CH483125A - Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Strahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung

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CH483125A
CH483125A CH1681668A CH1681668A CH483125A CH 483125 A CH483125 A CH 483125A CH 1681668 A CH1681668 A CH 1681668A CH 1681668 A CH1681668 A CH 1681668A CH 483125 A CH483125 A CH 483125A
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CH
Switzerland
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manufacture
radiation detector
detector
radiation
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Application number
CH1681668A
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English (en)
Inventor
Maret Gerard
Original Assignee
Philips Nv
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/29—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • H10F30/292—Bulk-effect radiation detectors, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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US3619621A (en) 1971-11-09
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