CH332637A - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen

Info

Publication number
CH332637A
CH332637A CH332637DA CH332637A CH 332637 A CH332637 A CH 332637A CH 332637D A CH332637D A CH 332637DA CH 332637 A CH332637 A CH 332637A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
production
semiconductor layer
layer crystals
crystals
semiconductor
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Dipl Phys Kleinknecht
O Seiler Karl
Original Assignee
Standard Telephon & Radio Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Telephon & Radio Ag filed Critical Standard Telephon & Radio Ag
Publication of CH332637A publication Critical patent/CH332637A/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/50Alloying conductive materials with semiconductor bodies

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
CH332637D 1953-08-04 1954-07-28 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen CH332637A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES34671A DE975756C (de) 1953-08-04 1953-08-04 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH332637A true CH332637A (de) 1958-09-15

Family

ID=7481604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH332637D CH332637A (de) 1953-08-04 1954-07-28 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH332637A (de)
DE (1) DE975756C (de)
GB (1) GB754289A (de)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL178978B (nl) * 1952-06-19 Texaco Ag Werkwijze voor het bereiden van een smeervet op basis van lithiumzeep.

Also Published As

Publication number Publication date
DE975756C (de) 1962-08-09
GB754289A (en) 1956-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH384082A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
CH336536A (de) Verfahren zur Herstellung von Überzugsmassen
CH515186A (de) Verfahren zur Herstellung von Chlorcyan
CH322260A (de) Verfahren zur Herstellung von N-Methylol-polypyrrolidonen
AT175782B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbzellstoff
CH326176A (de) Verfahren zur Herstellung von Polyestern
CH332637A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen
CH333170A (de) Verfahren zur Herstellung von Bleiazid
CH321139A (de) Verfahren zur Herstellung von direkten Positiven
AT191399B (de) Verfahren zur Herstellung von Diazoverbindungen
CH321682A (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
CH332837A (de) Verfahren zur direkten Herstellung von Positiven
CH322982A (de) Verfahren zur Herstellung von Dicyan.
AT179289B (de) Verfahren zur Herstellung von Halogenfluoräthenen
CH329365A (de) Verfahren zur Herstellung von Isopropylnitrat
CH331194A (de) Verfahren zur Herstellung von hartem Zucker
AT193360B (de) Verfahren zur Herstellung von ɛ-Caprolactam
AT185456B (de) Verfahren zur Herstellung von Elektroleuchtstoffen
CH336384A (de) Verfahren zur Herstellung von Dialkoxyoxalyl-progesteron-alkalimetall-dienolaten
CH319575A (de) Verfahren zur Herstellung von Alkoxy-tetrahydrofuranen
AT180258B (de) Verfahren zur Herstellung von Divanillyden-Cyclohexanon
AT192511B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
CH324326A (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
AT183072B (de) Verfahren zur Gewinnung von reinem γ-Hexachlorcyclohexan
AT179589B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern