CH318062A - Caesiumdampfgefülltes Entladungsgefäss - Google Patents
Caesiumdampfgefülltes EntladungsgefässInfo
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Description
Caesiumdampfgefülltes Entladungsgefäss Gaesiumdampfgefüllte Entladungsgefässe haben bisher keine praktische Verwendung ge- funden, cIa ,
der Isolationswiderstand zwischen den Elektroden mit steigender Betriebsstun- denzahl verhältnismässig rasch auf einen un- zulässig kleinen Wert absinkt. Dies hat z. B. bei gittergesteuerten Entladungsgefässen un ter. anderem eine Verschiebung der Zünd kennlinie zur Folge.
Die erhebliche Änderung des Isolationswiderstandes ist auf eine Ver- ändIerung der Oberfläche des Isoliermaterials zurückzuführen, derart., dass auf die Dauer das Caesium an der Oberfläche des Isolators immer stärker haften bleibt, und zwar auch dann, wenn die. Temperatur dies Isolators höher als die des Caesüimkondensats ist.
Mit, der Zeit bildet sieh längs der Isolationsstrecke zwischen den Elektroden eine zwar dünne CaesiumSchicht, die aber vermutlich infolge der hohen Emksionsfähigkeit des Caesiums den Transport von Ladimgsträgern längs der Isolationsstrecke zusätzlich begünstigt.
Wäh rend bei der Inbetriebnalune des Entladungs gefässes eine Temperaturdifferenz von bei- spielsweise 1011 C zwischen Isolator und Kon- rlensat zur Gewährleistung "eines genügenden Isolationswiderstandes ausreichend ist,
ist dies nach einigen hundert. Betriebsstanden selbst bei einer bedeutend höheren Temperaturdiffe renz nicht mehr der Fall.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Er- k enntnis zu Grunde, dass gewisse Isoliermate- rialien, z. B-. Borsilikat:gläser, die sich auch hinsichtlich der übrigen erforderlichen Eigen schaften als geeignet erwiesen haben, durch neutralen Caesi.umdampf nicht angegriffen werden.
Dagegen sind zwei schädliche Ein- flüsse als Ursachen für die Zerstörung des Isolators Lind die daraus ;sich ergebende Iso- 1ationsverminderun.g festgestellt worden, näm-,
lich das Vorhandensein von flüssigem Caesium an der Oberfläche des Isolators und die Be- anspmuchamg der Oberfläche durch aufpral lende Gaesiumionen.
Beim erfindungsgemässen caesiumdaixipf-, gefüllten Entladungsgefäss, dessen Isolations strecke zwischen den Elektroden im Dampf raum mindestens. teilweise durch eine gegen neutralen Caesüundampf widerstandsfähige Oberfläche gebildet wird, ist der eingangs er-, wähnte Nachteil dadurch vermieden, dass min- destens ein Teil dieser Oberfläche gegen Ionenbeschluss geschützt ist und zudem eine in allen Betriebszuständen höhere Temperatur als die des Caesiumkondensats aufweist.
, Der Erfindungsgegenstand wird nach stehend an Hand der beigefügten Zeichnung, die zwei beispielsweise Ausführungen darstellt, näher erläutert. Die Fig.1 und 2 zeigen sche- mansch je ein caesiumdampfgefülltes Ent- ladungsgefäss 1, das eine Glühkathode 2, ein Gitter 3 und eine Anode 4 enthält.
Zur Erzielung einer gegen Ionenbasehuss geschützten Oberfläche als Teil der Isolations- strecke zwischen Anode und Kathode ist bei beiden Ausführungsformen im Innern des Entladungsgefässes ein den Entlaclungsraunl umgebender ringförmiger Mantel mit- allsei tigem Abstand von der Gefässwand so ange ordnet,
dass die Oberfläche des dadurch gebil deten Zwischenraumes im Betrieb gegen Ionenbesehuss geschützt ist. Der im Entladungsgefäss nach Fig. 1 vor- gesehene Mantel 5 besteht aus einem gegen neutralen Caeshnndanrpf widerstandsfähigen Isaliermaterial, vorzugsweise axLS Borsilikat- glas, und ist an einer Stelle zwischen Kathode 2 und Anode 4,
im vorliegenden.Beispiel an seinem untern Ende, ringsum mit der Gefäss wand, die vornehmlich ebenfalls: aus. Borsilikat- gläs besteht, verbunden, insbesondere ver schmolzen.
