complexes, moins préférées, 10 sont toutefois également envisageables et l'invention n'est pas limitée au mode de réalisation où la fente est un rectangle. Une fente en forme d'arc, de zigzag ou d'ondulation serait équivalente à une fente rectangulaire à
condition que le bord amont et le bord aval de la fente soient parallèles, permettant la juxtaposition parfaite (sans vide) des zones d'irradiation correspondant aux impulsions lumineuses successives.
Le substrat portant le revêtement à recuire peut être mis en mouvement de défilement à l'aide de tous moyens mécaniques de convoyage appropriés, par exemple à l'aide de bandes, de rouleaux, de plateaux en translation. Le système de convoyage permet de contrôler et réguler la vitesse du déplacement.
La vitesse de défilement du substrat doit être ajustée en fonction de la fréquence des impulsions et de la largeur de fente du masque de manière à ce que chaque point du revêtement reçoive au moins une impulsion lumineuse, autrement dit la vitesse de défilement doit être inférieure ou égale au rapport L/P de la largeur de la fente (L) à la période (P) séparant deux impulsions.
Pour une fréquence d'irradiation de 1 Hz et une largeur de la fente de 10 cm, la vitesse de défilement du substrat doit ainsi être d'au plus 10cm/seconde. Lorsque la vitesse de défilement du substrat est inférieure à
L/P, un certain nombre de points reçoivent deux impulsions lumineuses (zone de recouvrement), ce qui n'est pas très favorable du point de vue de l'efficacité énergétique du procédé. L'existence d'une zone de
9 recouvrement, relativement étroite, garantit toutefois la continuité de la zone irradiée en cas de faibles variations de la vitesse de défilement.
Par conséquent, dans un mode de réalisation préféré du procédé
de la présente invention la fréquence de la lampe flash, la largeur de la fente et la vitesse de défilement du substrat sont telles qu'au moins 90 %, de préférence au moins 95 %, plus préférentiellement au moins 98 % des points du revêtement à recuire ne reçoivent une seule impulsion lumineuse.
En d'autres termes, au plus 10 %, de préférence au plus 5 %, et plus préférentiellement au plus 2 % des points du revêtement reçoivent deux impulsions lumineuses.
La vitesse de défilement du substrat est donc de préférence comprise entre L/P et 0,9 L/P.
La vitesse de défilement du substrat portant le revêtement à
recuire est avantageusement comprise entre 0,1 et 30 m/minute, de préférence entre 1 et 20 m/minute, et en particulier entre 2 et 10 m/minute.
La largeur de la fente d'irradiation est avantageusement comprise entre 1 et 50 cm, de préférence entre 5 et 20 cm.
La longueur de la fente est sensiblement égale à la largeur du revêtement à recuire, à savoir généralement au moins égale à 1 m, de préférence au moins égale à 2 m, en particulier au moins égale à 3 m.
Comme indiqué ci-avant, le masque d'irradiation doit être le plus proche possible du revêtement à recuire, c'est-à-dire la distance entre sa face inférieure et la surface du revêtement à recuire ne doit pas dépasser 1 mm, de préférence ne dépasse pas 500 pm, et idéalement est au plus égale à 100 pm.
Bien évidemment, dans le cadre d'un procédé continu qui suppose le défilement continu du substrat sous des lampes fixes - ou bien le défilement continu d'une lampe et d'un masque par rapport à un substrat fixe - il est impossible de poser le masque directement en contact avec le revêtement à recuire. Il est indispensable, pour ajuster la distance entre le masque et le revêtement à recuire de tenir compte des ondulations de la surface du substrat qui se répercutent sur la surface du revêtement à
recuire.
Par conséquent, dans un mode de réalisation préféré du procédé
de la présente invention la fréquence de la lampe flash, la largeur de la fente et la vitesse de défilement du substrat sont telles qu'au moins 90 %, de préférence au moins 95 %, plus préférentiellement au moins 98 % des points du revêtement à recuire ne reçoivent une seule impulsion lumineuse.
En d'autres termes, au plus 10 %, de préférence au plus 5 %, et plus préférentiellement au plus 2 % des points du revêtement reçoivent deux impulsions lumineuses.
La vitesse de défilement du substrat est donc de préférence comprise entre L/P et 0,9 L/P.
La vitesse de défilement du substrat portant le revêtement à
recuire est avantageusement comprise entre 0,1 et 30 m/minute, de préférence entre 1 et 20 m/minute, et en particulier entre 2 et 10 m/minute.
