CH333119A - Feuerfestes oxydationsbeständiges Material - Google Patents
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Description
Feuerfestes oxydationsbeständiges Material Es ist bekannt, dass die Legierungen der Metalle mit Si. allgemein eine bedeutend grö ssere Beständigkeit gegen Korrosion besitzen als die entsprechenden reinen Metalle. Dies gilt speziell für die Beständigkeit gegen Oxy dation bei hohen Temperaturen und ins besondere bei Legierungen von Metallen der Gruppen IV, V und VI des periodischen Systems mit Si. So hat bereits Moissan bei seinen Versuchen mit Verbindungen mit hohem Schmelzpunkt festgestellt, dass die intermediäre Phase MoSi, eine erstaunliche Beständigkeit gegen Oxydation bei Rotglut besitzt.
Die gleiche Beobachtung machte Watts, der 1903 in einer Abhandlung (Uni- versity of Wisconsin) auf die Beständigkeit derselben hinwies, sowie Hönigschmied in seinem Buche Karbide und Silicide . Nernst hat 1904 in einem Patent die Verwendung von Legierungen von Si, Ti und Zr sowie Th als elektrische Heizelemente für Öfen vor geschlagen (DRP 166 374 und 164 802).
Wei ter ist 1913 in einem Patent von Wedekind (DRP 294267), das sich auf eine Methode für die Herstellung von Siliciden bezieht, hervor gehoben worden, dass diese sich für die Her stellung von Beleuchtungs- oder Glühkörpern eignen. Diese Beobachtungen haben jedoch erst in allerjüngster Zeit eine praktische Ver wendung gefunden, was zu einem grossen Teil auf die schlechten mechanischen Eigenschaf- ten der Silicide zurückzuführen ist.
Die in der letzten Zeit immer stärker werdenden Be strebungen, bei hohen Temperaturen brauch bares Material zu entwickeln (hiermit sind im folgenden Temperaturen zwischen 1400 und 1800 C gemeint), haben mit sich geführt, dass mehrere Vorschläge zur Ausnutzung der speziellen Eigenschaften der Silicide gemacht worden sind. So haben z.
B. Campell und Mit arbeiter (Journal of the Electrochemical Society 1947) vorgeschlagen, Si aus einem Gemisch von SiC14 und H2 auf einem Draht oder einem andern Gegenstand aus Molybdän auszufällen, den man auf 1000 C oder dar über erhitzt hat.
Hierbei erhält man eine Schicht als Oberfläche, die hauptsächlich aus MoSi, besteht, welches eineguteWiderstands- fähigkeit gegen Oxydation besitzt und die das darunterliegende Metall gegen Angriffe schützt.
Auf gleiche Weise kann man Si auf W und Ta fällen und eine Oberfläche erhal ten, die aus einer Schicht der entsprechenden Disilicide besteht. Kieffer nebst Mitarbeitern hat beispielsweise einen Belag von Mo-Draht mit einer Legierung von Si und Al vorge schlagen, den man dadurch erhält, dass man den Draht in die geschmolzene Legierung taucht.
Beim Erhitzen an der Luft wird die auf der Drahtoberfläche erhaltene Schicht zu einem Silikat oxydiert (hauptsächlich 3A1203 . 28i02), welches das darunterliegende Metall vor Oxydation schützt. Diese beiden Me thoden haben jedoch nur eine geringe prak tische Bedeutung erhalten, was darauf zu rückzuführen ist, dass oxydierende Angriffe auf das Grundmaterial nur so lange verhindert werden, wie die Schicht an der Oberfläche unbeschädigt ist. Da diese relativ spröde ist, können beim praktischen Gebrauch leicht Risse entstehen, die zu umfangreichen An griffen führen.
