CH430025A - Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen und Vakuumanlage zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen und Vakuumanlage zur Durchführung des VerfahrensInfo
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Description
Zusatzpatent zum Hauptpatent Nr. 36'7 269 Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen und Vakuumanlage zur Durchführung des Verfahrens Das Hauptpatent betrifft ein Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen mit einem Rezipienten, der zwecks Beschickung und Entnahme der im Vakuum zu behandelnden Gegenstände geöffnet werden kann und in den, während er in geöffnetem Zustand mit dem Aus senraum in Verbindung steht, ständig ein Strom trocke nen Gases eingeblasen wird,
dessen Feuchtigkeitsgehalt geringer als derjenige des Aussenraumes ist. Die vorlie gende Erfindung hat ein spezielles Verfahren zur Bereit stellung eines trockenen Gases zum Gegenstand, welches extremsten Anforderungen hinsichtlich des im Hauptpa tent angegebenen Zweckes entspricht.
Im Hauptpatent wurde bereits dargelegt, dass grund sätzlich alle genügend trockenen Gase verwendet wer den können, sofern sie mit den zu behandelnden Gegen ständen und den Anlageteilen chemisch verträglich sind. Es genügt häufig, vorgetrocknete Luft einzublasen. Wei ter wurde erläutert, dass mit der Wahl des Spülgases sich gleichzeitig noch andere bekannte technologische Zwecke verbinden lassen. In Anlagen, in denen oxyda- tive Prozesse durchgeführt werden sollen, kann man z. B. 02 einblasen. In anderen Fällen wird man N2, Argon oder andere als Neutralgase bekannte Gase ver wenden.
Das Einblasen kann durch die bei den meisten Anlagen bereits vorhandenen sogenannten Flutventile erfolgen, indem diese mit einer Quelle trockenen Gases verbunden werden. Z. B. kann ein Druckgasbehälter, zusammen mit einem Ventil und der Rezipientenglocke zu einer baulichen Einheit verbunden werden. Zur Aus führung es Verfahrens können im Innern des Rezi pienten Begasungsdüsen angebracht werden, die von einer äusseren Gasquelle durch eine Zuleitung gespeist werden und auf die öffnung zu gerichtet sind, über wel che der Rezipient in geöffnetem Zustand mit,dem Aus senraum in Verbindung steht.
Es wurde gefunden, dass, wenn in einer Vakuuman lage ein sehr hohes Vakuum, etwa ein Ultrahochvakuum in der Grössenordnung von 10-$ Torr erzeugt werden soll, die üblichen Trockengasquellen, wie Trockenvor richtungen für Luft oder Gase aus Druckgasbehältern nicht mehr genügen.
Dies erklärt sich dadurch, dass selbst geringste Spuren von Feuchtigkeit, die trotz scharfer herkömmlicher Trocknung im Spülgas vorhan den sind oder von den Innenwänden eines Druckgasbe hälters herrühren können, bei Drücken im Ultrahochva- kuumbereich volumenmässig gesehen noch sehr grosse Gasmengen ergeben.
1 mm3 Wasser etwa, das auf diese Weise in den Rezipienten gelangt und bei 10-3 Torr abgepumpt werden müsste, bedeutet bereits ein Wasser dampfvolumen von nahezu 100 m3. Dieses Beispiel zeigt, dass in der Ultrahochvakuumtechnik extreme An forderungen an den Trockenheitsgrad des Spülgases ge stellt werden müssen. Trockeneinrichtungen, welche sol chen Anforderungen genügen, sind nicht bekannt oder wären auf jeden Fall sehr kostspielig. Die Erfindung weist nun einen Weg, wie das Verfahren des Hauptpa tentes auch in den erwähnten schwierigen Anwendungs fällen verwirklicht werden kann.
Erfindungsgemäss wird vorgeschlagen, dass für den im Hauptpatent angegebenen Zweck der Rezipient mit tels Pumpen evakuiert wird und ein aus seiner verflüs sigten Phase heraus durch Verdampfen frisch gewonne nes Gas in den Rezipienten eingelassen wird, wobei das eingelassene Gas aus dem geöffneten Rezipienten heraus nach dem Aussenraum abfliesst. Es empfiehlt sich, die Temperatur des verflüssigten Gases während der Ver dampfung niedriger zu halten als die Temperatur, bei welcher in dem verflüssigten Gas etwa eingeschlossene Spuren von Wasser einen Sättigungsdampfdruck aufwei sen, der dem im Rezipienten zu erzeugenden Unterdruck entspricht.
