CH293320A - Bildwandler-Bildspeicherröhre. - Google Patents
Bildwandler-Bildspeicherröhre.Info
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Description
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Bildwandler-Bildspeicherröhre. Die bekannten Bildwandler-Bildspeicher- röhren mit einer leitenden Signalelektrode und einer darüberliegenden homogenen Isolierschicht als Bildspeicher, die von einem Kathodenstrahl unter Auslösung von Sekundärelektronen abgetastet wird, haben folgende Wirkungsweise Die Elektronen des Bildwandlerteils laden die Oberfläche der Isolierschicht. örtlich verschieden hoch negativ auf, so dass der Abtaststrahl ein dem Bildinhalt entsprechendes Potentialgebirge vorfindet. Beim Abtasten findet bei jedem Bildwechsel ein Abbau dieses Potentialgebirges statt, wodurch das Bildsignal entsteht.
Die Erfindung, die eine Röhre der eingangs definierten Art betrifft, ist dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht aus einem kristallinen Material besteht und bei einer Strahlgeschwindigkeit von 1 bis 10 kV eine Dicke zwischen 0,3 und 3 [c. besitzt.
Durch die Wahl des kristallinen Zustandes und dieser Schichtdicke der Isolierschicht ergibt sich eine Arbeitsweise der Bildwandler- Bildspeicherröhre, die von der bisherigen vollkommen abweicht. Es tritt näm@lieh folgender neuartiger Effekt auf Die von der Photokathode des Bildwandlerteils kommenden Elektronen lösen innerhalb der dünnen Isolierschicht Sekundärelektronen aus, die als freie Leitungselektronen den Aus- tritt der durch den Abtaststrahl ausgelösten Sekundärelektronen mehr oder weniger verhindern. Hierdurch entsteht das Bildsignal.
Als Isolierschicht werden bei der -erfindungsgemässen Röhre Isolatoren mit kristalliner Struktur deshalb benutzt, weil sich gezeigt hat., dass in diesen Schichten im Gegensatz zu .den bisher bekannten amorphen Schichten die Sekundärelektronen Wege von der Grössenordnung der bei der Bildabtastung benutzten Reichweite der Abtastelektronen zurücklegen können.
Ausführungsbeispiele der erfindungsgemässen Bildwandler-Bildspeicherröhre sind im folgenden näher erläutert. Wie an Hand der Fig. 1 dargestellt, bedeutet 1 die Isolierschicht, die eine Stärke von 0,3 biss 3,u hat, und zwar steht die Stärke der Schicht in Zusammenhang mit der Primärelektronengesehwinäig- keit des Kathodenstrahls. Es soll nämlich angestrebt werden,, dass die Primärelektronen des Kathodenstrahls die. Isolierschicht 1 im wesentlichen vollständig, durchdringen.
Praktisch wird man bei etwa 1 kV Betriebsspannung die Schichtdicke zu etwa O,s,u wählen, während bei 10 kV eine Schichtdicke von etwa 3 y, am Platze ist. Auf .diese Isolierschicht 1 fällt nun das Elektronenbündel des Bildwandlerteils, wie durch Pfeile 10 angedeutet ist.
Durch diese werden. in dem Isolator Sekundärelektronen 2 ausgelöst, die im Kristall als freie Leitungselektronen wirksam
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sind. Der abtastende Kathodenstrahl 3 dringt nun ebenfalls in die Schicht 1 ein und löst dort Sekundärelektronen aus, deren Austritt aus der Schicht. je nach der vorhandenen Anzahl der freien Leitungselektronen mehr oder weniger verhindert wird.
Die aus der Isolierschicht, austretenden Sekundärelektronen 4 werden von einer Anode 5 aufgefangen, so dass in dem aus der Batterie 6, dem Signalwiderstand 7, der Isolierschicht 1 und der Anode 5 gebildeten Stromkreis durch die Sekundärelektronenentladung 4 das Bildsignal entsteht.
Als Isolierschichten zeigen kristallines Magneszumoxyd, Aluminiumoxyd, kristalliner Quarz sowie einige Ionenkristalle, zum Beispiel Alkalihalogenide, besonders geite Ergebnisse. Die Schicht kann in einfacher Weise auf die Signalelektrode, unter Umständen auch erst in der fertigen Röhre, aufgedampft werden. Sollte ihr Zustand nicht ausreichend kristallin sein, so kann dies durch eine nachträgliche Temperung oder durch Erhitzen der Unterlage während des Aufdampfend verbessert werden.
Ein Vorteil der erfindungsgemässen Bildwandler-Bildspeicherröhren besteht darin, dass infolge der äusserst dünnen Isolierschicht die Bildschärfe erheblich besser ist als bei den bisher bekannten Bildwandler-Bildspeicher- röhren. Dies beruht darauf, dass an der Oberfläche der Isolierschicht sich kaum ein Potentialgebirge ausbildet und daher durch dieses eine Verschmierung des Bildes, wie bis- ; her, nicht mehr stattfinden kann.
Mit der erfindungsgemäss ausgebildeten Speicherelektrode lässt sich in einfacher Weise eine geradsichtige Bildwandler-Bildspeicherröhre bauen, die in Fig. 2 dargestellt ist. Die kristalline Isolierschicht ist hier wieder mit 1 bezeichnet.
Die Signalelektrode 8 besteht aus einer dünnen Folie, zum Beispiel aus Aluminium, die von den Elektronen des Bild-' wandlerteils durchschlagen wird. Diese Elektronen dringen danach in die kristalline Isolierschicht 1 ein. -Lind erzeugen. innerhalb derselben Sekundärelektronen, die als freie Leitungselektronen wirksam sind. Die Schicht l wird von dem Kathodenstrahl 3 abgetastet, der innerhalb der Schicht Sekundärelektronen 4 auslöst, deren Austritt aus der Schicht. je nach der Anzahl der freien Leitungselektronen mehr oder weniger verhindert. wird.
Die kristalline Schicht. besteht im Falle der Verwendung von einer Aluminiumfolie als Signalelektrode zweckmässig aus kristallinem Alu- minimnoxyd, während bei Verwendung einer Beryllitlmfolie kristallines BÜylliumoxyd- als Schicht, verwendet werden kann.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE 1. Bildwandler-Bildspeicherröhre mit einer leitenden Signalelektrode und einer darüberliegenden homogenen Isolierschicht als Bildspeicher, die von einem Kathodenstrahl unter Auslösung von Sekundärelektronen abgetastet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht aus einem kristallinen Material besteht und bei einer Strahlgeschwin- digkeit von 1 bis 10 kV eine Dicke zwischen 0,3 und 3,u besitzt.II. Verfahren zur Herstellung einer Bild- wandler-Bildspeicherröhre nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht auf die Signalelektrode aufgedampft wird. UN TERAN SPRÜCHE 1. Bildwandler-Bildspeicherröhre nach Pa- tentanspruch I, mit in gerader Linie hintereinander angeordneter Photokathode, Signalelektrode und Strahlkathode, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalelektrode aus einer der Photokathode gegenüberliegenden Metallfolie besteht, auf der sich die der Strahlelektrode zugekehrte Isolierschicht befindet. 2.Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, .dass die Isolierschicht während des Aufdampfens getempert wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht. nach dem Aufdampfen getempert wird.
Applications Claiming Priority (1)
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| CH293320D CH293320A (de) | 1944-01-24 | 1951-07-31 | Bildwandler-Bildspeicherröhre. |
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1951
- 1951-07-31 CH CH293320D patent/CH293320A/de unknown
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