CH183825A - Modulationsverfahren. - Google Patents

Description

      Modulationsverfahren.       Bei allen bekannten     -Modulationsver-          fahren,    durch die einer Hochfrequenz eine  Niederfrequenz     aufmoduliert    wird, treten  im     Anodenausgangskreis    der     Modulations-          stufe    neben den modulierten Hochfrequenz  schwingungen auch noch die modulierenden       Niederfrequenzschwingungen    auf. Durch  geeignete Siebkreise werden im allgemei  nen die     Niederfrequenzschwingungen    unter  drückt, während die     Hochfrequenzschwin-          gungen    diese Siebkreise ungeschwächt  durchlaufen.

   Wenn die modulierende Nie  derfrequenz und die modulierte Hochfre  quenz     frequenzmässig    weit auseinander lie  gen, bereitet dieses Verfahren keine Schwie  rigkeiten. Liegt aber die modulierende  Niederfrequenz     frequenzmässig        benachbart     zu den äussersten Seitenbändern der modu  lierten Hochfrequenz, so entsteht die Forde  rung nach scharf begrenzter     Siebung,    die  einen beträchtlichen Aufwand an Siebmit  teln erfordert und auch leicht zu     Phasen-          und        Dämpfungsverzerrungen    in den äusser-         sten    Seitenbändern der modulierten Koch  frequenz führt.  



  Die vorliegende Erfindung gibt dagegen  ein     Modulatiousverfahren    an, bei dem im  Ausgangskreis der     Modulationsanordnung     nur noch modulierte     Ilochfrequenzschwin-          gungen    auftreten, so dass keine nachfolgende       Siebung    mehr notwendig ist: selbst dann  nicht, wenn die modulierende Niederfre  quenz und die äussersten     Seitenbänder    der  modulierten Hochfrequenz     frequenzmässig     dicht benachbart sind.  



  Das Verfahren beruht auf einer geeigne  ten Zusammensetzung zweier modulierter       Hochfrequenzhalbwellen    im Ausgang der       Modulationsanordnung.    Ein Ausführungs  beispiel des Verfahrens wird anhand der       Fig.    1 und 2 der     Zeichnung    erläutert.  



  Die zu modulierende Hochfrequenz möge  in     Fig.    1 an den Klemmen     a-a    liegen und  über den gezeichneten     Ilochfrequenzüber-          trager        gegenphasig    auf die Gitter.     G,     und     GI    der Rohre     R:

  ,    und     R2        wirken.    An      den     Klemmen        iyz--n        liegt    die modulierende       Niederfrequenzspannung.    Durch die Vor  spannung     E,.    sollen     nun    die beiden Rohre       R,    und     R2    soweit negativ vorgespannt wer  den, dass selbst bei der grösstmöglichen       Niederfrequenzamplitude    immer nur eine  Halbwelle der     Hochfrequenzschwingung    die  Anodenströme der Rohre     R,    und     R,    steuert.

    Vorausgesetzt sind dabei genügend grosse       Hochfrequenzamplituden    an den Gittern     G,     und     G2.    In     Fig.    2 sind durch     R1,        R2    die  Anodenströme der Rohre     R1    und     R2    ange  deutet, und zwar für zwei verschieden grosse  Amplituden der modulierenden Spannung.  Die Anodenströme bestehen aus modulierten       Hochfrequenzhalbwellen,    wobei die Halb  wellen im Rohr     BZ    immer auf den Lücken  der Halbwellen im Rohr R, stehen, da die  Hochfrequenz gegenphasig auf die Gitter  der beiden Rohre einwirkt.

   An das Rohr       R2    schliesst sich nun ein     Verstärkerrohr        Rz;     an, das am Widerstand     Ra3    eine     Spannung     erzeugt, die gegenüber der     Spannung        am,     Widerstand<I>Rat</I> eine     Phasenverschiebung     von<B>180'</B>     besitzt.     



  Da die     Spannungen    an den Widerständen       Ral,        Rat,        Ra3    den zugehörigen Anoden  strömen     proportional    sind, so stellt     Fig.    2  auch den zeitlichen Verlauf der Spannungen  an den Widerständen     Ral,   <I>Rat</I> und     Ra3    dar.