La largeur de la fente d'irradiation est avantageusement comprise entre 1 et 50 cm, de préférence entre 5 et 20 cm.
La longueur de la fente est sensiblement égale à la largeur du revêtement à recuire, à savoir généralement au moins égale à 1 m, de préférence au moins égale à 2 m, en particulier au moins égale à 3 m.
Comme indiqué ci-avant, le masque d'irradiation doit être le plus proche possible du revêtement à recuire, c'est-à-dire la distance entre sa face inférieure et la surface du revêtement à recuire ne doit pas dépasser 1 mm, de préférence ne dépasse pas 500 pm, et idéalement est au plus égale à 100 pm.
Bien évidemment, dans le cadre d'un procédé continu qui suppose le défilement continu du substrat sous des lampes fixes - ou bien le défilement continu d'une lampe et d'un masque par rapport à un substrat fixe - il est impossible de poser le masque directement en contact avec le revêtement à recuire. Il est indispensable, pour ajuster la distance entre le masque et le revêtement à recuire de tenir compte des ondulations de la surface du substrat qui se répercutent sur la surface du revêtement à
recuire.
- 10 -II est donc important de comprendre qu'il existe non seulement une distance maximale entre le masque et la surface du revêtement mais également une distance minimale qui doit être suffisante pour garantir l'absence de contact entre le masque et le revêtement. Cette distance minimale dépend bien entendu de la planéité du substrat et/ou de la rugosité du revêtement. Elle peut être par exemple de 10 pm, voire de 20 pm, ou même de 50 pm.
La présente invention a également pour objet un appareil pour le recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement à recuire, particulièrement approprié à la mise en oeuvre du procédé de la présente demande.
L'appareil de la présente invention, comprend - une lampe flash capable d'émettre de la lumière intense pulsée, - un moyen de transport permettant de faire défiler un substrat plat portant un revêtement à recuire devant la lampe flash, - un masque situé, en une position fixe par rapport à la lampe flash, entre la lampe flash et le moyen de transport, ledit masque comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat et qui est positionnée de manière que la lumière émise par la lampe flash soit projeté à travers la fente en direction du substrat plat portant un revêtement à recuire, et comporte en outre des moyens de réglage de la distance entre le masque et le moyen de transport tels que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à recuire puisse être ajustée à une valeur inférieure à 1 mm, de préférence inférieure à 500 pm, en particulier inférieure à 100 pm.
Le masque sera réalisé de préférence dans un matériau métallique, typiquement de l'aluminium ou du cuivre.
Il pourra être recouvert d'une couche absorbante, ou subir un traitement d'anodisation qui le rend absorbant, afin d'absorber toute la lumière qu'il intercepte. Dans ce cas, le corps du masque sera de préférence en contact avec un circuit de refroidissement, de manière à
maintenir sa température inférieure à 100 C, de préférence inférieure à
50 C.
La présente invention a également pour objet un appareil pour le recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement à recuire, particulièrement approprié à la mise en oeuvre du procédé de la présente demande.
L'appareil de la présente invention, comprend - une lampe flash capable d'émettre de la lumière intense pulsée, - un moyen de transport permettant de faire défiler un substrat plat portant un revêtement à recuire devant la lampe flash, - un masque situé, en une position fixe par rapport à la lampe flash, entre la lampe flash et le moyen de transport, ledit masque comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat et qui est positionnée de manière que la lumière émise par la lampe flash soit projeté à travers la fente en direction du substrat plat portant un revêtement à recuire, et comporte en outre des moyens de réglage de la distance entre le masque et le moyen de transport tels que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à recuire puisse être ajustée à une valeur inférieure à 1 mm, de préférence inférieure à 500 pm, en particulier inférieure à 100 pm.
Le masque sera réalisé de préférence dans un matériau métallique, typiquement de l'aluminium ou du cuivre.
Il pourra être recouvert d'une couche absorbante, ou subir un traitement d'anodisation qui le rend absorbant, afin d'absorber toute la lumière qu'il intercepte. Dans ce cas, le corps du masque sera de préférence en contact avec un circuit de refroidissement, de manière à
maintenir sa température inférieure à 100 C, de préférence inférieure à
50 C.
- 11 -Une autre possibilité est l'emploi d'une couche réfléchissante diffusante pour le masque, de manière à ce que la lumière interceptée ne soit pas absorbée mais diffusée afin d'abaisser l'intensité lumineuse réfléchie et donc sa dangerosité.
L'épaisseur du masque au niveau des bords de la fente doit être la plus faible possible, de préférence inférieure à 500 pm, voire inférieure à
200pm ou encore inférieure à 100pm.