In gewissen Fällen hat man ein Zusammenwachsen von kleinen Ober flächensprüngen feststellen können, doch kaum in ausreichendem Masse. Ein weiterer Nachteil ist, dass das Si in der äusseren Schicht an der Berührungsfläche mit der Luft teil weise zu S'02 oxydiert wird, teilweise in das Barunterliegende Material diffundiert, wes halb der Gehalt an Si in der Schutzschicht allmählich abnimmt und schliesslich unter dem Werte anlangt, der für die Widerstands fähigkeit gegen weitere Angriffe erforderlich ist.
Aus diesen Gründen hat man vorgeschla gen, das Material ganz aus Siliciden her zustellen. Dies wurde z. B. in Abhandlungen von Fitzer (Berg- und Hüttenmännische Monatshefte 1952), sowie von Kieffer nebst Mitarbeitern vorgeschlagen. Mat hat fest gestellt, dass die Widerstandsfähigkeit gegen Oxydation bei diesen Materialien, vor allem Disiliciden des Mo, W, Cr und Ta, bei Tem peraturen bis zu 1700 C zufriedenstellend ist. Die Herstellung von Teilen zum prak tischen Gebrauch kann nach gewöhnlichen bekannten pulvermetallurgischen Methoden geschehen.
Der grösste Nachteil bei solchen Erzeugnissen ist die für die meisten inter mediären Phasen charakteristische Sprödig keit. Was die Festigkeit betrifft, sind die Sili- cide zum keramischen Material zu zählen und haben also keine plastische Formbarkeit bei Zimmertemperatur, aber eine für jede Ver bindung charakteristische Erweichungstem- peratur, die z.B. für MoSi, etwa 1600 C be trägt.
Man kann die Festigkeit bei Erzeugnissen aus Siliciden durch Zusetzen verschiedener Metalle erhöhen. Dies wurde z. B. von Kieffer empfohlen (Metall 1952). Seine Absicht war, eine Struktur ähnlich der des Hartmetalls aufzubauen mit Silicidkörnern, die durch ein leichter schmelzbares Material zusammen gekittet werden. Es hat sich als möglich er wiesen, auf diese Weise die Festigkeit zu verbessern, aber man hat mittlerweile fest gestellt, dass die Oxydationsbeständigkeit der Komposition so sehr abnimmt, dass sie bei hohen Temperaturen praktisch nicht ver wendbar ist. Eine Vielzahl solcher Zusätze ist versucht worden, hat aber keine befriedi genden Resultate ergeben.
Man hat auch vorgeschlagen, keramisches Material auf pulvermetallurgischem Wege zu Siliciden hinzuzufügen (Kieffer, Metall 1952). Dies hat sich als sehr schwierig erwiesen, teil weise wegen Reaktionen unerwünschter Art zwischen den Siliciden und den Materialien, teilweise wegen der Schwierigkeiten beim Sintern solcher Kompositionen zu porenlosen Erzeugnissen. Bei den Temperaturen, die hier in Frage kommen, nämlich 1400 C bis 1800 C, hat das Si bei den Siliciden eine so grosse Aktivität, dass viele Oxyde in gewissem Masse reduziert werden, wobei unerwünschte Reaktionsprodukte entstehen können.
Die keramischen Materialien, die als Zusätze in Frage kommen, müssen einen hohen Schmelz punkt besitzen, der unter allen Umständen höher liegen muss, als die vorgesehene Ver wendungstemperatur. Solche Materialien kann man schwer zu porenfreien Produkten zusammensintern, weshalb man gewöhnlich mit einer gewissen Porosität rechnen muss, und dies ist auch der Fall bei Mischungen von Siliciden und keramischem Material.
Da man sagen kann, dass die Oxydationsgeschwindig keit für ein bestimmtes Material proportional ist zur Oberfläche derselben, und auch eine mässige Anzahl Poren, die zeit der Atmosphäre in Verbindung stehen, eine bedeutende Ver grösserung der oxydierbaren Oberfläche mit sich führen, entstehen Angriffe bei einer po rösen Komposition viel schneller als bei einer porenfreien, wo nur die äussere Oberfläche der Oxydation ausgesetzt ist. Die Por osität ist auch von wesentlicher Bedeutung für die Festigkeit des Produktes. So hat z.
