CH389692A - Oscillateur - Google Patents

Description

      Oscillateur       La présente invention a pour objet un oscillateur       électrique    à fréquence variable. Un des buts de l'in  vention est de fournir un élément de réactance va  riable qui n'existait pas auparavant.  



  L'oscillateur selon la présente invention est carac  térisée en ce qu'il présente un circuit de réaction  déterminant la fréquence des     oscillations    et com  prenant l'impédance existant entre l'électrode de base  et l'électrode émettrice d'un transistor et, pour per  mettre de varier     l'impédance    d'entrée du     transistor     et par conséquent la fréquence des oscillations pro  duites, un     dispositif    à résistance variable branché  à l'électrode émettrice du     transistor.     



       Les    dessins ci-annexés représentent, à titre  d'exemple, diverses formes d'exécution de l'objet  de l'invention.  



  La     fig.    1 est un schéma d'un oscillateur, et  la     fig.    2 est un schéma de ce même oscillateur       modifié        pour    obtenir une modulation de fréquence  des oscillations engendrées.  



  Dans les     fig.    1 et 2, les éléments     similaires    et cor  respondants ont reçu les mêmes     références.     



  Dans la     fig.    1, l'oscillateur à transistor repré  senté comprend un transistor 10 ayant une élec  trode de     base    11, une électrode émettrice 12 et une  électrode     collectrice    13.  



  L'électrode     collectrice    13 est branchée par une  self 14 à une     borne    15 d'une source de tension (non  montrée sur le dessin) et par une capacité 16 direc  tement à l'électrode de base 11. L'électrode émettrice  12 est branchée par une résistance variable 17 à l'au  tre borne (18) de la source de     tension.     



  Les transistors peuvent être de n'importe quel type,       par    exemple     p-n-p    ou     n-p-n,    la polarité des tensions  appliquées et les     connexions    aux électrodes     étant     choisies en accord avec le type de transistor utilisé.

      Entre les bornes 15 et 18 de la source de tension,  il y a un diviseur de tension     comprenant    une pre  mière     résistance    19, une inductance 20 et une ré  sistance 21 connectés dans l'ordre donné     ci-dessus.     La jonction entre la résistance 19 et l'inductance 20  est connectée à l'électrode de base 11, et l'autre côté  de la résistance 19 est     connecté    à la même borne 15  de la source de     tension    que l'inductance 14.  



  La     résistance    21 peut être shuntée en partie ou  complètement au moyen d'un condensateur si on le  désire. En variant, cette résistance peut être remplacée  par la résistance     ohmique    de l'inductance 20. L'ar  rangement est tel que lors du     fonctionnement,    la  réaction     agissant    depuis l'électrode     collectrice    par  l'intermédiaire du condensateur 16 sur l'électrode  de base soit     suffisante    et dans la     direction    appro  priée pour     maintenir    les oscillations dans le circuit.  



       Approximativement,    la fréquence maximum des  oscillations avec un circuit tel que celui de la     fig.    1  est égale à  
EMI0001.0042     
         environ,    où     Ll    et L2 sont les inductances des bo  bines 14 et 20 et Cl est la capacité du     condensateur     16 (Cl étant grande par rapport à la capacité     collec-          teur-base    de 10).  



  La     résistance    variable 17, qui est     connectée    à  l'électrode émettrice 12 du     transistor,    peut être variée  pour changer la fréquence en dessous de la fréquence  maximum ceci     changeant    la capacité d'entrée de 10  et, dans un circuit réalisé, la variation de fréquence  atteinte allait de la fréquence maximum (pour R  très     grand)    à une     fréquence    approximativement égale  à la moitié de cette     fréquence    maximum.  



  La fréquence des oscillations engendrées peut  aussi être variée (mais dans un moindre degré), en      variant les valeurs des résistances du diviseur de ten  sion qui est branché à l'électrode de base et qui con  tient l'inductance 20.  



