CH263771A - Elektrischer Halbleiter. - Google Patents

Elektrischer Halbleiter.

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CH263771A
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Eberhard Ing Meyer-Hartwig
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Ziegelei Graf Enzenberg
Laterizi Conte Enzenberg Fab
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    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
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Description


  Elektrischer Halbleiter.    Eine     übersieht    über den elektrischen Wi  derstand der einzelnen Werkstoffe zeigt eine  Häufung von Werten auf der Seite der Me  talle mit guter Leitfähigkeit und eine Häu  fung bei den     aus    Oxyden oder sonstigen Me  tallverbindungen bestehenden Isolatoren. Zwi  schen diesen beiden     Wertegruppen    ist eine  breite, wenig besetzte Lücke, in der im we  sentlichen nur die Karbide vertreten sind,  von denen das     Siliziumkarbid    als Halbleiter  material technische Bedeutung hat.

   Nun be  steht aber für Halbleiter im Gebiet zwischen  Metall und Nichtmetall ein     besonderes    Inter  esse, um sie für verschiedene Verwendungs  zwecke, wie Heizleiter für Industrieöfen und  elektrische Geräte,     Glühlampenleiter,    Wider  stände verschiedener Art usw. einzusetzen. Sol  che Halbleiter benötigt besonders der     Indu-          strieofenbau.    Dieses Anwendungsgebiet sei  herausgegriffen, um die den heute gebräuch  lichen Werkstoffen anhaftenden Mängel her  vorzuheben.

   Eingeführt sind folgende Werk  stoffe:  1. für Temperaturen bis 13000 C :     Chrom-          Eisen-Aluminium-Legierungen,     2. bis 14000 C : Platin,  3. bis 15000 C :     Siliziumkarbid,     4. bis 2000 bzw. 25000 C :     Molybdän    und  Wolfram,  5. bis<B>30000</B> C : Kohle und Graphit.    Diese     Heizleiterwerkstoffe    haben folgende  Nachteile  Zu geringen Widerstand haben die metal  lischen Leiter 1, 2, 4 und 5 (Kohle). Sie kön  nen deshalb nicht. mit den üblichen Netzspan  nungen betrieben werden, die Öfen benötigen  Transformatoren, die häufig wertvoller als  der Ofen selbst sind.

   In den meisten Indu  strieöfen wird zum Schutz des Glühgutes mit  einem Schutzgas gearbeitet, häufig mit Was  serstoff; dieser zersetzt aber die Leiter 2 und  bei höheren Temperaturen auch die Leiter  5 (Kohle). Platin (2) ist ausserdem als Edel  metall recht wertvoll. So bleiben noch die  Leiter der Gruppe 4; diese     schmelzen    zwar  bei sehr hohen Temperaturen, doch können  sie nur unter Schutzgasen aufgeheizt werden,  da bereits bei etwa 7000 C eine     Oxydbildung     einsetzt, die zur Zerstörung des Heizleiters  führt.  



  Dieser kurze Überblick zeigt, welche  Schwierigkeiten der Ofenbau zu überwinden  hat. Vor allem fehlen Heizleiter für Tempera  turen bis etwa 18000 C, die in Schutzgasen  und auch in Luft betriebsfähig sind; ausser  dem sollten sie höhere Widerstandswerte auf  weisen als Metalle, um ohne Transformatoren  unmittelbar an das Stromnetz angeschlossen  werden zu können. Kann man solche Werk  stoffe für die hohen Temperaturen von Öfen      herstellen, so können sie ohne weiteres bei  geringeren Belastungen eingesetzt werden.  



