CH331606A - Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von reinem Indium - Google Patents
Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von reinem IndiumInfo
- Publication number
- CH331606A CH331606A CH331606DA CH331606A CH 331606 A CH331606 A CH 331606A CH 331606D A CH331606D A CH 331606DA CH 331606 A CH331606 A CH 331606A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- indium
- electrolyte
- amalgam
- working stage
- salt
- Prior art date
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims description 34
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 18
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 claims description 17
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 claims 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical group N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 10
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25C1/00—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
- C25C1/22—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions of metals not provided for in groups C25C1/02 - C25C1/20
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von reinem Indium Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von reinem Indium. Das Verfahren ist da durch gekennzeichnet, dass in einer ersten Arbeitsstufe unreines Indium auf elektroly tischem Weg in Indiumamalgam übergeführt wird und das erhaltene Amalgam, das gege benenfalls ausser Indium noch elektroposi tivere Metalle als Indium enthalten kann,
in einer zweiten Arbeitsstufe in einer Elektro- lyse7elle mit einem Elektrolyten, bestehend aus einer Lösung eines reinen Indiumsalzes, als Anode gegen eine feste Kathode geschal tet wird, wobei einerseits Metall mit einem Gehalt von mindestens 99,99%, Indium auf der Kathode niedergeschlagen und anderseits der Indiumgehalt des Elektrolyten aus dem Amalgam ergänzt wird.
Dabei bereitet es keine besonderen Schwierigkeiten, die elektro positiveren Verunreinigungen durch entspre chende Wahl des Potentials im Amalgam zu rückzubehalten.
Bei der elektrolytischen Bildung des In- diumamalga.ms in der ersten Arbeitsstufe wird zweckmässig reines Quecksilber als Ka thode unter einer wässrigen oder a:lkolioli- sehen Indiumsalzlösung gegen eine Anode aus Rohindium geschaltet. Die Konzentration der Indiumsalzlösung ist nicht kritisch.
Die Zeltspannung wird vorzugsweise so gewählt, dass das Abscheidungspotential des Indiums an Quecksilber (etwa -680 mV gemessen gegen die n-Queeksilberchlorid-Elektrode) nicht überschritten wird. In der zweiten Arbeitsstufe wird beispiels weise eine wässrige Lösung von reinstem In diumchlorid verwendet, die ständig in ihrem Indiumgehalt durch in Lösung gehendes In dium ergänzt wird.
Die feste Kathode kann aus Graphit, Reinstindium oder einer mit Reinstindium überzogenen Unterlage be stehen. Auch kann ein Werkstück, das mit einem korrosionsbeständigen Überzug aus Reinstindium versehen werden soll, als Ka thode in das Bad gehängt werden.
Es ist vorteilhaft, das Amalgam sowohl bei seiner Bildung (Kathode) als auch bei seiner Zersetzung (Anode) zu bewegen. Ebenso ist es vorteilhaft, bei hohen Indiumgehalten die Fliessfähigkeit des Amalgams durch Stei gern der Temperatur zu verbessern.
Da Indiumsalze leicht zur Hydrolyse neigen, ist es vorteilhaft, durch genügend niedrigen pH-Wert oder durch Komplex bildner die Hydrolyse zu unterdrücken.
Die beiden Arbeitsstufen des erfindungs gemässen Verfahrens können zu einem konti nuierlichen Kreislauf in der Weise verbun den werden, dass in der zweiten Arbeitsstufe das Quecksilber, dessen Indiumgeha,lt vor- , zugsweise nicht, unter 1 % gesunken ist, kon tinuierlich aus der elektrolytischen Zelle ab gezogen und wieder der ersten Arbeitsstufe zugeführt wird, in welcher .der Indiumgehalt regeneriert wird, wonach man das Amalgam , wieder der zweiten Arbeitsstufe zurückführt. <I>Beispiel 1</I> In einer becherförmigen Glaszelle von 10 cm Durchmesser und 700 cm3 Inhalt wer den 2500 g Quecksilber als Kathode ein gefüllt.
Als Elektrolyt dienen 500 cms einer wässrigen Lösung, 2 molar an Indiumchlorid, 5 molar an HCl und 1 molar an Essigsäure. Parallel zur Quecksilberoberfläche in 1,5 cm Abstand von derselben wird eine gegossene Rohindiumplatte von 8 cm Durchmesser und etwa 1 kg Gewicht als lösliche Anode einge hängt.
