CH390397A - Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halbleiteranordnungen mit mehreren Elektroden und mindestens einem p-n-Übergang - Google Patents

Description

  Verfahren zur     Oberflächenbehandlung    von Halbleiteranordnungen mit mehreren       Elektroden    und     mindestens        einem        p-n-Übergang       Gegenstand des Hauptpatentes ist ein Ver  fahren zur     Oberflächenbehandlung    von Halbleiteran  ordnungen, die mehrere Elektroden und mindestens  einen     p-n-übergang    haben, mit einem strömenden  Ätzmittel, bei dem die Strömungsgeschwindigkeit des  Ätzmittels durch eine Fremdkraft erhöht wird, welche  an der Oberfläche des Halbleiterelementes eine radial  nach aussen gerichtete Strömungskomponente erzeugt.

    Die vorliegende zusätzliche Erfindung besteht darin,  dass die     Fremdkraft    mittels Drehung der Halbleiter  anordnung erzeugt wird, wobei die Drehung der  Halbleiteranordnung durch ein strömendes Medium  hervorgerufen wird.  



  Dieser Antrieb bringt den Vorteil, dass der Elek  tromotor entfällt. Die bei dem     Atzverfahren    entste  henden Dämpfe bringen ausserdem erhöhte Korro  sionsgefahr für alle Metallteile und daher die Not  wendigkeit besonderer Abdichtung des Elektromo  tors, mit dessen Kühlluft auch dampfförmige Reste  des     Ätzmittels    angezogen werden; eine ausreichende  Abdichtung des Motors sowie der stromführenden       Anschlussteile    ist jedoch nur unter erheblichem Auf  wand möglich. Dieser Aufwand wird durch den Weg  fall des Elektromotors erspart.  



  Ein weiterer Vorteil des Antriebes     mittels    eines  strömenden     Mediums    lässt sich dadurch erzielen, dass  ein zur Abdeckung von solchen Teilen der Ober  fläche der Halbleiteranordnung oder seines Gehäuses,  die vor dem     Angriff    des     Ätzmittels    geschützt werden  sollen, bereits vorhandener     Flüssigkeits-    oder Gas  strahl durch geeignete Anordnung der vorhandenen  Düsen oder durch die Anordnung von zusätzlichen  Düsen zum Antrieb der Halbleiteranordnung ver  wendet werden kann.  



  Der     Flüssigkeits-    oder Gasstrahl wird dabei  zweckmässig so auf eine drehbare Unterlage des Halb-    Leiterelementes, beispielsweise eine rotationssymmetri  sche Spritzscheibe, gerichtet, dass sich eine Kompo  nente des     Strahldruckes    ergibt, welche ein Drehmo  ment auf die Unterlage ausübt. Zur Erhöhung des       Wirkungsgrades    wird die Unterlage des Halbleiter  elementes vorteilhaft mit     Schaufeln,    beispielsweise  ähnlich den Schaufeln von Turbinen, oder mit Ver  tiefungen versehen, gegen welche der Strahl gerichtet  wird.  



  In der Zeichnung sind als Ausführungsbeispiel       Ätzvorrichtungen,    mit denen das erfindungsgemässe  Verfahren in einfacher Weise durchgeführt werden  kann, im     Schnitt    dargestellt. Bei der Vorrichtung nach  den     Fig.    1 und 2 sind auf der Oberseite der Spritz  scheibe Schaufeln angeordnet; die Zuführung des an  treibenden Flüssigkeitsstrahles erfolgt dabei vorteil  haft von oben. Die     Fig.    3 und 4 stellen Teilschnitte  einer Vorrichtung mit seitlicher Zuführung des an  treibenden Flüssigkeitsstrahles und Vertiefungen in  der Spritzscheibe dar.  



       Fig.    1 zeigt eine     Vorrichtung,    mit der ein Halb  leiterelement, in diesem Falle ein Flächentransistor,  geätzt werden kann. Der Transistor hat einen Basis  körper 2, beispielsweise aus     p-leitendem        Silizium,     und auf dessen Unterseite einen Kollektor 3, der bei  spielsweise durch     Einlegieren    einer     antimonhaltigen          Goldfolie    hergestellt ist.

   Auf der Oberseite befindet  sich ein ebenso     hergestellter        ringförmiger        Emitter    4  sowie zwei sperrfreie Basiskontakte, ein scheibenför  miger 5 und ein     ringförmiger    6, welch letztere durch       Einlegieren    von     Aluminiumfolien    hergestellt sein kön  nen. Da der     p-n-übergang    des Kollektors an der  Oberseite hochgezogen ist, kann er gemeinsam mit  den     p-n-übergängen    dies     Emitters    geätzt werden.

   Auf  der Unterseite des     Halbleiterelementes    ist eine Grund  platte 7, beispielsweise aus     Molybdän,    aufgelötet, die      ihrerseits am Gehäuseunterteil 8 befestigt     ist.    Das Ge  häuseunterteil 8 ist     mittels    des zentral angebrachten       Gewindebolzens    9 auf eine Welle 10 aufgeschraubt,  welche in einer Bohrung der Grundplatte 11 im  Gleitsitz geführt wird und deren freies Ende als  Gleitlager dient.

   Auf der Welle 10 ist eine     Spritz-          scheibe    12 angeordnet, welche die Form einer     Ku-          gelkalotte    hat und auf deren Oberseite die     Schaufeln     13 für den Flüssigkeitsstrahlantrieb sitzen.

   Ein Auf  fangraum für die     Ätzflüssigkeit    des Antriebsstrahles       wird    gebildet von der Grundplatte 11, in welcher  eine ringförmige Rille 14 und eine     Ablaufbohrung   <B>15</B>  ausgespart sind, und einer Kappe 16, deren Ober  seite eine zentrale Öffnung 17     aufweist.    Durch die  Öffnung 17 hindurch kann ein Rohr 18 mit einer       düsenförmigen        Ausflussöffnung    auf das zu behan  delnde Halbleiterelement gerichtet werden, durch  welches ein strömendes     Ätzmittel,    insbesondere eine       Ätzflüssigkeit,        strahlförmig    zur Wirkung gebracht  werden.

   Die Gehäusewand des Halbleiterelementes  kann vor dem     Angriff    des     Ätzmittels    geschützt wer  den, indem durch     eine    Düse in der Stellung 19 ein       Spülmittel,    z. B.     destilliertes    Wasser, zugeführt wird.

    Durch eine oder auch mehrere     zusätzliche    Düsen 20,  welche     vorzugsweise    durch die Öffnung 17, jedoch  auch durch die Oberseite der Kappe 16     hindurch-          geführt    werden können, wird ein Flüssigkeitsstrahl,  beispielsweise ein     Wasserstrahl,    auf die     Schaufeln    13  gerichtet,     womit    das Halbleiterelement in Drehung       versetzt    werden kann.

   Alle Teile der     Vorrichtung,     welche mit dem     Ätzmittel    in     Berührung    kommen kön  nen, werden zweckmässig aus einem gegen den An  griff des     Atzmittels    widerstandsfähigen Kunststoff her  gestellt.  



       Fig.    2 zeigt in einer Draufsicht (Schnitt     1-I    der       (Fig.    1) die     Richtung    der Düsen 20 für den Antriebs  strahl sowie die Anordnung der     Schaufeln    13 auf  der     Oberfläche    der     Spritzscheibe    12.  



       In.        Fig.    3 ist ein Ausführungsbeispiel veranschau  licht, bei dem die     Spritzscheibe    12 mit Vertiefungen  32 nach Art eines     Peltonrad#es    versehen ist. Eine  oder mehrere Düsen 31 für die     Zuführung    des An  triebsflüssigkeitsstrahles sind durch die     Seitenwände     der Kappe 16 vorzugsweise angenähert     tangential    auf    die     Spritzscheibe    12 gerichtet     und    leiten den Flüssig  keitsstrahl in die Vertiefungen.  



       Fig.    4 zeigt in einem waagrechten Schnitt     H-H     durch den     in.        Fig.    3     dargestellten    Teil einer     Vorrich-          tung    die     Anordnung    der     Vertiefungen    32 in der  Spritzscheibe sowie die Anordnung der Düsen 31.  



  Die     Möglichkeiten    zur     Anordnung    der Düsen  sowie zur Ausgestaltung der Spritzscheibe sind nicht  auf die dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt.       Vielmehr    können beispielsweise auch an den Seiten  flächen der     Spritzscheibe        Schaufeln    angeordnet oder  auch an der Oberseite statt der     Schaufeln        Vertie-          fungen        eingefräst    werden.  



  Eine     ähnliche    Antriebswirkung wie mit     einem     Flüssigkeitsstrahl wird auch erzielt, wenn durch die  Düsen 20 bzw. 31 Druckgas statt einer Flüssigkeit  zugeführt wird.

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Halb leiteranordnungen, die mehrere Elektroden und min destens einen p-n-Übergang haben, nach dem Patent anspruch des Hauptpatentes, dadurch gekennzeich net, dass die Fremdkraft mittels Drehung der Halb leiteranordnung erzeugt wird, wobei die Drehung der Halbleiteranordnung durch ein strömendes Medium hervorgerufen wird. UNTERANSPRÜCHE 1.

   Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Drehung durch das gleiche Medium hervorgerufen wird, das auch zur Abdek- kung nicht zu ätzender Teile verwendet wird. 2. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass das strömende Medium gegen eine drehbare Unterlage der Halbleiteranordnung ge schleudert wird. 3. Verfahren nach Unteranspruch 2, dadurch ge kennzeichnet, d'ass das strömende Medium gegen an der drehbaren Unterlage des Halbleiterelementes an gebrachte Schaufeln geschleudert wird.