CH360207A - Verfahren zum zonalen Schmelzen eines Stabes - Google Patents

Verfahren zum zonalen Schmelzen eines Stabes

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CH360207A
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CH
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rod
zonal melting
zonal
melting
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Frank Sterling Henley
King George
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Standard Telephon & Radio Ag
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/61—Electrolytic etching
    • H10P50/613—Electrolytic etching of Group IV materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/06—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting the molten zone not extending over the whole cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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CH360207D 1952-08-01 1956-10-27 Verfahren zum zonalen Schmelzen eines Stabes CH360207A (de)

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DES29621A DE1031893B (de) 1952-08-01 1952-08-01 Verfahren zur aeusseren Formgebung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Gleichrichter- und Verstaerkerzwecke mit Halbleitern aus Germanium oder Silizium
GB31426/56A GB831304A (en) 1952-08-01 1956-10-16 Improvements in or relating to refining processes for semiconductor and other materials

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CH320916D CH320916A (de) 1952-08-01 1953-07-27 Verfahren zur Veränderung der äusseren Form von Halbleiterkörpern
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FR1081736A (fr) 1954-12-22
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