CH471240A - Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial

Info

Publication number
CH471240A
CH471240A CH148163A CH148163A CH471240A CH 471240 A CH471240 A CH 471240A CH 148163 A CH148163 A CH 148163A CH 148163 A CH148163 A CH 148163A CH 471240 A CH471240 A CH 471240A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor material
oxide coating
body made
production
hydrogen peroxide
Prior art date
Application number
CH148163A
Other languages
English (en)
Inventor
Norbert Dr Schink
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH471240A publication Critical patent/CH471240A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302—Non-deposition formation processes
    • H10P14/6304—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H10P14/6306—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
    • H10P14/6308—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors
    • H10P14/6309—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors of silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6302—Non-deposition formation processes
    • H10P14/6322—Formation by thermal treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6928—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H10P14/6929—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/43—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/909—Controlled atmosphere

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description


  Verfahren     zur    Herstellung eines     Oxydbelages    auf einem Körper aus Halbleitermaterial    Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung eines       Oxydbelages    auf einem vorzugsweise einkristallinen Kör  per aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silizium,  unter Verwendung eines gasförmigen Oxydationsmit  tels vorgeschlagen worden, wobei dem Oxydationsmittel  ein bei erhöhter Temperatur Wasserstoffionen und/oder       Alkaliionen    abspaltender und sich mindestens teilweise       verflüchtigender        Stoff    beigemengt wird. Das Oxyda  tionsmittel ist Wasserdampf.  



  Es hat sich herausgestellt, dass auch Dampf aus  Wasserstoffsuperoxyd ein geeignetes Oxydationsmittel  ist. Die Erfindung betrifft demgemäss ein Verfahren zur  Herstellung eines     Oxydbelages    auf einem Körper aus  Halbleitermaterial unter Verwendung eines gasförmi  gen Oxydationsmittels, dem ein bei erhöhter Tempera  tur Wasserstoffionen und/oder     Alkaliionen    abspaltender  Stoff beigemengt wird. Dieses Verfahren ist     erfindungs-          gemäss    dadurch gekennzeichnet, dass als Oxydations  mittel Dampf von Wasserstoffsuperoxyd verwendet wird.  Das Wasserstoffsuperoxyd hat     vorteilhaft    eine hohe  Konzentration von z. B. 30 /o.

   Besonders günstig ist das       erfindungsgemässe    Verfahren zum Oxydieren der Ober  fläche von     Siliziumkörpern.     



  Es hat sich als zweckmässig erwiesen, auf die Ober  fläche eines Halbleiterkörpers einen     Oxydbelag    aufzu  bringen, der nach Fertigstellung eines Halbleiterbauele  mentes weitgehend das Eindringen von Fremdstoffen  verhindern kann.     Oxydbeläge    können auch zur Mas  kierung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen  durch     Diffusion    dienen. Weiter können     Oxydhäute    mit  eingelagerten     Dotierungsstoffen    auf Halbleiterkörper  aufgebracht und anschliessend durch eine Wärmebe  handlung die     Dotierungsstoffe    in das     Halbleitermaterial          eindiffundiert    werden.  



  Das bereits vorgeschlagene Verfahren dient zur Her  stellung von     Oxydhäuten    zu diesen Zwecken. Es hat sich  gezeigt, dass die nach diesem Verfahren     hergestellten            Oxydhäute    wisch- und chlorfest sind. Der Hauptvorteil  des Verfahrens ist darin zu sehen, dass     verhältnismässig     niedrige Temperaturen angewendet werden, z. B. Tem  peraturen die unterhalb des     Schmelzpunktes    des     Gold-          Germanium-    bzw. des     Gold-Silizium-Eutektikums    liegen  (360 bzw. 370  C).

   Bei der Erzeugung von     Oxydschich-          ten    mit     Hilfe    von Wasserdampf ohne Verwendung eines  Wasserstoffionen oder     Alkaliionen        abspaltenden    Stoffes  liegt die untere Grenze der Entstehung von Oxyden im  Falle von Silizium bei etwa 600  C.  



  Das Verfahren gemäss der Erfindung wird     in    der  gleichen Weise wie das bereits vorgeschlagene Verfah  ren durchgeführt. Es wird lediglich Wasserstoffsuper  oxyd anstelle von Wasser verwendet. Es zeigte sich,  dass bei gleicher Temperatur, Menge und Zeit minde  stens doppelt so grosse Schichtdicken der entstehenden       Oxydhäute    wie bei dem vorgeschlagenen Verfahren er  zielt werden können. Offenbar ist dies darauf zurück  zuführen, dass im Falle der Verwendung von Wasser  stoffsuperoxyd Sauerstoff in einer besonders reaktions  freudigen Form vorhanden ist.  



