Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silizium Die Erfindung behandelt ein Verfahren zum Her stellen von einkristallinem Silizium, bei dem ein eine halogenhaltige Siliziumverbindung enthaltendes, strö mendes Reaktionsgas über einen in einem Reaktions gefäss gehalterten, elektrisch erhitzten, einkristallinen Trägerkörper aus Silizium geleitet, das aus dem Reak tionsgas durch thermische Umsetzung freiwerdende Sili zium auf den Träger niedergeschlagen und zum ein kristallinen Aufwachsen gebracht wird.
Ferner wird dem Reaktionsgas im vornherein eine das Reaktions gleichgewicht zugunsten des gebundenen Siliziums ver schiedene Halogenverbindung in einem solchen Anteil zugemischt, dass die Temperatur To, unterhalb der die Siliziu.mabscheidung vollständig unterbunden ist und statt dessen eine Wiederauflösung von bereits abgeschiede nem Silizium erfolgt, höchstens 200 C unterhalb der gewählten Abscheidungstemperatur T liegt.
Durch den Zusatz kann nämlich die Menge des abgeschiedenen Siliziums in einfacher, leicht einstell barer Weise für das einkristalline Aufwachsen des Sili ziums günstig dosiert werden, so dass das anfallende Silizium sich in das Gitter des einkristallinen Trägers einordnet, der Trägerkörper also einkristallin wächst. Die Reinheit des Siliziums ist jedoch durch diese Mass nahme insbesondere dann noch nicht ausreichend ge währleistet .und sichergestellt, wenn die halogenhaltige Siliziumverbindung, die z. B. in Dampfform im Reak tionsgas enthalten ist, nicht genügend von Borverbin- dungen gereinigt ist, so dass sich bei diesem Vorgang auch noch Bor abscheiden kann.
Diese Borverunreinigung ist im Silizium besonders störend, weil das Bor durch ein nachfolgendes Zonen schmelzverfahren nur sehr schwer aus dem Silizium entfernt werden kann. Auch macht die Reinigung der für die Bildung des Reaktionsgases verwendeten Sili- ziumverbindung, insbesondere des hierfür gut geeigneten Silicochloroforms von dem in dieser Verbindung enthal tenen Bor, das dort meistens in Form von Borhalo- geniden oder Halogenboranen vorliegt, grosse Schwie rigkeiten,
so dass die üblicherweise hierfür zur Verfü- gung stehenden Siliziumverbindungen, insbesondere das Silicochloroform, oft noch einen Boranteil von 10-2 bis 10-3 Atom % Bor/Si haben.
Es besteht also ein grosses Interesse daran, die er forderlichen Reinigungsmassnahmen der Siliziumveir- Bindung, aus denen das Silizium auf dem Trägerkör per thermisch abgeschieden wird, dadurch zu verein fachen, d'ass die Voraussetzungen für die Verwendung von Si-Verbindung mit verhältnismässig grossem Borge halt geschaffen werden, um trotzdem den Boranteil im niedergeschlagenen Silizium sehr klein zu halten, ins besondere wesentlich geringer als den Anteil des Bors, bezogen auf die Siliziumverbindung im Reaktionsgas.
Sehr eingehende experimentelle und theoretische Un tersuchungen haben nun gezeigt, dass ähnlich wie beim Silizium auch beim Bor das Gleichgewicht der Zer setzung der störenden Borverbindungen im Reaktions gas durch den Zusatz von Halogenverbindungen, ins besondere z. B. von Halogenwasserstoff, verschoben wird, und zwar bei entsprechend bemessenen Anteilen der sonstigen Partner des Reaktionsvorganges, insbe sondere des Wasserstoffanteils im Reaktionsgas, der art, dass Bor unterhalb bestimmter Mindesttemperatu ren nicht mehr abgeschieden wird, selbst wenn es in verhältnismässig grossen Anteilen noch im Reaktionsgas enthalten ist.
Es wurde ferner festgestellt, dass diese Mindesttemperaturen für die Borabscheidung bei den für die Herstellung von Siliziumhalbleitern geeigneten Molverhältnissen des Siliziums, Bors und Wasserstoffe im Reaktionsgas gerade bei dem Zusatz erheblicher Mengen von Halogenverbindungen, wie z.
