CH342954A - Verfahren zur Herstellung von Alkenylhalogensilanen - Google Patents

Description

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 Verfahren zur Herstellung von    Alkenylhalogensglanen      Alkenylhalogensilane   haben als Ausgangsprodukte zur Herstellung von    Silikonpolymeren   grössere Bedeutung erlangt, weil die    Hydrolyseprodukte   der    Alkenylhalogensilane   nicht nur über    Silizium-Sauer-      stoff-Brücken,   sondern auch über die ungesättigten organischen Reste vernetzt werden können. 



  Zur Herstellung von    Alkenylhalogensilanen   standen bisher vier Verfahren zur Verfügung: 1. Synthese aus    Halogensilanen   und    Alkenylgri-      gnardreagentien.   



  2. Direkte Umsetzung von    Alkenylhalogeniden   mit Silizium. 



  3. Abspaltung von Halogenwasserstoff aus Halogenalkylhalogensilanen mit    Chinolin   oder Aluminiumchlorid. 



  4. Pyrolyse von    Halogenalkylhalogensilanen   an    un-      glasiertem   Porzellan. 



  Das    Verfahren   1 ist wegen des Auftretens von Nebenreaktionen (Bildung höherer ungesättigter    Kohlenwasserstoffe,   Unbeständigkeit der    Grignard-      verbindung)   nur für wenige    Alkenylhalogensilane   bei im allgemeinen schlechten Ausbeuten gangbar. Beim Verfahren 2 wird infolge der empfindlichen    olefini-      sehen   Bindung in den    Alkenylverbindungen   bei den für die direkte Synthese notwendigen Temperaturen keine gute Ausbeute erreicht. Das 3. Verfahren wurde mit mässigen Ausbeuten bei der Darstellung von    Vinyltrichlorsilan   angewandt. Verfahren 4 diente schliesslich ebenfalls vor allem zur Herstellung von    Vinyltrichlorsilan.   



  Gemäss Angaben im A. P. Nr. 2574390 erhält man jedoch bei der Pyrolyse von    Chloräthyltrichlor-      silan   bei    -f-   500 bis    -f-   525  C im günstigsten Falle    16,1,%,      Vinyltrichlorsilan.   Es wurde nun gefunden, dass die    Dehydrohalo-      genierung   von    Halogenalkyl-halogen-silanen   zu Alkenylhalogensilanen bei niedrigeren Temperaturen (nicht über 500  C) und vor allem mit wesentlich höheren Ausbeuten abläuft, wenn man die    Halogen-      allcyl-halogen-silane   nicht über unglasiertes Porzellan, sondern über solche Elemente oder Verbindungen, vorzugsweise    Silizium,   leitet,

   die die Halogenwasserstoffabspaltung dadurch begünstigen, dass sie mit dem abgespaltenen Halogenwasserstoff reagieren. Statt    Silizium   kann man auch    Aluminium   oder Legierungen dieser beiden Elemente verwenden. 



  Beispiel 1 721 g    a-Chloräthyltrichlorsilan      CH.CHCISiC13   werden im Stickstoffstrom    innerhalb   13 Stunden bei 4- 400  C über 250 g    Ferrosilizium      mit   Kupferzusatz geleitet. Bei einer    Gesamtkondensatmenge   von 587 g beträgt die Ausbeute an    Vinyltrichlorsilan      CH2      =      CHSiC13      (Kp.      91      bis      92       C)      232      g,      das      sind      39,5      %,

     bezogen auf die Menge an eingesetztem    a-Chlor-      äthyltrichlorsilan.   Der Vorlauf bis    +561>C   (17 g) besteht grösstenteils aus    Siliziumchloroform      SiHCls,   während zwischen    -+-   56 und    +   90  C (61 g) hauptsächlich    Siliziumtetrachlorid      SiCl4   auftritt. Im Rückstand über 95  C (200 g) kann u. a.    1,2-Di-trichlor-      silyl-äthan      Cl      3SiCH2CH2SiC13   (Kp. 25 = 92 bis 93 C) nachgewiesen werden. 



  Beispiel 2 738 g    ss-Chloräthyltrichlorsilan      CICH@CH2S'C13   werden im Stickstoffstrom    innerhalb   26 Stunden bei 4- 400  C über 250 g    Ferrosilizium   geleitet. Aus der    Gesamtkondensatmenge   von 628 g    können   254 g    Vinyltrichlorsilan,      das      sind      42,2      %,      bezogen      auf      ein-      gesetztes      ss-Chloräthyltrichlorsilan,   gewonnen wer- 

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 den. Die Vorläufe und der Rückstand haben eine    ähnliche   Zusammensetzung wie im Beispiel 1 angegeben. 



  Beispiel 3 1480 g eines Gemisches von    cc-   und    ss-Chlor-      äthylmethyldichlorsilan      (CH3)(C2H4C1)S'Cl2   werden im Stickstoffstrom innerhalb 30 Stunden bei 450  C über 500 g    Ferrosilizium   geleitet. Aus der    Gesamtkondensatmenge   von 1250 g können 560 g    hlethylvinyldichlorsilan      (CH3)(CH2=CH)S'C12   (Kp.    93       C),      das      sind      47,6%"      bezogen      auf      eingesetztes      Chloräthylmethyldichlorsilan,   isoliert werden.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH Verfahren zur Herstellung von Alkenylhalogen- silanen aus Halogenalkyl-halogen-silanen durch Ha- logenwasserstoffabspaltung, dadurch gekennzeichnet, dass man die Halogenalkyl-halogen-silane bei erhöhter, jedoch nicht über 500 C liegender Temperatur über solche Stoffe leitet, die die Halogenwasserstoffabspaltung aus den Halogenalkylresten dadurch begünstigen, dass sie mit dem abgespaltenen Halogenwasserstoff reagieren. UNTERANSPRUCH Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktion in Gegenwart eines inerten Gases durchgeführt wird.