Mit einer Kathodenstromdichte 4 bis 5 A/dm2 bei einer Zellenspannung von 3 bis 4 Volt wird bei 20 C während etwa 48 Stun den elektrolysiert, wodurch etwa 250 g In dium reduziert und im Quecksilber gelöst werden. Während der ganzen Elektrolyse wird die Oberfläche der Quecksilberpbase mit 2 bis 10 Umdrehungen pro Minute gerührt.
Das entstandene Amalgam wird abgezo gen, mit verdünnter Salzsäure gewaschen und als Anode in eine zweite, gleich gebaute und, gründlich gereinigte Zelle gegeben. Der neue Elektrolyt aus hochreinen -Substanzen ist 0,26 molar an Indiiunchlorid, 0,7 molar an Salzsäure und 1,5 molar an Essigsäure.
Als Kathode dient ein etwa 1 mm dickes, frisch mit Flusssäure abgeätztes Titan blech von 8 cm Durchmesser. Der relativ hohe Essigsäuregehalt bewirkt, dass das In dium bei der Elektrolyse als kompakte, glatte Schicht auf dem Titanblech abgeschieden wird. Die Elektrolyse erfolgt bei 20 C und einer Zellenspannung von 3,2 Volt mit einer Stromdichte von 3 A/dm2. Es kann elektro- lysiert werden, bis der Restgehalt von Indium in Quecksilber noch etwa 20 g/kg Quecksilber beträgt.
Die abgeschiedene Indiumschicht wird periodisch mittels einer Spachtel oder eines Glasmessers abgezogen, gespült und im Vakuum zusammengeschmolzen. Die Reinheit des so hergestellten Indiums beträgt min- destens 99,9951/o mit Spuren von Natrium, Calcium, Kupfer und Thallium. Der Queck silbergehalt beträgt 0,0031/o. <I>Beispiel 2</I> Bei gleich gebauten Zellen und bei dersel ben Arbeitsfolge wird bei der Herstellung des Indiumamalgams (Hg als Kathode)
ein Elek trolyt folgender Zusammensetzung venven- d,et : 2 molar an Indiumchlorid, 4 mola.r an Salzsäure, 2 molar an Ka.liumjo.did. Arbeits temperatur ist 50 C bei einer Stromdichte von 5 bis 6 A/dm2 und bei einer Zellenspan nung von 3,5 Volt.
Die elektrolytische Zersetzung des Amal gams geschieht wie beim Beispiel 1. Der Jodidzusatz bei der Herstellung des Elektro lyten bedingt eine wesentliche Senkung des Thaliumgehaltes im Endprodukt. Beispiel <I>3</I> Es wird mit. gleichen Zellen und mit der selben Arbeitsfolge wie. beim Beispiel 1 ge arbeitet.
Zur Herstellung des Amalgams (Hg als Kathode) dient ein Elektrolyt folgender Zusammensetzung: 951/o Äthylalkohol mit einem Wassergehalt bis zu 251/9, 51/e. konz. Salzsäure mit einem Wassergehalt von etwa 5%, und 50 g Indiumchlorid pro Liter der Lösung.
Unter ständiger Rührung wird mit einer Stromdichte von 4 A/dm2 bei 6,5 Volt Zellenspannung und bei einer Temperatur von 30 C elektrolysiert. Bei der Zersetzungs stufe (Amalgam als Anode) wird ein Elek trolyt mit 0,25 mol Indiumchlorid, 0,1 mol Salzsäure und 1 mol Kaliumcyanid in Wasser bei 45 C verwendet..
