CH422728A - Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus einem strömenden Gemisch einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials und eines gasförmigen Reaktionsmittels - Google Patents

Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus einem strömenden Gemisch einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials und eines gasförmigen Reaktionsmittels

Info

Publication number
CH422728A
CH422728A CH113362A CH113362A CH422728A CH 422728 A CH422728 A CH 422728A CH 113362 A CH113362 A CH 113362A CH 113362 A CH113362 A CH 113362A CH 422728 A CH422728 A CH 422728A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor material
gaseous
deposition
flowing mixture
compound
Prior art date
Application number
CH113362A
Other languages
English (en)
Inventor
Konrad Dr Reuschel
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH422728A publication Critical patent/CH422728A/de

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65BMACHINES, APPARATUS OR DEVICES FOR, OR METHODS OF, PACKAGING ARTICLES OR MATERIALS; UNPACKING
    • B65B39/00Nozzles, funnels or guides for introducing articles or materials into containers or wrappers
    • B65B39/06Nozzles, funnels or guides for introducing articles or materials into containers or wrappers adapted to support containers or wrappers
    • B65B39/08Nozzles, funnels or guides for introducing articles or materials into containers or wrappers adapted to support containers or wrappers by means of clamps
    • B65B39/10Nozzles, funnels or guides for introducing articles or materials into containers or wrappers adapted to support containers or wrappers by means of clamps operating automatically
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
CH113362A 1961-04-25 1962-01-30 Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus einem strömenden Gemisch einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials und eines gasförmigen Reaktionsmittels CH422728A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES73645A DE1206261B (de) 1961-04-25 1961-04-25 Vorrichtung zur Abscheidung reinsten Halbleiter-materials aus einem stroemenden Gemisch einer gasfoermigen Verbindung, vorzugsweise eines Halogenids, des Halbleitermaterials und eines gasfoermigen Reaktionsmittels

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH422728A true CH422728A (de) 1966-10-31

Family

ID=7504069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH113362A CH422728A (de) 1961-04-25 1962-01-30 Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus einem strömenden Gemisch einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials und eines gasförmigen Reaktionsmittels

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE616861A (de)
CH (1) CH422728A (de)
DE (1) DE1206261B (de)
GB (1) GB960035A (de)
NL (1) NL275555A (de)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1061593B (de) * 1956-06-25 1959-07-16 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke

Also Published As

Publication number Publication date
DE1206261B (de) 1965-12-02
NL275555A (de)
GB960035A (en) 1964-06-10
BE616861A (fr) 1962-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH442733A (de) Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus einem vernetzbaren Gemisch
CH414558A (de) Vorrichtung zur Abscheidung von Schwebstoffen aus Gasströmen
AT239592B (de) Mischung zur Regelung des Wachstums von Pflanzen
AT250255B (de) Vorrichtung zur automatischen und dosierten Zuführung von pulverförmigem Material
CH406779A (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Körper aus Halbleitermaterial
DE1928670B2 (de) Vorrichtung zur herstellung und abgabe einer aus wenigstens zwei fluessigkeiten bestehenden mischung
CH383340A (de) Vorrichtung zur Abscheidung von Flüssigkeitstropfen aus einem Gasstrom
CH399735A (de) Vorrichtung zur Formung eines Stranges aus Spänen
CH416157A (de) Ultramikroanalysiergerät zum Messen des C-H-N-Anteils eines physikalischen Gemisches oder einer chemische Verbindung
CH486257A (de) Verfahren zur selektiven Absonderung von Komponenten aus einem fliessfähigen Gemisch
CH422728A (de) Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus einem strömenden Gemisch einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials und eines gasförmigen Reaktionsmittels
CH416563A (de) Verfahren zum Abtrennen der Flüssigkeit aus einem Gas-Flüssigkeitsgemisch und Vorrichtung hierfür
CH408893A (de) Verfahren zur Abtrennung von Trimethylphosphit aus einem Trimethylphosphit, zur Herstellung des Trimethylphosphits verwendete Ausgangsstoffe und Nebenprodukte enthaltenden Reaktionsgemisch
CH390969A (de) Einrichtung zum Ausfrieren von Bestandteilen aus einem Gasgemisch
CH456552A (de) Verfahren zur Abtrennung von Ammoniak aus einer gasförmigen Mischung
AT308056B (de) Verfahren zur Gewinnung von Acetylen und Äthylen aus einem Gasgemisch
CH370104A (de) Einrichtung zum Abtrennen von Bestandteilen aus einem Gas- und/oder Dampfgemisch durch Abkühlung des Gemisches
AT242672B (de) Vorrichtung für die Trennung von Bestandteilen aus einem Gasgemisch
AT254577B (de) Vorrichtung zur Regulierung der Menge des ausströmenden Gases eines Feuerzeuges
AT269088B (de) Verfahren zur gemeinsamen Abtrennung von Acetylen und Äthylen aus Spaltgasen
AT239812B (de) Verfahren zur Gewinnung von reinem Ammoniakgas (98% und höher) aus Ammoniakwasser
CH388268A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen von mindestens einer gasförmigen Komponente aus einem Gasgemisch
AT245150B (de) Verfahren zur Abtrennung von Acetylen aus Gasgemischen
FR1318477A (fr) Procédé de décomposition d'un mélange gazeux à bas point d'ébullition
CH385260A (de) Verfahren zur Zerlegung eines tiefsiedenden Gasgemisches