CH256680A - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen.Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
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Description
Verfahren "zur Herstellung von Selengleichrichterelementen. Die Erfindung betrifft die Herstellung von Selengleichrichterelementen.
Selengleichri:chterelemente werden ge wöhnlich herbestellt, indem Selen auf eine normalerweise aus einem Metall, wie Eisen, Stahl, Aluminium oder dergleichen, herge stellte Grundplatte aufgetragen und die so aufgebrachte Selenschicht, gegebenenfalls unter Druck, einer Wärmebehandlung unter worfen wird. Eine Gegenelektrode, die aus einem leitenden Material, wie z. B. Wood sches Metall, besteht, wird dann gewöhnlich durch Spritzen auf die Selenoberfläche auf getragen.
Das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen isst dadurch gekennzeichnet, :dass@ die Gleich- richtergrundp,laIten mit scharfen ganten ver sehen werden, die über :die Ebene der Grund platte vorstehen, und dass diese Grundplatten auf einer Tragplatte angeordnet werden mit den ganten gegen dieselbe, dass das Selen auf die Oberfläche .der Grundplatten aufge bracht wird und hierauf die ganten der Grundplatten in :
die Tragplatte eingepresst werden.
In der Zeichnung zeigt: Fig. 1 einen Querschnitt eines mit einer Selensehicht versehenen Elementes, das auf einer Tragplatte ruht, Fig. 2 eine Obenansicht des Elementes., Fig. 3 eines der in die Tragplatte einge- p:ressten Blemente und Fig. 4 eine Obenansicht einer Tragplatte, auf welcher :
eine Anzahl Elemente befestigt s-in,cl.
In Fig. 1 ist ein Querschnitt durch eine Gleichriehtergrundplatte <B>4</B> gezeigt, welche mit ihrer vorstehenden gante 1 auf des Trag platte 2 ruht.
Diese scharfe gante 1 kann leicht beim Ausstanzen .der Grundplatte auf einer Seite :derselben gebildet werden. Eine Selenschicht, vorzugsweise in Pulverform, wird nun auf der der scharfen gante ent gegengesetzt liegenden Fläche der Grund platte aufgetragen.
Eine Anzahl dieser Ele mente wird in .dieser Weise auf der in Fig. 4 gezeigten Platte 2 angeordnet und mit einer Selens:chicht versehen. Die mit den Elemen ten versehene Tragplatte wird nun in eine durch die Pressplatte 5 und. 6 angedeutete Presse eingelegt, worauf die scharfen ganten in die Platte 2. eingepresst werden, welche aus einem Metall besteht, das weicher ist als das Metall der Grundplatte.
Fig. 3 zeigt eines der zwischen: den Prassplatten .liegenden Ele mente mit der in die Tragplatte eingepressten scharfen gante.
Der auszuübende Druck ist nicht kritisch, ungefähr 300 kg/em' ergibt befriedigende Resultate. Während .des Pressvorganges soll eine erhöhte Temperatur, beispielsweise zwi schen l00 und 150 C. herrschen, um das Selen etwas zu erweichen.
Dies kann durch eine Erhitzung .der Pressplatten mittels der Heiz@l@..n_en- 7 undi 8 bewirft werden, Das Selenpulver wird dadurch genügend kompri- miert und gesintert, um eine zusammenhän- gende,,dünne, an jeder Grundplatte haftende Schicht zu bilden.
"Die auf der Tragplatte sitzenden Ele- mente werden nun gewöhnlich einer zweiten Wärmebehandlung unterworfen, beispiels- weise indem sie meinem Ofen einer Tempe ratur zwischen 150 und 217 C ausgesetzt werden.
Weitere Behandlungen können folgen, wie z: B. das Behandeln der 8elenoberflä@che mittels Gas oder Feuchtigkeit. Eine leitende, als Gegenelektrode dienende Legierung wird daraufhin auf die Selenoberfläche aufge spritzt. Um die Elemente als.
Gleichrichter a uezu bil den, werden sie t' oewöhnlich elektro- formiert, indem ein Gleichstrom oder pulsie render Gleichstrom in .der Sperrichtung durch die Gleichrichterelemente .duschgeschickt wird.
Alle diese genannten Arbeitsgänge kön nen ausgeführt werden, während die Elemente in - der Trabplatte 2. gehalten werden. Erst nachher werden sie aus derselben entfernt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Verfahren _ zur Herstellung von Selen- blei@chrichterelementen, dadurch gekennzeich net, dass .die Gleichrichtergrundplatten mit scharfen Kauten versehen werden, die über die Ebene der Grundplatte vorstehen, und diese Grundplatten auf einer Tragplatte an geordnet werden mit den ganten .gegen .die selbe,dass das Selen auf die Oberfläche der Grundplatten aufgebracht wird und hierauf die ganten der Grundplatten in die Trag platte eingepresst werden. UNTERANSPRÜCHE: 1. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die Grundplatten während des Einpressens in die Tragplatte erhitzt werden.2. Verführen nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die mit Selen be-- deckten Grundplo,tten erhitzt werden, dass die Gegenelektrode aufgebracht wird und dass die Gleichrichterelemente elektroformiert werden, während sie sich in der Tragplatte befinden. 3.Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die Grundplatten mit am Umfang liegenden kreisförmigen scharfen ganten versehen werden. 4. Verfahren nach Patentanspruch, da- .durch gekennzeichnet, dass-das Selen in Pul- verform auf die Grundplatten aufgebracht wird. 5.Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet"dass die Trabaplatte aus einem Metall besteht, welches weicher ist als die ' Grundplatte. 6. Verfahren nach Unteranspruch 4, da- durch, gekennzeichnet, .dass das Selen auf die Grundplatten aufgesintert wird. 7.Verfahren nach. Unteranspruch 1, da durch gekennzeichnet, dass das Pressen der Grundplatten gegen .die Tragplatte bei einer Temperatur im Bereich von 100-150 C er folgt.B. Verfahren nach Unteranspruch 7, da durch gekennzeichnet, dass die Selenschicht auf den Grundplatten einer zweiten Wärme behandlung bei .einer Temperatur von 150 bis 2T7 C unterworfen wird und mit einem Gas behandelt wird, dass- eine Gegenelektroden- sthicht auf die 'Selenflächen aufgespritzt wird,d.assi die Elemente elektroformiert wer den und dass dann die Grundplatten von der Tragplatte entfernt werden.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US256680XA | 1943-05-01 | 1943-05-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH256680A true CH256680A (de) | 1948-08-31 |
Family
ID=21827393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH256680D CH256680A (de) | 1943-05-01 | 1946-04-06 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH256680A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE976655C (de) * | 1951-11-24 | 1964-01-30 | Francois Gans | Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid |
-
1946
- 1946-04-06 CH CH256680D patent/CH256680A/de unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE976655C (de) * | 1951-11-24 | 1964-01-30 | Francois Gans | Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid |
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