B. Rysch- kewitsch (Journal American Ceramical So- ciety 1953) bewiesen, dass eine Porosität von 10 ,/o eine Herabsetzung der Festigkeit um etwa<B>5001"</B> mit sich führt.
Ein weiteres Problem bei diesen Kom positionen ist die Beherrschung der elek trischen Leitungsfähigkeit sowie des Tem peraturkoeffizienten in den Fällen, in denen Kompositionen dieser Art als Elemente in elektrischen Ofen verwandt werden sollen. Es ist klar, dass die Leitungsfähigkeit bei einer Komposition, die aus einer feinkörnigen Mischung von metallisch leitendem Material, beispielsweise einem Silicid und einem Iso lator, beispielsweise einem keramischen Ma terial, immer geringer wird, je grösser der prozentuale Anteil des keramischen Bestand teils der Komposition ist.
Bei einem Gehalt an keramischem Material von 70-80% ver liert die Komposition ihre metallische Lei tungsfähigkeit, da der direkte elektrische Kontakt zwischen den leitenden Körnern dann aufhört.
Der Temperaturkoeffizient ist in diesem Falle durch die elektrisch leitenden Kompo nenten gegeben. Eine Änderung dieses Ver hältnisses tritt bei hohen Temperaturen ein, wo die meisten keramischen Materialien eine gewisse Leitungsfähigkeit aufweisen, die ge wöhnlich mit der Temperatur stark zunimmt. Die Leitungsfähigkeit der Komposition wird da bei niedrigen Temperaturen hauptsächlich von der metallischen Komponente bestimmt, in diesem Falle dem Silicid, aber bei hohen Temperaturen über 800-1000 C immer mehr von der keramischen Komponente.
Dies kann dazu führen, dass die Leitungsfähigkeit bei gewissen Temperaturen ausgesprochene Maxima und bei andern Temperaturen Mini ma aufweisen, was zu grossen Schwierigkeiten bei der praktischen Verwendung solcher Ele- rnente führt, weil die Reguliervorrichtungen verhältnismässig kompliziert gemacht werden müssen.
Der Anmelder hat nun festgestellt, dass viele der hier genannten Schwierigkeiten da durch eliminiert werden können, dass man gewisse Silicide wählt und diese nach gewis sen Regeln mit mindestens einem Oxyd mischt. Ein wichtiges Prinzip ist, dass das Silicid und die Oxydkomponente beide einen gewissen Gehalt an Si besitzen. Es kann ein einziges Silicid oder eine Mischung oder eine feste Lösung oder chemische Verbindung von Siliciden verwendet werden.
Es ist natürlich, dass im Silicid der Si-Gehalt gross sein muss, damit das Silicid oxydationsbeständig wer den kann, und der Anmelder hat festgestellt, dass der Si-Gehalt bei den Siliciden, die in Frage kommen können, mindestens 100/, sein muss. Bei geringerem Gehalt reicht der Si- Gehalt nicht zur Bildung einer genügend schützenden Schicht von SiO2 an der Ober fläche der Körner aus.
Weiter hat der An melder festgestellt, dass der Si-Gehalt im Silicid 70% nicht übersteigen darf, da der Schmelzpunkt bei höherem Si-Gehalt so tief liegt, dass das Silicid praktisch nicht ver wendbar wird. Der Schmelzpunkt des Silicids im Gleichgewicht muss nämlich bedeutend höher liegen als die für die fertige Kom position vorgesehene Verwendungstempera tur, und unter allen Umständen höher als 1400 C.
Die Oxydkomponente der Komposition kann aus einem einzigen Oxyd oder einer Mischung von Oxyden oder einer festen Lö sung von Oxyden oder chemischen Ver bindungen von Oxyden bestehen. In diesen Oxyden ist der Si-Gehalt gewöhnlich bedeu tend geringer als im Silicid.