  Man kann beispielsweise, wie in der Zeichnung dar  gestellt, in einer Ampulle 2, die aus Quarz oder Glas  bestehen kann, eine Reihe von scheibenförmigen Halb  leiterkörpern 4 anordnen, sowie in einer gewissen Ent  fernung davon, z. B. in einer Abschnürung der Ampulle  eine geringe Menge 3, z. B. bestehend aus 100 mg  Wasserstoffsuperoxyd und 20 mg     Kochsalz.    Danach  wird die Ampulle     abgeschmolzen    und beispielsweise in  einem Ofen erwärmt. Zweckmässig wird die Ampulle  auf eine Temperatur von mehr als 250  C, insbesondere  350  C, gebracht und mindestens 30 Minuten auf dieser  Temperatur belassen. Beispielsweise kann eine Wärme  behandlung von 300 C und von 16 Std. Dauer vorge  nommen werden.

   Nach der Wärmebehandlung besitzen  die Halbleiterkörper eine     Oxydhaut    von     einigen    1000     Ä.     Dicke.      Als Wasserstoffionen und bzw. oder     Alkaliionen    ab  spaltende     Stoffe    haben sich insbesondere     Natriumacetat          CH3COONa    -     3H20,        Orthophosphorsäure        H3P04,     Schwefelsäure     H2S04,        Dinatriumhydrogenphosphat          Na2HP04    -     12H20,    Kochsalz     NaCl,

          Natriumjodid        NaJ     und     Natriumarsenit        NasASOs    als geeignet erwiesen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial unter Verwendung eines gasförmigen Oxydationsmittels, dem ein bei er höhter Temperatur Wasserstoffionen und/oder Alkali- ionen abspaltender Stoff beigemengt wird, dadurch ge kennzeichnet, dass als Oxydationsmittel Dampf von Wasserstoffsuperoxyd verwendet wird. UNTERANSPRüCHE 1.
    Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge- kennzeichnet, dass Wasserstoffsuperoxyd in einer Kon zentration von 30 /o verwendet wird. 2. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass es bei einer Temperatur von mehr als 250 C, insbesondere von etwa 350 C, durchgeführt wird.
CH148163A 1961-11-18 1963-02-06 Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial CH471240A (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0076751 1961-11-18
DES0079385 1962-05-10
DES0079384 1962-05-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH471240A true CH471240A (de) 1969-04-15

Family

ID=27212741

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1060762A CH406779A (de) 1961-11-18 1962-09-06 Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Körper aus Halbleitermaterial
CH1444462A CH471239A (de) 1961-11-18 1962-12-07 Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial
CH148163A CH471240A (de) 1961-11-18 1963-02-06 Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1060762A CH406779A (de) 1961-11-18 1962-09-06 Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Körper aus Halbleitermaterial
CH1444462A CH471239A (de) 1961-11-18 1962-12-07 Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3260626A (de)
CH (3) CH406779A (de)
DE (1) DE1521950B2 (de)
GB (3) GB1001620A (de)
NL (3) NL287407A (de)
SE (2) SE324184B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0789007A1 (de) 1996-02-10 1997-08-13 Forschungszentrum Jülich Gmbh Verklebung von nichtoxidischen keramischen, keramometallischen oder metallischen Körpern

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3390011A (en) * 1965-03-23 1968-06-25 Texas Instruments Inc Method of treating planar junctions
GB1081629A (en) * 1965-08-26 1967-08-31 Associated Semiconductor Mft Improvements in or relating to silicon bodies
US3914465A (en) * 1972-09-25 1975-10-21 Bell Telephone Labor Inc Surface passivation of GaAs junction laser devices
US3882000A (en) * 1974-05-09 1975-05-06 Bell Telephone Labor Inc Formation of composite oxides on III-V semiconductors
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
US4267205A (en) * 1979-08-15 1981-05-12 Hughes Aircraft Company Process for low-temperature surface layer oxidation of a semiconductor substrate
US4409260A (en) * 1979-08-15 1983-10-11 Hughes Aircraft Company Process for low-temperature surface layer oxidation of a semiconductor substrate
DE3150420A1 (de) * 1981-12-19 1983-06-30 Solarex Corp., 14001 Rockville, Md. Verfahren zur bildung einer duennen phosphorschicht auf siliziumsubstraten durch aufdampfen von h 3 po 4
IE55119B1 (en) * 1983-02-04 1990-06-06 Westinghouse Electric Corp Closed tube gettering
FR2547775B1 (fr) * 1983-06-23 1987-12-18 Metalem Sa Procede de decoration d'un article, application d'un procede de traitement d'un element de silicium, utilisation d'une plaque de silicium traitee et article decore
USD322691S (en) 1988-11-24 1991-12-24 The Boots Company, Plc Dry shaver
US4961971A (en) * 1988-12-19 1990-10-09 United Technologies Corporation Method of making oxidatively stable water soluble amorphous hydrated metal oxide sized fibers