B. von HCl, genügend hoch über den entsprechenden Mindesttem peraturen für die Abscheidung des Siliziums gelegt werden können, wenn gemäss der Erfindung dem Reak tionsgas, das Silizium in Form einer dampf- oder gas förmigen halogenhaltigen Verbindung und Wasserstoff in einem molaren Verhältnis von Si : H9 von mindestens 2 - 10r2 ,und Bor in Form von dampf- oder gasförmigen Borverbindungen in einem maximalen atomaren Ver hältnis B :
Si von etwa 10 3 enthält, eine das Reak- tionsgleichgewicht zuungunsten des freiwerdenden und sich abscheidenden Siliziums verschiebende Halogen- Wasserstoff-Verbindung in solcher Menge zugesetzt wird, dass die Temperatur T der Oberfläche, auf der das Silizium abgeschieden wird, höchstens 200 C ober halb der Temperatur To und unterhalb der Mindest- abscheidetemperatur des Bors liegt.
Die Ursache für das Auftreten der Mindestab- scheidetemperatur des Bors bei der Zersetzung des z. B. in Form von Borchlorid (BC13) im Reaktionsgas vorliegenden Bors liegt nach den bisher durchgeführ ten Untersuchungen darin, dass nach dem Massenwir- kungsgesetz einem bestimmten HCl-Gehalt bei vorgege bener Wasserstoff-Konzentration ein ganz bestimmter
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das heisst, dass die Grenzkonzentration des Bortrichlorids,
das ohne Borabscheidung im Gasgleichgewicht vorhan den sein kann, bei Steigerung des HCl-Gehalts auf das Dreifache um mehr als eine Zehnerpotenz verändert wird. Es wird also Bor im letzteren Fall erst abgeschie den, wenn der Anteil von BC13 im Chlorsilan 10--2 Mol % übersteigt (normale Borkonzentration im handels üblichen SiHCl@; : etwa 10-3 bis 10-4 Mol %).
Es lässt sich somit für jeden Borgehalt im Reak tionsgemisch bzw. im Chlorsilan eine HCl-Konzentra- tion angeben, die eine Borabscheidung im Silizium ver hindert,
weil für diesen Fall die Gleichgewichtskonzen tration des Boririchlorids grösser ist als die über das Chlorsilan in den Reaktionsraum eingebrachte BC13- Menge. Anderseits kann natürlich auch bei gegebener HCl- und HZ-Konzentration durch Veränderung der Ab scheidungstemperatur die Borabscheidung unterbunden werden.
Die Zeichnung gibt die Zusammenhänge zwischen Borabscheidung, HCl-Gehalt und Temperatur der Si- Abscheidung für ein Molverhältnis (MV) SiHali/H2 = 0,05 nach der angeführten Gleichung wieder. Die der Erfindung zu Grunde liegenden Untersuchungen haben ausserdem ergeben, dass bei nicht allzu hohem Wasser stoffüberschuss im Reaktionsgas bzw. grösseren Borhalo- genid-Konzentrationen von z.
B. > 0,1 % im Halogen- silan die Subehloridbildung als Zwischenstufe eine wich tige Rolle spielt. So verläuft z. B. der Zersetzungsvor gang des Borchlorids in den beiden folgenden Teil schritten: (1) BC13+H2=BC1+2HC1 (2) BCI + 1/2 H2 = B + HCl BCl;.,-Gleichgewichtsdruck entspricht.
Berechnet man nach der Gleichung BC13 + 3/2 H:,> B + 3 HCl für eine definierte Abscheidungstemperatur die BCI Gleichgewichtsdrucke bei verschiedenem HCl-Gehalt, so ersieht man aus dem folgenden Reihenbeispiel für eine Reaktionstemperatur von z.
B. 1000 K und einem Molverhältnis SiHC13/H2 = 1 : 20, bei dem der pH- Wert = 1 gesetzt werden kann, die starke Abhängig keit dieser Werte vom HCl-Gehalt: Boreinbau in Silizium nach der Gleichung BC13 (gas förmig) + 3/2 H2 .E (fest) + 3 HCl Gleichgewichtskonstante:
Die theoretischen und praktischen Untersuchungen haben gezeigt, dass bei der ersten Reaktion [Bildung des Subchlorids BCI nach Formel (1)] bei steigender Temperatur die Subchloridbildung zunimmt, während bei der 2. Reaktion [Formel (2)] mit steigender Tempera tur die Bildung des Bors aus dem Subchlorid abnimmt.