Afin d'assurer la rigidité mécanique du masque et son refroidissement, les parties de celui-ci les plus éloignées de la fente pourront être plus épaisses. Les bords de la fente pourront alors être réalisés en biseau, de manière à ce que la lumière soit interceptée par la partie la plus fine.
L'invention est expliquée plus en détail en référence aux figures.
La figure 1 montre une photographie d'un substrat portant un revêtement de Planitherme ONE irradié dans les conditions telles que indiquées ci-avant en l'absence d'un masque. On perçoit des stries horizontales périodiques, espacées d'environ 2,6 cm.
La figure 2 est une photographie d'un substrat de Planitherme ONE traité selon le procédé de l'invention. Les stries visibles sur la Figure ont totalement disparu grâce à l'interposition d'un masque dans les conditions selon l'invention.
La figure 3 est un schéma explicatif montrant le fonctionnement du procédé de la présente invention et, plus particulièrement, le positionnement approprié du masque d'irradiation en relation avec le profil d'intensité lumineuse des lampes.
Sur cette figure 3 un substrat plat 1 continu portant un revêtement à recuire 2 est convoyé par des rouleaux 6 dans la direction de défilement indiquée par la flèche.
Le revêtement à recuire 2 est irradié avec de la lumière émise par un ensemble de lampes 4 et dirigée vers le bas au moyen d'un ensemble de miroirs 5, à travers un masque 3. La distance entre les deux parties du masque 3 correspond à la largeur de la fente longitudinale.
L'épaisseur du masque au niveau des bords de la fente doit être la plus faible possible, de préférence inférieure à 500 pm, voire inférieure à
200pm ou encore inférieure à 100pm.
Afin d'assurer la rigidité mécanique du masque et son refroidissement, les parties de celui-ci les plus éloignées de la fente pourront être plus épaisses. Les bords de la fente pourront alors être réalisés en biseau, de manière à ce que la lumière soit interceptée par la partie la plus fine.
L'invention est expliquée plus en détail en référence aux figures.
La figure 1 montre une photographie d'un substrat portant un revêtement de Planitherme ONE irradié dans les conditions telles que indiquées ci-avant en l'absence d'un masque. On perçoit des stries horizontales périodiques, espacées d'environ 2,6 cm.
La figure 2 est une photographie d'un substrat de Planitherme ONE traité selon le procédé de l'invention. Les stries visibles sur la Figure ont totalement disparu grâce à l'interposition d'un masque dans les conditions selon l'invention.
La figure 3 est un schéma explicatif montrant le fonctionnement du procédé de la présente invention et, plus particulièrement, le positionnement approprié du masque d'irradiation en relation avec le profil d'intensité lumineuse des lampes.
Sur cette figure 3 un substrat plat 1 continu portant un revêtement à recuire 2 est convoyé par des rouleaux 6 dans la direction de défilement indiquée par la flèche.
Le revêtement à recuire 2 est irradié avec de la lumière émise par un ensemble de lampes 4 et dirigée vers le bas au moyen d'un ensemble de miroirs 5, à travers un masque 3. La distance entre les deux parties du masque 3 correspond à la largeur de la fente longitudinale.
- 12 -La distance entre la face inférieure du masque 3 et la face supérieur du revêtement à recuire 2 est inférieure à 1 mm.
Dans la partie inférieure de la figure est représenté le profil d'intensité d'une impulsion lumineuse tel qu'il existerait au niveau du revêtement à recuire 2 en l'absence du masque 3. Le masque 3 est positionné tel que la lumière ayant une intensité inférieure à l'intensité
nominale soit interceptée par les zones opaques du masque.
Dans la partie inférieure de la figure est représenté le profil d'intensité d'une impulsion lumineuse tel qu'il existerait au niveau du revêtement à recuire 2 en l'absence du masque 3. Le masque 3 est positionné tel que la lumière ayant une intensité inférieure à l'intensité
nominale soit interceptée par les zones opaques du masque.
