CH146675A - Verfahren zur Herstellung von Isolierkörpern, beispielsweise von Isolierschichten für Hochspannungskondensatoren. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Isolierkörpern, beispielsweise von Isolierschichten für Hochspannungskondensatoren.Info
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Description
Verfahren zur Herstellung von Isolierhörper n, beispielsweise von Isolierschichten für Hochspannungskondensatoren. Die bisherigen Untersuchungen über die Durchschlagsfestigkeit von Isolierstoffen haben gezeigt, dass die Durchschlagsfestigkeit mit abnehmender Schichtstärke des Dielek- trikums von einem gewissen Wert an stark ansteigt. Im allgemeinen tritt die Steigerung der Durchschlagsfestigkeit bei Schichtstär ken unter 0,01 mm ein.
Die Steigerung der Durchschlagsfestig keit lässt sich in folgender Weise erklären: In einem Dielektrikum kommt der Durch schlag meist dadurch zustande, dass eine An zahl von auf irgend eine Weise gebildeten Ionen oder Elektronen durch das elektrische Feld so stark beschleunigt werden, dass sie durch Stoss weitere Ionen erzeugen. Jeder so entstandene Ion kann durch Stoss weitere Ionen erzeugen (Stossionisation). Eine solche lawinenartige Vermehrung von Ionen kann aber nur eintreten, wenn die Ionen auf ihrem Wege die Möglichkeit haben, durch Stoss an-. fiere Ionen zu erzeugen.
Diese Möglichkeit ist besonders gross, wenn der von den Ionen zurückgelegte Weg bezw. die Schichtdicke des Dielektrikums grösser ist als die mittlere freie Weglänge der Ionen. Wenn man nun Isolierschichten verwendet, deren Dicke sehr gering ist und insbesondere weniger als 0,01 mm beträgt, so wird die Ausbildung von Ionenlawinen und damit auch der Durch schlag gehemmt, weil mit sinkender Schicht stärke die Wahrscheinlichkeit, dass ein Ion durch Stoss andere Ionen erzeugen kann, ebenfalls sinkt.
Auf Grund dieser Erkenntnis ist bereits vorgeschlagen worden, Isolierstoffe aus sehr dünnen Einzelschichten aufzubauen, die durch eine Zwischenschicht (zum Beispiel aus Metall) voneinander getrennt sind. Diese Zwischenschichten haben den Zweck, den un- inittelbaren Übertritt von Ionen aus der einen Schicht in die andere Schicht und damit die Ausbildung von Ionenlawinen zu verhindern.
Die Herstellung derartiger Zwisehen- schichten ist ziemlich schwierig. Die Erfin dung betrifft ein einfacheres Verfahren zur Herstellung hoch durchschlagsfester Isolier stoffe, bei welchen die Ausbildung von Ionenlawinen in ähnlicher Weise verhindert wird wie oben beschrieben.
Gemäss der Erfindung werden mindestens zwei Materialien, von welchen das eine gut isoliert und das ändere besser leitet, ineinan der derart fein verteilt, dass eine Mehrzahl von dünnen Wänden aus besser isolierendem Material entstehen, die elektrisch hinterein- andergeschaltet sind, während die durch sie gebildeten Räume durch besser leitendes Ma terial ausgefüllt werden.
In der Figur ist zur beispielsweisen Er läuterung der Erfindung ein schematischer Schnitt durch eine nach dem Verfahren ge mäss der Erfindung hergestellte Isolierschicht dargestellt. 1 und 2 veranschaulichen zwei Elektroden oder Leiter, während mit 3 die dünnen Isolierwände und mit 4 das Material mit verhältnismässig hoher Leitfähigkeit be zeichnet ist, welches sich zwischen den Wän den 3 befindet. Man wird im allgemeinen, um die angestrebte Verteilung zu bewerkstel ligen, mindestens das Material 3 in flüssigem Anfangszustand wählen und das Material darin in Suspensions- bezw. Emulsionsform verteilen.
