CH403851A - Elektronische Schalteinrichtung - Google Patents

Elektronische Schalteinrichtung

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CH403851A
CH403851A CH811763A CH811763A CH403851A CH 403851 A CH403851 A CH 403851A CH 811763 A CH811763 A CH 811763A CH 811763 A CH811763 A CH 811763A CH 403851 A CH403851 A CH 403851A
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transistor
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busbar
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CH811763A
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Johannes Dr Schaffner
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Johannes Dr Schaffner
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/2893Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description


      Elektronische        Schalteinrichtung       Als elektronische     Schalter    bezeichnet man elektro  nische Bauteile mit     ,einer    Steuerelektrode :und zwei  Ausgangselektroden. Durch     ein    an die Steuerelektrode  angelegtes elektrisches Signal wird der elektronische  Schalter entweder in den leitenden oder in den nicht  leitenden Zustand versetzt. Aus solchen elektronischen  Schaltern können Steuerschaltungen aufgebaut wer  den, die in ihren     Funktionen    den Steuerschaltungen,  die aus elektromechanischen Relais aufgebaut sind,  ähnlich sind. Ein Beispiel eines solchen elektronischen  Schalters ist der Transistor.

   Dabei sind     Emitter    und  Kollektor die     Ausgangselektroden,    und die     Basis    ist  die Steuerelektrode.  



  In einer     ,Steuerschaltung    sind     @die    elektronischen  Ausgangsschalter verschiedener Schaltvorrichtungen  so miteinander gekoppelt, dass sich diese Schalter  entweder im leitenden .oder im nichtleitenden     Zustand     befinden, wobei unter dem leitenden Zustand der  gesättigte Zustand zu verstehen ist.  



  Es ist bekannt, elektronische Schalteinrichtungen       mit    mehreren elektronischen Schaltern, z. B. Transi  storen, als logische Schaltelemente zu bauen, indem  ,die Bauteile eines     logischen    Schaltelementes zwischen  eine .negative und eine positive     Speisesammelschiene,     allenfalls zur besseren     Temperaturstabilisierung    und  leichteren Ableitung von Restströmen auch zwischen  eine negative und zwei positive     Speisesammelschienen     unterschiedlichen Potentials angeschlossen sind, um  solche logische Schaltelemente zu Netzwerken mit  vielen und verzweigten Schaltfunktionen zusammen  setzen zu können.

   Bei solchen logischen Schaltele  menten liegt üblicherweise die     Emitterelektrode    des       Eingangstransistors    direkt an der einen     Speisesammel-          schiene.     



  Die elektronischen Schalter ,bedürfen eines. wohl  definierten Eingangssignals, um ihren     Schaltzustand.       zu ändern. Ein solches Eingangssignal ist oft     nicht    er  hältlich, sondern häufig steht nur eine .auf und ab  schwankende Spannung zur Verfügung, die beim  Überschreiten eines Grenzwertes eine     Schaltfunktion     .auslösen soll.

   Eine     schwankende    Steuerspannung hat  aber nur eine     Schwankung    des     Kollektorstromes     eines     Transistors    zur Folge und     führt    nicht sprung  haft vom sperrenden     in    den     gesättigten    Zustand, oder       umgekehrt.    Um einen rascheren bzw. kippenden über  gang von einem     Schaltzustand    in ,den .anderen zu  erreichen,     sind    mehrere Transistoren in     Triggerschal-          tung    erforderlich.  



  Eine bekannte Schaltvorrichtung     ,dieser    Art ist  z. B. der     Schmitt-Trigger,    bei welchem zwei Transi  storen     mit    gleicher     Halbleiterschichtung    so ,gekoppelt  sind, dass die beiden     Emitter    durch einen gemein  samen Widerstand mit     ider    einen     Speisesammelschiene     verbunden sind und der Kollektor des ersten Transi  stors galvanisch mit der Basis     des        zweiten    Transi  stors verbunden ist, und es kann erreicht werden,

    dass beim Ändern der     Basisspannung    des ersten Tran  sistors bei einem gewissen Schwellenwert der zweite       Transistor    seinen     Schaltzustand    rasch ändert. Da  aber die     Kollektorelektrode    des zweiten Transistors  auch im     :

  gesättigten    Zustand     .gegenüber    der einen       Speisesammelschiene    ein Potential aufweist, das     min-          destens        einem    der Schwellenwerte     ,gleich    ist, ist es  nur schwer     möglich,    ein anderes logisches     Schalt-          element    mit einem Transistor von gleicher Halb  leiterschichtung, dessen     Emitterelektrode        wie    üb  lich direkt mit einer     Speisesammelschiene    verbun  den ist, so mit einem bekannten     Trigger,    z. B.

         Sehmitt-Trigger,    zu     koppeln,    dass dieser nachfolgende       Transistor    sich nur im     :sperrenden    oder gesättig  ten Zustand befindet und ungesättigte     Leitzustände     ausgeschlossen sind.      Die Erfindung will diese Schwierigkeit beheben.

    Sie betrifft eine     elektronische    Schalteinrichtung mit  zwei     hintereinander    geschalteten Transistoren in       Gleichstromverstärkerschaltung,    mit einer     positiven     und einer negativen     Speisesammelschiene    und je  einem Widerstand zwischen einem     Emitter    und einer       Speisesammelschiene,    welche dadurch gekennzeich  net ist, dass die beiden Transistoren komplementäre  Schichten aufweisen und der     Emitter    des     einen    Tran  sistors über einen Widerstand mit dem     Emitter    des  andern Transistors verbunden ist.

     Durch diese Massnahme     wird    ein     Trigger    erhal  ten mit zwei Schwellwerten für das     Eingangssignal,          so,dass    beim Überschreiten ,des oberen     Schwellwertes     der zweite Transistor vom gesperrten in den gesättig  ten Zustand kippt und den ersten Transistor so  lange im gesättigten Zustand hält, bis .das Eingangs  signal einen unteren Schwellwert unterschreitet, wobei  beide Transistoren     in    den gesperrten Zustand kippen.

    Die ein- und ,auszuschaltende Last kann     vorteil-          hafterweise        zwischen    den     Kollektor    des zweiten Tran  sistors und eine     Speisesammelschiene        .angeschlossen     werden.

   Insbesondere ermöglicht die     erfindungsge-          mässe    Schaltung, für den Ausschluss eines logischen  Schaltelementes einen dritten Transistor vorzusehen,  dessen     Emitter    direkt an der     einen        Speisesammel-          schiene        liegt    und ,dessen Basis ,an den     Kollektor-          ,kreis    des     zweiten    Transistors .angeschlossen ist.  



  Ausführungsbeispiele der     Erfindung    werden an  hand der Zeichnung näher     erläutert.    In der Zeichnung  zeigt:       Fig.    1 ein Schaltschema oder Schalteinrichtung  zum Schalten einer Last,       Fig.    2 ein Schaltschema der Schalteinrichtung  mit einem Ausgang für eine nachfolgende     logische     Schaltstufe,       Fig.    3     die        Eingangscharakteristik.     



  Gemäss dem Schema     Fig.1    hat die Schalteinrich  tung zwei Transistoren mit     komplementärer        Halb-          leiterschichtung,    und zwar einen     ersten        Transistor          T1        mit        PNP-Schichtung    und     .einen        zweiten    Transi  stor T2 mit     NPN-Schichtung.    Die Basis des Tran  sistors     T1    liegt an der Eingangsklemme 4.

       Sein          Emitter    liegt über einen Widerstand 5 ,an der posi  tiven     Speisesammelschiene    12. Sein Kollektor ist  über einen Widerstand 6 mit der Basis des zweiten       Transistors    T2 verbunden. Der     Emitter    dieses Tran  sistors liegt über einen Widerstand 7 an der nega  tiven     Speisesammelschiene    13 und ist durch einen  Widerstand 9     mit    dem     Emitter    (des     ersten    Transi  stors verbunden.

   Die Last 8 ist     zwischen    den     Köllek          tor    des     zweiten        Transistors    und die positive Speise  sammelschiene 13 geschaltet.  



