CH187942A - Abschirmungsvorrichtung für Hochfrequenz führende Leiter. - Google Patents

Description

  Zusatzpatent zum Hauptpatent     Nr.   <B>183565.</B>         Abschirmungsvorrichtung    für Hochfrequenz führende Leiter.    Die Erfindung betrifft eine     Absehir-          mungsvorrichtung    für     Hochfrequenz        iü'hrende     Leiter gemäss,     Unteransprucli   <B>1</B> des Haupt  patentes,<B>du</B> heisst eine     Abschirmungsvor-          richtung    mit einer Hochfrequenz absorbie  renden, für die in Frage<U>kommenden</U> Fre  quenzen nicht reflektierenden Schicht aus       Halbleiterma,terial.     



  Bei den im Hauptpatent beschriebenen       Ausführungsforinen    mit metallischer     Ab-          schirmwand    ist eine     Hochfrequenz        absorbie-          ren,de,    nicht     reilektierende    Schicht nur auf  der einen Seite der metallischen, zum Bei  spiel zylindrischen     Abschirmungswand,    und  zwar zwischen dieser und dem     Hoehfrequenz     führenden Leiter angeordnet.

   Bei dieser An  ordnung werden Störungen, wenn auch in  beschränktem Masse, noch aus folgenden  Gründen auftreten: Die von aussen auf den  Metallzylinder auftreffenden Strahlen und  die dadurch in ihm entstehenden     Hochfre-          quenzse'hwingungen    erzeugen im Innern des  als     Solenoid    mit einer Windung aufzufassen  den Metallzylinders ein elektromagnetisches         Sellwingungsfeld,    welches irgendwo den im  Innern des Zylinders angeordneten     Hoe*hfre-          quenz    führenden Leiter schneidet und in ihm  elektrische     Hochfrequenzscliwingungen    er  zeugt.

   Um auch diesen Mangel auszuschal  ten, weist gemäss. vorliegender Erfindung die       Abschirmungsvorrielltung    auf beiden Seiten  eines metallischen     Abschirmungskörpers    eine  Hochfrequenz absorbierende, nicht reflektie  rende Schicht aus Halbleitermaterial auf.  



  Der     Erfindungsgegenstand    ist auf der  Zeichnung durch ein Ausführungsbeispiel  veranschaulicht.  



  Auf dem     Hoclifrequenz    führenden Leiter  <B>1</B> sind mit einer Durchbohrung versehene       Isolatorglieder    14 kettenartig aufgereiht. Die  nach aussen gekehrten Flächen der     Isolator-          glieder    14 sind mit einer Schicht<B>15</B> aus  einem Halbleiter belegt, welche auf der  Zeichnung durch eine dicke Linie angedeu  tet ist.

   Diese Halbleiterschichten reichen an  jedem     Isalatorglied    so weit,     dass    sich die  Halbleiterschichten von<B>je</B> zwei     aufeinander-          folgenden        Isolatorgliedern    etwas Übergrei-           fen,    so     dass    auch bei Krümmungen des Lei  ters und entsprechender Verschiebung der       Isolatorglieder    gegeneinander die senkrecht  zum Leiter auftreffenden Strahlen noch auf  eine     HalbleiterscIiielit    fallen,     ehe    sie an den       abzusellirmenden    Leiter gelangen.

   Der mit  der Kette von     Isolatürgliedern    versehene, ab  zuschirmende Leiter<B>1</B> ist in einer     zylindri-          sehen        Abschirmungswand    eingebaut, welche  von innen nach aussen zunächst eine Schicht  <B>16</B> aus einem Isolator, zum Beispiel aus Jute,  eine Schicht<B>17</B> aus einem Leiter, zum Bei  spiel Stanniol, eine, weitere Schicht<B>18</B> aus  einem Isolator und aussen eine Schicht<B>19</B>  aus einem Halbleiter aufweist.  



  Durch die     Ilalbleiterseliieht   <B>19</B> werden  die von aussen auf     die    zylindrische     Ab-          schirmungswand   <B>16-19</B>     auftreffendenStrah-          len    absorbiert, ehe sie an die Metallschicht  <B>17</B> gelangen können. Hierdurch wird die  Entstehung der     Hochfrequenzschwingungen     in dem     zylindrischen    Leiter<B>17</B> und des durch  diese Schwingungen induzierten el,#ktro-    magnetischen Feldes im Innern des Zylin  ders<B>17</B>     und    die     Induktionswirkung    dieses  Feldes auf den Leiter<B>1</B> verhindert.

   Die  Schichten<B>15</B> und<B>19</B> können zweckmässig so  hergestellt sein,     dass    in ihnen sowohl zusam  menhängende, als auch voneinander isolierte  Leiterteilchen derart und in solcher Menge  in einem Isolator eingebettet sind,     da3    eine  Leitfähigkeit dieser Schicht zustande kommt,  und     dass    für die zu absorbierenden Frequen  zen     Leit-    und Verschiebeströme dieser     Halb-          leitersehichten    von gleicher Grössenordnung  sind.

Claims (1)

1. PATENTANSPR-UCH: Abseliirmungsvorrielitung für Hochfre quenz führende Leiter nach Unteranspruch <B>1</B> des Hauptpatentes, dadurch gekennzeic'h- net, dass dieselbe auf beiden Seiten eines metallischen Abselurmungskörpers eine Hoch frequenz absorbierende, nicht reflektierende Schicht aus Halbleitermaterial aufweist.