CH264445A - Verfahren zur Herstellung von Kristalldioden und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens, sowie nach diesem Verfahren hergestellte Kristalldiode. - Google Patents

Description

  Verfahren zur Herstellung von Kristalldioden und Einrichtung zur Durchführung  des Verfahrens, sowie nach diesem Verfahren hergestellte Kristalldiode.    Als Kristalldiode bezeichnet man in der       Hochfrequenzteelinik    eine Einrichtung, die       zwei    Elektroden, nämlich ein elektrisch leiten  des Kristallstück und eine dieses     Kristallstüek     berührende scharfe     'Metallspitze    aufweist.       Kristallstüek    und Metallspitze sind im all  gemeinen in einem Gehäuse mit zwei An  schlussklemmen untergebracht und durch feste  oder auch verstellbare     Elektrodenhalter    in  ihrer gegenseitigen Lage festgehalten.

   Kri  stalldioden dienen bekanntlich als Gleichrich  ter für Wechselströme bis zu den höchsten bis  heute verwendeten Frequenzen.  



  Die bisher bekanntgewordenen Kristall  dioden verhalten sich jedoch vielfach sehr       instabil.    Die Empfindlichkeit der Dioden  schwankt in weiten Grenzen und ist. meistens  recht klein.  



  Demgegenüber gestattet das vorliegende  neue Verfahren die Herstellung von Kristall  dioden, die bedeutend stabiler arbeiten und  eine höhere Empfindlichkeit aufweisen. Das  Verfahren kennzeichnet sich dadurch, dass  mindestens einer der     Elektrodenhalter    ver  dreht, und verschoben wird, wobei die Emp  findlichkeit für die jeweilige Berührungsstelle  zwischen Kristall und     lleta.llspitze    durch elek  trische Messung bestimmt wird, und dass nach  Auffindung einer günstigen Berührungsstelle  und eines günstigen Kontaktdruckes die     Elek-          trodenhalter    erwärmt: und mit einem gemein  samen, aus     thermoplastischen'    Isoliermaterial  bestehenden Schutzrohr verschmolzen werden.

      Die     Einrichtung    zur     Durchführung    des  Verfahrens kennzeichnet sich durch zwei heiz  bare, sieh gegenüberstehende Elektroden  spannfutter, von denen mindestens eines     dreh-          und        versehiebbar    gelagert ist, und einen zwei  teiligen, das thermoplastische Schutzrohr auf  nehmenden Block, der sich zwischen den zwei       Elektrodenspannfuttern    befindet.  



  Die nach diesem Verfahren hergestellte       Kristalldiode    ist dadurch gekennzeichnet, dass  die zwei     zvlindrischen        Elektrodenha'lter    mit  einem     gemeinsamen,    aus thermoplastischem  Isoliermaterial. beistehenden     Sehutzrohr    ver  schmolzen sind.  



  Zur genaueren Erläuterung des Gesagten  ist durch die     Fig.    1 bis 3 die neue Kristall  diode und die Einrichtung für deren Her  stellung beispielsweise dargestellt worden, und  zwar zeigt. im einzelnen       Fig.1    einen Schnitt durch die     Kristall-          diode,          Fig.2    eine     Ansicht    der Herstellungsein  richtung und       Fig.    3 einen Schnitt durch den zweiteiligen  Block der Herstellungseinrichtung.  



  In der     Fig.    1 sind dabei mit 1 und 2 die  beiden     zvlindrisclien        Elektrodenhalter    und  mit. 3 das gemeinsame, mit den Elektroden  haltern verschmolzene Schutzrohr bezeichnet.  Der     Elektrodenhalter    1 trägt ein elektrisch  leitendes     Kristallstüek        -1,    während am     Elek-          trodenhalter    2 die federnd gegen das Kristall  stück drückende Metallspitze 5     befestigt    ist.

    Die Kristalldiode ist. ferner mit Anschluss-           drähten    6 und 7 und Metallkappen 8 und 9  versehen, wobei die letzteren vermittels der       Kittmasse    10     mit    den     Elektrodenhaltern        und     dem Schutzrohr verkittet sind.  