    Man erkennt nun, dass eine Zusammen  setzung der modulierten Halbwellen aus der  ersten und     dritten    Zeile der     Fig.    2, das sind  die     Spannungen    an den Widerständen     Bal     und     Ra3,    eine reine modulierte     Hochfre-          quenzschwingung    ergibt, wie sie die vierte  Zeile in     Fig.    2 zeigt. Diese Zusammen  setzung enthält unter Umständen modulierte       Oberschwi        b,c-ungen    der modulierten Hoch  frequenz, die     praktisch    nicht stören.

   Die  Zusammensetzung enthält aber die modu  lierende     Niederfrequenzschwingungen,    die  in den     Einzelspannungen    an den Widerstän  den     Ral    und     Ra3    noch enthalten sind, nicht  mehr. Voraussetzung ist hierbei, dass die       Verstärkung    des Umkehrrohres     R3    in     Fig.    1  so eingestellt ist, dass an den Widerständen       Ral    und     Ra3    jeweils gleich grosse Hochfre-         quenzhalbwellen    entstehen.

   Die Zusammen  setzung der beiden Halbwellen erfolgt in  der Schaltung nach der     Fig.    1 durch die Ver  bindung der     beiden    Punkte     c-d    zum ge  meinsamen Abnahmepunkt p. Zwischen den  Punkten p und     q    in     Fig.    1 herrscht die  modulierte     Hochfrequenzspannung,    die die  vierte Zeile in     Fig:    2 zeigt, und die zum  Beispiel durch den Transformator     Tr     .     (Fig.    1) weitergeleitet werden kann.  



  Das erfindungsgemässe Verfahren, das  also in geeigneter Erzeugung und Zusam  mensetzung modulierter     Hochfrequenzhalb-          wellen    zu einer reinen modulierten     Hochfre-          quenzschwingung    besteht, erfordert also, da  in der Ausgangsschwingung keine Nieder  frequenz mehr erhalten ist, auch keine Sieb  mittel mehr zur     Trennung    von modulierter  Hochfrequenz und Niederfrequenz.  



  Das     Verfahren    ist ebenso geeignet zur       Modulation    um     einen        Mittelwert    der     hoch-          frequenten        Schwingung    wie zur     telegraphie-          mässigen    Modulation, bei der die Hoch  frequenz von einem Ruhewert aus in     einer          Richtung    gesteuert     wird.  

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH: Modulationsverfahren, dadurch gekenn zeichnet, dass zwei modulierte, hochfre- quente Halbwellenzüge unter Vermeidung von Schaltmitteln, die Eigenschwingungen besitzen, derart zusammengesetzt werden, dass im Ausgang der Modulationsanordnung ein modulierter, hochfrequenter Vollwellen zug entsteht, aber keine Wellenzüge der Modulationsfrequenz auftreten.

   UNTERANSPRÜCHE: 1. Modulationsverfahren nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet,- dass die beiden modulierten, hochfrequenten llalb- wellenzüge in zwei Modulationsrohren erzeugt werden, deren Steuergitter hoch frequenzmässig in Gegenphase gesteuert werden während die modulierende Nie derfrequenz auf beide Gitter gleich- phasig wirkt.

   \?. Modulationsverfahren nach Patentan spruch und Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der eine modulierte, hochfrequente Halbwellenzug vor der Zusammensetzung mit dem zweiten Halb wellenzug in seiner Phase gedreht wird. 3. llodulationsverfahren nach Patentan spruch und Unteransprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dre hung des einen modulierten, hochfre- quenten Halbwellenzuges durch ein zwi schengeschaltetes Verstärkerrohr bewirkt wird.

   4. Modulationsverfahren nach Patentan spruch und Unteransprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Halbwellenzüge vor der Zusammen- Setzung auf gleiche Amplitude gebracht werden. 5. Modulationsverfahren nach Patentan spruch und Unteransprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Modu lation um den Mittelwert der hochfre- quenten Schwingung erfolgt. 6. Modulationsverfahren nach Patentan spruch und Unteransprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Hoch frequenz telegraphiemässig von einem Ruhewert nur nach einer Seite gesteuert wird.