Besonders eignet sich frisch verdampfende flüssige Luft oder flüssiger Stickstoff, der bekanntlich bei minus 195,8 C siedet. Der dieser Temperatur ent sprechende Wasserdampfsättigungsdruck beträgt weni ger als 10-12 Torr, so dass eine derartige Gasquelle im Rezipienten ein Vakuum zulässt, dessen Wasserdampf- Partialdruck in dieser geringen Grössenordnung liegt. Auch Edelgase eignen sich für den Zweck der Erfindung gut, wenn sie auch kostspieliger sind.
Allgemein sollte das verwendete Gas nicht brennbar und nicht giftig sein und bei der Temperatur, die den gewünschten niedrigen Wasserdampf-Partialdruck gewährleistet, als. Flüssigkeit verfügbar sein.
Da die Verdampfung verflüssigter Gase Wärme be nötigt, ist es oft erforderlich, durch künstliche Mittel Wärme zuzuführen, etwa durch eine in das verflüssigte Gas eintauchende elektrische Heizwendel.
Bei vorhan denen Vakuumanlagen kann .das Verfahren nach der Erfindung in einfacher Weise verwirklicht werden, in dem der Rezipient mit einem das verflüssigte Gas ent haltenden Dewar-Gefäss verbunden wird. Für den Be trieb einer solchen Vorrichtung über längere Zeiten wird man die bekannten Nachfüllvorrichtungen, welche das verflüssigte Gas aus grösseren Vorratsbehältern laufend in das Dewar-Gefäss fördern, so dass darin ein bestimm tes Flüssigkeitsniveau aufrechterhalten wird, verwenden.
Im fabrikatorischen Betrieb grösserer Vakuumanlagen können kontinuierlich arbeitende Gasverflüssiger einge- setzt werden.
Es empfiehlt sich, das durch Verdampfen aus seiner tiefgekühlten verflüssigten Phase frisch gewonnene trok- kene Gas vor Einleiten in die Rezipienten durch Heiz- einrichtungen zu erwärmen, um eine unerwünschte Ab kühlung des Rezipienten zu verhindern.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH I Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen mit einem Rezipienten, der zwecks Beschickung und Entnahme der im Vakuum zu behandelnden Gegen stände geöffnet werden kann, nach dem Patentanspruch I des Hauptpatentes, dadurch gekennzeichnet, dass der Rezipient mittels Pumpen evakuiert wird und ein aus seiner verflüssigten Phase heraus durch Verdampfen frisch gewonnenes Gas in den Rezipienten eingelassen wird,wobei das eingelassene Gas aus dem geöffneten Rezipienten heraus nach dem Aussenraum abfliesst. UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass die Temperatur des verflüssigten Gases während der Verdampfung niedriger gehalten wird als die Temperatur, bei welcher in dem verflüssig ten Gas etwa eingeschlossene Spuren von Wasser einen Sättigungsdampfdruck aufweisen, der dem im Rezipien ten zu erzeugenden Unterdruck entspricht. 2. Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass durch Verdampfen verflüssigten Stickstoffs frisch gewonnenes Gas in den Rezipienten eingelassen wird. 3.Verfahren nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass das durch Verdampfen aus seiner verflüssigten Phase frisch gewonnene Gas vor Einleiten in .den Rezipienten durch Heizeinrichtungen erwärmt wird. PATENTANSPRUCH II Vakuumanlage nach Patentanspruch II des Haupt patentes zur Durchführung des Verfahrens nach Patent ansprach I hiervor, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen Rezipienten aufweist, welcher über eine mit einem Ventil absperrbare Leitung mit einem Vorratsgefäss für verflüssigtes Gas in Verbindung steht.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH261164A CH430025A (de) | 1959-04-07 | 1964-03-02 | Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen und Vakuumanlage zur Durchführung des Verfahrens |
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Applications Claiming Priority (2)
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| CH261164A CH430025A (de) | 1959-04-07 | 1964-03-02 | Verfahren zum Betrieb von Hochvakuumanlagen und Vakuumanlage zur Durchführung des Verfahrens |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CH430025A true CH430025A (de) | 1967-02-15 |
Family
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Family Applications (1)
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1964
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6405217A (de) | 1965-09-03 |
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