Das Reaktionsgleichgewicht verschiebt sich somit, wie die Untersuchungen gezeigt haben, bei genügend hohen Temperaturen so stark zum Borsubchlorid, dass das Bor, das sich bei der thermischen Zersetzung auf der Ober fläche des Trägers eventuell gebildet hat, mit dem Chlor des zugesetzten HCl unter Freisetzen von Was serstoff als Subchlorid von der Trägeroberfläche ab gelöst wird; dazu muss aber der Anteil der Halogen verbindung, z. B. des HCl, im Reaktionsgas genügend gross .und der Wasserstoffanteil im Reaktionsgas nicht zu gross gehalten werden.
Aus diesen beiden Teilreaktionen, die mit dem Steigen der Temperatur sich gegenläufig ändern, kann also bei entsprechender Wahl der Temperatur auf der Oberfläche, auf der das Silizium niedergeschlagen wird, eine Abscheidung des Bors verhindert werden, indem in dem Reaktionsgasgemisch ein ausreichend hoher An teil einer Halogenwasserstoffverbindung, insbesondere von HCI, hergestellt wird.
Diese theoretischen Unter suchungen wurden durch die Praxis bestätigt; so konnte bei einem Anteil von etwa 0,1 Mol % Borchlorid (BC13) im Silicochloroform (SiHC13) der Anteil des abgeschie denen Bors im abgeschiedenen Silizium dadurch ver ändert werden, dass der Halogen- bzw. Chlorwasser stoffgehalt im Reaktionsgasgemisch geändert wurde. In der Zeichnung ist das Ergebnis dieser Untersuchungen dargestellt. Die absolute Temperatur (T) der Ober fläche des Trägers, auf dem sich das Silizium zusammen mit dem Bor aus dem genannten Reaktionsgasgemisch beim Vorbeistreichen niederschlägt, ist in der Waag rechten aufgetragen.
In der Ordinate ist der Koeffizient a aufgetragen, der das Verhältnis des im festen, nieder geschlagenen Siliziumkörper enthaltenen Boranteils zu dem auf das Silizium bezogenen Boranteil im Reaktions gasgemisch angibt. Bei einem Koeffizienten gleich 0,6 beträgt also der Anteil des Bors im niedergeschlagenen Silizium nur<B>60%</B> des auf das Silizium bezogenen An teils des Bors im Reaktionsgasgemisch.
In der Zeich nung ist ferner das Molverhältnis
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zwischen der Siliziumverbindung (SiX4) zum Wasser stoffgasanteil im Reaktionsgasgemisch angegeben, für das die in der Zeichnung angegebenen Kurven errechnet wurden. Als Parameter ist ferner an den Kurven der Mol %-Anteil des HCl, bezogen auf die Siliziumver- bindung im Reaktionsgasgemisch, angegeben.
Bei der Gesamtgleichung für den Reaktions- und Abscheidungs- vorgang des Bors auf dem Träger BC13+3/2H2fB+3HC1 wird also, wie die Kurven zeigen, das Reaktionsgleich gewicht um so mehr zu Ungunsten der Borabscheidung verschoben, je mehr HCl dem Reaktionsgasgemisch zu gesetzt ist. Enthält das Gemisch z.
B. kein HCl, so wird schon bei einer Temperatur T1 gleich etwa 650 K der Koeffizient a = 1, das heisst Atom %-Anteil des Bors ist im abgeschiedenen Silizium ebenso gross wie der Atom % Anteil des Bors, bezogen auf das Silizium im Reaktionsgasgemisch.
Enthält dagegen das Reaktions gasgemisch 20 Mol % HCl (bezogen auf die Silizium verbindung im Gas), so wird bis zur Temperatur Toi = etwa 1100 K praktisch kein Bor niedergeschlagen; erst bei noch höheren Temperaturen nimmt der Koeffizient a des niedergeschlagenen Bors stark zu.
Bei grösseren Mol %-Anteilen d!es HCl (4,0 Mol %, 60 Mol % ,und 100 Mol %) steigt die Temperatur, bei der die Abschei- dung des Bors erst beginnt, auf entsprechend höhere Mindesttemperaturen (To2, Toi, Toi). Jeweils erst nach Überschreiten dieser Mindesttemperaturen beginnt also erst die Abscheidung des Bors, wobei diese Temperatu ren (s. z.