Claims (9)
1. Procédé de recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement, ledit procédé comprenant - le défilement du substrat (1) portant le revêtement à recuire (2) sous une lampe flash (4) émettant une lumière intense pulsée, la face du substrat portant ledit revêtement étant tournée vers la lampe flash, - l'irradiation du revêtement à recuire par la lumière intense pulsée émise par la lampe flash à travers un masque (3) situé, en une position fixe par rapport à la lampe flash, entre la lampe flash et le revêtement à
recuire et comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat, la fréquence de la lampe flash et la vitesse de défilement du substrat étant réglées de manière à ce que chaque point du revêtement à recuire reçoive au moins une impulsion lumineuse, caractérisé par le fait que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à
recuire est au plus égale à 1 mm, de préférence au plus égale à 500 µm, idéalement au plus égale à 100 µm, et par le fait que la forme et l'étendue de la fente sont telles que le masque occulte le revêtement à recuire dans toutes les zones où l'intensité
lumineuse qui, en absence de masque, arriverait au niveau du revêtement à
recuire est inférieure à une intensité lumineuse seuil, appelée ci-après intensité lumineuse nominale.
recuire et comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat, la fréquence de la lampe flash et la vitesse de défilement du substrat étant réglées de manière à ce que chaque point du revêtement à recuire reçoive au moins une impulsion lumineuse, caractérisé par le fait que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à
recuire est au plus égale à 1 mm, de préférence au plus égale à 500 µm, idéalement au plus égale à 100 µm, et par le fait que la forme et l'étendue de la fente sont telles que le masque occulte le revêtement à recuire dans toutes les zones où l'intensité
lumineuse qui, en absence de masque, arriverait au niveau du revêtement à
recuire est inférieure à une intensité lumineuse seuil, appelée ci-après intensité lumineuse nominale.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la fente a une forme sensiblement rectangulaire.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que la fréquence de la lampe flash, la largeur de la fente et la vitesse de défilement du substrat sont telles qu'au moins 90 %, de préférence au moins 95 %, plus préférentiellement au moins 98 % des points du revêtement à
recuire reçoivent une seule impulsion lumineuse.
recuire reçoivent une seule impulsion lumineuse.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la longueur de la fente est sensiblement égale à la largeur du revêtement à recuire.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la largeur du revêtement à recuire est au moins égale à 1 m, de préférence au moins égale à 2 m, en particulier au moins égale à 3 m.
6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la largeur de la fente est comprise entre 1 et 50 cm, de préférence entre 5 et 20 cm.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la vitesse de défilement du substrat portant le revêtement à recuire est comprise entre 0,1 et 30 m/minute, de préférence entre 1 et 20 m/minute, et en particulier entre 2 et 10 m/minute.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le revêtement à recuire comporte au moins une couche d'un métal, de préférence une couche d'argent, ou au moins une couche d'un oxyde conducteur transparent.
9. Appareil pour le recuit superficiel d'un substrat portant un revêtement, comprenant - Une lampe flash (4) capable d'émettre de la lumière intense pulsée, - Un moyen de transport (6) permettant de faire défiler un substrat plat (1) portant un revêtement à recuire (2) devant la lampe flash, - Un masque (3) situé, en une position fixe par rapport à la lampe flash, entre la lampe flash et le moyen de transport, ledit masque comportant une fente dont l'axe longitudinal est perpendiculaire à la direction de défilement du substrat et qui est positionnée de manière que la lumière émise par la lampe flash soit projeté à travers la fente en direction du substrat plat portant un revêtement à recuire, caractérisé par le fait qu'il comporte des moyens de réglage de la distance entre le masque et le moyen de transport tels que la distance entre la face inférieure du masque et la surface du revêtement à recuire puisse être ajustée à une valeur inférieure à 1 mm, de préférence inférieure à 500 µm, en particulier inférieure à 100 µm.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1458520A FR3025936B1 (fr) | 2014-09-11 | 2014-09-11 | Procede de recuit par lampes flash |
| FR1458520 | 2014-09-11 | ||
| PCT/FR2015/052238 WO2016038269A1 (fr) | 2014-09-11 | 2015-08-20 | Procédé de recuit par lampes flash |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CA2957845A1 true CA2957845A1 (fr) | 2016-03-17 |
Family
ID=51866184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CA2957845A Abandoned CA2957845A1 (fr) | 2014-09-11 | 2015-08-20 | Procede de recuit par lampes flash |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170291848A1 (fr) |
