CH196797A - Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter.Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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Description
Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter. Es sind Metalltrockengleichrichter sehr kleiner wirksamer Fläche bekannt geworden. Sie werden dort verwendet, wo Trockengleich richter grösserer Flächen wegen ihrer ver hältnismässig hohen Eigenkapazität nicht ge eignet sind, oder wo es gilt, sehr kleine Ströme hoher Spannung gleichzurichten.
Es ist bekannt, die Gleichrichterscheiben oder -einheiten, die meist in einem Isolier- rohr aneinander gereiht werden, aus einer Platte auszustanzen, die mit der Halbleiter schicht versehen ist.
Im folgenden soll mit Bezug auf die Zeichnung ein Ausführungsbeispiel des erfin dungsgemässen Verfahrens erläutert werden.
Fig. 1 ist in vielfach vergrössertem Mass stabe eine teilweise geschnittene Ansicht eines nach diesem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen Verfahrens hergestellten Gleichrichters und zeigt schematisch auch eine Schaltung für den Gleichrichter; Fig. 2 stellt einen Schnitt nach der Linie 2-2 der Fig. 1 dar; Fig. 3 ist in noch grösserem Massstabe eine Seitenansicht eines Teils einer Platte, aus welcher die Gleichrichterscheiben oder -ein- heiten ausgestanzt werden.
Der Gleichrichter enthält gemäss Fig. 1 drei Einheiten A, die je aus einer Metall scheibe 1, einer gleichrichtenden Halbleiter schicht 2 und drei metallischen Ansätzen 3 der Schicht 2 bestehen. Die Ansätze 3 der in Fig. 1 links gezeigten Einheit A liegen an der Scheibe 1 der mittleren Einheit A und deren Ansätze 3 an der Scheibe 1 der rechts dargestellten Einheit A.. Die Ansätze 3 der rechts gezeigten Einheit A stützen sich an einer Metallkappe 4 eines zylindrischen Ge häuses 5, mit der dieses an einem Ende ver schlossen ist. Eine zweite solche Kappe 6 ist auf das andere Ende des Gehäuses 5 aufge schoben.
Die Kappen 4, 6 können durch Reibung auf dem Gehäuse 5 haften oder durch einen wasserfreien Kitt oder in irgend einer andern Weise befestigt sein. Das Ge häuse 5 besteht aus einem Isolierstoff, der ein hochschmelzendes Glas sein kann, und umschliesst die Einheiten A. In dem Gehäuse 5 liegt ferner eine Schraubenfeder 7, nämlich zwischen der Kappe 6 und den Einheiten A. Die Feder 7 bewirkt, dass die Ansätze 3 und Scheiben 1 mit dem nötigen Kontaktdruck aneinander liegen, und sorgt auch für den nötigen Kontaktdruck zwischen der Kappe 4 und denjenigen Ansätzen 3, die mit dieser Kappe in Berührung stehen. Die Kappe 4 hat eine Lötöse S, die Kappe 6 eine Lötöse 9.
10 bezeichnet eine Wechselstromquelle, dessen Strom durch den Gleichrichterin Gleich strom umgewandelt wird, der für einen Ver braucher 11 bestimmt ist.
Die Ansätze 3 verhindern dadurch, dass sie in den Ecken eines Dreiecks liegen, dass die Einheiten A sich schräg zueinander stellen und so an ihrem Rande unter Bildung von Kurzschlüssen zusammenkommen. In den be kannten Anordnungen besteht diese Gefahr, weil hier jede Einheit nur einen solchen An satz hat, die durch die Erfindung geschaffene gegenseitige Abstützung der Einheiten also fehlt. Diese Abstützung ist am vollkonn- mensten, wenn die Ansätze 3 symmetrisch verteilt sind.
Auf diese Art sind Gleichrichter für meh rere 1000 Volt Spannung und einige Milli- ampere Belastung hergestellt worden.
Statt der gezeigten drei Einheiten A -Öl)- neu mehr oder weniger davon vorgesehen werden. Ferner können Gleichrichter, die aus Einheiten der neuen Anordnung bestehen, in irgendeiner andern Weise geschaltet sein, als Fig. 1 dies zeigt. Für gewisse Schaltungen können zwischen den Einheiten A Kontakt scheiben mit Lötösen angebracht werden.
Gleichrichter der hier beschriebenen Aus bildung können zu der bekannten CTraetz- Schaltung vereinigt sein.
Die aus den Teilen 1, 2, 3 bestehenden Einheiten A werden in folgernder Weise her gestellt Auf einer Metallplatte 1, Fig. 3, zum Bei spiel einer Eisenplatte, wird in bekannter Weise eine Halbleiterschicht 2, die zum Bei spiel aus Selen oder Kupferoxyd besteht, auf geschmolzen oder erzeugt und durch Wärme behandlung oder auf andere Art in der ge wünschten Weise bearbeitet. Auf dieser Schicht werden dann die metallischer) .Ansätze 3 ge bildet, zum Beispiel durch ein Spritzverfahren, und zwar in Gruppen, die aus mindestens drei solchen Ansätzen bestehen. Diese liegen gemäss Fig. 2 in den Ecken eines Dreiecks.
Der so gewonnene Körper wird mit einem Lack überzogen. Die Lackschicht ist mit 12 bezeichnet. Aus diesem Werkstück werden Scheiben der gewünschten Grösse, zum Bei spiel eines Durchmessers von 8 bis 9 mm, ausgestanzt, die je eine Gruppe der Ansätze 3 haben.
Die Lackschicht 12 verhindert, dass beim Ausstanzen der Einheiten A die Halbleiter schicht 2 an ihrem Rande wegbricht, ist aber so dünn, dass sie beirr Zusammenfügen der Einheiten A von den Ansätzen 3 durchge drückt wird, so dass zwischen diesen und den Teilen 1 oder 4 eine metallische Berührung entsteht.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter, bei dem die Metall scheiben der Gleichrichtereinheiten zusammen mit der Halbleiterschicht aus einer mit dieser versehenen Platte ausgestanzt werden, dadurch gekennzeichnet, dass diese Platte vor dem Stanzen mit Kontaktansätzen (3) ausgerüstet wird, die auf der Halbleitersehicht erzeugt werden und gruppenweise zu je einer durch das Stanzen gewonnenen Gleichrichtereinheit (A) gehören. <B>UNTERANSPRÜCHE:</B> 1.Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktansätze aufgespritzt werden. 2. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die mit der Halbleiter- Schicht (2) und den Kontaktansätzen ver sehene Platte vor dem Stanzen mit einem Lack überzogen wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktansätze in symmetrischer Verteilung angeordnet werden.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE196797X | 1936-08-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH196797A true CH196797A (de) | 1938-03-31 |
Family
ID=5756010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH196797D CH196797A (de) | 1936-08-03 | 1937-07-02 | Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH196797A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE976574C (de) * | 1939-10-17 | 1963-11-21 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten |
-
1937
- 1937-07-02 CH CH196797D patent/CH196797A/de unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE976574C (de) * | 1939-10-17 | 1963-11-21 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten |
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