CA3048774C - Procede de lithographie par faisceau d'electrons adapte a un echantillon comprenant au moins une nanostructure fragile - Google Patents

Procede de lithographie par faisceau d'electrons adapte a un echantillon comprenant au moins une nanostructure fragile

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CA3048774C
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Agnes Maitre
Amit Raj DHAWAN
Pascale Senellart
Cherif BELACEL
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Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Sorbonne Universite
Universite Paris Cite
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La présente invention concerne un procédé de lithographie sur un échantillon (2) comprenant au moins une structure (1) et recouvert par au moins une couche inférieure (3) de réserve et une couche supérieure (4) de réserve, le procédé consistant : grâce à un dispositif optique (8), à imager ou déterminer, dans un référentiel du dispositif optique, une position de la structure (1) sélectionnée et des positions de repères faisant partie de l'échantillon (2) ; grâce à un dispositif à faisceau d'électrons, à imager ou déterminer la position de chaque repère dans un référentiel du dispositif à faisceau d'électrons ; à déduire la position de cette structure (1) sélectionnée dans le référentiel du dispositif à faisceau d'électrons ; à exposer à un faisceau d'électrons la couche supérieure (4) de réserve au-dessus de la position de ladite structure (1) sélectionnée afin d'éliminer toute l'épaisseur de la couche supérieure (4) de réserve au-dessus de la position de la structure (1) sélectionnée mais aucune partie ou seulement une partie incomplète de l'épaisseur de la couche inférieure (3) de réserve au-dessus de la position de cette structure (1) sélectionnée.
CA3048774A 2017-02-15 2018-02-12 Procede de lithographie par faisceau d'electrons adapte a un echantillon comprenant au moins une nanostructure fragile Active CA3048774C (fr)

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PCT/EP2018/053398 WO2018149777A1 (fr) 2017-02-15 2018-02-12 Procédé de lithographie par faisceau d'électrons adapté à un échantillon comprenant au moins une nanostructure fragile

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CA3048774A1 CA3048774A1 (fr) 2018-08-23
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