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB632442A (en) * 1947-06-12 1949-11-28 Ralph Christopher Noyes Method of coating with quartz by thermal evaporation
US2817609A (en) * 1955-06-24 1957-12-24 Hughes Aircraft Co Alkali metal alloy agents for autofluxing in junction forming
BE550586A (de) * 1955-12-02
BE562973A (de) * 1956-12-06 1900-01-01
US3114663A (en) * 1960-03-29 1963-12-17 Rca Corp Method of providing semiconductor wafers with protective and masking coatings
US3108915A (en) * 1961-06-30 1963-10-29 Bell Telephone Labor Inc Selective diffusion technique

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0789007A1 (de) 1996-02-10 1997-08-13 Forschungszentrum Jülich Gmbh Verklebung von nichtoxidischen keramischen, keramometallischen oder metallischen Körpern
DE19604844A1 (de) * 1996-02-10 1997-08-14 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verklebung von nichtoxidischen keramischen, keramometallischen oder metallischen Körpern
DE19604844C2 (de) * 1996-02-10 1998-02-26 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verklebung von nichtoxidischen keramischen, keramometallischen oder metallischen Körpern sowie verfahrensgemäß hergestellte Körper

Also Published As

Publication number Publication date
GB1014287A (en) 1965-12-22
SE324184B (de) 1970-05-25
DE1521953B2 (de) 1972-08-17
DE1521952B2 (de) 1972-06-08
CH471239A (de) 1969-04-15
DE1521952A1 (de) 1969-07-31
GB1014286A (en) 1965-12-22
CH406779A (de) 1966-01-31
NL285088A (de)
US3260626A (en) 1966-07-12
DE1521950A1 (de) 1970-03-12
GB1001620A (en) 1965-08-18
NL289736A (de)
NL287407A (de)
DE1521953A1 (de) 1970-07-09
DE1521950B2 (de) 1971-07-29
SE323451B (de) 1970-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH471240A (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem Körper aus Halbleitermaterial
DE1621477B2 (de) Waessrige aetzloesung zum selektiven aetzen von silicium dioxid und phosphatglasschichten auf halbleiterkoerpern und verwendung der loesung zur reinigenden aetzung von halbleiterkoerpern
DE2038564B2 (de) Quarzglasgeraeteteil, insbesondere quarzglasrohr, mit in seiner aussenoberflaechenschicht enthaltenen, kristallbildung foerdernden keimen zur verwendung bei hohen temperaturen, insbesondere fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer verfahren
DE1271841B (de) Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenid-Transistors
DE1271328B (de) Verfahren zur Erhoehung des oberen Kuehlpunktes eines Glases mit einem SiO-Gehalt von wenigstens 94%
DE1521953C (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxidbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Körper aus Halbleitermaterial
DE448009C (de) Verfahren zur Erzeugung einer rostsicheren Schicht auf Eisen und Stahl
DE542281C (de) Verfahren zur Herstellung von Titanpigmenten
DE2447224A1 (de) Verfahren zum aufwachsen von pyrolitischen siliciumdioxidschichten
DE1521952C (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxidbelages auf einem vorzugsweise einkristallinen Halbleiterkörper
DE1521950C (de) Verfahren zur Herstellung eines Oxydbelages auf einem vorzugsweise ein kristallinen Halbleiterkörper und Anwen dung des Verfahrens zum Vergleichmaßigen der Oberflache und zum Dotieren
DE844388C (de) Chemisches Verfahren zur Erzeugung hochglaenzender Oberflaechen auf Aluminium und Aluminiumlegierungen
DE963538C (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE762385C (de) Elektrische Niederdruck-Quecksilberdampfentladungsroehre mit Leucht-stoffbelag und Verfahren zur Herstellung des Leuchtstoffpulvers
DE606109C (de) Verfahren zur Herstellung von rostschuetzenden Phosphatueberzuegen auf eisernen Gegenstaenden
DE974625C (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Silizium
DE926008C (de) Verfahren zur Herstellung von Phosphatduengemitteln durch thermischen Aufschluss von Rohphosphaten unter Zusatz von Magnesiumsulfat
DE920863C (de) Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen
DE682258C (de) Verfahren zur Herstellung eines citronensaeure- und ammoncitratloeslichen Phosphatduengemittels
DE675250C (de) Verfahren zur Herstellung von kaltem, atomaren Wasserstoff enthaltendem Wasserstoff
DE566304C (de) Verfahren zur Herstellung von Metallsulfid-Zellen, die als Photo-, Detektor- oder Gleichrichter-Zellen verwendet werden
AT239308B (de) Verfahren zur kontrollierten Flächenverkleinerung von Übergängen
DE1546030C (de) Ätzlösung zum Ätzen von Silizium
DE485437C (de) Herstellung von Alkaliphosphaten
DE763100C (de) Verfahren zur Herstellung von Schichten hoher Sekundaerelektronenemission

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased