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Parafoudre Certains parafoudres connus utilisés principalement pour la protection des, lignes à haute tension sont constitués d'éclateurs et de résistances.. Les résistances affectent en général la forme de blocs de plusieurs centimètres de diamètre et d'un ou plusieurs centimètres de hauteur et sont constituées de grains en carbure de silicium, assemblés au moyen d'un liant approprié. Elles possèdent une caractéristique courant-tension non linéaire ; on les appelle de ce fait résistances non linéaires . La caractéristique de ces résistances est obtenue grâce aux particularités du procédé de fabrication selon lequel les grains sont assemblés au moyen d'un liant.
Lors de la fabrication les couches superficielles des grains constituant les résistances. non linéaires ne sont pas altérées de sorte que ces grains ne font que se toucher. Par conséquent, le comportement des résistances non linéaires au point de vue de la conductibilité électrique est principalement influencé par la con- ductibilité des couches de surface des grains, toujours plus faible que la conductibilité de la masse des grains. Il est connu, en particulier, d'assembler les grains de carbure de silicium au moyen d'une substance argileuse en portant le mélange de grains de carbure de silicium et d'argile à une température d'environ 1200 C (1500K).
Bien qu'à 1500K l'argile se fritte facilement, cette température n'est pas encore suffisante pour provoquer le frittage de carbure de silicium et la couche de surface des grains de carbure de silicium, dont le point de fusion est supérieur à 2500K n'est pas modifiée.
Ce traitement équivaut à un autre, très répandu également, qui consiste à assembler les grains de carbure de silicium au moyen d'un ciment et à les chauffer à, par exemple, 200C. On a constaté que de tels parafoudres sont capables de très bien résister à des ondes de choc de courte durée comme on en produit facilement dans les générateurs d'ondes de choc courantes, dans les laboratoires à haute tension. Cependant, les surtensions qui sollicitent ces parafoudres ne peuvent pas toujours être assimilés à des ondes de choc de courte durée (ordre de grandeur de 50 à 100 us) mais elles se présentent, quoique plus rarement, aussi sous forme d'ondes de choc de longue durée (plusieurs milliers de j.s) auxquelles les parafoudres actuels résistent moins bien.
On a déjà proposé de subdiviser la résistance non linéaire en plusieurs éléments individuels mis en parallèle et de choisir le rapport de dépendance de ces éléments vis-à-vis de la tension de telle façon que lorsque la tension augmente de nouveaux éléments entrent automatiquement en action.
Selon l'invention, le parafoudre constitué par des éclateurs et des résistances non linéaires en grains semi-conducteurs, mises en parallèle, est caractérisé en ce qu'une première résistance ou série de résistances possède une conductibilité plus élevée, en cas de sollicitation par une onde de choc longue, que lors d'une sollicitation par une onde de choc brève et qu'une deuxième résistance ou série de résistances, mise en parallèle avec ladite première résistance ou série de résistances, possède au contraire une conduc- tibilité plus élevée en cas de sollicitation par une onde de choc brève, que lors d'une sollicitation par une onde de choc longue,
la caractéristique courant- tension de la première résistance ou série de résistances, étant différente de celle de la deuxième résistance ou série de résistances, en raison d'une liaison différente entre les couches de surface des grains semi-conducteurs constituant les résistances.
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Selon une réalisation particulière de l'invention, on branche en parallèle sur les résistances non linéaires connues des thermistances ayant une caractéristique courant-tension convenable.
Les thermistances sont déjà connues ; leur caractéristique courant-tension diffère très fortement de celle des résistances appelées non linéaires par l'absence de toute hystérèse mais les thermistances possèdent également une caractéristique courant- tension qui n'est pas linéaire et elles sont fabriquées également au moyen de grains semi-conducteurs. Contrairement à ce qui a lieu dans la fabrication des résistances non linéaires, les grains des thermistances sont frittés ensemble. Le frittage n'exclut pas cependant la présence d'un liant, mais ce liant n'a d'autre fonction que d'assurer la cohésion des grains pendant le traitement thermique.
La différence de fabrication des thermistances par rapport à celle des résistances non linéaires réside dans le fait que le traitement thermique se fait à une température d'environ deux tiers de la température absolue de fusion des grains semi-conducteurs ou plus élevée, température à laquelle les couches de surface des grains appliqués l'un contre l'autre se ramollissent et donnent lieu à une interpénétration des couches limites.