  Um     eine    gute     Verkittung    der Elektroden  halter mit dem Schutzrohr zu     gewährleisten,     ist es     vorteilhaft,    die     zylindrische    Oberfläche  der     Elektrodenhalter        aufzurauhen.    Als Mate  rial für das     Kristallstück    4 wird vorteilhaft  Germanium verwendet, weil damit eine hohe  Empfindlichkeit der Kristalldiode erreicht  wird.  



  Die durch die     Fig.    2 dargestellte Einrich  tung zur Herstellung der Kristalldioden be  steht aus einem Gestell 11, den beiden, ver  mittels der Handräder 12 und den entspre  chenden     Führungsstangen    13 von bekannter  Bauart verdreh- und     verschiebbaren        Elektro-          denspannfuttern    14     für    die     aiügerauhten    (ge  riffelten)     Elektrodenhalter    15, und     einem     zweiteiligen Block 16,

   der das thermoplastische       Schutzrohr    17     umschliesst.    Mit 18 sind elek  trische Heizeinrichtungen mit den     Anschluss-          kabeln    19 für die     Aufheiztuig    der Elektroden  halter 15,

   mit 20 die     Anschlussdrähte    für die       Ausführung    der zur     Bestimmung    der Emp  findlichkeit der jeweiligen     Berührungsstelle     zwischen Kristall und     Metallspitze    notwen  digen     Messungen        und        schliesslich    mit 21  Schrauben zum Festklemmen der Führungs  stangen 13 bezeichnet.  



  In der     Fig.    3, die einen Schnitt durch den  zweiteiligen Block 16 der     Fig.    2 darstellt, sind  für     die        Bezeichnung    der     einzelnen    Teile die       gleichen        L        berweisaugszeichen    wie in der     Fig.    2  gewählt worden, so dass diese     Figur    ohne nä  here     Erläuterung        verständlich    ist.  



  Bei der     Herstellung    einer Diode wird vor  erst das Schutzrohr 17 zwischen die beiden  Hälften des     Blocks    16 gelegt,     und    hierauf  werden die in die Spannfutter 14 eingespann  ten     Plektrodenhalter    15 in     das    Schutzrohr 17       eingeführt        und    damit die     Metallspitze    am  einen     Elektrodenhalter    mit dem     Kristallstück     am andern     Elektrodenhalter    in Berührung  gebracht.

       Durch    Drehen und Verschieben       mindestens    eines     Elektrodenhalt.ers    unter       gleichzeitiger    Messung der Empfindlichkeit    wird eine günstige     Berührungsstelle    und ein  günstiger Kontaktdruck bestimmt.

   In dieser  Stellung der     Elektradenhalter    15 erfolgt, so  dann deren     Aufheizung        und    damit die     Ver-          klebimg    mit dem Schutzrohr 17, indem die  weichgewordene Masse des     Sehutzrohres    17 in  die     Riffehuig    der     Elektrodenhalter    15     ein-          dringt.    Der um das Schutzrohr 17 gelegte  zweiteilige Block 16 verhindert eine Defor  mierung des Schutzrohres.

Claims (1)

1. PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Kristall dioden, dadurch gekennzeichnet, dass minde stens ein Elektrodenhalter verdreht und ver schoben wird, wobei die Empfindlichkeit der jeweiligen Berührungsstelle zwischen Kristall und Metallspitze durch elektrische Messung bestimmt wird und nach Aiüfindung einer günstigen Berührluigsstelle und eines günsti- gen Kontaktdruckes die Elektrodenhalter er wärmt und

   mit einem gemeinsamen, aus ther moplastischem Isoliermaterial bestehenden Schutzrohr verschmolzen werden. IZ. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Patentanspruch I, gekenn zeichnet durch zwei heizbare, sich gegenüber stehende Elektrodenspannfutter, von denen mindestens eines dreh- und verschiebbar ge lagert ist, und einen zweiteiligen, das thermo- plastische Schutzrohr aufnehmenden Block, der sich zwischen den Elektrodenspannfuttern befindet.

   III. Kristalldiode, hergestellt nach dem Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei zylindrischen Elektrodenhalter mit einem gemeinsamen, aus thermoplastischem Isoliermaterial bestehen den Schutzrohr verschmolzen sind. UNTER-ANSPRÜCHE: 1. Kristalldiode nach Patentanspruch III, dadurch gekennzeichnet, dass der Kristall aus Germanium besteht. 2.

   Kristalldiode nach Patentanspruch III, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden- halt-er an der Mantelfläche aufgerauht sind.