Da das Oxyd aus reinem SiO2 bestehen kann, ist die Höchstgrenze für den Si-Gehalt die der reinen Kieselsäure, nämlich 470/,. In den meisten Fällen werden ausser SiO2 jedoch auch andere Oxyde verwendet, und der Hauptteil einer solchen Oxydmischung kann aus einem andern Oxyd bestehen.
Es hat sich bei praktischen Versuchen gezeigt, dass bei gewissen Zusammensetzungen ein Gehalt der Oxydkomponente von nur 1 % SiO2 eine ent scheidende Wirkung auf die Porosität des Materials hatte, so dass die Porosität von etwa 10 auf<B>30/,</B> zurückging. Jedoch soll der Gehalt an Si in der Oxydkomponente 0,5% nicht unterschreiten, da niedrigere Gehalte keine ausreichende Wirkung auf die Porosität haben.
Das Verhältnis zwischen den enthaltenen Mengen an Silicid und Oxyd ist von grösster Bedeutung für die Eigenschaften, die man erreichen will. Oben wurde erwähnt, dass man bei Gehalten an Oxyd von mehr als 70-80%, je nach der Wahl der Komponenten, nicht damit rechnen kann, dass das Material eine zufriedenstellende elektrische Leitfähigkeit erhält. Der Gehalt an Oxyd darf daher 80% nicht übersteigen. Anderseits hat es sich gezeigt, dass in gewissen Fällen ein sehr niedriger Gehalt an Oxyd einen entscheiden den Einfluss auf die Eigenschaften des Ma terials hat, besonders wenn das Oxyd aus rei nem SiO2 besteht.
Wir haben hier festgestellt, dass ein Gehalt an Oxyd von nur 0,10/, in hohem Masse das Sintern und die Bildung von porenfreien Produkten erleichtert.
Das Silicid kann z. B. zu 20-800/, aus Siliciden von wenigstens einem der Metalle W, Mo, Cr, Ta, Nb, V, Hf, Zr und Ti bestehen. Zur Modifikation der Eigenschaften des Sili- cids können eines oder mehrere der folgenden Metalle hinzugefügt werden, nämlich Al, Be, B, Ca, Ce, Co, Cu, Mg, Fe, Mn und Ni.
Der Zusatz soll jedoch 30% des Silicids nicht überschreiten.
Das Oxyd kann ausser Si 1-88% von wenigstens einem der Metalle Zr, Be, Al, Th, Ce und andern seltenen Erden, sowie selbst verständlich die Menge an 0, die erforderlich ist, um die bei den aktuellen Temperaturen stabilen Oxyde zu ergeben, enthalten. Zu den oben genannten Metallen können geringe Mengen von andern hinzukommen, die mit dem Zweck hinzugesetzt sind, das Oxyd zu modifizieren oder zu stabilisieren oder dessen elektrische Leitfähigkeit bei Zimmertempera tur oder höherer Temperatur zu verändern.
So ist es zum Beispiel bekannt, dass man Zr02 einige Prozente MgO oder Ca0 zusetzen kann, um die kubische Phase zu stabilisieren.
Von den genannten Siliciden hat MoSi2, eventuell laut obigem modifiziert, sich in bezug auf Schmelzpunkt und Oxydations- widerstand als am geeignetsten erwiesen. Silicide von W haben etwas geringere Oxy dationsbeständigkeit, während die übrigen genannten Silicide einen niedrigeren Schmelz punkt besitzen und daher weniger geeignet sind, falls das Material zur Benutzung bei sehr hoher Temperatur vorgesehen ist.