  Der tiefere Grund des Fehlens geeigneter  Halbleiter liegt in der grossen Spanne zwi  schen den Widerstandswerten der Metalle  und den um mehrere Zehnerpotenzen höheren  Werten der     oxydischen    Isolatoren. Zwar gibt  die Keramik ein Mittel in die Hand     durch          Sintern    von     Mischungen    aus Metallpulvern  mit isolierenden     oxydischen    Pulvern     dazwi-          schenliegende    Widerstandswerte zu bilden,  doch ist,

   die     Herabsetzung    der elektrischen  Leitfähigkeit bei üblichen Pulvergrössen im       wesentlichen    nur abhängig von dem Betrag  der     metallischen        Querschnittsherabsetzung.     Wie Versuche gezeigt haben, hört eine     metal-          lisehe    Brückenbildung und     damit    eine elek  trische Leitung je nach den Pulvergrössen  schon bei etwa<B>70%</B> Keramikzugabe     auf.    Be  liebige     Zwischenwerte    zu     gewinnen    ist nicht  möglich,

   da durch die     Einlagerung    der Isola  torkörner     zwischen    die Metallkörner der Wi  derstandswert rasch anwächst.  



  Um     Mischungen    herzustellen, bei denen  die metallische Leitung und die nichtmetal  lische Isolierung in weiten Bereichen kombi  niert sind, muss man entsprechend der grossen       Isolatorwirkung    nur geringe Mengen des iso  lierenden Mittels     einsetzen    oder anderseits  entsprechend der grossen Leitfähigkeit der  Metalle ganz geringe Mengen Metall.  



  Gegenstand des Patentes ist nun ein elek  trischer Halbleiter aus einem     Sinterprodukt     eines leitenden     und    eines weniger gut leiten  den Werkstoffes, der dadurch gekennzeichnet  ist, dass der eine Werkstoff aus Pulverteilchen  gebildet ist, welche mit Schichten des andern  Werkstoffes     umhüllt    sind. Die     Herstellung     kann in der Weise erfolgen, dass nach den  bekannten Herstellungsbedingungen der     Sin-          tertechnik    die Werkstoffpulver gepresst     und     anschliessend durch Glühen bei hohen Tem  peraturen verfestigt werden.

   Um die ge  wünschte     Wirkung    der Halbleiterbildung zu  erreichen, geht man     zweckmässigerweise    so  vor, dass die Pulver vor der     Sinterung    einer  Oberflächenbehandlung unterzogen     werden,       die darin besteht, entweder einen metallischen  Überzug auf den nichtmetallischen Pulvern  oder umgekehrt einen Überzug geringerer  Leitfähigkeit auf den Metallpulvern hervor  zurufen.

   Für den     Mechanismus    der Leitung  scheint es, wie Versuche ergaben, wesentlich  zu sein, dass durch die Temperatureinwirkung  eine Diffusion der Metallatome durch den       Isolatorwerkstoff    stattfindet, was zu     Kapil-          larbrücken    oder geordneten Einschlüssen  führt, welche die isolierende Wirkung der       Isolierschichten    herabsetzen.     Derartige    Halb  leitersysteme werden von uns deshalb als     Ka-    ,       pillarleiter    bezeichnet.  



  Die Oberflächenbehandlung von Metall  pulverteilchen kann analog der auch sonst  üblichen     Sehutzschichtbildung    auf kompakten  Metalloberflächen durchgeführt werden. Die,  Verfahren sind hinlänglich bekannt, sie brau  chen deswegen nicht -näher beschrieben zu  werden. Teils bilden sich solche Oberflächen  durch Glühen in Gasen oder durch Warm  behandlung in wässerigen Lösungen oft zu  gleich unter     Mitwirkung    des elektrischen Stro  mes oder auch     auf        elektrolytischem    Wege     (an-          odische    Behandlung), auch kann man sie me  chanisch aufbringen usw.

   Ziel dieser Behand  lung ist das Umhüllen der     Metallpulverteil-          chen    mit Schichten geringerer Leitfähigkeit  aus Oxyden,     Nitriden,        Altuninaten,    Karbiden  oder     sonstigen    Metallverbindungen.  



