CH409022A - Gleichstromgekoppelter Transistorverstärker - Google Patents

Description

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 Gleichstromgekoppelter    Transistorverstärker   Die Erfindung    betrifft   einen mehrstufigen gleichstromgekoppelten Transistorverstärker, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass derselbe nur eine einzige    Speisestromquelle   aufweist und dass alle Transistoren gleiche Zonenfolge aufweisen und galvanisch miteinander gekoppelt sind. Es können alle    Transisto-      ren   entweder    NP-Transistoren   sein, oder es können desgleichen alle    NPN-Transistoren   sein. Zur Stabilisation können sowohl temperaturabhängige als auch temperaturunabhängige    Widerstände   verwendet werden. 



  Die Nachteile bei bisher bekannten betriebsstabilen gleichstromgekoppelten    Transistorenverstärkern   waren, dass dieselben mehr als eine    Speisestromquelle   benötigen und dass bei denselben ein Aufbau mit Transistoren wechselnder Zonenfolge    erforderlich   war. 



  Der Zweck dieser Erfindung ist, die angeführten Nachteile zu beheben. 



  Anhand der Zeichnung werden    Ausführungsbei-      spiele   der    Erfindung   beschrieben. 



     Fig.   1 zeigt einen Transistorverstärker, bei    dem   die    Arbeitswiderstände   R1 R4 temperaturabhängig sind. 



  Hierbei sind die Arbeitswiderstände so bemessen, dass die Ströme gegen den Ausgang der Kaskade ansteigen. Sind die    Charakteristiken   der temperaturanhängigen Widerstände den Transistoren angepasst, so arbeitet diese einfache Schaltung über den    Zim-      mertemperaturbereich      hinaus   einwandfrei. Auch der Widerstand R 15 kann durch einen temperaturabhängigen Widerstand gebildet sein. 



  Je nach der    Zonenfolge   der    Transistorenkaskade   werden Widerstände einen negativen oder    einen   positiven Temperaturkoeffizienten aufweisen. 



     Fig.2   zeigt einen    dreistufigen,   erfindungsgemäss    ausgebildeten   Verstärker, welcher aus der    Fig.   1 hervorgeht und durch    Stabilisations-   und    Gegenkopplungszweige   erweitert ist. Hierbei sind alle    Widerstände      temperaturunabhängig.   Die    strichlierten   Schaltelemente und Verbindungen können wahlweise weggelassen oder kurzgeschlossen werden.    R1   bis    R9      sind   Arbeitswiderstände. Dieselben können in den ihnen zukommenden Stufen einzeln oder    mehrfach   vorkommen. So kann z.

   B. in der ersten Stufe der    Fig.   2 anstelle von    R1,   R4,    R7   auch nur einer dieser drei Widerstände die Gesamtfunktion als Arbeitswiderstand übernehmen. Die Anordnung der Arbeitswiderstände richtet sich auch nach der Zonenfolge der    verwendeten   Transistoren, ob es sich    gesamthaft   um    PNP-   oder    NPN-Transistoren   handelt. Die Widerstände    Rio   bis    R20      in      Fig.   2 dienen zur Stabilisation bzw. Gegenkopplung. 



  Nach    Fig.   1 und    Fig.   2 lassen sich    stabilisierte      gleichstromgekoppelte      Transistorenverstärker   in beliebiger Stufenzahl aufbauen, wobei    die   Stromzunahme von den    Widerstandsverhältnissen   und von ,den    Querschnitten   der    Halbleiterelemente   abhängig ist. 



  Die    Fig.   3 zeigt einen    dreistufigen      erfindungs@   gemäss    ausgebildeten   Verstärker mit einem verhältnismässig    niederohmigen   Eingangswiderstand    ZE.   



  Die    Fig.4,      ähnlich   der    Fig.   3, zeigt einen Verstärker mit    einem   verhältnismässig    hochohmigen   Eingangswiderstand    ZE.   



  Die Schaltung in    Fig.   5 zeigt einen stabilen, zweistufigen, erfindungsgemäss    ausgebildeten   Verstärker für Niederfrequenzen.    Seine   Merkmale sind: hoher Verstärkungsgrad, guter    Frequenzgang   und sparsamer Aufbau. Die Ausgangsimpedanz    R2,   Z kann entweder ein rein    ohmischer   Widerstand sein oder eine    komplexe      Impedanz,   je nach dem    Verwendungs-      zweck   und dem zu verstärkenden Frequenzbereich.

   Der    Anschlusspunkt   des    Gegenkopplungszweiges   mit 

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    R14,      Rls      richtet   sich    darnach,   wo der Ausgangspunkt der Gegenkopplung    liegt,   d. h. ob noch weitere Stufen nachfolgen oder nicht. 



  Die    Fig.   6 ist schaltungsmässig ähnlich der    Fig.   5. Dieselbe ist bei der Wahl von entsprechenden SpitzenTransistoren und von entsprechenden komplexen Impedanzen für    Hochfrequenzverstärkung      geeignet.   



  Die    Fig.   7 und 8 sollen    veranschaulichen,   dass schaltungsmässig angestrebt wird, die einzelnen Transistorenkristalle unmittelbar benachbart zueinander anzuordnen, -so dass dieselben auch    thermisch   auf engstem Raum    zueinander   liegen und alle    Transisto-      renkristalle   der gleichen Temperatur    ausgesetzt   sind. 



  Die zu verwendenden Spannungen der Speisestromquellen bei den einzelnen Schaltungsbeispielen können minimal unter 1 Volt und maximal über 50 Volt liegen. 



  Die    Schaltungsbeispiele   zeigen    PN-Transistoren:   im    Falle   von    NPN-Transistoren      ändern   die Polarität der Speisespannung und die Lage der    Arbeitswider-      stände.  

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH Mehrstufiger gleichstromgekoppelter Transistorverstärker, dadurch gekennzeichnet, dass derselbe nur eine einzige Speisestromquelle aufweist und dass alle Transistoren gleiche Zonenfolge aufweisen und galvanisch miteinander gekoppelt sind. UNTERANSPRÜCHE 1. Transistorenverstärker nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Arbeitswiderstände der Transistoren mindestens zum Teil zwecks zusätzlicher Temperaturstabilisierung durch temperaturabhängige Widerstände gebildet sind. 2. Transistorenverstärker nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gegenkopplung vorgesehen ist.