Unter den Oxyden hat Th02 den höchsten Schmelzpunkt, kann aber wegen seines Prei ses nur zu begrenzten Zwecken in Betracht kommen. Aus mehreren Gesichtspunkten ist ein Oxyd geeignet, das 5-500/, des Materials ausmacht und das als Hauptbestandteil Zr02 enthält, zu mindestens 5 % vom Gewicht des Materials, stabilisiert wie oben angegeben und mit einem Si02-Gehalt von mindestens 10/, vom Gewicht des Materials. Von der Keramik her ist es bekannt, dass die Ver bindung Zr8i04 besonders gute Eigenschaften in bezug auf Festigkeit und Beständigkeit bei plötzlicher starker Beanspruchung besitzt.
Sogar wenn diese Verbindung bei hohen Tem peraturen nicht beständig ist, besonders in reduzierender Umgebung, hat der Anmelder festgestellt, dass Misch-Oxyde vom Typus Zr02 -f- ZrSi04 und ZrSi04 -E- SiO2 im vor liegenden Falle geeignet sind.
Es wurde gefunden, dass ein sehr fein körniges Ausgangsmaterial für den vor liegenden Zweck besonders geeignet ist. Ein solches Material erleichtert das Sintern zu hoher Porenreinheit, verleiht dem fertigen Produkt bessere mechanische Eigenschaften und verringert das Reissen durch Wärme Spannungen. Gewöhnlich soll das Rohmate rial zu einer Korngrösse von 1 bis 5 Tausend stel mm (my) oder höchstens 10 my ver mahlen werden. Der Anmelder hat aber ge funden, dass bei gewissen speziellen Materia lien, wie z. B. bei gewissen Siliciden mit gro ssem Si-Gehalt, eine Korngrösse des Silicids bis zu 0,5-1,0 mm am geeignetsten ist.
Dies hängt damit zusammen, dass die totale Ober fläche des Silicids dadurch stark verringert wird und auch das Risiko von Reaktionen mit dem umgebenden Oxyd.
Der Anmelder hat weiter festgestellt, dass, abgesehen davon, wie die Kieselsäure in dem fertigen Material vorkommt, die Art und Weise, in der die Kieselsäure zugesetzt wird, eine grosse Bedeutung für die Eigenschaften des fertigen Materials hat. So hat der An rnelder zeigen können, dass, wenn man die Kieselsäure als reines SiO2 zusetzte oder als eine Verbindung, die im wesentlichen aus SiO.. besteht, und die einen niedrigeren Schmelzpunkt als die übrigen Bestandteile des Materials besitzt, die Porosität beim fertigen Material geringer wurde und dadurch die Eigenschaften desselben,
speziell Festig keit und Oxydationsbeständigkeit, verbes sert wurden, als vergleichsweise, wenn die Kieselsäure als Misch-Oxyd, z. B. ein Silikat mit hohem Schmelzpunkt, zugesetzt wurde. Dieses kann dadurch erklärt werden, dass die Kieselsäure bei Versuchen eine ausserordent liche Fähigkeit bewiesen hat, einerseits Sili- cide, die mit mindestens einem Metall der Gruppen IV, V und VI des periodischen Systems gebildet sind, und anderseits meh rere Oxyde mit hohem Schmelzpunkt zu netzen. Aus diesem Grunde erleichtert die Kieselsäure das Zusammensintern der nicht schmelzbaren übrigen Bestandteile des Mate rials sowie auch die Reaktionen, welche evtl. zur Erreichung eines Gleichgewichtes erforderlich sind.
Man kann die Kieselsäure auf verschie dene Weise zusetzen. Die einfachste ist, die Kieselsäure als feinkörniges Pulver dem Aus gangsmaterial beizumischen, das aus einer pulverförmigen Mischung von Silicid und Oxyd besteht. Diesem Pulver können evtl. solche Stoffe beigemischt sein, die den Schmelzpunkt der Kieselsäure herabsetzen oder dessen Oberflächenspannung herab setzen.