  Will man auf einem     nichtmetallischen    Pul  verkorn geringer Leitfähigkeit metallische ;  oder andere gutleitende Schichten aufbringen,  so kann man beispielsweise, vom     Oxydpulver     ausgehend, reduzierend glühen und erhält  eine     metallische        Aussenhaut,    oder man kann  das Pulver in einer Kohlenwasserstoffatmo  sphäre ;  glühen und erhält eine Schicht aus  Karbid     usw.     



  Alle Metalle lassen sich jedoch nicht in der  geschilderten Weise an ihrer Oberfläche be  handeln, beispielsweise Wolfram. Man kann  solche Metalle jedoch     mit    einem andern Me  tall überziehen, welches sich     alsdann        behan-          deln    lässt und auf diesem Hilfsmetall Schich  ten bilden, welche die     Kapillarleitereigen     schalten hervorrufen.      Die     Oberflächenbehandlung    der Metalle  hat auch noch andere günstige Wirkungen.

    Die auf der Oberfläche gebildete Schicht hat  ausser einer veränderten elektrischen Leit  fähigkeit noch andere physikalische Eigen  schaften,     beispielsweise    noch oft einen wesent  lich     höherliegenden    Schmelzpunkt, so dass nach  der     Sinterung    für die Temperaturbeständig  keit nicht der metallische Teil, sondern das  Hüllengerippe von Bedeutung ist.. Die Körper  können dann weit über die Schmelztempera  tur des Metallei bis zum Erweichen der nicht  metallischen Hüllen erwärmt werden.  



  Ein weiterer Vorteil der Oberflächen  behandlung liegt in der Möglichkeit, die Bil  dung der Metallverbindung erst durch den       Sinterprozess    abzuschliessen, so dass die frei  werdende Energie     sinterungsfördernden    Ein  fluss hat.    Der beschriebene Weg der     Kapillarleiter-          herstellung    gibt die Möglichkeit, durch Varia  tion der Herstellungsbedingungen die ver  schiedensten Widerstandswerte zwischen den  Widerstandswerten der beiden gemischten       Werkstoffe    festzulegen.

   Man kann dabei fol  gende Bedingungen ändern: die Pulvergrö  ssen, die Stärke der umhüllenden Schicht, den       Pressdruck,    die     Sintertemperatur,    die Sinter  zeit und die     Sinteratmosphäre.     



  Zur weiteren Erläuterung der Erfindung  seien folgende Beispiele gegeben:  1.     Zirkonpulver    wird durch Glühen in  Luft bei einer bestimmten Temperatur an der  Oberfläche oxydiert. Das so vorbehandelte  Pulver wird mit oder ohne Bindemittel     ver-          presst    und anschliessend gesintert. Die Bestän  digkeit der Oberflächenschicht auch bei höhe  ren Temperaturen ist, wesentlich verbessert,  die Körper zeigen Halbleiterwerte und sind  nach dem Sintern weit über den Schmelzpunkt  des     Zirkons    hinaus fest und     oxydbeständig.     



  2. Eisenpulver wird durch ein übliches       Phosphatierungsverfahren    behandelt und an  schliessend gesintert. Die Beständigkeit gegen  Oxydation ist wesentlich verbessert; der gesin  terte Körper aus     phosphatiertem    Eisenpulver  zeigt     Kapillarleitereigenschaften.       3. Hochschmelzendes     Wolframpulver    wird  auf elektrolytischem Wege mit     Zirkon    über  zogen und dann, wie unter 1. beschrieben, be  handelt. Für die Temperaturbeständigkeit.

    entscheidend ist die     Zirkonoxy        dsehicht,    so dass  der nun entstandene Körper bis zu sehr hohen  Temperaturen noch an Luft beständig ist  und ausserdem     Kapillarleitereigenschaften     hat (Schmelzpunkt des     Zirkonoxyds    etwa  27000 C).  



  4. Zur Bildung einer     Metall-Karbidschicht     wird     Titanoxydpulver    in einer Kohlenwasser  stoffatmosphäre geglüht und anschliessend in  Vakuum gesintert. Der fertige Körper hat       Kapillarleitereigenschaften.     



