CH359791A - Verfahren zum Herstellen eines Transistors - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Transistors

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CH359791A
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CH
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transistor
manufacturing
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Heinz Dr Ing Henker
Hans Dr Dipl Phys Rebstock
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Siemens Ag
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
CH359791D 1956-03-23 1960-03-29 Verfahren zum Herstellen eines Transistors CH359791A (de)

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DES48077A DE1207507B (de) 1956-03-23 1956-03-23 Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors
DES0062423 1959-04-03

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CH359791A true CH359791A (de) 1962-01-31

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CH (1) CH359791A (de)
FR (1) FR77446E (de)
GB (1) GB926280A (de)
NL (2) NL110415C (de)

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GB926280A (en) 1963-05-15
FR77446E (fr) 1962-03-02
NL110415C (de)

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