Beispiele für Stoffe, die den Schmelz punkt erniedrigen, sind Borsäure, Phosphor säure und Alkaliverbindungen. Beispiele für Stoffe, welche die Oberflächenspannung ver ringern, sind Mo-Oxyde und W-Oxyde.
Eine andere Möglichkeit, die Kieselsäure hinzuzusetzen, ist, dem Ausgangsmaterial eine organische Siliziumverbindung, z. B. Äthylsilikat oder gewisse Silikone, zuzu- fügen. Die organischen Beimengungen dienere dann als Bindemittel, z. B. bei der Formung der Produkte bei Zimmertemperatur, und sie hinterlassen bei höherer Temperatur nach dem Zerfall einen Rest von praktisch reinem Si02.
Eine weitere Möglichkeit, die Kieselsäure zuzuführen, ist die Verwendung einer leicht flüssigen Verbindung, z. B. eines Silikates, das fein verteilt mit dem Ausgangsmaterial vermischt wird. Solche Verbindungen sind z. B. Alkali- und Bleisilikate. Der Anmelder hat aber festgestellt, dass man keine nennens werten Mengen von Alkali- oder Bleiverbin dungen oder Verbindungen ähnlicher leicht flüssiger Metalle in dem fertigen Material zu lassen kann, weil dieses dann einen zu nied rigen Schmelzpunkt bekommen würde. Die zugefügten Verbindungen müssen daher wäh rend der Herstellung zerteilt und die schäd lichen Bestandteile, z.
B. durch Destillation, entfernt werden. Weiter kann man den Gehalt an Kiesel säure im fertigen Material dadurch sicher stellen, dass dem Ausgangsmaterial metal lisches Silizium, eine Silizium-Legierung oder eine Siliziumverbindung, die während des Sinterns zu S'02 oxydiert wird, zugesetzt wird. In diesem Falle ist es notwendig, wäh rend des Sinterungsvorganges in die erforder liche Schutzatmosphäre, gewöhnlich H2, Ar oder Vakuum, eine genügende Menge oxy dierendes Gas, z. B. Wasserdampf, einzu leiten.
Es hat sich in vielen Fällen als be deutungsvoll erwiesen, dass das oxydierende Gas erst dann eingeleitet wird, wenn eine gewisse Zusammensinterung stattgefunden hat, da es sich als leichter erwiesen hat, die Oxydation zu kontrollieren. <I>Beispiele</I> 1. MoSi, mit einer Korngrösse von etwa 5 my wird mit einer Menge Si02 gemischt, die 0,2 % des Gesamtgewichtes beträgt. Das Oxyd befindet sich hierbei in der Form eines Gels (äusserst fein verteilt).
Die Mischung wird in gewöhnlicher Weise unter einem Schutzgas bei einer Temperatur von 1600 bis 1700 C gepresst und anschliessend unter denselben Bedingungen gesintert.
2. Mosi2 (das 5% CrSi, in fester Lösung enthält) wird mit der halben Gewichtsmenge Misch-Oxyd (90% Zr02 mit 10% S'02 in fester Lösung) gemischt, und die Mischung wird bei 1600 C im Vakuum gepresst und dann gesintert.
3. CrSi, wird mit seiner doppelten Ge wichtsmenge Mullit (3A1203.2Si02) ge mischt, und die Mischung wird unter Schutz gas (H2) bei 1550 C gepresst und anschliessend gesintert.
4. (95% W+50/, Be) Si, wird mit Beryl- liumsilikat BeOS'02 im Gewichtsverhältnis 70/30 gemischt, bei 1800 C gepresst und an schliessend gesintert.
5. Eine Mischung, bestehend aus 65 Ge wichtsprozent MOS'2, <B>250/"</B> Zr02, <B>90/,</B> SiO2 und 1 /o B203, wird in einer Kugelmühle ge mahlen und zu Stäben gepresst. Die Stäbe werden in einer Atmosphäre von reinem Argon zwei Stunden lang bei einer Tempera tur von<B>1600'</B> C gesintert.
