CH293320A - Bildwandler-Bildspeicherröhre. - Google Patents

Bildwandler-Bildspeicherröhre.

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CH293320A
CH293320A CH293320DA CH293320A CH 293320 A CH293320 A CH 293320A CH 293320D A CH293320D A CH 293320DA CH 293320 A CH293320 A CH 293320A
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CH
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Gesellschaft Fuer D Telefunken
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Telefunken Gmbh
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39Charge-storage screens

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
    Bildwandler-Bildspeicherröhre.   Die bekannten    Bildwandler-Bildspeicher-      röhren   mit einer    leitenden   Signalelektrode und einer    darüberliegenden   homogenen Isolierschicht als Bildspeicher, die von einem Kathodenstrahl unter Auslösung von Sekundärelektronen abgetastet wird, haben    folgende   Wirkungsweise Die Elektronen des    Bildwandlerteils   laden die Oberfläche der Isolierschicht. örtlich verschieden hoch negativ auf, so dass der Abtaststrahl ein dem Bildinhalt entsprechendes Potentialgebirge vorfindet. Beim Abtasten findet bei jedem Bildwechsel ein Abbau dieses Potentialgebirges    statt,   wodurch das Bildsignal entsteht. 



  Die Erfindung, die eine Röhre der eingangs definierten Art betrifft, ist dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht aus einem    kristallinen   Material besteht und bei einer    Strahlgeschwindigkeit   von 1 bis 10    kV   eine Dicke zwischen 0,3 und 3    [c.   besitzt. 



  Durch die Wahl des kristallinen Zustandes und dieser Schichtdicke der Isolierschicht ergibt sich eine Arbeitsweise der    Bildwandler-      Bildspeicherröhre,      die   von der bisherigen vollkommen abweicht. Es tritt    näm@lieh   folgender neuartiger Effekt auf Die von der Photokathode des Bildwandlerteils kommenden Elektronen lösen innerhalb der dünnen Isolierschicht Sekundärelektronen aus, die als freie Leitungselektronen den Aus- tritt der    durch   den    Abtaststrahl   ausgelösten Sekundärelektronen mehr oder weniger verhindern. Hierdurch    entsteht   das Bildsignal.

   Als Isolierschicht werden bei der -erfindungsgemässen Röhre Isolatoren mit    kristalliner   Struktur deshalb benutzt, weil sich gezeigt hat., dass in diesen Schichten im    Gegensatz   zu .den bisher bekannten amorphen Schichten die Sekundärelektronen Wege von der Grössenordnung der bei der    Bildabtastung   benutzten Reichweite der    Abtastelektronen      zurücklegen   können. 



  Ausführungsbeispiele der erfindungsgemässen    Bildwandler-Bildspeicherröhre      sind   im folgenden näher erläutert. Wie an    Hand   der    Fig.   1 dargestellt, bedeutet 1 die Isolierschicht, die eine Stärke von 0,3    biss      3,u   hat, und zwar steht die Stärke der Schicht    in   Zusammenhang mit der    Primärelektronengesehwinäig-      keit   des Kathodenstrahls. Es soll nämlich angestrebt werden,, dass die Primärelektronen des    Kathodenstrahls      die.      Isolierschicht   1 im wesentlichen    vollständig,   durchdringen.

   Praktisch wird man bei etwa 1    kV   Betriebsspannung die Schichtdicke zu etwa    O,s,u   wählen, während bei 10    kV   eine Schichtdicke von etwa 3    y,   am Platze    ist.   Auf .diese Isolierschicht 1 fällt nun das    Elektronenbündel      des      Bildwandlerteils,      wie   durch Pfeile 10 angedeutet ist.

   Durch    diese      werden.   in dem Isolator Sekundärelektronen 2 ausgelöst, die    im   Kristall als freie Leitungselektronen wirksam 

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    sind.   Der abtastende Kathodenstrahl 3    dringt   nun ebenfalls    in   die Schicht 1    ein      und   löst dort    Sekundärelektronen   aus, deren Austritt aus der Schicht. je nach der vorhandenen Anzahl der freien    Leitungselektronen   mehr oder    weniger   verhindert wird.

   Die aus der Isolierschicht, austretenden Sekundärelektronen 4 werden von einer Anode 5 aufgefangen, so dass in dem aus der Batterie 6, dem Signalwiderstand 7, der Isolierschicht 1 und der Anode 5 gebildeten Stromkreis durch die    Sekundärelektronenentladung   4 das Bildsignal entsteht. 



  Als Isolierschichten zeigen kristallines    Magneszumoxyd,      Aluminiumoxyd,   kristalliner Quarz sowie    einige      Ionenkristalle,      zum   Beispiel    Alkalihalogenide,      besonders      geite   Ergebnisse. Die Schicht kann in    einfacher   Weise auf die Signalelektrode, unter Umständen auch erst in der fertigen Röhre, aufgedampft werden. Sollte ihr Zustand nicht ausreichend kristallin sein, so kann dies durch eine nachträgliche    Temperung   oder durch Erhitzen der Unterlage während des Aufdampfend verbessert werden. 



  Ein Vorteil der erfindungsgemässen Bildwandler-Bildspeicherröhren besteht darin, dass infolge der äusserst    dünnen      Isolierschicht   die Bildschärfe    erheblich      besser   ist als bei den    bisher   bekannten    Bildwandler-Bildspeicher-      röhren.   Dies    beruht   darauf, dass an der Oberfläche der    Isolierschicht   sich kaum ein Potentialgebirge ausbildet und daher durch dieses eine    Verschmierung   des Bildes, wie bis- ; her, nicht mehr stattfinden kann.

   Mit der    erfindungsgemäss      ausgebildeten   Speicherelektrode lässt sich in    einfacher   Weise eine    geradsichtige      Bildwandler-Bildspeicherröhre   bauen, die in    Fig.   2 dargestellt ist. Die kristalline    Isolierschicht   ist hier wieder mit 1 bezeichnet.

   Die Signalelektrode 8    besteht   aus einer    dünnen   Folie, zum    Beispiel   aus Aluminium, die von den Elektronen des Bild-'    wandlerteils   durchschlagen    wird.   Diese Elektronen dringen danach    in      die      kristalline   Isolierschicht 1    ein.      -Lind   erzeugen. innerhalb derselben    Sekundärelektronen,   die als freie Leitungselektronen wirksam    sind.   Die Schicht l wird von dem    Kathodenstrahl   3 abgetastet, der innerhalb der Schicht    Sekundärelektronen   4 auslöst, deren Austritt aus der Schicht. je nach der Anzahl der freien Leitungselektronen mehr oder weniger verhindert. wird.

   Die kristalline Schicht. besteht im Falle der Verwendung von einer Aluminiumfolie als Signalelektrode zweckmässig aus kristallinem    Alu-      minimnoxyd,   während bei Verwendung einer    Beryllitlmfolie      kristallines      BÜylliumoxyd-   als Schicht, verwendet werden kann.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE 1. Bildwandler-Bildspeicherröhre mit einer leitenden Signalelektrode und einer darüberliegenden homogenen Isolierschicht als Bildspeicher, die von einem Kathodenstrahl unter Auslösung von Sekundärelektronen abgetastet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht aus einem kristallinen Material besteht und bei einer Strahlgeschwin- digkeit von 1 bis 10 kV eine Dicke zwischen 0,3 und 3,u besitzt.
    II. Verfahren zur Herstellung einer Bild- wandler-Bildspeicherröhre nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht auf die Signalelektrode aufgedampft wird. UN TERAN SPRÜCHE 1. Bildwandler-Bildspeicherröhre nach Pa- tentanspruch I, mit in gerader Linie hintereinander angeordneter Photokathode, Signalelektrode und Strahlkathode, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalelektrode aus einer der Photokathode gegenüberliegenden Metallfolie besteht, auf der sich die der Strahlelektrode zugekehrte Isolierschicht befindet. 2.
    Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, .dass die Isolierschicht während des Aufdampfens getempert wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht. nach dem Aufdampfen getempert wird.
CH293320D 1944-01-24 1951-07-31 Bildwandler-Bildspeicherröhre. CH293320A (de)

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