B. To4) bis weit über die Schmelztemperatur des Siliziums gesteigert werden können.
Die Abscheidung des Bors zusammen mit dem Sili zium auf dem Träger wird nun ausserdem noch durch den Anteil des Wasserstoffs im Reaktionsgasgemisch, aus dem die Abscheidung erfolgt, mitbestimmt. Denn wie die Betrachtung der Reaktions-Gesamtgleichung für den Abscheidungsvorgang des Bors auf dem Träger zeigt, wird durch steigenden Wasserstoffgehalt das Gleichgewicht der Reaktion zugunsten der Abschei- dung des Bors verschoben und dadurch die für das Ab scheiden des Bors notwendige Mindesttemperatur To verringert.
Hieraus ergibt sich, dass das obengenannte Mol-Verhältnis MV zwischen der Siliziumverbindung (SiX4) und dem Wasserstoff (H2) möglichst nicht unter den Wert von etwa 0,02 (2%) absinken soll. Dies ist besonders zu Beginn des Verfahrens zu beachten, wenn kurz vor dem ersten Einströmen des Reaktionsgas gemisches das Reaktionsgefäss mit Wasserstoff gefüllt ist, wie das z.
B. der Fall ist, wenn der Siliziumträger kurz vor Beginn der Abscheid#ung im Wasserstoffstrom ausgeglüht wurde, um ein sauberes einkristallines Auf- wachsen des Siliziums auf dem einkristallinen Träger zu gewährleisten. Günstig, das heisst also in Richtung auf eine Verringerung des Borgehaltes im abgeschie denen Silizium, wirkt sich die Tatsache aus, dass sich bei der Zersetzung der Silizium-Halogen-Verbindung, die zur Abscheidung des Siliziums auf dem Träger führt, im Gasgemisch z.
B. ein Halogenwasserstoff gemäss der Reaktionsgleichung: SiHCls + Hz = Si + 3 HCl bildet; denn das auf diese Weise entstandene HCl wirkt der Abscheidung des Bors aus den oben dargelegten Gründen entgegen. Doch ist hierbei zu beachten, dass diese Wirkung erst dünn eintreten kann, wenn die Um setzung schon begonnen hat.
Zuvor, also unmittelbar zu Beginn des Verfahrens, wenn erstmalig das Gasgemisch in die Reaktionskammer mit dem hocherhitzten Träger eintritt, hat sich noch kein oder nicht ausreichend HCl durch Zersetzen der Siliziumverbindung im Gas gemisch gebildet und demgemäss ist der Anteil des aus dem Gasgemisch auf den Träger sich abscheidenden Bors noch gross.
Dies kann so weit führen, dass der Boranteil im fertigen Siliziumstab allein dadurch un zulässig hoch sein kann, dass nur zu Beginn des Ver fahrens der volle Anteil des im Halogensilan enthaltenen Bors abgeschieden wurde, so dass gegebenenfalls auch nach gleichmässiger Verteilung über den gesamten Quer schnitt des Siliziumträgers der Boranteil noch zu hoch ist.
Selbst wenn daher im eingefahrenen Zustand des Verfahrens - also bei einer gewissen umsetzungsbe dingten HX-Gleichgewichts-Konzentration - durch die Wahl des Gasgemisches dafür Sorge getragen ist, dass sich praktisch kein Bor mehr abscheidet, so kann trotz dem der fertige Siliziumkörper unzureichend viel Bor enthalten, weil in der Anlaufperiode des Verfahrens die Abscheidungsmenge des Bors zu hoch war. Bei der Durchführung des Verfahrens bedarf also der Anlauf vorgang des Verfahrens noch besonderer Beachtung.
Gemäss der Erfindung wird deshalb bei einem Ver fahren zur Abscheidung von Silizium auf einem hoch erhitzten Trägerkörper aus einem Gasgemisch, das neben der Siliziumverbindung, aus der durch thermische Zer setzung das Silizium auf dem Trägerkörper abgeschie den wird, auch noch Wasserstoff enthält, vorgeschlagen, bei der Durchführung des Abscheidungsvorganges dem Gasgemisch eine Halogenwasserstoffverbindung, insbe sondere HCl, zuzusetzen. Die Menge der zugesetzten Halogen-Wassertoff-Verbindung soll so gross gewählt werden,
dass praktisch kein Bor mehr mit dem Silizium niedergeschlagen wird. Die hierzu notwendige Menge ist also, wie die Zeichnung zeigt, von der Temperatur (T) der Oberfläche des Trägers abhängig, auf dem die Abscheidung erfolgt. Wird z.
B. bei einer Oberflächen temperatur (T) gleich etwa 1400 K gearbeitet, so emp fiehlt es sich, wenigstens zu Beginn des Verfahrens einen hohen Mol %-Satz HCl zuzusetzen, und zwar min destens in der Höhe des bei laufender Reaktion vor handenen HCl-Gehalts. Wenn dann die Zersetzung der Siliziumverbindung und die Bildung der Halogen-Was- serstoff-Verbindung eingesetzt hat, kann die Menge des dem Gasgemisch zugesetzten Halogen-Wasserstoffs ver ringert werden,
weil bei der Zersetzung des Siliziums sich eine weitere Halogen-Wasserstoff-Verbindung bildet, die der Borabscheidung entgegenwirkt. Jedoch empfiehlt es sich, gegebenenfalls bei entsprechend hohen Borgehalten im Chlorsilan dem Gasgemisch auch im Dauerbetrieb des Verfahrens eine Halogen-Wasserstoff-Verbindung zuzusetzen.
Wie schon in der Hauptanmeldung dargelegt, wird durch den Zusatz einer Halogen-Wasserstoff-Verbindung zum Reaktionsgasgemisch die Abscheidung des. Siliziums aus diesem Gasgemisch ungünstig beeinflusst, denn mit steigendem Anteil der Halogen-Wasserstoff-Verbindung im Gasgemisch nimmt die Menge des aus dem Ge misch ausgeschiedenen Siliziums ab.
Gemäss der Erfin dung ist daher die Menge des laufend zugesetzten Halogen-Wasserstoffs dadurch auch nach oben begrenzt, da die gewählte Abscheidiungstemperatur T auf der Oberfläche des Trägers, auf dem sich das Silizium ab scheiden soll, noch genügend hoch über der Mindest- abscheidungstemperatur des Siliziums, höchstens aber 200 C oberhalb der Temperatur To liegen soll.
Ins besondere soll die Lage dieser Mindestabscheidungs- temperatur in bezug auf die Oberflächentemperatur des Trägers so gewählt werden, dass nach der theoretisch möglichen Ausbeutekurve mindestens etwa 50 % des dem Reaktionsgefäss in Form von zersetzungsfähiger Siliziumverbindung zugeführten Siliziums auf dem Träger abgeschieden werden (a Si mindestens = 0,5).
Wie schon oben gesagt, spielt auch der Wasser stoff im Gasgemisch eine wesentliche Rolle, indem er bei steigendem Anteil im Gasgemisch das Abscheiden des Bors und des Siliziums begünstigt. Dies ist besonders dann von Bedeutung, wenn es sich bei dem Abschei- dungsverfahren um die Erzielung eines einkristallinen Wachstums handelt.
Soll nämlich das Silizium einkri stallin auf einem einkristallinen Siliziumträger aufwach sen, so ist es vielfach erwünscht, vor Beginn der Ab scheidung die Oberfläche des einkristallinen Silizium- trägers durch Ausglühen in einem Wasserstoffgasstrom auch von Spuren anhaftenden Sauerstoffs. zu befreien.
Zu diesem Zwecke verfährt man in der Weise, dass der in das Reaktionsgefäss eingebaute einkristalline Silizium- träger, bevor das Reaktionsgemisch in den. Reaktio s-: raum eingelassen wird, durch einen ihn durchfliessenden Strom hoch erhitzt wird, während gleichzeitig durch den Reaktionsraum ein Wasserstoff-Gasstrom hindurch geleitet wird.
Würde man nun ohne besondere Mass nahmen sofort nach Beendigung der Wasserstoffglühung des einkristallinen Siliziumträgers das Reaktionsgasge misch in den Reaktionsraum einleiten, so würde Du Beginn des Abscheidungsverfahrens die Wasserstoff- Konzentration im Verhältnis zur Chlorsilankonzentra- tion besonders hoch und damit auch die Borabschei- dung besonders begünstigt sein.
