CH365152A - Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden SinterkörpersInfo
- Publication number
- CH365152A CH365152A CH4404957A CH4404957A CH365152A CH 365152 A CH365152 A CH 365152A CH 4404957 A CH4404957 A CH 4404957A CH 4404957 A CH4404957 A CH 4404957A CH 365152 A CH365152 A CH 365152A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- radiation
- sensitive
- sintered body
- cadmium
- powder
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/26—Measuring radiation intensity with resistance detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, vorwie gend Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers und auf einen nach diesem Verfahren hergestellten Sinter körper. Es ist bekannt, strahlungsempfindliche Körper, insbesondere strahlungsempfindliche Schichten, da durch herzustellen, dass Cadmiumsulfidpulver eine be stimmte Form gegeben wird, z. B. durch Pressen, und anschliessend bei hoher Temperatur gesintert wird. In den meisten Fällen wird dann von aktiviertem Cadmiumsulfidpulver ausgegangen, das dadurch er zielt wird, dass Cadmiumsulfidpulver mit geringen Mengen Aktivatoren, wie z. B. Kupfer und Gallium, kurzzeitig bei hoher Temperatur, z. B. 850 C, erhitzt wird. Es hat sich aber ergeben, dass diese gesinterten strahlungsempfindlichen Körper, insbesondere bei niedriger Belichtungsstärke, träge sind. Für ver schiedene Anwendungen von strahlungsempfindlichen Körpern ist es aber von grosser Wichtigkeit, dass der strahlungsempfindliche Stoff nach dem Verschwin den des Signals schnell in seinen ursprünglichen, nicht erregten Zustand zurückkehrt. Die Erfindung bezweckt, ein Verfahren zu schaf fen, nach dem ein strahlungsempfindlicher Körper, insbesondere eine strahlungsempfindliche Schicht, mit einer guten Strahlungsempfindlichkeit und einer kur zen Abfallzeit hergestellt werden kann. Ein Mass für die Strahlungsempfindlichkeit ist bekanntlich die bei einer gegebenen Bestrahlungsintensität auftretende Erniedrigung des elektrischen Widerstandes des Kör pers, der nach Anbringen von zwei Elektroden auf den Körper einfach gemessen werden kann. Unter Abfallzeit wird hier die Zeit verstanden, die zwischen dem Augenblick des Verschwindens des Signals und dem Augenblick verläuft, in dem die Zahl der erreg ten Ladungsträger auf 18 abnimmt; e bedeutet die Basis der natürlichen Logarithmen. Nach dem Verfahren gemäss der Erfindung wird Cadmiumsulfidpulver mit Cadmiumoxydpulver ge mischt und anschliessend aus diesem Pulvergemisch ein Körper geformt und bei einer Temperatur von 700 bis 1200 C gesintert. Der Sinterungsvorgang erfolgt meist in einer neutralen Atmosphäre, die z. B. aus Stickstoff oder Argon besteht. Das Pulvergemisch wird vorzugsweise in eine geeignete Form gepresst, da auf diese Weise gleich zeitig ein guter Zusammenhang und eine dichte Pak- kung in Gitter erzielt werden kann. Wenn die Strah- lungsempfindlichkeit des Cadmiumsulfidpulvers, von dem ausgegangen wird, unzureichend ist, kann das Pulver mit Aktivatoren, wie z. B. Kupfer und Gal lium, vorerhitzt werden. Diese Vorerhitzung zwecks Aktivierung erfolgt dann vorzugsweise vor dem Mischen mit dem Cadmiumoxydpulver. Besonders gute Ergebnisse werden erzielt, wenn das Pulvergemisch höchstens 10 Gew. 0/n Cadmium oxyd, vorzugsweise sogar nur 0,1 bis 5 Gew.o/o Cadmiumoxyd enthält. Bei nach diesem Verfah ren hergestellten gesinterten strahlungsempfindlichen Schichten tritt gegenüber den bekannten gesinterten