Im Betrieb des Entladungsgefässes wird der Mantel 5 durch die Kathode 2 stark ange strahlt und erhitzt. Die Wärnieabführ aus dem -.Hantel 5 ist schlecht, :da derselbe prak- tiech vollständig von Caesiumdampf sehr ge ringen Druckes umgeben isst. Praktische Ver suche haben gezeigt, dass demzufolge die Tem peratur des Mantels 5 in allen Betriebszustän- den, insbesondere auch beim Abkühlen, wenn das Entladungsgefäss ausser Betrieb genom men wird,
stets höher ist als die des Caesiu m- kondensats. Damit ist einerseits Gewähr ge boten, dass sich an der Oberflä@ehe desMantels 5 kein flüssiges Caesium absetzen kann;
an derseits ist die dem Entladungsräum abge kehrte, d. h. die äussere Obemfläche des, Man- tels 5, gegen :den Aufprall von Ionen geschützt uncL bildet deshalb einen gegen alle genannten Einflüsse widerst:
an & sfähigen Teil der Isola- tionsstrecke zwischen der Kathode 2 und der Anode 4-. An der vorstehend beschriebenen Ausführungsform. vorgenommenen Messungen über eine längere Betriebsdauer ergaben einen praktisch unveränderlichen Isalationswider- stand.
Bei der Aiusführungsfürm nach Fig. 2 be- steht der den umgebende Mantel 6 aus Metall. In diesem Fall bildet allein die düreh den Mantel 6 gegen Ionen- beschuss geschützte Oberfläche der Gefäss wand, die aus einem gegen neutralen Caesiiun- dampf widerstandsfähigen Isoliermaterial, z.
B. Borsilikatglas, besteht, den dauerhaften Teil der Isolationsstrecke zwischen Kathode 2 und Anode -1. Der Mantel 6 wird von der Glühkathode aufgeheizt. und befindet sich so nahe an der Gefässwand, .da.ss dieser abge schirmte Teil der Gefässwand hinreichend stark erwärmt wird, so dass die Temperatur an der Innenseite desselben in allen Betriebs- zuständen höher ist als die des Kondensats. Um zu.
verhindern, dass der Mantel 16 im Be trieb ein unbestimmtes Potential annimmt, wird er zweckmässig mit einer der Elektroden leitend verbunden. Bei der Ausführungsform nach Fig. 2 wird der metallene Mantel 6 vor teilhafterweise mit dem Gitter 3 leitend ver bunden, das zugleich als Träger des Mantels 6 ,dient.
Um auch einen genügenden Isolationswider- stand zwischen Kathode und Gitter zu gewähr leisten, ist. es zweckmässig, die Zuleitungen. zu einer oder beiden Elektroden mit einer z. B. rohrförmigen Abschirmung derart zu versehen, dass die darin liegende isolierende Oberfläelie gegen Ionenbeschuss geschützt ist..
Da. die Tem peratur der Kathodenzuführungen immer höher als die des Kondensats ist, ist. auch die Bedingung eine erhöhten Temperatur der zu schützenden Oberfläche erfüllt. Beim Ent- ladungsgefäss nach Fig.1 sind die Katlioden- zuleitungen, bei dem nach Fig. 2 die Gitter zuleitungen (nur eine sichtbar) durch der artige Abschirmrohre 7 bzw. 8 aus Isolier material geschützt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Caesiumdampfgefülltes Entladungsgefäss, dessen Isolationsatreeke zwischen den Elek troden im Dampfraum mindestens teilweise durch eine gegen neutralen Caesiumdampf widerstandsfähige Oberfläche gebildet wird, dadurch gekennzeichnet,dass mindestens ein Teil dieser Oberfläche -.-gen Ionenbesehuss geschützt ist und zudem eine in allen Betriebs- zuständen höhere Temperatur als die des Caesiumkonden:sats aufweist. UNTER-ANSPRÜCHE 1.Entladungsgefäss nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass im Innern des Entladungsgefässes ein den Entladungsraum umgebender ringförmiger Mantel mit allsei- tigem Abstand von der Gefässwand so ange ordnet ist, dass die Oberfläche des dadurch gebildeten Zwischenraumes im Betrieb gegen Ionenbeschuss geschützt ist.2. Entladungsgefäss nach Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Mantel aus Isoliermaterial besteht. 3. Entladungsgefäss nach Unteranspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Mantel an. einer Stelle zwischen den zu isolierenden Elektroden an seinem ganzen Umfang mit der Gefässwand dicht verbunden ist, so dass die dem Entladungsraum abgekehrte Oberfläche .des, Mantels einen Teil der Isolationsstrecke bildet.4. Entladungsgefäss nach Unteranspruch 3, dadurch gekennzeichnet., dass dAr Mantel aus Borsilikatglas besteht und an seinem un tern Ende ringsum mit der Gefässwand ver schmolzen ist. 5. Entladungsgefäss nach Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Mantel aus Metall besteht und mit. einer der Elektroden leitend verbunden ist. 6. Entladungsgefäss nach Unteranspruch 5, mit Gitter, dadurch gekennzeichnet, dass der Mantel mit dem Gitter leitend verbunden ist. 7.Entladungsgefäss nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil der Elektrodenzuleitungen mit einer Ab schirmung versehen ist, die die Oberfläche des damit gebildeten Hohlraumes gegen Ionenbe- sclulss schützt.
Applications Claiming Priority (1)
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1954
- 1954-01-14 CH CH318062D patent/CH318062A/de unknown
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