Par suite, la résistance électrique entre les grains devient négligeable ou du moins comparable à la résistance de la masse des grains, et l'hystérèse constatée dans les caractéristiques courant-tension des résistances non linéaires n'apparaît pas dans les caractéristiques courant tension des, thermistances.
Selon une autre réalisation particulière, les résistances non linéaires sont formées avec des variétés de grains semi-conducteurs différents, par exemple deux variétés de grains de carbure de silicium assemblés selon un procédé de fabrication connu, mentionné ci-dessus.
Afin d'obtenir une caractéristique courant-tension désirée, on utilise une variété de grains, qu'on appellera ici électrique , qui a été sélectionnée selon certains critères, au moyen d'essais électriques. Cette façon de sélectionner est en principe connue. Le sélectionnement habituel du grain électrique de carbure de silicium se fait lorsqu'on sort le pain de carbure de silicium du four. On prélève des échantillons dans différentes couches et réserve celles dont les échantillons ont satisfait les critères électriques.
La caractéristique courant-tension des résistances non linéaires. est due aux mécanismes de con- duction électronique dans les couches de surface des grains semi-conducteurs. Ces mécanismes n'ont pas encore pu être expliqués d'une manière satisfaisante jusqu'à présent.
Selon des considérations théoriques nouvelles, encore inédites, qui ont accompagné le développement de la présente invention, les phénomènes de conduction des résistances de parafoudre peuvent être expliqués sur la base du modèle énergétique suivant Les couches de surface des grains, responsables de la caractéristique courant-tension des résistances non linéaires possèdent une certaine structure cristalline avec des imperfections dans le réseau, imperfections dues à des distorsions du réseau ou à la présence d'atomes étrangers. Les électrons liés aux atomes du réseau, aux atomes étrangers et aux centres d'imperfection ont des énergies propres, dépendant de la nature et des particularités de leur liaison au réseau. Selon la théorie quantique des solides bien connue, le spectre de ces énergies est discontinu.
Ce spectre ou modèle d'énergie (fig. 4 des dessins annexés) est ainsi constitué de plusieurs niveaux discrets, et bandes continues de niveaux, permis et d'autres bandes continues de niveaux interdits . Chaque niveau énergétique permis ne peut être occupé que par un seul électron, en vertu du principe d'exclusion de Pauli.
A la température absolue zéro, les niveaux les plus bas dans l'échelle énergétique, par exemple les niveaux H des électrons de valence sont tous occupés ; tandis que les niveaux plus élevés sont libres, par exemple les niveaux C des électrons libres. Le niveau limite entre les niveaux occupés et niveaux libres s'appelle, selon la théorie quantique connue, niveau de Fermi F. La limite nette constituée par le niveau de Fermi s'efface de plus en plus lorsque la température du cristal s'élève, car un certain nombre d'électrons, auparavant captés dans des niveaux plus bas, occupent des niveaux plus élevés.
Dans les couches de surface du grain de carbure de silicium, et dans les semi-conducteurs en général, le niveau de Fermi se trouve dans une bande interdite. Dans les grains convenant aux résistances pour parafoudres, les phénomènes de conduction peuvent être expliqués, si l'on suppose en outre l'existence dans la bande interdite de niveaux permis dus à des imperfections du réseau, et notamment un modèle d'énergie selon la fig. 4, comprenant a) des niveaux donneurs D, dus à des imperfections isolées et relativement rares du réseau cristallin, à la hauteur du niveau de Fermi F, donc occupés à température ambiante ;
b) des niveaux pièges S, dus à d'autres imperfections isolées du réseau cristallin, situés plus haut que le niveau de Fermi F, donc pratiquement inoccupés à température ambiante ; c) la large bande de niveaux de conduction C, située au-dessus des niveaux pièges , presque inoccupée également à température ambiante.
A la température ordinaire, il existe déjà une certaine densité d'électrons libres dans la bande de conduction C. Lorsque ces électrons sont soumis à l'action d'un champ électrique, leur température augmente et ceux dont l'énergie est suffisante peuvent ioniser des centres donneurs . De ce fait des électrons sautent de niveaux donneurs D dans la bande de conduction C et augmentent le nombre des électrons libres. La quantité d'électrons devenant ainsi des électrons de conduction dépend non seule-
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ment de la tension appliquée aux bornes de la résistance et de la température ambiante, mais également de l'énergie d'activation E des centres donneurs , c'est-à-dire de l'écart E entre les niveaux donneurs D les plus haut placés et les niveaux de conduction C les plus bas.