  Der Widerstand 6 ist nicht eigentlich notwen  dig, aber     vorteilhaft    und dient zur     Verminderung     der     Kollektorspannung    des Transistors     T1.    Ebenfalls       nicht        eigentlich        notwendig,    :aber     vorteilhaft        ist    die  Basis, des ersten Transistors     T1    über einen Wider  stand 10 mit der positiven     Speisesammelschiene     12 verbunden, der den Transistor     T1    in     sperrender       Stellung hält, wenn die Eingangsklemme offen ist.

   Ein       weiterer    Widerstand 11 ist vorteilhaft, der die Basis  des Transistors T2     mit    der negativen     Speisesammel-          schiene    13 verbindet und den Reststrom des Tran  sistors     Tl    zur negativen     Speisesammelschiene    13 ab  führt.  



  Wenn-     die.    Eingangsspannung klein ist, sind beide  Transistoren gesperrt. Wenn sich die Spannung einem  oberen     Schwellenwert        Vo    nähert, fängt der Tran  sistor<I>T1</I> zu leiten an, :aber der Transistor<I>T2</I> bleibt  noch sperrend.

   Wenn die Spannung den     Schwell-          wert        Vo    überschreitet, werden beide Transistoren  gesättigt.     Sinkt,die    Spannung wieder, und zwar gegen  einen unteren Schwellwert     Voo,    so     nimmt    die Sätti  gung     ides        Transistors        T1    wieder ab, aber die     Sätti-          bgung    des Transistors T2 ,bleibt erhalten, bis die Ein  gangsspannung den unteren Schwellwert     Voo    unter  schreitet,     wodurch    der erste Transistor und in der  Folge ,

  auch der zweite Transistor in den gesperrten  Zustand tritt.  



  Der obere     Schwellwert    ist:  
EMI0002.0104     
    Der untere Schwellwert ist:  
EMI0002.0105     
    Die Eingangscharakteristik ist aus     Fig.    3 ersicht  lich.  



  Die Schalteinrichtung gemäss dem Schema       Fig.    2 hat einen     PNP-Ausgangstransistor    T3, dessen       Emitter        idirckt    mit der positiven     Speisesammelschiene     12 verbunden .ist und dessen Kollektor :direkt ,an der       Ausgangsklemme    14 liegt.

   Die     Basis    des     Transi-          stors    T3 ist über einen Widerstand 15 mit     denn     Kollektor des     Transistors    T2 und über einen Wider  stand 16 mit einer zweiten positiven     Speisesammel-          schiene    18, mit höherem Potential als die     Speisesam-          melschiene    12, das durch zwei     hintereinanderliegende     Dioden 17 erzeugt wird, angeschlossen.

   An die Aus  gangsklemme     kanndirekt    ein weiteres logisches  Schaltelement .angeschlossen     werden.    Der Transistor  T3 arbeitet genau im Takt des Transistors T2.     Diese     beiden Transistoren haben komplementäre Halbleiter  schichtung.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Elektronische Schalteinrichtung mit zwei hinter einander geschalteten Transistoren in Gleichstrom verstärkerschaltung mit einer positiven und einer negativen Speisesammelschiene und je einem Wider stand zwischen einem Emitter und einer Speise sammelschiene,dadurch gekennzeichnet, dass die bei ,den Transistoren komplementäre Schichtung .aufwei sen und (der Emitter des einen Transistors über einen Widerstand mit dem Emitter des :andern Transistors verbunden ist.
    UNTERANSPRÜCHE 1. Elektronische Schalteinrichtung nach P,atent- anspruch, dadurch gekennzeichnet, @dass die Last @an die eine Speisesammelschiene und den Kollektor des zweiten Transistors angeschlossen ist.
    2. Elektronische Schalteinrichtung nach Patent anspruch, mit einem Ausgang für eine nachfolgende logische Schaltstufe, dadurch gekennzeichnet, dass ein ,
    dritter Transistor mit komplementärer Schichtung zum zweiten Transistor mit seinem Emitter direkt an der .einen Speisesammelschiene liegt und seine Basis an Aden Kollektorkreis des zweiten Transi stors angeschlossen ist.
CH811763A 1963-06-28 1963-06-28 Elektronische Schalteinrichtung CH403851A (de)

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