Eine solche Begünstigung der Borabscheidung tritt auch dann ein, wenn keine solche Ausglühung des Sili- ziumträgers im Wasserstoffstrom vor der Siliziumab- scheidung vorgenommen wird, sondern das Reaktions gas zu Beginn des Verfahrens in konstanter, das heisst im Laufe des weiteren Verfahrens nicht geänderter Zu sammensetzung in das Reaktionsgefäss einströmt.
Zu Beginn des Einströmens ist in diesem Fall nämlich der Anteil des Halogenwasserstoffs im Reaktionsgas noch kleiner als nach Erreichen des Gleichgewichtszustandes der Gaszusammensetzung im Reaktionsgefäss, weil zu Beginn des Einströmens noch kein bei der Abscheidung des Siliziums gebildeter Halogenwasserstoff im Reak tionsgefäss vorhanden ist.
Erst nach einer gewissen Zeit spanne, während der der Gehalt :des Halogenwasserstoffs im Reaktionsgefäss infolge der beginnenden Si Abschei- dung zunimmt, erreicht dieser Gehalt seinen vollen Wert, den er im weiteren Verlauf des Verfahrens be- hält, solange die Massnahmen zur Durchführung des Verfahrens nicht geändert werden.
Aus diesen Gründen empfiehlt es sich, zu Beginn des Verfahrens die Tem peratur der Oberfläche des Trägers, die Wasserstoff konzentration bzw. die Halogenwasserstoffkonzentration im Reaktionsgefäss während der genannten Zeitspanne aufeinander so abzustimmen, dass auch in dieser Zeit spanne kein Bor abgeschieden wird. Vorzugsweise wird das Molverhältnis des Halogensilans zum Wasserstoff im Reaktionsgefäss zeitlich schnell auf den für den Dauerzustand des Verfahrens gewünschten Wert ge bracht.
Wird bis dahin eine hohe Reduktionswirkung auf das Borhalogenid infolge eines hohen Wasserstoff anteils im Reaktionsgefäss ausgeübt, so wird diese zur Abscheidung von Bor führende Wirkung gemäss der Erfindung durch. einen besonders hohen Anteil des Halo genwasserstoffs im anfangs einströmenden Reaktions gas abgefangen. Dieser hohe Anteil des Halogenwasser stoffs im einströmenden Gas kann dann später, wenn der hohe Wasserstoffanteil entsprechend abgesunken ist, auch verringert werden. Häufig empfiehlt es sich aber auch, z.
B. nach dem Ausglühen des Trägers im Wasserstoffstrom das Reaktionsgefäss vor der Einschleu- sung von Halogensilan mit einem Wasserstoffstrom durchzuspülen, dem Halogenwasserstoffe, vorzugsweise von mindestens 1 bis au etwa 10 Mol % beigegeben sind. Erst nach dem Spülen der Apparatur mit diesem Ge misch leitet man dann das, Reaktionsgasgemisch in das Reaktionsgefäss ein, wobei dieses Reaktionsgemisch dann ebenfalls noch einen Halogenwasserstoffgehalt der selben Grösse besitzen kann, der im Laufe des weiteren Verfahrens noch weiter verringert werden kann.
Ein wesentlicher Vorteil des Verfahrens besteht darin, dass, wenn auf diese Weise die Borabscheidung während der Abscheidung des Siliziums praktisch un terbunden ist, auch die Abscheidung anderer, eine Stör stellenleitung bewirkender Stoffe, verhindert wird. Ins besondere liegen die Mindestabscheidetemperaturen der als Akzeptoren im Silizium wirksamen Stoffe, wie z. B. des Aluminiums, wesentlich über den Mindestabscheide- temperaüuren des Bors, so dass auch diese als.
Akzep toren wirksamen Verunreinigungen nicht im Silizium abgeschieden werden, wenn die Borabscheidung gemäss der Erfindung unterbunden ist. Auch hier kann der als Akzeptor wirksame Stoff in Form von dampf- oder gas förmigen Verbindungen bis zu einem atomaren Ver hältnis von etwa 0,2, insbesondere von etwa 0,1 Atom oder darunter im Reaktionsgas enthalten sein.
Die Sili- ziumverbindungen des Reaktionsgasgemisches brauchen also von den Verbindungen dieser Störstoffe nicht durch eine besonders kostspielige Reinigung praktisch völlig befreit zu sein, trotzdem scheiden sich bei dem erfin dungsgemässen Verfahren die Störstoffe praktisch nicht mit dem Silizium ab.