D'autre part l'existence de niveaux pièges S, écartés de AE (énergie d'activation des centres pièges ) des niveaux conducteurs C, a comme conséquence qu'une partie des électrons libres est de nouveau captée lorsque ces derniers passent à proximité de centres pièges .
Même sans entrer dans les détails de la théorie quantique des corps solides, et de nouvelles considérations théoriques particulières encore inédites, on peut comprendre que les. écarts E entre les niveaux donneurs D et la bande de conduction C, et AE, entre les niveaux pièges S et la bande de conduction C, ont une importance sur les phénomènes de conduction.
La présente invention permet de choisir des grains semi-conducteurs en vue de la fabrication de résistances non linéaires suite à des mesures des énergies d'activation E et AE ci-dessus, afin de leur donner des caractéristiques courant-tension prédéterminées.
La grandeur E est responsable de la constante de temps d'ionisation moyenne t", selon la formule
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Dans cette formule t; est une constante de temps individuelle, exp le symbole de la fonction exponentielle, k la constante de Boltzmann et T la température électronique.
Lorsque le front de l'onde de tension est très raide, c'est-à-dire lorsque la durée t du front de l'onde de tension est très brève, et plus petite que tm, défini ci-dessus, les électrons libres suffisamment accélérés n'ont guère le temps d'ioniser ou d'activer les centres donneurs ; la densité d'électrons libres varie donc peu au cours du passage d'un tel front de l'onde de tension et la conductibilité électrique reste petite.
Par contre, lorsque la durée t du front de l'onde de tension est plus grande que la constante t"" les électrons suffisamment accélérés ionisent les centres donneurs et la conduction électrique augmente sensiblement au cours du passage du front de l'onde de tension.
II s'ensuit que pour une résistance non linéaire, destinée à écouler des ondes de choc brèves, il est nécessaire de choisir un grain dont l'énergie d'activation E est suffisamment petite pour que tm soit plus petit ou comparable à la durée de front des ondes de choc brèves. Par contre, pour une résistance non linéaire destinée à écouler des ondes de choc longues, mais pas des ondes de choc brèves, il suffit de choisir un grain dont l'énergie d'activation E est choisie telle que tm soit plus grand que la durée de front des ondes de choc brèves, mais plus petit que la durée de front des. ondes de choc longues.
Le choix d'un grain semi-conducteur ayant une couche de surface avec une valeur de la grandeur E prédéterminée, permet donc de fabriquer des résistances non linéaires offrant une résistance élevée à des ondes de choc dont la durée du front est inférieure à un temps tm déterminé par ladite valeur de E et la nature du réseau, cristallin des couches de surface des grains. Par exemple, si les grains sont en carbure de silicium, et si E est égal à environ 0.35 eV, un est de l'ordre de grandeur d'une microseconde.
(Par contre, si E est égal à environ 0.40 eV, tm est de l'ordre de grandeur de 10 microsecondes.) On peut faire intervenir également la grandeur AE dans le choix du rapport Ce rapport
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est une autre grandeur déterminant
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la conductibilité a d'une résistance non linéaire en régime stationnaire
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Dans cette formule A est une constante dépendant du réseau cristallin, U la tension moyenne entre deux grains lors du passage du courant (U, à la valeur maximum, peut atteindre plusieurs volts), h un paramètre dépendant fortement du réseau cristallin et aussi de AE, car
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Dans cette formule K dépend du réseau cristallin,
la valeur numérique de h pour des semi-conducteurs courants n'excède pas quelques unités et est souvent inférieure à 1 de sorte que la valeur du rapport rant-tension de la résistance.
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est prépondérante pour la caractéristique cou- Il s'ensuit que pour grand, la conductibilité en régime stationnaire est
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grande et que lors d'une mise en parallèle de deux résistances, une onde longue est conduite par la résistance dont
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est plus grand.
Des mesures de grandeur permettent de calculer les énergies d'activation E des centres donneurs et AE des centres pièges du modèle d'énergie selon la théorie quantique.
De telles mesures sont par exemple le relevé de la caractéristique courant-tension en régime stationnaire, c'est-à-dire en courant continu. Ces mesures permettent notamment de déterminer, dans la région des courants très faibles, la résistance ohmique Ro pour une tension intergrains U égale à zéro d'où il est possible de calculer E. Il suffit de calculer le ao correspondant à Ro, en tenant compte de la granulométrie des grains, de leur forme moyenne et de l'épaisseur des couches de surface traversées par le courant.
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La relation pour E peut être déduite de la relation pour 6 ci-dessus en faisant U = 0. La grandeur de la constante A peut être calculée si l'on connaît la densité d'électrons libres et la mobilité électronique dans les couches de surface.
Les mêmes mesures portées sur un diagramme sous forme de
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permettent de calculer
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Dans cette formule, I est le courant passant par une série déterminée de grains, et 6o la conductibilité pour U = 0, et U la tension intergrains. ; le symbole f signifie comme d'habitude fonction de et le symbole log signifie le logarithme de . Le paramètre h peut être déterminé par d'autres mesures, mais il est plus aisé de représenter la fonction ci-dessus pour plusieurs h différents et de choisir celle dans laquelle la fonction est représentée par une droite. Deux ou trois tâtonnements suffisent en général pour trouver le paramètre h adéquat.
La pente de la droite que l'on trouve ainsi est égale au rapport
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A l'aide des grandeurs E et AE, mesurables, il est possible de déterminer les qualités de grains dont il faut se servir pour obtenir des résistances non linéaires qui, mises en parallèle, sont sélectives chacune pour une onde de choc donnée.
Comme on peut le conclure de ce qui précède, si une première variété de résistances non linéaires est destinée à écouler des ondes de choc longues, et une seconde variété de résistances non linéaires est destinée à écouler des ondes de choc brèves; il est nécessaire que les paramètres El et AE1 du grain sélectionné pour la première résistance non linéaire, et les paramètres E2 et AE2 du grain servant à la fabrication de la seconde résistance non linéaire satisfassent à au moins une des deux conditions suivantes et de préférence aux deux
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Le dessin représente, à titre d'exemple, une forme d'exécution de l'objet de l'invention.
La fig. 1 représente, en coupe, un parafoudre. Les fig. 2, 3, 8 et 9 sont des diagrammes courant- tension, la tension y étant portée en ordonnée et le courant en abscisse selon des échelles arbitraires.
La fig. 4, déjà mentionnée, est un modèle d'énergie.
Les fig. 5, 6, 7 sont des diagrammes représentant des mesures en courant continu.
Le parafoudre, fig. 1, est constitué d'un isolateur creux 1 fermé par un fond 2 et un chapeau 3. Il contient une pile d'éclateurs 4 et une pile de résistances non linéaires 5. Les résitances non linéaires 5 sont mises en parallèle avec une thermistance 6. Dans l'exemple représenté, les résistances non linéaires 5 ont une forme toroïdale tandis que la ther- mistance 6 a une forme cylindrique et est logée dans l'axe des résistances non linéaires 5.
Sur le diagramme, fig. 2, sont représentées trois courbes courant-tension 7, 8, 9 illustrant respectivement les caractéristiques d'une thermistance, d'une résistance non linéaire et d'un parafoudre selon la fig. 1 dans le cas d'une onde brève. La combinaison des deux caractéristiques 7 -et 8 enregistrée aux bornes du parafoudre est donnée par la courbe 9. On constate que celle-ci est définie principalement par la caractéristique de la résistance non linéaire.
Sur la fig. 3 sont représentées trois courbes courant-tension 10, 11, 12 illustrant respectivement les caractéristiques d'une thermistance, d'une résistance non linéaire et d'un parafoudre selon la fig. 1 dans le cas d'une onde longue. La combinaison des deux caractéristiques 10 et 11, enregistrée aux bornes du parafoudre, est alors donnée par la courbe 12. On constate que celle-ci est définie principalement par la caractéristique de la thermistance.
Le parafoudre permet donc d'écouler les ondes de choc de courte durée principalement à travers les résistances non linéaires et les ondes de choc de longue durée, principalement à travers les thermistances. De ce fait, la durée de vie et la sécurité d'un tel parafoudre sont augmentées.