6. Eine Mischung von 70 Gewichtsprozent WS'2, 20%A1203 und 8,5 /D SiO2 wird in einer Kugelmühle zu einer Korngrösse von etwa 10 my vermahlen. Der Mischung wird eine Menge Äthylsilikat zugefügt, die 1,5 /D Si02 entspricht, d. h. zehnmal das Gewicht des Si0, Der so erhaltenen teigartigen Masse wird mit Wasser verdünnter denaturierter Spiritus in solcher Menge beigefügt, dass die Masse flüssig wird.
Danach wird die Masse mit Hilfe von Vibration in eine Form gegos sen und erstarren gelassen, da das Äthyl- silikat gelatiniert. Die so geformten Teile werden langsam erwärmt, weil sich das Äthylsilikat allmählich zersetzt, und werden danach bei<B>1600'C</B> im Vakuum oder in Argon gesintert.
7. Eine Mischung, bestehend aus 70 Ge wichtsprozent (95 Mo+STi) Sie und 25 Ge wichtsprozent ZrSi04 wird mit Wasserglas gemischt, das 5 % SiO2 entspricht. Die Mi- schung wird geformt, getrocknet und ge sintert. Bei hoher Temperatur zersetzt sich das Silikat, und der grösste Teil des Alkali gehaltes wird abdestilliert. Nach der Sinte- rung bleiben dann ein Asch-Silicid, Zir- koniumsilikat und ein Überschuss an Si02 zurück.
B. Eine Mischung aus 75 Gewichtsprozent (MoSi2 70%+Si-Metall 5 /D) und 25% Be0 wird in einer Kugelmühle gemahlen. Die Mischung wird im Vakuum oder in Argon gepresst und anschliessend gesintert. Wenn die Temperatur 1200 bis 1300 C beträgt, wird der Schutzatmosphäre Wasserdampf mit einem Partialdruck von 1-10 mm zugefügt, in so grosser Menge, dass er das Si-Metall zu SiO2 zu oxydieren vermag. Die Sinterung wird dann auf gewöhnliche Weise bei einer Temperatur von 1600-1700 C fortgesetzt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH I Oxydationsbeständiges, bei 1400 C über steigenden Temperaturen feuerfestes Mate rial, das mindestens ein Silicid eines Metalles der Gruppen IV-VI des periodischen Systems und mindestens ein Oxyd enthält, wobei die Silicid-Komponente 20 bis 99,9 Gewichts prozent des Materials ausmacht und 10 bis 70 Gewichtsprozent Si und 20 bis 80 Gewichts prozent des Metalles der Gruppen IV-VI des periodischen Systems enthält und die Oxyd komponente 80 bis 0,1 Gewichtsprozent des Materials ausmacht, dadurch gekennzeichnet,dass die Oxydkomponente 1-100% SiO2 ent hält, wobei jedoch der Gehalt an S'02 wenig stens 0,10/, des Materials ausmacht. UNTERANSPRÜCHE 1. Material nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Oxydkompo- nente weniger als 100 /o SiO2 enthält und der Rest aus wenigstens einem Metalloxyd be steht, das einen 1400 C übersteigenden Schmelzpunkt hat und durch Silizium auch bei höherer Temperatur sich nicht reduzieren lässt. 2.Material nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Silicidkompo- nente ausserdem höchstens 20 /o mindestens eines andern Metalles, z. B. Aluminium, Beryllium, Bor, Calcium, Cerium, Magne sium, Eisen, Mangan oder Nickel, aufweist. 3. Material nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Oxydkompo- nente aus 8i02 in Form von Quarzglas be steht. 4.Material nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Silicidkompo- nente 60-100% Molybdändisilicid enthält. 5. Material nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass die Silicidkompo- nente aus Körnern von MoSi, und die Oxyd komponente aus Quarzglaskörnern besteht, wobei der Durchmesser der Körner jeder Komponente 10 Mikron unterschreitet. 