Das Material 4 wird in 3 unlös lich, jedoch vom Material 3 benetzbar ge wählt werden. Damit kein wesentliches Po tentialgefälle in den einzelnen Teilchen des Materials 4 eintritt, welches zu Feldkompo nenten parallel zu den Trennungsflächen An lass geben könnte, soll es eine genügend hohe Leitfähigkeit besitzen. Man wird Materia lien vermeiden, die bei Erstarrung Gas ab geben.
Unter Umständen kann das Material 4 auch flüssig sein; so können Elektrolyte, bei spielsweise Salzlösungen, dessen Rolle erfül len. Derartige flüssige Stoffe kann man in Harzen, Kunstharzen, zum Beispiel Konden sationsprodukten von Phenol und Formalde hyd, verteilen. Man kann auch Materialien benutzen, wie niedrig schmelzende Zinnlegie rungen, zum Beispiel Woodsches Metall, die bei einer Temperatur schmelzen, bei welchen die erwähnten Harze noch kein Gas abgeben oder sich zersetzen (65 bis<B>70'</B> C). Als Stoff für den besser leitenden Körper kann man auch Firnis, zum Beispiel Leinölfirnis, ver wenden, dessen Leitfähigkeit durch geeignete Zusätze, zum Beispiel Graphit, erhöht wird.
Man erhält insbesondere günstige Resul tate, indem man Kondensationsprodukte von Phenol und Formaldehyd für die Wände 3 und einen zelluloseartigen Stoff, zum Bei spiel Zelluloseazetat, als Baustoff 4 benutzt. Durch Verteilen von Zelluloseazetat in Form eines Pulvers in den aus den erwähnten Kon densationsprodukten bestehenden, noch flüs sigen Kunstharzen, erhält man einen Stoff, bei dem das Material mit besserer Leitfähig keit (Zelluloseazetat) zwischen Wänden aus Kunstharz mit geringer Leitfähigkeit und hohem Isoliervermögen verteilt ist, deren Dicke ungefähr 0;005 mm beträgt.
Nach dem das pulverförmige Zelluloseazetat darin fein verteilt ist, wird das Kunstharz zum Erstarren gebracht, zum Beispiel durch Er hitzen auf die Umwandlungstemperatur des Harzes. Nachdem das Material gehärtet ist, kann es als Isolierstoff verwendet werden; es besitzt eine hohe Durchschlagsfestigkeit, da sich Elektronenlawinen in den dünnen Isolierwänden nicht ausbilden können.
Man kann die Wände 3 in gleichmässiger Stärke und sehr dünn erhalten, indem man einen geringen Prozentsatz des Materials 3 verwendet. Wenn das Material 4 eine relativ hohe Leitfähigkeit gegenüber dem Material 3 besitzt, so werden die elektrischen Kraft linien in den aus dem Material 3 gebildeten Wänden zur Oberfläche normal stehen. Die gestrichelt gezeichnete Linie 5 zeigt den Verlauf einer Kraftlinie. Jede der Wände 3 ist fähig, 3000 bis 5000 Volt Spannung auf zunehmen. Das Material ist daher ein her vorragender Isolator, in dem die elektrische Beanspruchung gleichmässig verteilt ist.
Die Leitfähigkeit des Materials 4 wird zweckmässigerweise, wie schon erwähnt, so hoch gewählt, dass praktisch der ganze Span nungsabfall von dem Material 3 getragen wird. Dies ist der Fall, wenn bei der ge- gebenen Frequenz und Gesamtspannung der Spannungsabfall im Material 4 klein ist gegenüber dem Spannungsabfall in den Wänden 3. Bei Gleichstrom kommen für die Spannungsverteilung nur die Leitfähig keiten in Betracht. Der Spannungsabfall im Material 4 wird, wenigstens im allgemeinen, so klein gehalten, dass dadurch keine Ioni sation zustande kommt; er wird auch des wegen klein gehalten werden, damit die Verluste klein bleiben.
Wenn das Span nungsgefälle im Material 4 klein genug ist, stehen die Kraftlinien praktisch gesprochen senkrecht zu den Wänden des Materials 3. Die Wirksamkeit der Kombination ist, wie man wohl versteht, daran geknüpft, dass Ionen oder Elektronen nicht, oder nur schwer aus dem einen Material in das andere über gehen können. Die mechanische Festigkeit der Materialien muss selbstverständlich so gross sein, dass sie durch die wirkenden elek trostatischen Kräfte nicht schädlich beein flusst oder zerstört werden.
Von einem Material wie dem vorstehend beschriebenen kann erwartet werden, dass es bei geeigneter Wahl der Komponenten sehr hohe Spannungsgefälle, beispielsweise solche von über 10,000,000 Volt je Zentimeter und noch höher standhält. Man kann es daher vorteilhaft als Dielektrikum in Kondensato ren verwenden.
Die bereits bekannten, aus Schichten ver schiedener Beschaffenheit bestehenden Stoffe, zum Beispiel Isolierschichten, die abwech selnd aus Glimmer und Schellack bestehen, entsprechen nicht den obenerwähnten Bedin gungen, sei es weil die Leitfähigkeiten bei diesen Stoffen nicht im Sinne der Erfindung einander angepasst sind, sei es, weil die räum lichen Bedingungen nicht erfüllt werden, da Kraftlinien in demselben Masse durch grössere Entfernungen, beispielsweise solchen von mehr als 0,005 mm, ohne Unterbrechung durch andere Isoliermaterialien führen.
Bei der praktischen Durchführung des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung kann man beispielsweise als Stoff grösserer Leitfähigkeit Glas benutzen. Als Stoffe ge ringerer Leitfähigkeit kann man Harze, wie Kolophonium, oder auch Kunstharze, zum Beispiel Kondensationsprodukte von Phenol und Formaldehyd, verwenden. Der Stoff grösserer Leitfähigkeit, zum Beispiel Blei glas, wird mit Hilfe bekannter Mittel, zum Beispiel mit Hilfe von Kugelmtihlen, so fein zermahlen, dass die Teilchengrösse in der Grö ssenordnung von 0,001 mm liegt. Dieser Staub wird dann auf irgend eine Weise mit dem verflüssigten andern Stoff, zum Beispiel geschmolzenen Kolophonium, vermengt. Da bei werden die Staubteilchen mit einer Schicht des andern Dielektrikums überzogen und dadurch voneinander getrennt.
Bei der Verwendung von Kunstharzen, beispielsweise dem reinen Kondensationsprodukt von Phe nol und Formaldehyd, wird nach der Ver mengung mit dem Pulver das Harz durch Erhitzen in den unlöslichen Zustand überge führt. Die Mengenverhältnisse der zu mi schenden Stoffe sind von der Art dieser Stoffe abhängig. Im allgemeinen wird es notwendig sein, dem Isoliermittel geringerer Leitfähigkeit 30 bis 60 Volumensprozente des Stoffes höherer Leitfähigkeit beizumen gen. In ähnlicher Weise wie Harze und Kunstharze kann man auch Gummilösungen, zum Beispiel eine Lösung von Gummi in Benzol, oder gelatineartige Stoffe, wie Zellu- loseazetat, verwenden.
In diesem Falle emp fiehlt es sich, diese Stoffe mit Pulver zu ver mengen, deren Leitfähigkeit grösser ist. als die von Glas, zweckmässigerweise zum Bei spiel mit Graphit.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH I: Verfahren zur Herstellung von Isolier- körpern, beispielsweise von Isolierschichten für Hochspannungskondensatoren, dadurcb gekennzeichnet, dass mindestens zwei Mate rialien, von welchen das eine gut isoliert, und das andere besser leitet, ineinander derart fein verteilt werden, dass eine Mehrzahl von dünnen Wänden aus besser isolierendem 1VIa- terial entstehen, die elektrisch hintereinander geschaltet sind, während die durch sie gebil- deten Räume durch besser leitendes Material ausgefüllt werden. , UNTERANSPRUCH:Verfahren nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass wenigstens das besser isolierende Material ursprünglich flüs sig ist und nach dem Verteilungsvorgang zum Erstarren gebracht wird. PATENTANSPRUCH II: Nach dem Verfahren gemäss Patentan spruch I hergestellter Isolierkörper, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke der Wände des Isolierkörpers mit Zellenstruktur nur einige ,u beträgt.
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