Selon une autre forme d'exécution, les résistances non linéaires 5 et les éléments résistants 6 sont tous les deux fabriqués selon une méthode habituelle de fabrication de résistances non linéaires pour parafoudres, mais avec des variétés de grains différents de sorte que leurs caractéristiques courant-tension sont représentées par les diagrammes 8 et 9.
Sur la fig. 8 sont représentées trois courbes courant-tension 17, 18, 19 illustrant respectivement les caractéristiques courant-tension d'une première et d'une seconde résistance non linéaire et d'un parafoudre selon la fig. 1 dans le cas d'une onde de choc brève. La combinaison des deux caractéristiques 17 et 18 enregistrée aux bornes du parafoudre est donnée par la courbe 19. On constate que celle-ci est définie principalement par la caractéristique de la seconde résistance non linéaire. Sur la fig. 9 sont représentées respectivement trois courbes courant-tension 20, 21, 22 illustrant les caractéristiques d'une première et d'une seconde résistance non linéaire et d'un parafoudre selon la fig. 1 pour le cas d'une onde de choc longue.
La combinaison des deux caractéristiques 20 et 21, enregistrée aux bornes du parafoudre, est donnée par la courbe 22.
On constate que cette dernière est définie principalement par la caractéristique de la première résistance non linéaire.
Le parafoudre permet donc d'écouler les ondes de choc brèves principalement à travers la seconde résistance non linéaire et les .ondes de choc longues principalement à travers la première résistance non linéaire.
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Dans l'exemple précité, les première et seconde résistances non linéaires sont constituées en grains de carbure de silicium sélectionné lors de la fabrication de carbure de silicium d'après le relevé de la caractéristique courant-tension en courant continu, et en se référant aux critères à observer concernant les valeurs E et AE.
La fig. 5 représente les diagrammes log U/log I des courbes courant-tension 23 et 24 respectivement de la première et de la seconde résistance non linéaires. De ces courbes, on peut déduire la grandeur Ro pour chacune de ces résistances. En effet, les points 25 et 26 sur l'axe des abscisses donnent directement les valeurs
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respectivement pour la première et la seconde résistance non linéaires. Ceci est dû au fait que dans le cas représenté l'axe des abscisses coupe les courbes 23 et 24 dans. le domaine de la conductibilité ohmique. Il est toujours possible d'obtenir ce cas en choisissant les unités de courant et de tension de manière adéquate.
Les diagrammes log
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(1 -f- hU) pour les deux résistances non linéaires ne sont pas représentés dans la même figure, mais dans les deux fig. 6 et 7. Cela tient au fait que les. paramètres hl et h2 ne sont pas identiques dans les deux cas. La fig. 6 représente la courbe 23' obtenue par la transformation de la courbe 23 de la fia. 5. Dans l'exemple, la pente de 23' représentant
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est égale à 6,5. La fig. 7 représente la courbe 24' obtenue par la transformation de la courbe 24 de la fig. 5. La courbe 24' a une pente valant
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= 4,5 comme représenté sur la figure.
Une méthode adéquate pour effectuer les mesures en courant continu consiste par exemple à remplir un tube isolant ayant un diamètre intérieur de 4,5 mm avec 25 mg de grains semi-conducteurs, en l'espèce du carbure de silicium de densité 2,5 g/cm3. Afin d'assurer un contact électrique convenable entre les grains, on applique une pression de 45 kg sur les électrodes fermant l'éprouvette de part et d'autre. Lorsque, par exemple, le diamètre moyen des grains mesure 0,1 mm, l'échantillon mesuré contient environ 10 couches de 2000 grains. La résistance est due aux couches de surface dont l'épaisseur est d'environ 10-4 cm.
Dans ces couches de surface, la mobilité des électrons est très faible de sorte que la section du canal d'écoulement du courant est déterminée par la surface de contact dont la grandeur se calcule au moyen des constantes élastiques du cristal. Il s'ensuit qu'avec la disposition de mesure ci-dessus, la conductibilité et la résistance Ro sont liées entre elles par la relation
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D'autre part, dans la relation
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le facteur A est, pour les couches de surface du carbure de silicium environ égal à 1 Q-1 cm -1, et kT dans le domaine de température envisagé vaut 0.026 eV.
Il s'ensuit que dans le cas de carbure de silicium, et avec la disposition de mesure envisagée ci-dessus, on peut calculer E selon la formule numérique
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pour Ro = 107 SI, on obtient donc: E = 0,41 eV. La valeur de AE peut ensuite être trouvée à partir de la pente qui se lit directement dans les diagrammes (par exemple 6 et 7).