  La tension de sortie de l'oscillateur peut être pré  levée sur un point tel que l'électrode     émettrice    12 du  transistor 10 ou sur d'autres points convenables qui  seront apparents au spécialiste.  



  Pour     obtenir    une modulation de fréquence des  oscillations engendrées et ceci au moyen de tensions  de modulation à basse fréquence, par exemple, la ré  sistance variable 17 peut être remplacée par un élé  ment tel que le transistor 17' montré dans la fi-. 2.  



  Dans l'exemple montré dans la     fig.    2, le transistor  17' est du même genre que le transistor 10. L'élec  trode     collectrice    22 du second     transistor    17' est bran  chée à     l'électrode    émettrice 12 du premier trans  istor et l'électrode émettrice 23 du transistor 17'  est branchée à la borne 18 de la source de tension.

    Un autre     diviseur    de tension, comprenant deux ré  sistances 24 et 25 est     branché    aux     bornes    de la  source de     tension    et un point     intermédiaire    26 de  ce diviseur est branché par une     résistance    27 à  l'électrode de base 28 du     second    transistor 17'. De  cette manière l'électrode de base 28 du second trans  istor (17') est polarisée correctement et la résistance  du transistor 17' mesurée entre :ses électrodes émet  trice et collectrice est alors déterminée.

   En appliquant  un potentiel variable aux     bornes    de la résistance 27  qui est     disposée    en série avec le     circuit    de l'électrode  de base du     second    transistor (17'),

   la polarisation  de l'électrode de base et la résistance du transistor  17'     peuvent    être variées en     fonction        @de    la tension va  riable appliquée aux bornes de la résistance 27 et  par     conséquent    la fréquence des oscillations produites  peut être variée pour     réaliser    ainsi la modulation de  fréquence     désirée.    Cette tension variable peut être  appliquée à partir de deux bornes 29 et 30. D'autres  manières de varier le potentiel de l'électrode de base  du second transistor 17' seront apparentes au spé  cialiste.

   Par exemple, la résistance en série 27 pourrait  être remplacée par l'enroulement     secondaire    d'un  transformateur à basse fréquence (non montré sur le    dessin) la tension de modulation étant appliquée à  l'enroulement primaire de ce transformateur ; en va  riante     encore,    l'enroulement secondaire d'un tel trans  formateur pourrait être connecté aux bornes de la  résistance 27.  



  Il est entendu que d'autres éléments que des       transistors    peuvent être employés à la     place    de résis  tances variables ; ainsi un redresseur ou un élément       comme    une lampe électrique pourront produire des  résultats satisfaisants.

Claims (1)

1. REVENDICATION Oscillateur électrique à fréquence variable, carac térisé en ce qu'il présente un circuit de réaction dé terminant la fréquence des oscillations et compre nant l'impédance existant entre l'électrode de base et l'électrode émettrice d'un transistor et, pour permet tre de varier l'impédance d'entrée du transistor et par conséquent la fréquence des oscillations produites, un dispositif à résistance variable branché à l'électrode émettrice du transistor. SOUS-REVENDICATIONS 1.

   Oscillateur selon la revendication, caractérisé par une self connectée à l'électrode collectrice du transistor et par une autre self connectée à l'électrode de base du transistor. 2. Oscillateur selon la revendication, caractérisé en ce que le dispositif à résistance variable com prend un transistor et un circuit pour appliquer à ce transistor une tension de modulation afin de varier la conductance du transistor. 3.

   Oscillateur selon la revendication, caractérisé en ce que le dispositif à résistance variable comprend un tube électronique et un circuit pour appliquer à celui-ci une tension de modulation afin de varier la conductance de ce tube. 4. Oscillateur selon la revendication, caractérisé par un condensateur connecté entre l'électrode col lectrice et l'électrode de base, pour augmenter la capacité interne existant entre l'électrode collectrice et l'électrode de base.