CH256680A - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen.

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CH256680A
CH256680A CH256680DA CH256680A CH 256680 A CH256680 A CH 256680A CH 256680D A CH256680D A CH 256680DA CH 256680 A CH256680 A CH 256680A
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CH
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selenium
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Ag Standard Telephon Und Radio
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Standard Telephon & Radio Ag
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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description


  Verfahren "zur Herstellung von     Selengleichrichterelementen.       Die Erfindung betrifft die Herstellung  von     Selengleichrichterelementen.     



       Selengleichri:chterelemente    werden ge  wöhnlich herbestellt, indem     Selen    auf eine       normalerweise    aus einem Metall, wie     Eisen,     Stahl,     Aluminium    oder dergleichen, herge  stellte     Grundplatte    aufgetragen und die so  aufgebrachte     Selenschicht,        gegebenenfalls     unter Druck, einer Wärmebehandlung unter  worfen wird. Eine Gegenelektrode, die aus  einem leitenden Material,     wie    z. B. Wood  sches Metall, besteht, wird dann gewöhnlich  durch Spritzen auf die     Selenoberfläche    auf  getragen.  



  Das erfindungsgemässe Verfahren zur  Herstellung von     Selengleichrichterelementen          isst    dadurch gekennzeichnet,     :dass@    die     Gleich-          richtergrundp,laIten    mit scharfen     ganten    ver  sehen werden, die über     :die    Ebene der Grund  platte vorstehen, und dass diese     Grundplatten     auf einer Tragplatte angeordnet werden mit  den     ganten    gegen dieselbe,     dass    das Selen  auf die Oberfläche .der Grundplatten aufge  bracht wird und hierauf die     ganten    der       Grundplatten    in :

  die     Tragplatte        eingepresst     werden.  



  In der     Zeichnung    zeigt:       Fig.    1 einen Querschnitt eines mit einer       Selensehicht    versehenen     Elementes,    das auf  einer     Tragplatte    ruht,       Fig.    2 eine     Obenansicht    des     Elementes.,          Fig.    3 eines der in die Tragplatte     einge-          p:ressten        Blemente    und         Fig.    4 eine     Obenansicht    einer Tragplatte,  auf welcher :

  eine Anzahl Elemente     befestigt          s-in,cl.     



       In        Fig.    1     ist    ein     Querschnitt    durch eine       Gleichriehtergrundplatte   <B>4</B>     gezeigt,    welche  mit ihrer     vorstehenden        gante    1 auf     des    Trag  platte 2 ruht.

   Diese scharfe gante 1 kann  leicht beim Ausstanzen .der Grundplatte auf  einer Seite     :derselben    gebildet     werden.    Eine       Selenschicht,    vorzugsweise     in    Pulverform,  wird nun auf der der scharfen     gante    ent  gegengesetzt liegenden Fläche der Grund  platte aufgetragen.

   Eine Anzahl     dieser    Ele  mente wird in     .dieser    Weise auf der in     Fig.    4  gezeigten Platte 2 angeordnet und mit einer       Selens:chicht    versehen.     Die    mit den Elemen  ten versehene Tragplatte wird nun in eine  durch die     Pressplatte    5 und. 6 angedeutete  Presse eingelegt, worauf die scharfen     ganten     in die Platte 2.     eingepresst    werden, welche       aus    einem     Metall        besteht,    das     weicher    ist als  das Metall der Grundplatte.

       Fig.    3 zeigt eines  der     zwischen:    den     Prassplatten        .liegenden    Ele  mente mit der in die     Tragplatte        eingepressten     scharfen     gante.     



  Der     auszuübende    Druck ist nicht kritisch,  ungefähr 300     kg/em'    ergibt befriedigende       Resultate.        Während        .des        Pressvorganges    soll  eine erhöhte     Temperatur,        beispielsweise    zwi  schen l00  und 150  C. herrschen, um das       Selen        etwas    zu erweichen.