Un exemple de valeurs E1, E2,
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convenant à des résistances de parafoudre, écoulant sélectivement des ondes de choc brèves et des ondes de choc longues, est
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Il est évidemment possible de mesurer les énergies d'activation E et AE par d'autres méthodes connues, par exemple par des. mesures de conductibilité en fonction de la température, ce qui évite le calcul, souvent approximatif, des facteurs géométriques des grains, de la densité des électrons libres et de la mobilité électronique intervenant dans le procédé de mesure simple ci-dessus, ou par des mesures d'absorption Debyedipolaire à des températures et fréquences adéquates.
Ces autres procédés sont d'ailleurs en général plus précis, mais beaucoup plus difficiles à exécuter que le procédé de mesure décrit plus haut. Ce dernier peut satisfaire en général, aux besoins de la technique.
Cependant, afin d'éviter des calculs approximatifs avec plusieurs grandeurs invariables d'un lot de grains à l'autre, il est recommandable de déterminer la valeur de E d'un échantillon standard par un des procédés plus précis et connus, afin de vérifier et corriger les calculs approximatifs.
D'après l'exemple décrit plus haut, on a choisi du grain de carbure de silicium pour les deux sortes de résistances. Il est évidemment possible de choisir d'autres substances semi-conductrices, mais pour fabriquer des résistances non linéaires sélectives pour des ondes de choc brèves, il est nécessaire de porter son choix sur une substance dans laquelle la mobilité des électrons dans. les couches de surface possède une valeur critique.
Si la mobilité des électrons est trop grande, le nombre d'impacts des électrons avec le réseau est faible. De ce fait, les électrons atteignent facilement l'énergie d'ionisation nécessaire et une avalanche électronique s'établit rapidement lors de l'augmentation brusque de la tension, mais après le passage de l'onde de tension, le faible nombre d'impacts avec
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le réseau ne favorise pas, mais contrarie la recombinaison des électrons avec les centres donneurs. Il s'ensuit qu'une résistance non linéaire, fabriquée avec un grain semi-conducteur dans lequel la mobilité électronique est trop grande dans les couches de surface, possède une tension d'amorçage très bien définie, mais qu'elle laisse passer un courant de suite trop important.
Si la mobilité des électrons est, au contraire, trop petite, le nombre d'impacts des électrons avec le réseau cristallin est grand. De ce fait les électrons sont toujours fortement freinés et atteignent difficilement l'énergie d'ionisation nécessaire. Il s'ensuit que l'importance de l'avalanche électronique est d'autant plus grande que la tension aux bornes de la résistance est plus élevée. Par contre, lorsque la tension baisse, les électrons se recombinent immédiatement avec les centres donneurs grâce au grand nombre d'impacts qu'ils font sur le réseau.
Il s'ensuit qu'une résistance non linéaire, fabriquée avec un grain semiconducteur dans lequel la mobilité est trop petite dans les couches de surfaces, possède une tension d'amorçage croissant avec l'amplitude de l'onde de courant à écouler mais qu'elle limite à un minimum le courant de suite.
Les deux cas décrits ci-dessus représentent des solutions contradictoires au point de vue du résultat souhaité qui est: tension d'amorçage indépendante de l'amplitude de l'onde de courant à écouler et courant de suite très faible.
Un bon compromis est obtenu, lorsque la mobilité électronique dans les couches de surface des grains semi-conducteurs est de l'ordre de grandeur d'environ 1 à 10
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Cette condition est par exemple remplie dans le carbure de silicium.
Les résistances sélectives pour les ondes longues ne sont pas soumises à cette condition critique pour la mobilité électronique. En effet, les phénomènes de conduction sont régis en principe par les lois déterminant le régime stationnaire. Il s'ensuit qu'on peut choisir, pour une telle résistance, non seulement des grains de carbure de silicium, mais également d'autres grains réfractaires semi-conducteurs tels que par exemple en carbure de bore de molybdène et de vanadium ou le silicium ou d'autres encore qui possèdent des mobilités électroniques sensiblement plus élevées.
Il est ainsi possible de choisir pour les résistances sélectives aux ondes de choc longues des varistances qu'on peut trouver sur le marché ou des thermistances comme on l'a proposé déjà ci-dessus.