CH391107A - Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial

Info

Publication number
CH391107A
CH391107A CH105861A CH105861A CH391107A CH 391107 A CH391107 A CH 391107A CH 105861 A CH105861 A CH 105861A CH 105861 A CH105861 A CH 105861A CH 391107 A CH391107 A CH 391107A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor material
doping semiconductor
doping
semiconductor
Prior art date
Application number
CH105861A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr Keller
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH391107A publication Critical patent/CH391107A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
CH105861A 1958-06-14 1961-01-30 Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial CH391107A (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES58617A DE1128048B (de) 1958-06-14 1958-06-14 Verfahren zur p- bzw. n-Dotierung von Silizium fuer Halbleiteranordnungen
DES67834A DE1132663B (de) 1958-06-14 1960-03-31 Verfahren zur p- bzw. n-Dotierung von Silizium fuer Halbleiteranordnungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH391107A true CH391107A (de) 1965-04-30

Family

ID=25995536

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH7412659A CH371520A (de) 1958-06-14 1959-06-08 Verfahren zur Dotierung von Silizium für Halbleiteranordnungen
CH105861A CH391107A (de) 1958-06-14 1961-01-30 Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH7412659A CH371520A (de) 1958-06-14 1959-06-08 Verfahren zur Dotierung von Silizium für Halbleiteranordnungen

Country Status (5)

Country Link
CH (2) CH371520A (de)
DE (2) DE1128048B (de)
FR (2) FR1226342A (de)
GB (2) GB892445A (de)
NL (3) NL240106A (de)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99619C (de) * 1955-06-28
DE1029939B (de) * 1955-06-27 1958-05-14 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystemen

Also Published As

Publication number Publication date
DE1132663B (de) 1962-07-05
FR1226342A (fr) 1960-07-11
NL261580A (de) 1900-01-01
NL113666C (de) 1900-01-01
NL240106A (de) 1900-01-01
GB963136A (en) 1964-07-08
DE1128048B (de) 1962-04-19
FR79757E (fr) 1963-01-25
CH371520A (de) 1963-08-31
GB892445A (en) 1962-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH366163A (de) Verfahren zum automatischen Erkennen von Zeichen
CH425738A (de) Verfahren zur Gewinnung von kristallinem Halbleitermaterial
CH418640A (de) Verfahren zum Härten von Epoxyden
CH378881A (de) Verfahren zur Herstellung von Steroidverbindungen
CH378869A (de) Verfahren zur Herstellung von Inklusionsverbindungen
CH387410A (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleiterkörpern und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
CH382156A (de) Verfahren zur Herstellung von Steroidverbindungen
CH387450A (de) Verfahren zur Herstellung von Lichtpausmaterial
CH419773A (de) Verfahren zur Grünpatinierung von Gegenständen
CH401475A (de) Verfahren zum Härten von Epoxyden
CH367898A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
CH387025A (de) Verfahren zur Herstellung von Steroidverbindungen
CH391107A (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial
CH376103A (de) Verfahren zur Herstellung von Steroidverbindungen
CH371845A (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen
CH378537A (de) Verfahren zum Härten von Epoxyden
CH377345A (de) Verfahren zur Herstellung von Steroidverbindungen
CH346294A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitergleichrichtern
CH404339A (de) Verfahren zur gleichzeitigen und gleichmässigen Dotierung
CH445460A (de) Verfahren zur Dotierung eines Halbleitermaterials
CH358867A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH370367A (de) Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Geweben
CH377808A (de) Verfahren zur Herstellung von Steroidverbindungen
CH386845A (de) Verfahren zur Retusche von transparenten Vorlagen
AT232048B (de) Verfahren zur Reinigung von legierten pn-Übergängen