   Dies     kann    durch  eine Erhitzung .der     Pressplatten    mittels der       Heiz@l@..n_en-    7     undi    8     bewirft    werden, Das           Selenpulver    wird     dadurch    genügend     kompri-          miert        und        gesintert,    um eine     zusammenhän-          gende,,dünne,    an jeder Grundplatte haftende  Schicht zu     bilden.     



  "Die auf der Tragplatte sitzenden     Ele-          mente    werden nun     gewöhnlich    einer zweiten       Wärmebehandlung    unterworfen,     beispiels-          weise    indem sie     meinem    Ofen einer Tempe  ratur     zwischen        150     und     217     C ausgesetzt  werden.  



       Weitere    Behandlungen können folgen,  wie z: B. das     Behandeln    der     8elenoberflä@che          mittels    Gas oder     Feuchtigkeit.    Eine     leitende,     als     Gegenelektrode    dienende Legierung wird  daraufhin auf die     Selenoberfläche    aufge  spritzt. Um die Elemente als.

   Gleichrichter       a        uezu        bil        den,        werden        sie        t'        oewöhnlich        elektro-          formiert,        indem    ein Gleichstrom oder pulsie  render     Gleichstrom    in     .der        Sperrichtung    durch  die     Gleichrichterelemente        .duschgeschickt     wird.

   Alle diese genannten Arbeitsgänge kön  nen ausgeführt     werden,    während die     Elemente     in - der     Trabplatte        2.    gehalten werden.     Erst     nachher werden sie aus     derselben        entfernt.  

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Verfahren _ zur Herstellung von Selen- blei@chrichterelementen, dadurch gekennzeich net, dass .die Gleichrichtergrundplatten mit scharfen Kauten versehen werden, die über die Ebene der Grundplatte vorstehen, und diese Grundplatten auf einer Tragplatte an geordnet werden mit den ganten .gegen .die selbe,
    dass das Selen auf die Oberfläche der Grundplatten aufgebracht wird und hierauf die ganten der Grundplatten in die Trag platte eingepresst werden. UNTERANSPRÜCHE: 1. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die Grundplatten während des Einpressens in die Tragplatte erhitzt werden.
    2. Verführen nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die mit Selen be-- deckten Grundplo,tten erhitzt werden, dass die Gegenelektrode aufgebracht wird und dass die Gleichrichterelemente elektroformiert werden, während sie sich in der Tragplatte befinden. 3.
    Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass die Grundplatten mit am Umfang liegenden kreisförmigen scharfen ganten versehen werden. 4. Verfahren nach Patentanspruch, da- .durch gekennzeichnet, dass-das Selen in Pul- verform auf die Grundplatten aufgebracht wird. 5.
    Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet"dass die Trabaplatte aus einem Metall besteht, welches weicher ist als die ' Grundplatte. 6. Verfahren nach Unteranspruch 4, da- durch, gekennzeichnet, .dass das Selen auf die Grundplatten aufgesintert wird. 7.
    Verfahren nach. Unteranspruch 1, da durch gekennzeichnet, dass das Pressen der Grundplatten gegen .die Tragplatte bei einer Temperatur im Bereich von 100-150 C er folgt.
    B. Verfahren nach Unteranspruch 7, da durch gekennzeichnet, dass die Selenschicht auf den Grundplatten einer zweiten Wärme behandlung bei .einer Temperatur von 150 bis 2T7 C unterworfen wird und mit einem Gas behandelt wird, dass- eine Gegenelektroden- sthicht auf die 'Selenflächen aufgespritzt wird,
    d.assi die Elemente elektroformiert wer den und dass dann die Grundplatten von der Tragplatte entfernt werden.
CH256680D 1943-05-01 1946-04-06 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterelementen. CH256680A (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE976655C (de) * 1951-11-24 1964-01-30 Francois Gans Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE976655C (de) * 1951-11-24 1964-01-30 Francois Gans Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid

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