Schichten, neben einer Abkürzung der Abfallzeit um einen Faktor von 10 bis 20, eine Erhöhung der Strahlungsempfindlichkeit auf. Ferner wurde festge stellt, dass mit dem Verfahren nach der Erfindung in einfacher Weise Sauerstoff im Sinterkörper dosiert werden kann, wobei gleichzeitig auch eine homogene Verteilung des Sauerstoffs im Sinterkörper erzielt werden kann. Ein mit Hilfe des Verfahrens nach der Erfindung hergestellter strahlungsempfindlicher Sinterkörper enthält ein Gemisch von Cadmiumoxyd und vorwie gend Cadmiumsulfid, vorzugsweise in den erwähnten Prozentsätzen. Die Erfindung wird nachstehend an Hand eines Beispiels näher erläutert. <I>Ausführungsbeispiel</I> Es wurde von Cadmiumsulfidpulver ausgegangen, das nach dem Zusatz von 2X10--1 Gramm-Atom Cu pro Mol CdS und 2 X 10-4 Gramm-Atom Ga pro Mol CdS als Aktivatoren 2 Stunden lang bei einer Temperatur von 850 C in einer aus H.S bestehen den Atmosphäre vorerhitzt war. Von 2 g dieses Pulvers wurde unter einem Druck von 7000 kg.- cm= eine Pille gepresst. Die erzielte Pille hatte einen Durchmesser von etwa 3 cm und eine Dicke von 0,8 mm. Die Pille wurde darauf eine halbe Stunde lang bei 950 C in einer aus Stickstoff be stehenden Atmosphäre gesintert. Die Strahlungsempfindlichkeit wurde bei einer Belichtungsstärke von 10 Lux gemessen. Es ergab sich eine Abfallzeit von 10 Sekunden. Darauf wurden 2 g des Cadmiumsulfidpulvers mit 3 Gew. o/9 Cadmiumoxyd gemischt. Das Pulver gemisch wurde wie erwähnt gepresst und gesintert. Bei Messung mit gleicher Belichtungsstärke ergab sich, dass die Strahlungsempfindlichkeit um den Faktor 3 zugenommen hatte, während die Abfall zeit auf 0,5 Sekunden abgekürzt war.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE I. Verfahren zur Herstellung eines strahlungs empfindlichen, vorwiegend Cadiumsulfid enthalten den Sinterkörpers, dadurch gekennzeichnet, dass Cad- miumsulfidpulver mit Cadmiumoxydpulver gemischt wird und anschliessend aus dem Pulvergemisch ein Körper geformt und bei einer Temperatur von 700 bis 1200 C gesintert wird. 1I. Strahlungsempfindlicher Sinterkörper, herge stellt nach dem Verfahren gemäss Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet,dass er ein gesintertes Gemisch von Cadmiumoxyd und vorwiegend Cad- miumsulfid enthält. UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der Sintervorgang in einer neu tralen Atmosphäre stattfindet. 2. Verfahren nach Patentanspruch I, wobei das Cadmiumsulfid nach Zusatz von Aktivatoren vorer- hitzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Vorer- hitzen vor dem Mischen mit dem Cadmiumoxyd- pulver erfolgt. 3.Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch gekennzeichnet, dass dem Sinterkörper durch Pressen seine Form gegeben wird. 4. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein höchstens 10 Gew. % Cad- miumoxyd enthaltendes Pulvergemisch verwendet wird. 5.Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch ge- kennzeichnet, dass ein 0,1 bis 5 Gew. % Cadmium- oxyd enthaltendes Pulvergemisch verwendet wird.6. Verfahren nach Patentanspruch I und Unter anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Cad- miumsulfid zwecks Aktivierung mit einem Zusatz von mindestens 2 X 10--1 Gramm-Atom Cu und min destens 2X10--1 Gramm-Atom Ga pro Mol CdS vorerhitzt wird.7. Strahlungsempfindlicher Sinterkörper nach Patentanspruch 1I, dadurch gekennzeichnet, dass er höchstens 10 Gew. 1/a Cadmiumoxyd enthält. B. Strahlungsempfindlicher Sinterkörper nach Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass er 0,1 bis 5 Gew. o/o Cadmiumoxyd enthält. 9.Strahlungsempfindlicher Sinterkörper nach Patentanspruch 1I, dadurch gekennzeichnet, dass er als Aktivatoren mindestens 2 X 10--1 Gramm-Atom Cu und mindestens 2 , < , 10-4 Gramm-Atom Ga pro Mol CdS enthält.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL205670 | 1956-03-22 | ||
| NL221827 | 1957-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH365152A true CH365152A (de) | 1962-10-31 |
Family
ID=26641600
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH4404957A CH365152A (de) | 1956-03-22 | 1957-03-20 | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers |
| CH6519358A CH405519A (de) | 1956-03-22 | 1958-10-20 | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH6519358A CH405519A (de) | 1956-03-22 | 1958-10-20 | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2957152A (de) |
| CH (2) | CH365152A (de) |
| DE (2) | DE1246136B (de) |
| FR (2) | FR1169851A (de) |
| GB (2) | GB817918A (de) |
| NL (4) | NL103462C (de) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3324299A (en) * | 1967-06-06 | Photo-electric cell comprising a pressed and sintered photosensitive body | ||
| US3229158A (en) * | 1962-02-21 | 1966-01-11 | Honeywell Inc | Electronic photographic flash apparatus with photosensitive capacitor charge monitoring |
| US3443103A (en) * | 1966-03-16 | 1969-05-06 | Weston Instruments Inc | Photoconductive cell having high stability and dark resistance |
| DE2014871A1 (de) * | 1970-03-26 | 1971-10-14 | Agfa Gevaert Ag | Fotowiderstand |
| DE2419452C2 (de) * | 1974-04-23 | 1982-12-02 | Schweizerische Aluminium AG, 3965 Chippis | Schutzüberzug für Gießbänder in Bandstranggießmaschinen für Aluminium |
| NL7602597A (nl) * | 1976-03-12 | 1976-05-31 | Oce Van Der Grinten Nv | Werkwijze voor het doteren van fotogeleidende cadmiumverbindingen. |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE567523C (de) * | 1933-01-05 | Theodore Willard Case | Lichtempfindliche Zelle, bestehend aus einem mit inertem Gas gefuellten Gefaess, in das allein ein seinen elektrischen Leitungswiderstand bei Bestrahlung durch eine ausserhalb des Gefaesses befindliche Lichtquelle aendernder Stoff luftdicht eingeschlossen ist | |
| DE623488C (de) * | ||||
| DE918098C (de) * | 1936-08-21 | 1954-10-25 | Siemens Ag | Reduktionshalbleiter mit kuenstlicher Sperrschicht |
| DE893563C (de) * | 1940-11-30 | 1953-10-15 | Patra Patent Treuhand | Verfahren zur Herstellung von Photowiderstaenden |
| DE838693C (de) * | 1949-05-07 | 1952-05-12 | Immanuel Broser Dr Ing | Verfahren zur Regelung des Lumineszenz- und Leitvermoegens an Einkristall- und Grobkristallschichten |
| GB695936A (en) * | 1951-04-20 | 1953-08-19 | France Etat | Improvements in the manufacture of activated cadmium sulphide cells |
| US2654852A (en) * | 1951-06-01 | 1953-10-06 | Rca Corp | Photoconductive target for cathode-ray devices |
| US2651700A (en) * | 1951-11-24 | 1953-09-08 | Francois F Gans | Manufacturing process of cadmium sulfide, selenide, telluride photoconducting cells |
| US2742438A (en) * | 1953-03-31 | 1956-04-17 | Rca Corp | Method of producing crystals |
-
0
- NL NL221827D patent/NL221827A/xx unknown
- NL NL205670D patent/NL205670A/xx unknown
- NL NL93763D patent/NL93763C/xx active
- NL NL103462D patent/NL103462C/xx active
-
1957
- 1957-03-13 US US645815A patent/US2957152A/en not_active Expired - Lifetime
- 1957-03-19 DE DEN13431A patent/DE1246136B/de active Pending
- 1957-03-19 GB GB8978/57A patent/GB817918A/en not_active Expired
- 1957-03-20 CH CH4404957A patent/CH365152A/de unknown
- 1957-03-20 FR FR1169851D patent/FR1169851A/fr not_active Expired
-
1958
- 1958-10-18 DE DEN15742A patent/DE1276231B/de active Pending
- 1958-10-20 CH CH6519358A patent/CH405519A/de unknown
- 1958-10-20 GB GB33406/58A patent/GB836541A/en not_active Expired
- 1958-10-21 FR FR777087A patent/FR74303E/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL221827A (de) | |
| GB836541A (en) | 1960-06-01 |
| US2957152A (en) | 1960-10-18 |
| CH405519A (de) | 1966-01-15 |
| NL205670A (de) | |
| DE1276231B (de) | 1968-08-29 |
| NL103462C (de) | |
| DE1246136B (de) | 1967-08-03 |
| FR1169851A (fr) | 1959-01-07 |
| FR74303E (fr) | 1960-11-07 |
| NL93763C (de) | |
| GB817918A (en) | 1959-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1446161B2 (de) | Supraleitendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2523009A1 (de) | Silbermasse und ihre verwendung | |
| CH365152A (de) | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers | |
| DE1104930B (de) | Verfahren zur Herstellung von heisspressbarem stabilisiertem Bornitrid | |
| DE69228109T2 (de) | Antibakterielle tertiäre Kalciumphosphate | |
| DE2612715C2 (de) | Dental-Silberlegierung und Amalgam | |
| DE1614351C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von CdS Photowiderstanden | |
| DE2450435A1 (de) | Mit einem oxid ummantelter leuchtstoff und verfahren zu dessen herstellung | |
| CH599658A5 (en) | Electrically conducting material, esp. silver contg. cadmium oxide | |
| DE1936508C3 (de) | Verfahren zur Stabilisierung der Koerzitivkraft von Pulver für Dauermagneten | |
| DE874181C (de) | Verfahren zur Herstellung einer photoelektrisch wirksamen Verbindung | |
| DE2221328C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitendem Material mit positivem Temperaturkoeffizienten des Widerstands und aus diesem Material hergestellter Leiter | |
| DE1471341C (de) | Verwendung sehr kleiner ringförmiger Magnetkerne als Speicherelemente fur elektro nische Speicheranlagen und Verfahren zur Her Stellung solcher Kerne | |
| DE2937173A1 (de) | Widerstandsmaterial | |
| DE821681C (de) | Kathode zur Bestaeubung von Selen-Sperrschichtphotozellen | |
| DE2543655B2 (de) | Keramischer spannungsabhängiger Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1015964B (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektroluminescierenden Pulvers | |
| DE864498C (de) | Verfahren zur Herstellung von Formlingen aus Mischungen von Zinkchlorid und Salmiak | |
| DE1465394A1 (de) | Elektrischer Widerstand | |
| DE502229C (de) | Herstellung keramischer Farben | |
| DE823764C (de) | Selengleichrichter mit einer Elektrode, die aus einer Cadmium enthaltenden, nahezu eutektischen Legierung besteht | |
| DE1180215B (de) | Loesung von Resinaten der Edelmetalle und/oder Unedelmetalle in Chlorkohlenwasserstoffen zur Erzeugung von auf Traegerwerkstoffen ein-gebrannten duennen Edelmetallschichten bzw. Unedelmetalloxydschichten fuer elektrotechnische Zwecke | |
| AT222181B (de) | Halbleitendes Elektrodensystem und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE1271542B (de) | Leuchtschirm | |
| EP0099015A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Sinterstahl hoher Raumerfüllung durch Einfachsintertechnik |