CH113736A - Verfahren zur Trennung von Hafnium und Zirkon. - Google Patents

Verfahren zur Trennung von Hafnium und Zirkon.

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CH113736A
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hafnium
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  Verfahren zur Trennung von     Hafnium    und     Zirkon.       Die vorliegende Erfindung betrifft ein  Verfahren zur Trennung des Elementes der  Atomnummer 72, des sogenannten     Hafniums     von     Zirkon.    Das Verfahren ist dadurch ge  kennzeichnet, dass man ein Gemisch von     Haf-          nium    und     Zirkonverbindungen    mit     Oxalsäure     behandelt und die entstehenden Verbindungen  hierauf einer fraktionierten Kristallisation  unterwirft.

   Die Trennung erfolgt infolge der  verschiedenen Löslichkeit der     Oxalsäurever-          bindungen    von     Hafnium    und     Zirkon.     



       Man    kann in der Weise vorgehen, dass  man     hafniumhaltiges        Zirkonhydroxyd    in  einem     LTberschuss    von     Oxalsäure    löst, oder  einer Lösung eines     hafniumhaltigen        Zirkon-          salzes        Oxalsäure    im Überschuss zusetzt und  die gebildeten löslichen Komplexsalze einer  fraktionierten Kristallisation unterwirft, bei  welcher die Ausfällungen einen andern     Haf-          nium-        resp.        Zirkongehalt    haben als die Mut  terlauge.  



  Durch Fortsetzung der fraktionierten Kri  stallisation kann man den gewünschten Tren-         nungsgrad    für     Hafnium    und     Zirkon    errei  chen.  



  Die Trennung wird durch Zusatz von     Am-          moniumoxalat    oder andern     Ainmoniu.msalzen     im Überschuss begünstigt. Im folgenden Bei  spiel wird gezeigt, wie man die verschiedene  Löslichkeit der Salze von     llafnium    und     Zir-          konoxalsäure    zur Trennung benützen kann.

           Beispiel:          Hafniumhaltiges        Zirkonsulfat    oder eine  andere, lösliche,     hafniumhaltige        Zirkonver-          bindung    wird mit     Ammoniumhydroxyd    ge  fällt, worauf für jedes Molekül     Zirkonsalz     vier Moleküle     Oxalsäure    zugesetzt werden.  Die entstandene Lösung wird zur Durchfüh  rung der fraktionierten Kristallisation von       Ammoniumzirkonoxalat    und     Ammonium-          hafniumoxalat    eingeengt.  



  Man kann das     Ammoniumzirkonoxalat          bezw.    das     Ammoniumhafniumoxalat    auch  herstellen durch direkten Zusatz von     Ammo-          niumoxalat    zu den löslichen     Zirkon-        und              Hafniumverbindungen,    wie den     Oxylialoge-          niden,    den Nitraten usw.

Claims (1)

  1. <B>PATENTANSPRUCH:</B> Verfahren zur Trennung von Ha.fnium und Zirkon, dadurch gekennzc@iellnet, dass <B>RUM</B> ein Gemisch von Ha.fnium und Zirkon- verbindungen mit Oxalsä.ure behandelt und die entstehenden Verbindungen einer frak tionierten Kristallisation unterwirft.
    UNTERANSPRÜCHE: 1. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, da.ss man die Salze von Zirkon- und Hafniumoxalsäiire einer frak tionierten Kristallisation unterwirft. ?. Verfahren naeh Patentanspruch und Un teranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, .dass eine.
    Lösung einer liafliiumhaltigen Zirkonv-erbindung mit einer Base gefällt, hierauf mit Oxalsäure behandelt und die entstandenen Salze der Zirkon- bezw. Haf- niumoxalsäure einer fraktionierten Kri- stallisation unterworfen werden. 3.
    Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gelzennzeicllnel, dass zti einem löslichen, ha.fniumhaltigen Zirkonsalz Oxalsäure in Cbersehuss hinzugesetzt wird, worauf die entstandene Lösung einer fraktionierten Kristallisation unterworfen wird.
CH113736D 1923-08-25 1924-07-14 Verfahren zur Trennung von Hafnium und Zirkon. CH113736A (de)

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