  5. Die aus     Zirkon    oder auch aus andern  weniger wertvollen Metallen gebildeten, ober  flächenbehandelten Pulver werden zur weite  ren Beeinflussung des Widerstandes beispiels  weise mit Ton gemischt, anschliessend gepresst  und gesintert. Man kann ein solches Verfah  ren dann mit besonderem Erfolg anwenden,  wenn man den     Mischkapillarleiter    auf einer  aus der gleichen Keramik bestehenden Stütz  masse aufträgt und Leiter und Stütze zugleich  sintert.

   Die Verbindung zwischen Stützmasse  und     Kapillarleiter    kann man dadurch beson  ders fest gestalten, dass man zum Ausgleich  auftretender mechanischer Spannungen, die  sich durch die verschiedenen Ausdehnungs  koeffizienten usw. ergeben, eine oder mehrere  Zwischenschichten mit     dazwischenliegenden     Anteilen der beiden Massen einfügt. Lässt man  bei einem Stab nach aussen hin eine gasdichte  Keramikmasse den Abschluss bilden, während  der Kern aus einer Mischung dieser Masse  mit     Kapillarleitermasse    besteht, so kann man  den Oxydationsschutz damit wesentlich ver  bessern und die Betriebszeit verlängern.

   Auch  hier ist es zweckmässig, zwischen Halbleiter  und gasdichter Keramikhülle mechanische  Spannungen ausgleichende Zwischenschichten  aus Mischungen des Halbleitermaterials mit  dem keramischen Material anzuordnen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Elektrischer Halbleiter aus einem Sinter produkt eines leitenden und eines weniger gut leitenden Werkstoffes, dadurch gekennzeich- net, dass der eine Werkstoff aus Pulverteil chen gebildet ist, welche mit Schichten des andern Werkstoffes umhüllt sind. UNTERANSPRtrCHE 1. Elektrischer Halbleiter nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet, dass er aus metallischen Pulverteilchen gebildet ist, deren Oberflächen mit weniger gutleitenden Schich ten umhüllt sind. 2.
    Elektrischer Halbleiter nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet, dass er aus Pulverteilchen einer Metallverbindung gebil det ist, deren Oberflächen mit metallischen Schichten umhüllt sind. 3. Elektrischer Halbleiter nach Patentan spruch und Unteranspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, dass die Metallpulverteilchen eine festhaftende, weniger als das Grund- metall leitende Umhüllung aus einer Verbin dung eines andern Metalles aufweisen. 4.
    Elektrischer Halbleiter nach Patentan spruch und Unteranspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, dass die umhüllten Pulver zwecks Beeinflussung der elektrischen Leit fähigkeit mit Pulvern anderer Widerstands werte gemischt sind. 5. Elektrischer Halbleiter nach Patentan spruch und Unteransprüchen 1 und 4, da durch gekennzeichnet, dass er mit einer gas dichten Keramik umgeben ist. 6. Elektrischer Halbleiter nach Patentan spruch und Unteransprüchen 1, 4 und 5, da durch gekennzeichnet, dass zwischen Halblei ter und gasdichter Keramikhülle mechanische Spannungen ausgleichende Zwischenschich ten aus Mischungen des Halbleitermaterials mit dem keramischen Material angeordnet sind.
CH263771D 1946-09-06 1947-07-30 Elektrischer Halbleiter. CH263771A (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2692911A1 (fr) * 1992-06-25 1993-12-31 Gensse Chantal Procédé de traitement d'une céramique ou d'un métal en vue de la préparation d'un composite céramique-métal ou alliage, et de tels composites.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2692911A1 (fr) * 1992-06-25 1993-12-31 Gensse Chantal Procédé de traitement d'une céramique ou d'un métal en vue de la préparation d'un composite céramique-métal ou alliage, et de tels composites.

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