| EP (1) | EP3192095A1 (fr) |
| JP (1) | JP2017536689A (fr) |
| KR (1) | KR20170051447A (fr) |
| CN (1) | CN106605290A (fr) |
| AU (1) | AU2015314079A1 (fr) |
| BR (1) | BR112017002958A2 (fr) |
| CA (1) | CA2957845A1 (fr) |
| CO (1) | CO2017002325A2 (fr) |
| EA (1) | EA201790593A1 (fr) |
| FR (1) | FR3025936B1 (fr) |
| MX (1) | MX2017002996A (fr) |
| TW (1) | TWI663637B (fr) |
| WO (1) | WO2016038269A1 (fr) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3042492B1 (fr) * | 2015-10-16 | 2018-01-19 | Saint-Gobain Glass France | Procede de recuit rapide d'un empilement de couches minces contenant une surcouche a base d'indium |
| KR102118365B1 (ko) | 2017-04-21 | 2020-06-04 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자 봉지용 조성물 |
| US11384425B2 (en) * | 2017-07-13 | 2022-07-12 | Purdue Research Foundation | Method of enhancing electrical conduction in gallium-doped zinc oxide films and films made therefrom |
| US11220455B2 (en) * | 2017-08-04 | 2022-01-11 | Vitro Flat Glass Llc | Flash annealing of silver coatings |
| US12032124B2 (en) * | 2017-08-04 | 2024-07-09 | Vitro Flat Glass Llc | Flash annealing of transparent conductive oxide and semiconductor coatings |
| DE102019134818A1 (de) * | 2019-02-16 | 2020-08-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zum Erhöhen der Festigkeit eines Glassubstrates |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555449B1 (en) * | 1996-05-28 | 2003-04-29 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication |
| JP3204986B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2001-09-04 | ザ トラスティース オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス |
| TWI221102B (en) * | 2002-08-30 | 2004-09-21 | Sumitomo Heavy Industries | Laser material processing method and processing device |
| KR100906964B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널 |
| JP2004303792A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Seiko Epson Corp | フラッシュランプの照射装置 |
| US7820097B2 (en) * | 2004-11-24 | 2010-10-26 | Ncc Nano, Llc | Electrical, plating and catalytic uses of metal nanomaterial compositions |
| FR2911130B1 (fr) * | 2007-01-05 | 2009-11-27 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu |
| KR101563237B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2015-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조장치 및 발광장치 제작방법 |
| JP5209237B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-06-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| US8569155B2 (en) * | 2008-02-29 | 2013-10-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Flash lamp annealing crystallization for large area thin films |
| JP5640890B2 (ja) * | 2011-05-23 | 2014-12-17 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置および光照射方法 |
| DE102011089884B4 (de) | 2011-08-19 | 2016-03-10 | Von Ardenne Gmbh | Niedrigemittierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung eines niedrigemittierenden Schichtsystems |
| FR2989388B1 (fr) | 2012-04-17 | 2019-10-18 | Saint-Gobain Glass France | Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement |
| JP2014027252A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2014011256A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
2014
- 2014-09-11 FR FR1458520A patent/FR3025936B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-17 TW TW104126704A patent/TWI663637B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-08-20 AU AU2015314079A patent/AU2015314079A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-20 CN CN201580048670.3A patent/CN106605290A/zh active Pending
- 2015-08-20 CA CA2957845A patent/CA2957845A1/fr not_active Abandoned
- 2015-08-20 KR KR1020177006735A patent/KR20170051447A/ko not_active Withdrawn
- 2015-08-20 BR BR112017002958A patent/BR112017002958A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2015-08-20 EP EP15767209.8A patent/EP3192095A1/fr not_active Withdrawn
- 2015-08-20 WO PCT/FR2015/052238 patent/WO2016038269A1/fr not_active Ceased
- 2015-08-20 EA EA201790593A patent/EA201790593A1/ru unknown
- 2015-08-20 MX MX2017002996A patent/MX2017002996A/es unknown
- 2015-08-20 JP JP2017513808A patent/JP2017536689A/ja not_active Ceased
- 2015-08-20 US US15/507,883 patent/US20170291848A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-03-09 CO CONC2017/0002325A patent/CO2017002325A2/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI663637B (zh) | 2019-06-21 |
| US20170291848A1 (en) | 2017-10-12 |
| EA201790593A1 (ru) | 2017-06-30 |
| BR112017002958A2 (pt) | 2017-12-05 |
| MX2017002996A (es) | 2017-06-19 |
| FR3025936A1 (fr) | 2016-03-18 |
| CN106605290A (zh) | 2017-04-26 |
| CO2017002325A2 (es) | 2017-06-20 |
| FR3025936B1 (fr) | 2016-12-02 |
| KR20170051447A (ko) | 2017-05-11 |
| EP3192095A1 (fr) | 2017-07-19 |
| JP2017536689A (ja) | 2017-12-07 |
| TW201616555A (zh) | 2016-05-01 |
| WO2016038269A1 (fr) | 2016-03-17 |
| AU2015314079A1 (en) | 2017-04-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FZDE | Discontinued |
Effective date: 20211123 |