6.Material nach Patentanspruch I, da durch gekennzeichnet, dass sowohl die Silicid- komponente als auch die Oxydkomponente aus Körnern mit einem durchschnittlichen Durchmesser von 1 bis 5 Mikron besteht und dass die grössten vorkommenden Körner einen Durchmesser von weniger als 10 Mikron auf weisen.PATENTANSPRUCH II Verfahren zur Herstellung eines oxy dationsbeständigen feuerfestenMaterials nach Patentanspruch I auf pulvermetallurgischem Wege aus einem Ausgangsmaterial, das wenigstens ein pulverförmiges Silicid eines Metalles der Gruppen IV, V oder VI des pe riodischen Systems enthält, dadurch gekenn zeichnet, dass das Ausgangsmaterial in der Anwesenheit von Si02 gesintert wird. UNTERANSPRÜCHE 7.Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass das pulver förmige Ausgangsmaterial auch wenigstens ein Element ausserhalb der Gruppen IV, V und VI des periodischen Systems enthält. B. Verfahren nach Patentanspruch 1I, da durch gekennzeichnet, dass das Ausgangs material pulverförmiges Si02 enthält. 9. Verfahren nach Patentanspruch TI, da durch gekennzeichnet, dass das Ausgangs material auch wenigstens ein pulverförmiges Metalloxyd enthält, das einen 1400 C über steigenden Schmelzpunkt hat und durch Silizium auch bei höherer Temperatur sich nicht reduzieren lässt. 10.Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangs material wenigstens eine pulverförmige, Sili zium enthaltende Verbindung enthält, die beim Erhitzen 8i02 abgibt. 11. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangs material wenigstens eine Silizium enthaltende organische Verbindung enthält. 12. Verfahren nach Patentanspruch II und Unteranspruch 11, dadurch gekenn zeichnet, dass die Silizium enthaltende orga nische Verbindung vor dem Sintern gelati niert wird. 13.Verfahren nach Patentanspruch 1I, dadurch gekennzeichnet, dass die pulver förmige Silicidkomponente des Ausgangs materials beim Sintern teilweise zersetzt und oxydiert wird. 14. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass dem Ausgangs material ein pulverförmiger Stoff zugesetzt wird, der den Schmelzpunkt des Si02 herab setzt. 15.Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass dem Ausgangs material ein pulverförmiger Stoff zugesetzt wird, der die Oberflächenspannung des 8i02 herabsetzt. 16. Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass dem Ausgangs material ein an S'02 reicher keramischer kolloidaler Stoff zugesetzt wird. 17. Verfahren nach Patentanspruch II und Unteranspruch 11, dadurch gekennzeich net, dass 8i02 in der Form von Kieselsäuregel zugesetzt wird. 18.Verfahren nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass das Sintern zuerst in einer nichtoxydierenden Atmo sphäre und dann in einer oxydierenden Atmo sphäre ausgeführt wird, wobei die im Aus gangsmaterial enthaltenen, Silizium enthal tenden Verbindungen teilweise oxydiert wer den und Si02 bilden. PATENTANSPRUCH TII Verwendung des oxydationsbeständigen Materials nach Patentanspruch 1 als bei 1400 C übersteigenden Temperaturen feuer festes elektrisches Widerstandsmaterial.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE333119X | 1953-04-27 | ||
| SE100653X | 1953-06-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH333119A true CH333119A (de) | 1958-10-15 |
Family
ID=26655747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH333119D CH333119A (de) | 1953-04-27 | 1954-04-23 | Feuerfestes oxydationsbeständiges Material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH333119A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113631266A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-11-09 | 株式会社电装 | 电阻体、蜂窝结构体及电加热式催化剂装置 |
-
1954
- 1954-04-23 CH CH333119D patent/CH333119A/de unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113631266A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-11-09 | 株式会社电装 | 电阻体、蜂窝结构体及电加热式催化剂装置 |
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