Als Kathode dient eine mit einer Indiumschicht bedampfte Glasplatte im Abstand von 1 cm von der Amalgamoberfläche. Die Stromdichte beträgt 3 A/dm2 bei einer Zellenspannung von 3,2 Volt. Die Reinheit des erhaltenen Indiums entspricht, derjenigen gemäss Beispiel 1, je doch ist kein Kupfer vorhanden.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist. tech nisch wertvoll, da es Indium und Indium- legierungen höchster Reinheit für die Zwecke ,der Halbleitertechnik zur Verfügung stellt. Das nach dem beschriebenen Verfahren ge wonnene Indium erweist sich für diese Zwecke als besonders günstig.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Verfahren zur elektrolytischen Abschei- dung von reinem Indium, dadurch gekenn zeichnet, dass in ,einer ersten Arbeitsstufe un reines Indium auf elektrolytischem Weg in Indiumamalgam übergeführt wird und das erhaltene Amalgam in einer zweiten Arbeits stufe in einer Elektrolysezelle mit .einem Elektrolyten, bestehend aus einer Lösung eines reinen Indiumsalzes, als Anode gegen eine feste Kathode geschaltet wird, wobei einerseits Metall mit einem Gehalt von min destens 99,991/o Indium auf der Kathode nie dergeschlagen und anderseits .der Indiumge- halt des Elektrolyten aus dem Amalgam er gänzt wird. UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass man dem in der zweiten Arbeitsstufe verwendeten wässrigen Elektrolyten Essigsäure zusetzt, zwecks Ver hinderung einer Hydrolyse des Elektrolyten und zur Erhöhung dessen Leitfähigkeit.Verfahren nach Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass man dem in der zweiten Arbeitsstufe verwendeten wässrigen Elektrolyten ein Salz zusetzt, welches mit dem Indium Komplexe bildet, wodurch eine Hydrolyse des Elektrolyten verhindert wird. 3. Verfahren nach Unteranspruch 2, da durch gekennzeichnet, dass das genannte Salz ein Cyanid ist. 4.Verfahren nach Patentanspruch, da: durch gekennzeichnet, dass man in der zwei ten Arbeitsstufe einen Elektrolyten verwen det, der eine wässrige Lösung ist, der ein ali- phatischer Alkohol mit nicht mehr als vier Kohlenstoffatomen im Molekül zugesetzt wird. 5. Verfahren nach Patentanspruch, da; durch gekennzeichnet, dass man in der zwei ten Arbeitsstufe als Elektrolyten eine alkoho lische Lösung verwendet. 6. Verfahren nach Unteranspruch 5, da durch gekennzeichnet, dass in der zweiten Arbeitsstufe als Elektrolyt eine Lösung eines Indiumsalzes in Äthylalkohol verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH331606T | 1954-01-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH331606A true CH331606A (de) | 1958-07-31 |
Family
ID=4502134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH331606D CH331606A (de) | 1954-01-11 | 1954-01-11 | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von reinem Indium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH331606A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1132342B (de) * | 1960-07-12 | 1962-06-28 | Duisburger Kupferhuette | Elektrolytisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von sehr reinem Indium |
-
1954
- 1954-01-11 CH CH331606D patent/CH331606A/de unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1132342B (de) * | 1960-07-12 | 1962-06-28 | Duisburger Kupferhuette | Elektrolytisches Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von sehr reinem Indium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2121732C3 (de) | ||
| DE3047636A1 (de) | Kathode, verfahren zu ihrer herstellung, ihre verwendung und elektrolysezelle | |
| DE2251262C2 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen Aluminiumherstellung durch Elektrolyse von Aluminiumchlorid | |
| US2945791A (en) | Inert lead dioxide anode and process of production | |
| DE2121732B2 (de) | Verfahren zur elektrochemischen herstellung von alkyleten von elementen der iv. haupt- oder nebengruppe oder der v.nebengruppe | |
| DE852633C (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von dichten, gut haftenden Kupferueberzuegen aus Baedern | |
| US3864227A (en) | Method for the electrolytic refining of copper | |
| DE587807C (de) | Verfahren zum elektrolytischen Niederschlagen von Palladium | |
| DE3607446C2 (de) | ||
| CH331606A (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von reinem Indium | |
| DE2232903C3 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Raffination von Kupfer unter Verwendung von Titanelektroden | |
| EP1179612B1 (de) | Verfahren zur elektrochemischen Reduktion organischer Verbindungen. | |
| DE1174751B (de) | Verfahren zur Herstellung wasserloeslicher, basischer Aluminiumhalogenide | |
| JP4323297B2 (ja) | 電解銅粉の製造方法 | |
| EP0911428B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Wismutverbindungen | |
| DE3443338C2 (de) | Kathode zur Herstellung von Elektrolyt-Mangandioxid | |
| EP0139039B1 (de) | Entmetallisierungsbad und Verfahren zum elektrolytischen Abziehen von Metallen von Titan als Grundmetall | |
| DE2063307C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Antimon hohen Reinheitsgrades aus Antimontrioxid | |
| DE133909C (de) | ||
| DE935504C (de) | Kathode und Verfahren zur elektrolytischen Gewinnung von Mangan | |
| DE2715150B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Antimon | |
| DE3411322A1 (de) | Bad und verfahren zur galvanischen abscheidung von titan, zirkonium, hafnium, niob und tantal | |
| DE1907523C3 (de) | Verfahren zur extraktiven Elektrolyse von Zink aus seinen schwefelsauren Lösungen | |
| DE3811472A1 (de) | Verfahren zur aufarbeitung von metallchloridloesungen | |
| DE581310C (de) | Verfahren zur Herstellung von Aluminium und Halogen |