CH432660A - Verfahren zur Erhöhung der Sperrspannung von pn-Übergängen in Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur Erhöhung der Sperrspannung von pn-Übergängen in Halbleiterbauelementen

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CH432660A
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semiconductor
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CH412965A
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Jaentsch Ottomar Dr Dipl-Phys
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Siemens Ag
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
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    • H10D62/103Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices
    • H10D62/104Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices having particular shapes of the bodies at or near reverse-biased junctions, e.g. having bevels or moats
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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